專利名稱：聲音換能器單元的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及聲音換能器單元，更詳細而言，涉及將傳聲器或揚聲器等聲音轉換元件收納于外殼內(nèi)的聲音換能器單元。
背景技術：
以往，關于聲音換能器單元，為了防止電磁干擾信號(噪音)，提出有用電磁屏蔽構件覆蓋聲音轉換元件的結構。例如如圖13的剖視圖所示，在下表面形成有連接端子123、125的基板120的上表面上，裝載其他元器件220，并裝載聲音轉換元件210。然后，用臨時焊點130將形成有聲音孔IlOa的金屬外殼110固定在形成于基板120的上表面的連接圖案121上，并利用涂布于整個接合面的粘接劑140將金屬外殼110進行固定。連接圖案121經(jīng)由通孔124，與連接端子125相連接。聲音轉換元件210配置于金屬外殼110的內(nèi)側的空間150中，屏蔽來自外部的電磁波(例如，參照專利文獻1)。專利文獻1 日本專利特開2007-82233號公報

發(fā)明內(nèi)容
若采用像這樣將元件裝載于基板上、并用如圖13的金屬外殼這樣的電磁屏蔽構件覆蓋整個元件的結構，則結構較復雜，難以降低制造成本。另外，不容易實現(xiàn)小型化/低
高度化。本發(fā)明鑒于相關事實，其目的在于提供一種能以簡單的結構來進行電磁屏蔽的聲音換能器單元。本發(fā)明為了解決上述問題，提供具有以下結構的聲音換能器單元。聲音換能器單元包括(a)具有將聲音轉換成電信號、或?qū)㈦娦盘栟D換成聲音的聲音轉換元件部的聲音轉換元件；以及(b)內(nèi)部收納有所述聲音轉換元件的封裝。所述封裝包含形成有兩端具有開口的內(nèi)部空間的、由導電材料所形成的筒狀的導電部。在所述導電部的所述內(nèi)部空間內(nèi)，至少將所述聲音轉換元件的所述聲音轉換元件部遠離所述開口來配置。以往，在對傳聲器元件等聲音轉換元件進行電磁屏蔽的情況下，采用以金屬外殼等電磁屏蔽構件包圍聲音轉換元件的整個周圍的結構。采用這樣的結構是由于模糊地考慮到需要用電磁屏蔽構件來覆蓋整個聲音轉換元件，以充分獲得屏蔽電磁波的效果。然而，在考慮到作為傳聲器等聲音換能器單元的功能時，所需要屏蔽的頻帶是有限的，若能使得與聲音相關的低頻帶(音頻區(qū)域)的電磁波分量衰減，則能屏蔽電磁干擾信號(噪音)。本申請的發(fā)明人著眼于這一點，在本發(fā)明的聲音換能器單元中，為了進行電磁屏蔽，采用能在低頻帶獲得較大衰減的筒狀的導電部。S卩，在本發(fā)明的上述結構中，能對兩端具有開口的筒狀的導電部進行設計，使得在聲音換能器單元中，在存在電磁干擾信號(噪音)的問題的低頻帶(例如50kHz以下)中，對穿過導電部的開口之間的內(nèi)部空間的電磁波充分發(fā)揮衰減特性，所述導電部至少配置有聲音轉換元件的聲音轉換元件部。根據(jù)上述結構，由于無需覆蓋聲音轉換元件的整個周圍，因此，能簡化結構，從而能力圖降低制造成本。另外，還能容易地實現(xiàn)小型化。對于所述封裝，優(yōu)選將所述導電部埋入樹脂的主體中。在這種情況下，能利用嵌入模鑄法等來廉價地制造聲音換能器單元，還能容易地實現(xiàn)小型化。在優(yōu)選的一個方式中，所述封裝包括(a)第一構件，該第一構件形成有凹部，該凹部內(nèi)配置有所述聲音轉換元件；(b)第二構件，該第二構件與所述第一構件相結合，以覆蓋所述凹部；以及(c)端子構件，該端子構件貫穿所述第一構件，其一端側向所述凹部內(nèi)突出而與所述聲音轉換元件進行電連接，其另一端側露出至外部。所述端子構件的向所述凹部內(nèi)突出的所述一端側發(fā)生彈性形變，從而將所述聲音轉換元件對所述第二構件進行按壓。在這種情況下，通過使端子構件具有彈性，能吸收元器件尺寸的偏差。另外，將聲音轉換元件對第二構件進行按壓，從而能減小特性偏差。