專利名稱：一種改善手機顯示屏esd性能的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種手機顯示屏結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種改善手機顯示屏ESD性能的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，國際、國內(nèi)品牌手機對防靜電ESD (英文Electrostatic discharge 的縮寫)都有一定要求，就靜電本身而言，它具有一些特點一、隱蔽性，人體不能直接感知靜電；二、潛在性，有些電子元器件受到靜電損傷后的性能沒有明顯的下降，但多次累加放電會給器件造成內(nèi)傷而形成隱患；三、隨機性，從一個元件產(chǎn)生以后，一直到它損壞以前，所有的過程都受到靜電的威脅，而這些靜電的產(chǎn)生也具有隨機性；四、復雜性，靜電放電損傷的失效分析工作，因電子產(chǎn)品的精、細、微小的結(jié)構(gòu)特點而費時、費事、費錢，要求較高的技術(shù)并往往需要使用掃描電鏡等高精密儀器。即使如此，有些靜電損傷現(xiàn)象也難以與其他原因造成的損傷加以區(qū)別，使人誤把靜電損傷失效當作其他失效。這在對靜電放電損害未充分認識之前，常常歸因于早期失效或情況不明的失效，從而不自覺地掩蓋了失效的真正原因，所以靜電對電子器件損害極其復雜。防止靜電除了在生產(chǎn)中，采用各種防靜電措施，在具體提高靜電能力的地方通常采取的一些方法如將BTB(英文Branch Target Buffer的縮寫)座包絕緣膠、主FPC (英文Flexible Printed Circuit的縮寫)增大露銅接地等，雖然會有一定的改善，但一致性不好，會造成一定概率的靜電環(huán)。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種改善手機顯示屏ESD性能的結(jié)構(gòu)，能有效的提高防靜電能力，且結(jié)構(gòu)簡單，易于安裝。為了達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是一種改善手機顯示屏ESD性能的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由上至下依次包括上層偏光片、上層玻璃基板、液晶層及下層玻璃基板， 在上層偏光片與上層玻璃基板之間設(shè)置有一層導電薄膜，該導電薄膜為ITO(英文^idium Tin Oxides的縮寫)薄膜或?qū)щ娔z涂層，且通過在導電薄膜的左右兩側(cè)點導電銀漿鍍層或者其它導電材料將導電薄膜與下層玻璃基板的GND相連接，導電銀漿鍍層為長方體、圓柱體、階梯橢圓圓柱體或階梯長方體，導電銀漿鍍層的寬度、厚度及形狀可以進行調(diào)整，基于平面內(nèi)開關(guān)IPS技術(shù)的寬視角顯示屏，它與普通TFT顯示屏的最大差異在于VCOM (英文 Voltage Common的縮寫)公共電極與薄膜晶體管TFT位于同一層即下玻璃基板上表面，為公共電極與薄膜晶體管層，設(shè)置在下層玻璃基板的上表面。下層玻璃基板的一側(cè)設(shè)置有顯示面板驅(qū)動芯片，顯示屏面板驅(qū)動芯片與外接柔性電路板FPC相連，柔性電路板上設(shè)置有ESD器件區(qū)域，ESD器件區(qū)域包括電容和電阻，在FPC 的狹長端還設(shè)置有BtoB (英文Board To Board的縮寫)CONN連接端接口。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是第一、通過在導電薄膜的左右兩側(cè)點導電銀漿鍍層或者使用其它導電材料將導電薄膜與下層玻璃基板的GND相連接，通過相對應(yīng)的左右兩點來轉(zhuǎn)移靜電所產(chǎn)生的電荷能量，且導電銀漿鍍層的寬度、厚度及形狀可以進行調(diào)整，在一定程度上改善了手機顯示屏的ESD防靜電能力；第二、該結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單，易于實現(xiàn)。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型的正面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型的導電銀漿鍍層位置示意圖；圖4為導電銀漿鍍層的側(cè)視圖。
具體實施方式
