專利名稱:音頻pop音的消除方法及耳機(jī)音頻電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及音頻處理,特別涉及音頻處理中POP音的消除技術(shù)。
背景技術(shù):
傳統(tǒng)的耳機(jī)音頻輸出在編譯碼器CODEC通道初始化和關(guān)閉通道過程中,輸出通道中有噪聲,通常稱之為POP音,其原因是初始化操作過程中帶來(lái)的瞬態(tài)沖擊所產(chǎn)生的爆破聲。具體地說,在初始化耳機(jī)音頻輸出過程中,有一個(gè)使能Vbias過程,該過程會(huì)產(chǎn)生窄尖脈沖瞬態(tài)沖擊,其波形如圖1所示,其中的上下沖尖峰脈沖就是引起POP音的原因。傳統(tǒng)耳機(jī)音頻電路如圖2或圖3所示,包括三個(gè)部分C0DEC、隔直電容(即圖中的 C)和耳機(jī)。其中CODEC輸出立體聲音頻信號(hào),該音頻信號(hào)疊加在直流偏置電平上,此處我們把該直流偏置電平命名為Vbias,通常是CODEC工作電壓VDD的1/2,隔直電容目的是把該直流電平濾除,并把音頻信號(hào)耦合到耳機(jī)驅(qū)動(dòng)耳機(jī)工作。圖2和圖3的不同之處在于芯片內(nèi)部是否有隔直電容緩慢充電電路(后面簡(jiǎn)稱緩充電路),分別介紹如下在如圖2所示的第一類傳統(tǒng)耳機(jī)音頻電路中,解決POP音的方法是軟件規(guī)避的方式,所謂軟件方式規(guī)避是指使用相對(duì)合理的初始化流程,如在不同的時(shí)刻打開MUTE (靜音) 功能、STANDBY(待機(jī))功能、延時(shí)操作、逐步改變ADC(模數(shù)轉(zhuǎn)換)/DAC(數(shù)模轉(zhuǎn)換)增益等, 以減小POP音,如圖4所示。圖4中的“MODE CHANGE”指的是CODEC從POWER D0WN(關(guān)機(jī)) 或者STANDBY (待機(jī))狀態(tài)切換到正常輸出狀態(tài)。關(guān)閉CODEC通道的過程和打開CODEC通道的過程剛好相反,這樣就可以達(dá)到抑制關(guān)閉CODEC通道產(chǎn)生的POP音問題。如圖3所示的第二類傳統(tǒng)耳機(jī)音頻電路,與圖2所示的第一類傳統(tǒng)耳機(jī)音頻電路的不同之處在于C0DEC內(nèi)部有一電路,用于初始化CODEC通道過程中對(duì)隔直電容充電,設(shè)置合適的內(nèi)部電阻可以控制充電時(shí)間,通常需要200ms到300ms,以達(dá)到隔直電容緩慢充電減小POP音的效果,其軟件流程如圖5所示。圖5中的“MODE CHANGE”和圖4中的“MODE CHANGE”意義相同。關(guān)閉CODEC通道的過程和打開CODEC通道的過程剛好相反,這樣就可以減小關(guān)閉CODEC通道產(chǎn)生的POP音。但是,傳統(tǒng)POP音抑制方法不能完全消除POP音,并且軟件流程復(fù)雜,初始化CODEC 通道所需時(shí)間較長(zhǎng)。具體地說,傳統(tǒng)的POP音抑制電路,無(wú)論CODEC內(nèi)部是否有緩充電路, 都沒有徹底解決POP音問題。內(nèi)部不帶緩充電路的CODEC其實(shí)不能真正抑制POP音,實(shí)際上是減小了初始化CODEC通道過程中的其他噪聲,使得疊加在POP噪聲上的其他噪聲減小, 給人耳聽覺上好像噪聲變小了,但是沒有能真正解決問題。內(nèi)部帶有緩充電路的CODEC控制了隔直電容的充電時(shí)間,使得隔直電容上的尖峰脈沖幅度變小,上升沿變緩,所以POP音變小,也只是減小POP音,并沒有徹底抑制掉該P(yáng)OP音。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種音頻POP音的消除方法及耳機(jī)音頻電路,使得耳機(jī)中的POP音能被徹底消除,改善用戶體驗(yàn),并且簡(jiǎn)化了操作流程,縮短了初始化時(shí)間。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種音頻POP音的消除方法,包含以下步驟在初始化編譯碼器之前,通過導(dǎo)通與耳機(jī)的右聲道并聯(lián)的第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS管,對(duì)與所述編譯碼器的右輸出端相連的第一隔直電容進(jìn)行充電;通過導(dǎo)通與耳機(jī)的左聲道并聯(lián)的第二 MOS管,對(duì)與所述編譯碼器的左輸出端相連的第二隔直電容進(jìn)行充電;在導(dǎo)通所述第一 MOS管和所述第二 MOS管后,初始化所述編譯碼器;所述初始化完成后延時(shí)預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T,并在延時(shí)所述T后,斷開所述第一 MOS管和所述第二 MOS管;所述編譯碼器通過所述右輸出端向所述耳機(jī)的右聲道輸出音頻信號(hào);通過所述左輸出端向所述耳機(jī)的左聲道輸出音頻信號(hào)。