在優(yōu)選的另一個方式中，所述封裝包括(a)第一構件，該第一構件形成有凹部， 該凹部內(nèi)配置有所述聲音轉換元件；(b)第二構件，該第二構件具有一對主面，該一對主面的一個主面與所述第一構件相結合，以覆蓋所述凹部；以及(c)端子構件，該端子構件貫穿所述第一構件，其一端側向所述凹部內(nèi)突出而與所述聲音轉換元件進行電連接，其另一端側露出至外部。所述端子構件的所述另一端側沿所述第一構件和所述第二構件的外周面， 延伸至所述第二構件的所述一對主面的另一個主面。在這種情況下，將端子構件的另一端側延長并進行彎折，從而能在第二構件一側形成用于連接聲音轉換元件和外部電路的外部端子部。由于能與外部端子部形成于第一構件一側的其他類型的聲音換能器單元實現(xiàn)元器件通用化，因此，能以較低的成本制造外部端子部的配置不同的多種聲音換能器單元。另外，本發(fā)明為了解決上述問題，提供具有以下結構的聲音換能器單元。聲音換能器單元包括(a)具有將聲音轉換成電信號、或?qū)㈦娦盘栟D換成聲音的聲音轉換元件部的聲音轉換元件；以及(b)內(nèi)部收納有所述聲音轉換元件的封裝。所述封裝包括形成有兩端具有開口的內(nèi)部空間的、由導電材料所形成的筒狀的導電部；以及覆蓋所述開口而形成的、只由絕緣材料所形成的非導電部。在所述導電部的所述內(nèi)部空間內(nèi)， 至少將所述聲音轉換元件的所述聲音轉換元件部遠離所述開口來配置。在上述結構中，能對兩端具有開口的筒狀的導電部進行設計，使得在聲音換能器單元中，在存在電磁干擾信號(噪音)的問題的低頻帶(例如50kHz以下)中，對穿過導電部的開口之間的內(nèi)部空間的電磁波充分發(fā)揮衰減特性，所述導電部至少配置有聲音轉換元件的聲音轉換元件部。根據(jù)上述結構，封裝包括形成有兩端具有開口的內(nèi)部空間的、由導電材料所形成的筒狀的導電部；以及覆蓋開口而形成的、只由絕緣材料所形成的非導電部，除了導電部的開口以外，用導電部覆蓋配置于導電部的內(nèi)部空間內(nèi)的聲音轉換元件。由于無需覆蓋聲音轉換元件的整個周圍，因此，能簡化結構，從而能力圖降低制造成本。另外，還能容易地實現(xiàn)
5小型化。對于所述封裝，優(yōu)選將所述導電部埋入樹脂的主體中。在這種情況下，能利用嵌入模鑄法等來廉價地制造聲音換能器單元，還能容易地實現(xiàn)小型化。在優(yōu)選的一個方式中，所述封裝包括(a)第一構件，該第一構件形成有凹部，該凹部內(nèi)配置有所述聲音轉換元件；以及(b)第二構件，該第二構件與所述第一構件相結合， 以覆蓋所述凹部的開口部，并且該第二構件是只由絕緣材料所形成的板狀的構件。在所述封裝中，設置有端子構件，該端子構件貫穿所述第一構件，其一端側向所述凹部內(nèi)突出而與所述聲音轉換元件進行電連接，其另一端側露出至外部。所述端子構件的向所述凹部內(nèi)突出的所述一端側發(fā)生彈性形變，從而將所述聲音轉換元件對所述第二構件進行按壓。在這種情況下，通過使端子構件具有彈性，能吸收元器件尺寸的偏差。另外，將聲音轉換元件對第二構件進行按壓，從而能減小特性偏差。在優(yōu)選的另一個方式中，所述封裝包括(a)第一構件，該第一構件形成有凹部， 該凹部內(nèi)配置有所述聲音轉換元件；以及(b)第二構件，該第二構件具有一對主面，該一對主面的一個主面與所述第一構件相結合，以覆蓋所述凹部。在所述封裝中，設置有端子構件，該端子構件貫穿所述第一構件，其一端側向所述凹部內(nèi)突出而與所述聲音轉換元件進行電連接，其另一端側露出至外部。所述端子構件的所述另一端側沿所述第一構件和所述第二構件的外周面，延伸至所述第二構件的所述一對主面的另一個主面。在這種情況下，將端子構件的另一端側延長并進行彎折，從而能在第二構件一側形成用于連接聲音轉換元件和外部電路的外部端子部。由于能與外部端子部形成于第一構件一側的其他類型的聲音換能器單元實現(xiàn)元器件通用化，因此，能以較低的成本制造外部端子部的配置不同的多種聲音換能器單元。本發(fā)明的聲音換能器單元能以簡單的結構來進行電磁屏蔽。因此，能容易地降低制造成本，并能容易地實現(xiàn)小型化/低高度化。