本實用新型的主旨在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種改善手機顯示屏ESD性能的結(jié)構(gòu)，在上層偏光片與上層玻璃基板之間設(shè)置有導電薄膜，公共電極VCOM與薄膜晶體管 TFT位于同一層，設(shè)置在下層玻璃基板的上表面，在一定程度上改善了手機顯示屏的ESD防靜電能力，且該結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單，易于實現(xiàn)。手機顯示屏作為手機顯示裝置與人體接觸的概率較大，因此顯示屏靜電問題比較普遍，特別是滑蓋機?；w機的滑軌和水平耦合板兩塊金屬形成電容，對滑軌放電時，LCD顯示屏處于電場之中，那么此時對抗靜電能力要求就比較嚴苛。另外，對于滑蓋機的滑軌，金屬電池蓋以及背面的金屬裝飾片都是直接或間接與內(nèi)部PCB主地相連的外露金屬，無論是接觸放電還是空氣放電，ESD能量都能更容易通過這些金屬注入到上層ITO與平面耦合板形成的等效電容上。尤其是_12kV空氣放電時，負電荷向這個等效電容充電，且積累在金屬框和ITO薄膜的下表面?；谄矫鎯?nèi)開關(guān)IPS技術(shù)的寬視角顯示屏，它與普通TFT顯示屏的最大差異在于 VCOM公共電極與薄膜晶體管TFT位于同一層即下玻璃基板上表面，而普通TFT顯示屏的公共電極位于液晶分子的上玻璃基板上。為了解決生產(chǎn)與使用過程中的靜電問題，IPS顯示屏在上玻璃上表面會鍍一層ITO薄膜，而這層ITO薄膜會通過一定的接地方式與下層玻璃地相連。下面結(jié)合實施例參照附圖進行詳細說明，以便對本實用新型的技術(shù)特征及優(yōu)點進行更深入的詮釋。如圖1、2所示，一種改善手機顯示屏ESD性能的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由上至下依次包括上層偏光片1、上層玻璃基板2、液晶層3及下層玻璃基板4，在上層偏光片1與上層玻璃基板 2之間設(shè)置有一層導電薄膜5，該導電薄膜5為ITO薄膜或?qū)щ娔z涂層，且通過在導電薄膜 5的左右兩側(cè)點導電銀漿鍍層11將導電薄膜5與下層玻璃基板4的GND相連接，從而實現(xiàn)靜電轉(zhuǎn)移的多路徑，降低因靜電問題導致的屏壞概率。如圖3、4所示，導電銀漿鍍層11為長方體，導電銀漿鍍層11不僅僅只是長方體， 或者為圓柱體、階梯橢圓圓柱體或階梯長方體。導電銀漿鍍層U的寬度、厚度及形狀可以進行調(diào)整，導電銀漿鍍層11所用的導電銀漿也可以用其他導電材料代替。下層玻璃基板4的一側(cè)設(shè)置有顯示面板驅(qū)動芯片7，顯示屏面板驅(qū)動芯片7與外接柔性電路板10相連，柔性電路板10上設(shè)置有ESD器件區(qū)域8，ESD器件區(qū)域8包括電容和電阻，在柔性電路板10的狹長端還設(shè)置有BtoB CONN數(shù)據(jù)庫連接端接口 9。 以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，但是本實用新型不僅僅限于所述實施例，凡依本實用新型所做的均等變化與修飾來達到相同效果是可能發(fā)生的并且都包括在本實用新型之中。
權(quán)利要求1.一種改善手機顯示屏ESD性能的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由上至下依次包括上層偏光片(1 )、上層玻璃基板(2)、液晶層(3)及下層玻璃基板(4)，其特征在于所述的結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在上層偏光片(1)與上層玻璃基板(2 )之間的導電薄膜(5 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善手機顯示屏ESD性能的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的導電薄膜(5)為ITO薄膜或?qū)щ娔z涂層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善手機顯示屏ESD性能的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的導電薄膜(5)與下層玻璃基板(4)的接地端GND通過在導電薄膜(5)的左右兩側(cè)點導電銀漿鍍層(11)相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善手機顯示屏ESD性能的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的導電銀漿鍍層(11)為長方體、圓柱體、階梯橢圓圓柱體或階梯長方體。
專利摘要本實用新型公開了一種改善手機顯示屏ESD性能的結(jié)構(gòu)，該顯示屏結(jié)構(gòu)一般由上至下依次包括上層偏光片、上層玻璃基板、液晶層及下層玻璃基板等，在上層偏光片與上層玻璃基板之間設(shè)置有一層導電薄膜或?qū)щ娔z涂層，該導電薄膜為ITO薄膜，且通過在導電薄膜的左右兩側(cè)點導電銀漿鍍層或者使用其它導電材料將導電薄膜與下層玻璃基板的接地端GND相連接，導電銀漿鍍層為長方體、圓柱體、階梯橢圓圓柱體或階梯長方體。導電銀漿鍍層或者其它導電材料的寬度、厚度及形狀可以進行調(diào)整，以適應(yīng)不同等級的防靜電能力。本實用新型在一定程度上改善了手機顯示屏的ESD防靜電能力，且該結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單，易于實現(xiàn)。
文檔編號H04M1/02GK202013461SQ201120133369
公開日2011年10月19日 申請日期2011年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月29日
發(fā)明者曾元清 申請人:廣東歐珀移動通信有限公司