專利名稱：結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微機(jī)電麥克風(fēng)，特別是涉及一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)及其制造方法。
背景技術(shù)：
微機(jī)電麥克風(fēng)是目前電聲產(chǎn)業(yè)極力發(fā)展的一項(xiàng)產(chǎn)品，其可廣泛地被運(yùn)用于各項(xiàng)可攜式電子裝置上，借以符合微型化并兼具收音的效果。如圖I所不,為現(xiàn)有習(xí)知微機(jī)電麥克風(fēng)不意圖,其包括有一第一芯片I與設(shè)置于其上的一第二芯片2，且第一芯片I上設(shè)置一振膜3，第二芯片2設(shè)置一背板4與振膜3相對應(yīng)，以及第一芯片I與第二芯片2之間設(shè)有一支撐結(jié)構(gòu)5，用以接納振膜3，以維持振膜3在 支撐結(jié)構(gòu)5所圈設(shè)的區(qū)域內(nèi)，而不會受應(yīng)力所影響，其中支撐結(jié)構(gòu)5主要設(shè)置于背板4的凹槽6內(nèi)。然而，支撐結(jié)構(gòu)5的高度必須與凹槽6的深度精準(zhǔn)配合，否則第一芯片I與第二芯片2在結(jié)合后，支撐結(jié)構(gòu)5極容易因結(jié)合時(shí)的作用壓力，而產(chǎn)生變形或損壞，如此結(jié)構(gòu)在制造上控制良率相當(dāng)困難；再者，由于支撐結(jié)構(gòu)5與第二芯片2直接結(jié)合的作法，其必須要考量支撐結(jié)構(gòu)5的材料能與第二芯片2的硅(Si)層發(fā)生共晶反應(yīng)才行，因此在材料的選擇上非常有限，此外，該現(xiàn)有習(xí)知微機(jī)電麥克風(fēng)的振膜3是為一浮動結(jié)構(gòu)，其通常在工藝中需要采用犧牲層的作法，如此在工藝的實(shí)施上顯得并非容易。有鑒于上述現(xiàn)有的微機(jī)電麥克風(fēng)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)及其制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的微機(jī)電麥克，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的微機(jī)電麥克風(fēng)存在的缺陷，而提供一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)及其制造方法，所要解決的技術(shù)問題是，振膜的中央部份容置于基板預(yù)先成型的容置槽，使得振膜在槽內(nèi)受到保護(hù)，據(jù)以提升整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提供一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其包括有一第一基板、一第二基板、一振膜、一背板及一容置槽。第一基板具有一第一腔室，振膜設(shè)置第一腔室上，第二基板具有一第二腔室，背板一側(cè)設(shè)置于第二腔室上，另一側(cè)設(shè)置于振膜，以使第二基板結(jié)合于第一基板上，且背板具有數(shù)個(gè)音孔，容置槽設(shè)置于第一基板與該第二基板之間，用以使振膜與背板之間形成一空間。本發(fā)明的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其中該容置槽設(shè)置于該第一基板，且與該第一腔室連通，以使該振膜的中央部份容設(shè)置于內(nèi)。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其中該容置槽設(shè)置于該第二基板，且與該第二腔室連通，以使該背板的中央部份容設(shè)置于內(nèi)。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其中其中該振膜上設(shè)有一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層設(shè)于該背板與該振膜之間，且該導(dǎo)電層兩側(cè)做為打線區(qū)域。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其中該振膜與該第一基板之間設(shè)有一選用二氧化硅材料的第一絕緣層，該振膜上設(shè)有一第二絕緣層，該背板與該第二基板之間設(shè)有一選用二氧化硅材料的第三絕緣層。較佳的,前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其中該振膜是選用氮化娃材料。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提供一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，包括提供一第一基板，在其上制作一容置槽，且第一基板上制作一振膜，振膜的中央容置于容置槽，提供一第二基板，其上制作一帶有數(shù)個(gè)音孔的背板，將第一基板與第二基板結(jié)合，使振膜與背板之間形成一空間，將第二基板的兩側(cè)移除，以使第一基板露出，分別在第一基板與第二基板制作出一第一腔室與一第二腔室，利用機(jī)械方式將第一基板的兩側(cè)移除，以制作出結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其中該第一基板側(cè)邊或該第二基板的側(cè)邊可制作一凹槽結(jié)構(gòu)。