圖1是聲音換能器單元的立體圖。(實施例1)圖2(a)是聲音換能器單元的分解剖視圖，圖2(b)是聲音換能器單元的組裝剖視圖。(實施例1)圖3是聲音換能器單元的剖視圖。(實施例2)圖4是聲音換能器單元的剖視圖。(實施例3)圖5是聲音換能器單元的剖視圖。(實施例4)圖6是聲音換能器單元的剖視圖。(變形例1)圖7是聲音換能器單元的剖視圖。(變形例2)圖8是聲音換能器單元的剖視圖。(變形例2)圖9是聲音換能器單元的剖視圖。(變形例2)圖10是聲音換能器單元的剖視圖。(變形例2)圖11是衰減特性的曲線圖。(實施例1)圖12是導電部的立體圖。(實施例1)
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圖13是聲音換能器單元的剖視圖。(現(xiàn)有例)
具體實施例方式下面，參照圖1 圖12，對本發(fā)明的實施方式進行說明。<實施例1>參照圖1、圖2、圖11、和圖12，對實施例的聲音換能器單元10進行說明。圖1是表示聲音換能器單元10的結構的立體圖。圖2(a)是聲音換能器單元10 的分解剖視圖。圖2(b)是聲音換能器單元10的組裝剖視圖。如圖1和圖2所示，對于聲音換能器單元10，一般說來，在由第一構件30和第二構件20所構成的外殼內(nèi)，收納有作為聲音轉換元件的傳聲器元件2。在第一構件30中，例如利用嵌入模鑄法，在由筒部32和底部34結合而成的、只由樹脂所形成的主體上，呈一體地設置有電磁屏蔽構件40和端子構件50。如圖2所示，在第一構件30中，利用筒部32和底部34，形成有凹部38。電磁屏蔽構件40埋入筒部32。端子構件50的中間部分M埋入底部34。傳聲器元件2裝載于第一構件30的底部34上。在底部34上，形成有成為聲音路徑的貫通孔36。第二構件20只由樹脂等具有絕緣性的材料所形成。如圖2(b)所示，利用粘接劑、 熱壓接、熱熔接等，將第二構件20與第一構件30相結合，以覆蓋第一構件30的凹部34。由此，將傳聲器元件2封裝于第一構件30的凹部34內(nèi)。如圖1所示，電磁屏蔽構件40是將四個平面部40a 40d結合成為長方形截面的筒狀的構件，兩端形成有開口 40s、40t，形成有在開口 40s、40t之間進行延伸的內(nèi)部空間 40k。電磁屏蔽構件40由金屬等導電材料所形成。電磁屏蔽構件40是形成有兩端具有開口的內(nèi)部空間的、由導電材料所形成的筒狀的導電部。例如，對于電磁屏蔽構件40，利用金等金屬材料的平板形成四個平面部40a 40d，開口 40s、40t的大小為2mmX2mm。電磁屏蔽構件40的一側的開口 40s被作為非導電部的第二構件20所覆蓋。電磁屏蔽構件40的另一側的開口 40t被作為非導電部的第一構件20的底部34所覆蓋。如圖1和圖2所示，端子構件50包括延伸至第一構件30的凹部38內(nèi)的內(nèi)部端子部52、延伸至外殼外側的外部空間的外部端子部56、以及連接內(nèi)部端子部52和外部端子部 56的中間部分M。端子構件50由金屬等導電材料、例如銅所形成。如圖2(b)所示，內(nèi)部端子部52與傳聲器元件2的連接端子6相連接。可以使用 Au凸點、焊料凸點、導電糊料、納米糊料等作為連接方法。在將聲音換能器單元10安裝于未圖示的外部電路上時，外部端子部56與未圖示的外部電路進行電連接。如圖2所示，傳聲器元件2是包含將聲音轉換成電信號的聲音轉換元件部(傳感器部)4及周邊電路的模塊元器件，例如為MEMS傳聲器、駐極體電容傳聲器(ECM)、壓電傳聲器等。也可以使用揚聲器元件等的、將電信號轉換成聲音的聲音轉換元件來代替?zhèn)髀暺髟?。傳聲器元件2配置于由筒狀的電磁屏蔽構件40所形成的內(nèi)部空間40k內(nèi)，至少將傳聲器元件2的聲音轉換元件部4遠離電磁屏蔽構件40的開口 40s、40t那樣來配置。由此，對傳聲器元件2進行電磁屏蔽。