本發(fā)明的實(shí)施方式還提供了一種耳機(jī)音頻電路,包含編譯碼器、與所述編譯碼器的右輸出端相連的第一隔直電容、與所述編譯碼器的左輸出端相連的第二隔直電容、耳機(jī)、 第一 MOS管和第二 MOS管;所述編譯碼器的右輸出端輸出的音頻信號(hào),輸出到所述第一隔直電容,經(jīng)所述第一隔直電容輸出后分為兩路信號(hào),其中一路信號(hào)輸出到所述耳機(jī)的右聲道,另外一路信號(hào)經(jīng)所述第一 MOS管到地;所述編譯碼器的左輸出端輸出的音頻信號(hào),輸出到所述第二直電容,經(jīng)所述第二隔直電容輸出后分為兩路信號(hào),其中一路信號(hào)輸出到所述耳機(jī)的左聲道,另外一路信號(hào)經(jīng)所述第二 MOS管到地;所述第一 MOS管用于在初始化編譯碼器之前,通過導(dǎo)通狀態(tài)對(duì)所述第一隔直電容進(jìn)行充電,并在完成所述編譯碼器的初始化的預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T后,處于斷開狀態(tài);所述第二 MOS管用于在初始化編譯碼器之前,通過導(dǎo)通狀態(tài)對(duì)所述第二隔直電容進(jìn)行充電,并在完成所述編譯碼器的初始化的所述預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T后,處于斷開狀態(tài)。本發(fā)明實(shí)施方式相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言,編譯碼器的右輸出端輸出的音頻信號(hào)經(jīng)第一隔直電容輸出后分兩路,一路輸出到耳機(jī)的右聲道,另外一路輸出經(jīng)第一 MOS管到地,也就是說,耳機(jī)的右聲道和第一 MOS管是并聯(lián)關(guān)系。類似的,編譯碼器的左輸出端輸出的音頻信號(hào)經(jīng)第二隔直電容輸出后分兩路,一路輸出到耳機(jī)的左聲道,另外一路輸出經(jīng)第二 MOS 管到地,也就是說,耳機(jī)的左聲道和第二 MOS管是并聯(lián)關(guān)系。在初始化編譯碼器之前,導(dǎo)通第一 MOS管和第二 MOS管,使得第一隔直電容通過第一 MOS管充電,第二隔直電容通過第二 MOS管充電。在初始化完成并且延時(shí)一定時(shí)長(zhǎng)后,再斷開兩MOS管。由于MOS管道通阻抗很小,僅幾十毫歐級(jí),因此,在初始化編譯碼器之前,通過兩MOS管對(duì)兩隔直電容進(jìn)行充電, 可徹底消除POP音,使得耳機(jī)中完全聽不到POP音。而且在隔直電容充電完成后,再關(guān)閉兩 MOS管,可使得該過程不會(huì)對(duì)耳機(jī)的正常工作造成影響。另外,在關(guān)閉所述編譯碼器之前,通過導(dǎo)通第一 MOS管,對(duì)第一隔直電容進(jìn)行充電;通過導(dǎo)通第二 MOS管,對(duì)第二隔直電容進(jìn)行充電。在關(guān)閉編譯碼器后的預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T后, 斷開第一 MOS管和第二 MOS管。使得本發(fā)明不僅可以在初始化編譯碼器時(shí)消除POP音,也可以在關(guān)閉編譯碼器時(shí)消除POP音。另外,預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T小于1ms。由于MOS管道通阻抗電阻很小,通常只有幾十到上百毫歐,所以隔直電容充電時(shí)間非常短,進(jìn)一步保證了初始化時(shí)間的縮短。另外,利用MCU的GPIO引腳向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出高電平或低電平,控制第一 MOS管和第二 MOS管的導(dǎo)通或斷開。通過軟件控制,即可實(shí)現(xiàn)MOS管的導(dǎo)通或斷開,簡(jiǎn)單易行,方便操作。另外,也可以通過比較器的輸出端向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出高電平或低電平,控制第一 MOS管和第二 MOS管的導(dǎo)通或斷開。