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其中該凹槽結(jié)構(gòu)是利用蝕刻方式成型。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其中該容置槽是利用蝕刻方式成型。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其中移除該第二基板的兩側(cè)可為機(jī)械方式。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提供的一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，包括下列步驟提供一第一基板，該第一基板上制作一振膜；提供一第二基板，在其上制作一容置槽，且該第二基板上制作一帶有數(shù)個(gè)音孔的背板，該背板中央容置于該容置槽；將該第一基板與該第二基板結(jié)合，使該振膜與該背板之間形成一空間；將該第二基板的兩側(cè)移除，以使該第一基板露出；分別在該第一基板與該第二基板制作出一第一腔室與一第二腔室；以及利用機(jī)械方式將該第一基板的兩側(cè)切害lJ,以制作出該結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其中該第一基板側(cè)邊或該第二基板的側(cè)邊可制作一凹槽結(jié)構(gòu)。 較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其中該凹槽結(jié)構(gòu)是利用蝕刻方式成型。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其中該容置槽是利用蝕刻方式成型。較佳的，前述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其中移除該第二基板的兩側(cè)可為機(jī)械方式。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提供的一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，包括下列步驟提供一第一基板，在其上蝕刻出一容置槽，且該第一基板上制作一振膜，該振膜的中央容置于該容置槽；提供一第二基板，在其上制作一具有數(shù)個(gè)音孔的背板；將該第一基板與該第二基板結(jié)合，使該振膜與該背板之間形成一空間；在該第一基板制作出一第一腔室，以及同時(shí)在第二基板制作一第二腔室和將第二基板的兩側(cè)移除；以及利用機(jī)械方式將該第一基板的兩側(cè)切割，以制作出該結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提供的一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，包括下列步驟提供一第一基板，該第一基板上制作一振膜；提供一第二基板，在其上蝕刻一容置槽；制作一具有數(shù)個(gè)音孔的背板在該第二基板，使該背板中央容置于該容置槽內(nèi)；將該第一基板與該第二基板結(jié)合，使該振膜與該背板之間形成一空間；在該第一基板制作出一第一腔室，以及同時(shí)在第二基板制作一第二腔室和將第二基板的兩側(cè)移除；以及利用機(jī)械方式將該第一基板的兩側(cè)切割，以制作出該結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)。本發(fā)明的有益效果及優(yōu)點(diǎn)至少包括 ①當(dāng)容置槽設(shè)置于第一基板時(shí)，振膜的中央部份得以容置于容置槽，可使得振膜在槽內(nèi)受到保護(hù)，提升整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，同時(shí)借由容置槽的設(shè)計(jì)，亦能達(dá)到整體高度的降低，有利于實(shí)現(xiàn)微型化的目的。②本發(fā)明的容置槽可設(shè)置于第二基板，用以容置背板之中央部份，以保護(hù)背板之結(jié)構(gòu)。③本發(fā)明的第一基板或第二基板的側(cè)邊可制作凹槽結(jié)構(gòu)，借以機(jī)械方式切割的工藝時(shí)，將凹槽結(jié)構(gòu)作為切割停止區(qū)，以使得切割深度不必超過如習(xí)知結(jié)構(gòu)那樣深厚，如此可節(jié)省工藝時(shí)間，以提升產(chǎn)品的良率。④本發(fā)明制作背板在第二基板上，亦可利用化學(xué)方式同時(shí)將背板制作出數(shù)個(gè)音孔及在第二基板成型第二腔室時(shí)將其兩側(cè)移除，借以簡化工藝。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖I為現(xiàn)有習(xí)知微機(jī)電麥克風(fēng)的示意圖。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例中振膜成型于第一基板的不意圖。圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例中背板成型于第二基板的示意圖。圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例中兩基板結(jié)合的示意圖。圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例中切割第二基板的示意圖。圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例中另一種工藝步驟的示意圖。圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例中腔室結(jié)構(gòu)成型的示意圖。圖8為本發(fā)明第一實(shí)施例中切割第一基板的不意圖。圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例的示意圖。主要元件符號說明
I第一芯片2第二芯片3振膜4背板5支撐結(jié)構(gòu)6凹槽10第一基板11容置槽12第一絕緣層13第一腔室20振膜21導(dǎo)電層 22第二絕緣層30第二基板31凹槽結(jié)構(gòu)32第三絕緣層33第二腔室34容置槽40背板41音孔
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)及其制造方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。參閱圖2所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例中振膜成型于第一基板的示意圖。首先提供Si材料的一第一基板10，并在上表面蝕刻有一矩形狀的容置槽11。而第一基板10上表面沉積有一第一絕緣層12，其沉積于第一基板10上表面以及容置槽11，其中第一絕緣層12選用二氧化硅(Si02)材料。接著在第一絕緣層12上沉積一振膜20，其可選用氮化硅(SiNx)材料或是金屬材料。其中振膜20中央?yún)^(qū)域恰潛沉于容置槽11內(nèi)。此外，在振膜20上另沉積有一導(dǎo)電層21，以及位于中央部份的一第二絕緣層22，其可選用二氧化硅(Si02)材料或其他絕緣材料。參閱圖3所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例中背板成型于第二基板的示意圖。在此是提供一第二基板30,其選用娃(Si)材料,并在第二基板30的下表面兩側(cè)分別蝕刻出一凹槽結(jié)構(gòu)31，其中凹槽結(jié)構(gòu)31可以是例如矩形、梯形或圓形等幾何形狀。而在第二基板30的下表面沉積一第三絕緣層32，其選用二氧化硅(Si02)材料，且沉積于凹槽結(jié)構(gòu)31與第二基板30的下表面。接著在平坦的中心區(qū)域制作一帶有音孔41的背板40。參閱圖4所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例中兩基板結(jié)合的示意圖。第二基板30是利用背板40結(jié)合于第一基板10的導(dǎo)電層21上,使得振膜20與背板40之間形成一適當(dāng)?shù)目臻g，其中第一基板10與第二基板30的結(jié)合，可采用結(jié)合式結(jié)合、融溶結(jié)合、陽極結(jié)合、膠黏合或是熱超音波結(jié)合等方式，或是采用其他相類似結(jié)合方式。而上述適當(dāng)空間是取決于凹槽11深度來定義，且因第一基板10的容置槽11設(shè)計(jì)，本發(fā)明第一基板10與第二基板30在結(jié)合后的高度能較現(xiàn)有習(xí)知微機(jī)電麥克風(fēng)小，有利于產(chǎn)品的微型化。接著如圖5所示，是利用機(jī)械式切割方式分別下刀至第二基板30的凹槽結(jié)構(gòu)31的區(qū)域內(nèi)，以使凹槽結(jié)構(gòu)31為切割停止區(qū)，如此可將第二基板30自晶圓片切離，而制作出預(yù)定尺寸，并使得第一基板10的導(dǎo)電層21露出以供打線。由于本發(fā)明的凹槽結(jié)構(gòu)31為預(yù)先成型之故，可使第二基板30的切割深度不必超過整體厚度，如此可有效減低工藝時(shí)間，以及提供產(chǎn)品的良率。同理可證，本發(fā)明的凹槽結(jié)構(gòu)31亦能依制作需要而將其實(shí)施于第一基板10上，同樣具有相同的功效。另外值得一提的是，若采用前述的化學(xué)方式將第二基板30自晶圓片移除的工藝，則可以直接將第二基板30結(jié)合于第一基板10上，如此可以免除切割第二基板30的步驟，以利于簡化工藝。參閱圖6所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例中另一種工藝步驟的示意圖。是提供未設(shè)置如同前述的凹槽結(jié)構(gòu)的第二基板30，并將其結(jié)合于第一基板10上。參閱圖7所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例中腔室結(jié)構(gòu)成型的示意圖。在第一基板10與第二基板30的背部分別成型一第一腔室13及一第二腔室33，并連通于振膜20與背板40之間的空間，以將振膜20成型一懸浮結(jié)構(gòu)。若采用圖6的工藝步驟，則在制作第二腔室33的同時(shí)，蝕刻第二基板30的兩側(cè)，以使第二基板30自晶圓片移除，如此不同于前述的制作凹槽結(jié)構(gòu)31的步驟。