S卩，由于電磁屏蔽構件40由導電材料所形成，因此，能屏蔽穿過電磁屏蔽構件40 本身的電磁波?？梢匀缦滤瞿菢拥貥嫵蓮碾姶牌帘螛嫾?0的開口 40s或40t進入、并在由電磁屏蔽構件40所形成的內(nèi)部空間40k中行進的電磁波即，在到達傳聲器元件2的聲音轉換元件部4之前，使得在聲音換能器單元10中電磁干擾信號(噪音)成為問題的低頻帶(例如50kHz以下)的分量產(chǎn)生衰減。根據(jù)需要，可以使用低通濾波器等來屏蔽掉未衰減的高頻分量。圖11是表示筒狀的電磁屏蔽構件的衰減特性的曲線圖。詳細而言，是關于電磁屏蔽構件8的、電磁波沿箭頭S所示的軸向從一側的開口 8a向另一側的開口 8b穿過由電磁屏蔽構件8所形成的內(nèi)部空間池時的衰減特性的仿真結果，所述電磁屏蔽構件8如圖12 的立體圖所示，其形成于兩端的開口 8a、8b的尺寸為2mmX2mm，高度為0. 2mm，是用金所形成的筒狀的構件。根據(jù)圖11可知，在50kHz以下的低頻帶中，若頻率變小，則沿圖12的箭頭S所示的筒狀的軸向穿過的電磁波的衰減變大，能獲得20dB以上的衰減。由于音樂⑶、衛(wèi)星廣播、 及DVD的音頻等的采樣頻率小于50kHz，因此，即使對聲音換能器單元10使用筒狀的電磁屏蔽構件40，而不在電磁屏蔽構件40的兩端的開口 40s、40t或其附近配置由導電材料所形成的電磁屏蔽構件，也能獲得足夠的電磁屏蔽效果。作為筒狀的電磁屏蔽構件的材料，與其他金屬相比，金對電磁波的衰減具有更優(yōu)異的效果。例如，在想要獲得一定的衰減時，由于與其他金屬相比，由金所形成的電磁屏蔽可以減小尺寸，因此較為理想。這里，本發(fā)明的實施方式并不局限于圖12所示的矩形筒狀的電磁屏蔽構件的形狀，例如，也可以使用圓筒狀的電磁屏蔽構件。例如，若在傳聲器元件2的聲音轉換元件部4的上表面4a(參照圖2(a))與電磁屏蔽構件40的上側的開口 40s (參照圖1)之間設置0. 2mm的間隔，則從電磁屏蔽構件40 的上側的開口 40s向傳聲器元件2的聲音轉換元件部4行進的電磁波在到達傳聲器元件2 的聲音轉換元件部4的上表面如時，會衰減20dB以上。同樣地，若在傳聲器元件2的聲音轉換元件部4的下表面4b (參照圖2 (a))與電磁屏蔽構件40的下側的開口 40t (參照圖1) 之間設置0. 2mm的間隔，則從電磁屏蔽構件40的下側的開口 40t向傳聲器元件2的聲音轉換元件部4行進的電磁波在到達傳聲器元件2的聲音轉換元件部4的下表面4b時，會衰減 20dB以上。其結果是，對于穿過傳聲器元件2的聲音轉換元件部4的、具有小于音樂CD、衛(wèi)星廣播、及DVD的音頻等的采樣頻率所使用的50kHz的頻率的電磁波，由于該電磁波衰減 20dB以上，因此，作為聲音換能器單元，能獲得足夠的電磁屏蔽效果。優(yōu)選采用以下結構即，將整個傳聲器元件2完全收納于由電磁屏蔽構件40所形成的內(nèi)部空間40k內(nèi)。在這種情況下，也能對傳聲器元件2內(nèi)的周邊電路等進行電磁屏蔽。若更進一步優(yōu)選為是具有主面的呈平板狀的MEMS傳聲器、EMC、壓電傳聲器等聲音換能器單元，例如在將MEMS傳聲器的聲音振動與電信號進行相互轉換的機電轉換部的厚度為0. Imm的情況下，聲音換能器單元的主面與圖12的箭頭S所示的筒體的中心軸垂直相交，且只形成機電轉換部的厚度方向的上下分別具有0. 2mm的高度尺寸的、整個高度尺寸為0. 5mm的筒狀電磁屏蔽構件，則由于能充分起到作為聲音換能器單元的電磁屏蔽效果， 因此，容易實現(xiàn)低高度化。例如，若在傳聲器元件2的上表面2a(參照圖2)與電磁屏蔽構件40的上側的開口 40s(參照圖1)之間設置0. 2mm的間隔，在傳聲器元件2的下表面2b(參照圖2)與電磁屏蔽構件40的下側的開口 40t (參照圖1)之間設置0. 2mm的間隔，則對于傳聲器元件2內(nèi)的周邊電路等，也能獲得20dB以上的電磁屏蔽效果。由于無需覆蓋傳聲器元件的整個周圍，因此，能簡化聲音換能器單元10的結構， 力圖降低制造成本，還能容易地實現(xiàn)小型化。