使得本發(fā)明的實(shí)施方式靈活多變。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中引起POP音的原因示意圖;圖2是現(xiàn)有技術(shù)中第一類傳統(tǒng)耳機(jī)音頻電路結(jié)構(gòu)圖;圖3是現(xiàn)有技術(shù)中第二類傳統(tǒng)耳機(jī)音頻電路結(jié)構(gòu)圖;圖4是現(xiàn)有技術(shù)中基于第一類傳統(tǒng)耳機(jī)音頻電路的POP音解決方法流程圖;圖5是現(xiàn)有技術(shù)中基于第二類傳統(tǒng)耳機(jī)音頻電路的POP音解決方法流程圖;圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的音頻POP音的消除方法中,基于的耳機(jī)音頻電路結(jié)構(gòu)圖;圖7是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式中的打開音頻通道的初始化流程圖;圖8是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式中的關(guān)閉音頻通道的流程圖;圖9根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式中的利用比較器的輸出端控制第一 MOS管和第二 MOS管的導(dǎo)通或斷開的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及一種音頻POP音的消除方法。本實(shí)施方式所基于的耳機(jī)音頻電路如圖6所示,包含CODEC、與CODEC的右輸出端ROUT相連的第一隔直電容、與 CODEC的LOUT相連的第二隔直電容、耳機(jī)、第一 MOS管和第二 MOS管。在本實(shí)施方式中,第一 MOS管和第二 MOS管均為N溝道MOS (N-MOS)。CODEC的ROUT輸出的音頻信號(hào),輸出到第一隔直電容,經(jīng)第一隔直電容輸出后分為兩路信號(hào),其中一路信號(hào)輸出到耳機(jī)的右聲道,另外一路信號(hào)經(jīng)第一 MOS管到地;CODEC 器的左輸出端ROUT輸出的音頻信號(hào),輸出到第二直電容,經(jīng)第二隔直電容輸出后分為兩路信號(hào),其中一路信號(hào)輸出到耳機(jī)的左聲道,另外一路信號(hào)經(jīng)第二 MOS管到地。也就是說,兩 MOS管與耳機(jī)并聯(lián)。打開音頻通道的初始化流程如圖7所示,在步驟710中,在初始化CODEC之前,微控制單元(Micro Control Unit,簡(jiǎn)稱“MCU”)拉高GPI0,即使MCU的GPIO引腳輸出高電平。具體地說,在本實(shí)施方式中,將第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳,分別與MCU的 GPIO引腳相連,通過MCU的GPIO引腳向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出高電平或低電平,控制第一 MOS管和第二 MOS管的導(dǎo)通或斷開。因此,在本步驟710中,在初始化CODEC 之前,利用MCU的GPIO引腳向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出高電平,導(dǎo)通第一 MOS
管和第二 MOS管。使得第一隔直電容與第一 MOS管形成電容充電通路,第二隔直電容與第二 MOS管形成電容充電通路,對(duì)兩隔直電容進(jìn)行充電。接著,在步驟720中,對(duì)CODEC進(jìn)行初始化,對(duì)CODEC進(jìn)行的初始化過程中包括使能Vbias。本步驟與現(xiàn)有技術(shù)相同,在此不再贅述。接著,在步驟730中,延時(shí)預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T,以保證兩隔直電容的充電完成。值得一提的是,該T時(shí)長(zhǎng)小于1ms。由于MOS管道通阻抗電阻很小,因此本實(shí)施方式中的延時(shí)時(shí)間T很短,通常在Ims之內(nèi),與傳統(tǒng)技術(shù)相比大大縮短了初始化時(shí)間。接著,在步驟740中,MCU拉低CPI0,即使MCU的GPIO引腳向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出低電平,斷開第一 MOS管和第二 MOS管。