參閱圖8所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例中切割第一基板的示意圖。在工藝的最后，是 利用機(jī)械方式切割第一基板10的兩側(cè)，以將其自晶圓片切離，而由于第二基板30已預(yù)先實(shí)施第一次切割工藝，使得本發(fā)明微機(jī)電麥克風(fēng)整體成型的切割分為兩次下刀，而非一次切割成型，如此使得本發(fā)明微機(jī)電麥克風(fēng)不會受一次切割的工藝，而降低產(chǎn)品的良率，且制作上較為簡易而不易受切割工具的限制。而若是采用化學(xué)方式將第二基板30自晶圓片移除的工藝，則只要直接切割第一基板10的兩側(cè)即可，可免除工藝當(dāng)中不必要的影響。此外在第二基板30的上表面可依電子產(chǎn)品的需求，以予設(shè)置電子元件在其上，而電子元件可包括電容、電阻、電感、整合芯片等等。參閱圖9所示，為本發(fā)明第二實(shí)施例的示意圖。本實(shí)施例與前述不同之處在于，容置槽34改設(shè)置于第二基板30，以使背板40中央部份沉潛于容置槽34內(nèi)，同樣具有前述工藝的功效。本發(fā)明的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)及其制造方法，是主要在第一基板蝕刻出容置槽，以提供振膜的中央部份可容置于內(nèi)，使得振膜在容置槽內(nèi)受到保護(hù)，如此整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度較佳，且容置槽的深度是決定第二基板的背板與振膜之間的距離，據(jù)此，本發(fā)明可使結(jié)合式的第一基板與第二基板的高度較現(xiàn)有習(xí)知結(jié)構(gòu)為低，以實(shí)現(xiàn)微型化的目的。此外，本發(fā)明的容置槽亦可改設(shè)置于第二基板，用以容置背板的中央部份，同樣具有保護(hù)背板的功效。而本發(fā)明的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)制造方法，可在第二基板兩側(cè)蝕刻出凹槽結(jié)構(gòu)，使得本發(fā)明在切割第二基板時(shí)，凹槽結(jié)構(gòu)為切割停止區(qū)，以使切割深度不必超過第二基板的厚度，如此可節(jié)省整體工藝時(shí)間，并不易受切割工具的參數(shù)所影響，而能提升產(chǎn)品的良率。此外，本發(fā)明的凹槽結(jié)構(gòu)亦可設(shè)置于該第一基板的兩側(cè)，同樣具有前述的功效。另外，本發(fā)明的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)制造方法，可在第二基板結(jié)合于第一基板后，在第二基板制作第二腔室時(shí)，同時(shí)將兩側(cè)自晶圓片蝕移，亦具有簡化后續(xù)工藝的功效。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其特征在于包括 一第一基板，是具有一第一腔室； 一振膜，是設(shè)置該第一腔室上； 一第二基板，是具有一第二腔室； 一背板，是一側(cè)設(shè)置于該第二腔室上，另一側(cè)設(shè)置于該振膜，以使該第二基板結(jié)合于該第一基板上，且該背板具有數(shù)個(gè)音孔； 以及 一容置槽，是設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間，用以使該振膜與該背板之間形成一空間。
2.如權(quán)利要求I所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其特征在于其中該容置槽設(shè)置于該第一基板，且與該第一腔室連通，以使該振膜的中央部份容設(shè)置于內(nèi)。
3.如權(quán)利要求I所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其特征在于其中該容置槽設(shè)置于該第二基板，且與該第二腔室連通，以使該背板的中央部份容設(shè)置于內(nèi)。
4.如權(quán)利要求I所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其特征在于其中該振膜上設(shè)有一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層設(shè)于該背板與該振膜之間，且該導(dǎo)電層兩側(cè)做為打線區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng),其特征在于其中該振膜與該第一基板之間設(shè)有一選用二氧化硅材料的第一絕緣層，該振膜上設(shè)有一第二絕緣層，該背板與該第二基板之間設(shè)有一選用二氧化硅材料的第三絕緣層。
6.如權(quán)利要求I所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其特征在于其中該振膜是選用氮化娃材料。
7.一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于包括下列步驟 提供一第一基板，在其上制作一容置槽，且該第一基板上制作一振膜，該振膜的中央容置于該容置槽； 提供一第二基板，其上制作一帶有數(shù)個(gè)音孔的背板； 將該第一基板與該第二基板結(jié)合，使該振膜與該背板之間形成一空間； 將該第二基板的兩側(cè)移除，以使該第一基板露出； 分別在該第一基板與該第二基板制作出一第一腔室與一第二腔室；以及 利用機(jī)械方式將該第一基板的兩側(cè)移除，以制作出該結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)。