另外，聲音換能器單元10能利用嵌入模鑄法，廉價地制造在第一構件30的樹脂的主體中埋入電磁屏蔽構件40的結構，還能容易地實現(xiàn)小型化。此外，由于以面朝下的結構來裝載傳聲器元件2，因此，聲音換能器單元10無需引線布線空間，從而與面朝上的結構相比，能實現(xiàn)小型化/低高度化。另外，由于無需用于引線布線的容積，因此，能進行聲音上的優(yōu)化設計。在第一構件30和第二構件20都只由樹脂所形成的情況下，與利用粘接劑、熱熔接等對作為互不相同的材料的金屬和樹脂進行結合的情況相比，能提高利用粘接劑、熱熔接等進行結合時的結合力。特別是在第一構件30與第二構件20是相同的樹脂材料的情況下， 若利用超聲波熔接等方法的熱熔接來進行結合，則由于材料彼此的親和性較高，因此，能提
尚結合力ο在將筒狀的電磁屏蔽構件40埋入樹脂材料的第一構件30中的情況下，由于無需利用粘接、鍍敷、燒接等在第一構件30和第二構件40中形成成為電磁屏蔽構件的導電材料，因此，與在樹脂材料的第一構件30和第二構件40中粘接、鍍敷、燒接金屬等導電構件作為電磁屏蔽構件的情況相比，能提高樹脂材料的設計自由度，簡化制造工序。<實施例2>參照圖3，對實施例2的聲音換能器單元IOa進行說明。實施例2的聲音換能器單元IOa具有與實施例1的聲音換能器單元10基本相同的結構。下面，對結構與實施例1相同的部分，使用相同的標號，以與實施例1的不同點為中心進行說明。圖3是實施例2的聲音換能器單元IOa的剖視圖。如圖3所示，聲音換能器單元 IOa與實施例1的聲音換能器單元10相同，在由第一構件30a和第二構件20所構成的外殼內(nèi)，收納有傳聲器元件2。但是，聲音換能器單元IOa的第一構件30a的結構與實施例1的聲音換能器單元10不同。S卩，第一構件30a在形成有貫通孔46的筒狀的側壁構件44的一端，通過粘接劑等與底壁構件31相結合，以堵住貫通孔46的一側的開口。由此，在第一構件30a中形成凹部 38a0側壁構件44的正截面形成為圓形或矩形。整個側壁構件44由金屬等導電材料所形成。即，側壁構件44是形成有兩端具有開口的內(nèi)部空間的、由導電材料所形成的筒狀的導電部。底壁構件31是只由樹脂等絕緣性材料所形成的非導電部。在底壁構件31上，設置有端子構件50。利用嵌入模鑄法將端子構件50與底壁構件31成形為一體，端子構件50 的中間部分討埋入底壁構件31。在底壁構件31上裝載有傳聲器元件2，傳聲器元件2的連接端子6與端子構件50 的內(nèi)部端子部52相連接。利用粘接劑、熱熔接等，將側壁構件44的另一端與只由樹脂等絕緣性材料所形成
9的第二構件20相結合，側壁構件44的貫通孔46的另一側的開口被第二構件20所覆蓋，以對傳聲器元件2進行密封。整個都由導電材料所形成的筒狀的側壁構件44與實施例1的電磁屏蔽構件40相同，能發(fā)揮電磁屏蔽功能。即，由于側壁構件44由導電材料所形成，因此，能屏蔽穿過側壁構件的電磁波。對于穿過側壁構件的貫通孔的電磁波，通過適當?shù)剡x擇側壁構件44的尺寸 /形狀，能使聲音所涉及的低頻帶的分量充分衰減。因而，能對傳聲器元件2屏蔽掉成為噪音的原因的電磁干擾信號。<實施例3>參照圖4，對實施例3的聲音換能器單元IOb進行說明。實施例3的聲音換能器單元IOb具有與實施例1的聲音換能器單元10基本相同的結構。但是，與實施例1不同，將傳聲器元件2對第一構件20的下表面21進行按壓。S卩，將端子構件50x的內(nèi)部端子部52與外部端子部56之間進行連接的中間部分 54x具有向凹部38內(nèi)突出的部分55，內(nèi)部端子部52處于脫離底部34而騰空的狀態(tài)。傳聲器元件2的連接端子6與內(nèi)部端子部52相連接，從而傳聲器元件2在脫離底部34而騰空的狀態(tài)下被支承。此時，以傳聲器元件2的上表面加從第一構件30的上表面30a稍稍突出的狀態(tài)，安裝傳聲器元件2。之后，在將第二構件20與第一構件30相接合時，用第二構件 20的下表面21對傳聲器元件2進行下壓。與此同時，端子構件50x的向凹部38內(nèi)突出的部分55發(fā)生彈性形變，傳聲器元件2向第二構件20 —側施加作用力。其結果是，保持傳聲器元件2的上表面加對第二構件20的下表面21進行上壓的狀態(tài)。通過像這樣使端子構件50x具有彈性，即使聲音轉換元件2的高度、第一構件30 的凹部38的深度、端子構件50x的向凹部38內(nèi)突出的部分55的高度等的、元器件尺寸稍有偏差，也能吸收這些偏差。另外，通過將聲音轉換元件2對第二構件20進行按壓，能提高密閉性，使靈敏度特性不會因聲音泄漏而惡化，并能減少特性偏差。<實施例4>參照圖5，對實施例4的聲音換能器單元IOc進行說明。如圖5的剖視圖所示，在實施例4的聲音換能器單元IOc中，用于將聲音換能器單元IOc與外部電路相連接的外部端子部58形成于成為第一構件30的表面15的相反側的第二構件20的表面13上。S卩，將端子構件50c的貫穿第一構件30并延伸至外部的帶狀的另一端側56、57、58 沿第一構件30和第二構件20的外周面進行彎折，在第二構件20的表面13上，形成有用于將聲音換能器單元IOc與外部電路相連接的外部端子部58。在制作實施例4的聲音換能器單元IOc的情況下，在端子構件50c的另一端側56、 57,58如點劃線所示那樣變得筆直的狀態(tài)下，與實施例1的聲音換能器單元10相同，利用嵌入模鑄法，將第一構件30的樹脂的主體與電磁屏蔽構件40和端子構件50c成形為一體。 然后，將傳聲器元件2裝載于第一構件30的凹部38中，將第二構件20與第一構件30相結合，之后，將端子構件50c的另一端側56、57、58進行彎折。實施例4的聲音換能器單元IOc能與實施例1的聲音換能器單元10實現(xiàn)元器件通用化，只要在進行嵌入模鑄后改變切斷端子構件的位置即可。因此，能以較低的成本制造外部端子部的配置不同的多種聲音換能器單元?！醋冃卫?>參照圖6，對變形例1的聲音換能器單元IOk進行說明。如圖6的剖視圖所示，變形例1的聲音換能器單元IOk與實施例1的聲音換能器單元10不同，以面朝上的結構進行安裝。S卩，將傳聲器元件2配置于第一構件30的凹部38內(nèi)，使連接端子6朝上，利用Au 等接合線51，將傳聲器元件2的連接端子6與連接構件50的內(nèi)部端子部52相連接。與面朝下結構相比，這樣的面朝上的結構的傳聲器元件的安裝在技術上較為簡單，從而能使用廉價的設備。因而，能夠降低制造成本。<變形例2>參照圖7，對變形例2的聲音換能器單元IOp進行說明。如圖7的剖視圖所示，在變形例2的聲音換能器單元IOp中，在聲音換能器單元 IOp的上表面12上，形成有聲音路徑的開口 63。在第二構件20p中，形成有連通開口 63與收納有傳聲器元件2的凹部38之間的、彎折的聲音路徑60、61、62。例如將預先形成有貫通孔62和有底槽61的上層構件M與預先形成有貫通孔60 的下層構件22相粘貼，從而能形成聲音路徑60、61、62。利用板材的開孔加工、槽加工、粘接等，能在變形例2的聲音換能器單元IOp中容易地形成形狀精度較高的聲音路徑61、62、63。<變形例3>參照圖8，對變形例3的聲音換能器單元IOq進行說明。如圖8的剖視圖所示，在變形例3的聲音換能器單元IOp中，在聲音換能器單元 IOq的下表面14上，形成有開口 74。在第一構件30q和第二構件20q中，形成有連通開口 74與收納有傳聲器元件2的凹部38之間的、彎折的聲音路徑70 73。例如將預先形成有有底槽71的上層構件M與預先形成有貫通孔70、72的下層構件22相粘貼，從而在第二構件20q中形成聲音路徑70 72。在這種情況下，利用板材的開孔加工、槽加工、粘接等，能容易地形成形狀精度較高的聲音路徑。利用例如嵌入模鑄法，在制作第一構件30q的同時，形成第一構件30q的聲音路徑 73。在這種情況下，能形成形狀精度較高的聲音路徑73。<變形例4>參照圖9，對變形例4的聲音換能器單元IOs進行說明。如圖9的剖視圖所示，在變形例4的聲音換能器單元IOs中，在聲音換能器單元 IOs的側面16上，形成有開口 85。