8.如權(quán)利要求7所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法,其特征在于其中該第一基板側(cè)邊或該第二基板的側(cè)邊可制作一凹槽結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于其中該凹槽結(jié)構(gòu)是利用蝕刻方式成型。
10.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于其中該容置槽是利用蝕刻方式成型。
11.如權(quán)利要求8所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于其中移除該第二基板的兩側(cè)可為機(jī)械方式。
12.—種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于包括下列步驟 提供一第一基板，該第一基板上制作一振膜； 提供一第二基板，在其上制作一容置槽，且該第二基板上制作一帶有數(shù)個(gè)音孔的背板，該背板中央容置于該容置槽； 將該第一基板與該第二基板結(jié)合，使該振膜與該背板之間形成一空間； 將該第二基板的兩側(cè)移除，以使該第一基板露出； 分別在該第一基板與該第二基板制作出一第一腔室與一第二腔室；以及 利用機(jī)械方式將該第一基板的兩側(cè)切割，以制作出該結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)。
13.如權(quán)利要求12所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法,其特征在于其中該第一基板側(cè)邊或該第二基板的側(cè)邊可制作一凹槽結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求13所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于其中該凹槽結(jié)構(gòu)是利用蝕刻方式成型。
15.如權(quán)利要求13所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于其中該容置槽 是利用蝕刻方式成型。
16.如權(quán)利要求13所述的結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于其中移除該第二基板的兩側(cè)可為機(jī)械方式。
17.一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于包括下列步驟 提供一第一基板，在其上蝕刻出一容置槽，且該第一基板上制作一振膜，該振膜的中央容置于該容置槽； 提供一第二基板，在其上制作一具有數(shù)個(gè)音孔的背板； 將該第一基板與該第二基板結(jié)合，使該振膜與該背板之間形成一空間； 在該第一基板制作出一第一腔室，以及同時(shí)在第二基板制作一第二腔室和將第二基板的兩側(cè)移除；以及 利用機(jī)械方式將該第一基板的兩側(cè)切割，以制作出該結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)。
18.—種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于包括下列步驟 提供一第一基板，該第一基板上制作一振膜； 提供一第二基板，在其上蝕刻一容置槽； 制作一具有數(shù)個(gè)音孔的背板在該第二基板，使該背板中央容置于該容置槽內(nèi)； 將該第一基板與該第二基板結(jié)合，使該振膜與該背板之間形成一空間； 在該第一基板制作出一第一腔室，以及同時(shí)在第二基板制作一第二腔室和將第二基板的兩側(cè)移除；以及 利用機(jī)械方式將該第一基板的兩側(cè)切割，以制作出該結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種結(jié)合式微機(jī)電麥克風(fēng)，其包括有一第一基板、一第二基板、一振膜、一背板及一容置槽。第一基板具有一第一腔室，振膜設(shè)置第一腔室上，第二基板具有一第二腔室，背板一側(cè)設(shè)置于第二腔室上，另一側(cè)設(shè)置于振膜，以使第二基板結(jié)合于第一基板上，且背板具有數(shù)個(gè)音孔，容置槽設(shè)置于第一基板與該第二基板之間，用以使振膜與背板之間形成一空間。本發(fā)明提供的技術(shù)方案能夠使振膜的中央部份容置于基板預(yù)先成型的容置槽，使得振膜在槽內(nèi)受到保護(hù)，據(jù)以提升整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，非常適于實(shí)用。
文檔編號H04R19/04GK102740203SQ201110087538
公開日2012年10月17日 申請日期2011年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月6日
發(fā)明者李國祥, 邱冠勛, 陳弘仁, 陳永達(dá) 申請人:美律實(shí)業(yè)股份有限公司