在第一構件30s和第二構件20s中，形成有連通開口 85 與收納有傳聲器元件2的凹部38之間的、彎折的聲音路徑80 84。例如將預先形成有有底槽81的上層構件2如與預先形成有貫通孔80、82的下層構件2 相粘貼，從而在第二構件20s中形成聲音路徑80 82。在這種情況下，利用板材的開孔加工、槽加工、粘接等，能容易地形成形狀精度較高的聲音路徑80 83。利用例如嵌入模鑄法，在制作第一構件30s的同時，形成第一構件30s的聲音路徑 83、84。在這種情況下，能形成形狀精度較高的聲音路徑83、83。在由導電材料所形成且內(nèi)部空間內(nèi)配置有傳聲器元件2的筒狀的電磁屏蔽構件 41s中，形成有貫通孔42，使得聲音路徑84不被堵住。由于貫通孔42的整個周圍被導電材料所包圍，因此，能不降低電磁屏蔽效果。<變形例5>參照圖10，對變形例5的聲音換能器單元IOt進行說明。在圖10的剖視圖所示的變形例5的聲音換能器單元IOt中，在聲音換能器單元 IOt的側面16上，形成有多個開口 85。在第一構件30t和第二構件20t中，形成有連通開口 95與收納有傳聲器元件2的凹部38之間的、彎折的聲音路徑90 94。例如將預先形成有有底槽91的上層構件2 與預先形成有貫通孔90和多個貫通孔92的下層構件22t相粘貼，從而在第二構件20t中形成聲音路徑90 92。在這種情況下，利用板材的開孔加工、槽加工、粘接等，能容易地形成形狀精度較高的聲音路徑90 93。利用例如嵌入模鑄法，在制作第一構件30s的同時，在第一構件30t中形成多組聲音路徑93、94。在這種情況下，能形成形狀精度較高的聲音路徑93、93。在由導電材料所形成且內(nèi)部空間內(nèi)配置有傳聲器元件2的筒狀的電磁屏蔽構件 41t中，形成有貫通孔42，使得聲音路徑94不被堵住。由于貫通孔42的整個周圍被導電材料所包圍，因此，能不降低電磁屏蔽效果?！纯偨Y〉如以上所說明的那樣，在兩端具有開口的筒狀的電磁屏蔽構件的內(nèi)部空間內(nèi)配置傳聲器元件，從而能以簡單的結構進行電磁屏蔽。因此，能容易地降低制造成本， 并能容易地實現(xiàn)小型化/低高度化。此外，本發(fā)明并不限定于上述實施方式，可進行種種變更來實施。在電磁屏蔽構件或側壁構件的內(nèi)部空間內(nèi)，配置傳聲器元件的朝向是任意的。例如，在圖2(b)中，可以改變傳聲器元件的朝向來進行配置。另外，也可以在第一構件的外周面或凹部的內(nèi)周面上形成導電部。也可以利用除實施例以外的方法、例如涂敷等，來形成導電部。也可以將電磁屏蔽構件或側壁構件進行接地。例如，也可以將電磁屏蔽構件的一部分進行延長并與端子構件進行電連接，或利用電磁屏蔽構件的延長部分形成外部端子部，從而將電磁屏蔽構件進行接地。同樣地，也可以將側壁構件與端子構件進行電連接，或使側壁構件的一部分突出以形成外部端子部，從而將側壁構件進行接地。標號說明2傳聲器元件(聲音轉換元件)4聲音轉換元件部6連接端子10、10a、10b、10c、10k、10p、10q、10s、10t 聲音換能器單元20、20p、20q、20s、20t 第二構件(封裝、非導電部)30、30a、30q、30s、30t 第一構件(封裝)31底壁構件(非導電部)32 筒部34底部(非導電部)38、30a 凹部40電磁屏蔽構件(導電部)40k內(nèi)部空間40s、40t 開口41s、41t電磁屏蔽構件(導電部)44側壁構件(導電部)50、50x端子構件52內(nèi)部端子部(一端側)54、Mx中間部分
55突出的部分(一端側)56、57、58 另一端側
權利要求
1.一種聲音換能器單元，其特征在于，包括聲音轉換元件，該聲音轉換元件具有將聲音轉換成電信號、或?qū)㈦娦盘栟D換成聲音的聲音轉換元件部；以及封裝，該封裝的內(nèi)部收納有所述聲音轉換元件，所述封裝包含形成有兩端具有開口的內(nèi)部空間的、由導電材料所形成的筒狀的導電部，在所述導電部的所述內(nèi)部空間內(nèi)，至少將所述聲音轉換元件的所述聲音轉換元件部遠離所述開口來配置。
2.如權利要求1所述的聲音換能器單元，其特征在于， 對于所述封裝，將所述導電部埋入樹脂的主體中。
3.如權利要求1或2所述的聲音換能器單元，其特征在于，所述封裝包括第一構件，該第一構件形成有凹部，該凹部內(nèi)配置有所述聲音轉換元件；第二構件，該第二構件與所述第一構件相結合，以覆蓋所述凹部；以及端子構件，該端子構件貫穿所述第一構件，其一端側向所述凹部內(nèi)突出而與所述聲音轉換元件進行電連接，其另一端側露出至外部，所述端子構件的向所述凹部內(nèi)突出的所述一端側發(fā)生彈性形變，從而將所述聲音轉換元件對所述第二構件進行按壓。
4.如權利要求1或2所述的聲音換能器單元，其特征在于， 所述封裝包括第一構件，該第一構件形成有凹部，該凹部內(nèi)配置有所述聲音轉換元件； 第二構件，該第二構件具有一對主面，該一對主面的一個主面與所述第一構件相結合， 以覆蓋所述凹部；以及端子構件，該端子構件貫穿所述第一構件，其一端側向所述凹部內(nèi)突出而與所述聲音轉換元件進行電連接，其另一端側露出至外部，所述端子構件的所述另一端側沿所述第一構件和所述第二構件的外周面，延伸至所述第二構件的所述一對主面的另一個主面。
5.一種聲音換能器單元，其特征在于，包括聲音轉換元件，該聲音轉換元件具有將聲音轉換成電信號、或?qū)㈦娦盘栟D換成聲音的聲音轉換元件部；以及封裝，該封裝的內(nèi)部收納有所述聲音轉換元件，所述封裝包括形成有兩端具有開口的內(nèi)部空間的、由導電材料所形成的筒狀的導電部；以及覆蓋所述開口而形成的、只由絕緣材料所形成的非導電部，在所述導電部的所述內(nèi)部空間內(nèi)，至少將所述聲音轉換元件的所述聲音轉換元件部遠離所述開口來配置。
6.如權利要求5所述的聲音換能器單元，其特征在于， 對于所述封裝，將所述導電部埋入樹脂的主體中。
7.如權利要求5或6所述的聲音換能器單元，其特征在于， 所述封裝包括第一構件，該第一構件形成有凹部，該凹部內(nèi)配置有所述聲音轉換元件；以及第二構件，該第二構件與所述第一構件相結合，以覆蓋所述凹部的開口部，并且該第二構件是只由絕緣材料所形成的板狀的構件，在所述封裝中，設置有端子構件，該端子構件貫穿所述第一構件，其一端側向所述凹部內(nèi)突出而與所述聲音轉換元件進行電連接，其另一端側露出至外部，所述端子構件的向所述凹部內(nèi)突出的所述一端側發(fā)生彈性形變，從而將所述聲音轉換元件對所述第二構件進行按壓。
8.如權利要求5或6所述的聲音換能器單元，其特征在于， 所述封裝包括第一構件，該第一構件形成有凹部，該凹部內(nèi)配置有所述聲音轉換元件；以及第二構件，該第二構件具有一對主面，該一對主面的一個主面與所述第一構件相結合， 以覆蓋所述凹部，在所述封裝中，設置有端子構件，該端子構件貫穿所述第一構件，其一端側向所述凹部內(nèi)突出而與所述聲音轉換元件進行電連接，其另一端側露出至外部，所述端子構件的所述另一端側沿所述第一構件和所述第二構件的外周面，延伸至所述第二構件的所述一對主面的另一個主面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能以簡單的結構進行電磁屏蔽的聲音換能器單元。聲音換能器單元(10)包括(a)具有將聲音轉換成電信號、或?qū)㈦娦盘栟D換成聲音的聲音轉換元件部(4)的聲音轉換元件(2)；以及(b)內(nèi)部收納有聲音轉換元件(2)的封裝(20、30)。封裝(20、30)包含形成有兩端具有開口的內(nèi)部空間的、由導電材料所形成的筒狀的導電部(40)。在導電部(40)的內(nèi)部空間內(nèi)，至少將聲音轉換元件(2)的聲音轉換元件部(4)遠離開口來配置。
文檔編號H04R1/02GK102318366SQ20108000879
公開日2012年1月11日 申請日期2010年2月15日 優(yōu)先權日2009年2月17日
發(fā)明者八戶啟, 小口貴弘, 春田一政 申請人:株式會社村田制作所