通過軟件控制,即可實(shí)現(xiàn)MOS 管的導(dǎo)通或斷開,簡(jiǎn)單易行,方便操作。接著,在步驟750中,開始音頻的播放。由于MOS管道通阻抗很小,僅幾十毫歐級(jí),因此,在初始化編譯碼器之前,通過兩 MOS管對(duì)兩隔直電容進(jìn)行充電,可徹底消除POP音,使得耳機(jī)中完全聽不到POP音。而且在隔直電容充電完成后,再關(guān)閉兩MOS管,可使得該過程不會(huì)對(duì)耳機(jī)的正常工作造成影響。而且流程十分簡(jiǎn)單,也大大縮短了初始化時(shí)間。類似地,下電時(shí)應(yīng)先拉高GPI0,然后關(guān)閉音頻通道(包括disable Vbias),再延時(shí)時(shí)間T,最后拉低GPI0。具體地說,關(guān)閉音頻通道的流程如圖8所示,在步驟810中,停止音頻的播放。接著,在步驟820中,MCU拉高GPI0,即使MCU的GPIO引腳向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出高電平,導(dǎo)通第一 MOS管和第二 MOS管。使得第一隔直電容與第一 MOS 管形成電容充電通路,第二隔直電容與第二 MOS管形成電容充電通路,對(duì)兩隔直電容進(jìn)行充電。接著,在步驟830中,關(guān)閉CODEC,CODEC的關(guān)閉過程包括去使能Vbias。本步驟與現(xiàn)有技術(shù)相同,在此不再贅述。接著,在步驟840中,延時(shí)預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T,以保證兩隔直電容的充電完成。接著,在步驟850中,MCU拉低CPI0,即使MCU的GPIO引腳向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出低電平,斷開第一 MOS管和第二 MOS管。由此可見,利用兩個(gè)MOS管對(duì)兩隔直電容進(jìn)行充電,不僅可以在初始化編譯碼器時(shí)消除POP音,也可以在關(guān)閉編譯碼器時(shí)消除POP音。另外,由于本實(shí)施方式中,對(duì)耳機(jī)并無(wú)特殊的要求,因此本實(shí)施方式中的耳機(jī)可以是任意一種終端產(chǎn)品中的耳機(jī),如手機(jī)、MP3、MP4等產(chǎn)品中的耳機(jī),使得本實(shí)施方式具備廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。需要說明的是,上面各種方法的步驟劃分,只是為了描述清楚,實(shí)現(xiàn)時(shí)可以合并為一個(gè)步驟或者對(duì)某些步驟進(jìn)行拆分,分解為多個(gè)步驟,只要包含相同的邏輯關(guān)系,都在本專利的保護(hù)范圍內(nèi);對(duì)算法中或者流程中添加無(wú)關(guān)緊要的修改或者引入無(wú)關(guān)緊要的設(shè)計(jì),但不改變其算法和流程的核心設(shè)計(jì)都在該專利的保護(hù)范圍內(nèi)。本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及一種音頻POP音的消除方法。第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式大致相同,主要區(qū)別之處在于在第一實(shí)施方式中,是利用MCU的GPIO引腳向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出高電平或低電平,控制第一 MOS管和第二 MOS管的導(dǎo)通或斷開。而在本發(fā)明第二實(shí)施方式中,是通過比較器的輸出端向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出高電平或低電平,控制第一 MOS管和第二 MOS管的導(dǎo)通或斷開。具體地說,在CODEC初始化過程中,有一個(gè)使能Vbias的動(dòng)作,可以對(duì)該電源加RC 延時(shí)電路,使之上升時(shí)間變長(zhǎng),該電壓給比較器的反相端,如圖9所示,在比較器的同相端加一個(gè)用于比較的電壓(該電壓一定要小于Vbias,具體的和反相端的RC選擇有關(guān)),當(dāng) Vbias經(jīng)RC延時(shí)后上升到一定階段,比較器輸出(即圖9中的OUTPUT)狀態(tài)發(fā)生反轉(zhuǎn)(由高變低),該輸出狀態(tài)可以替代第一實(shí)施方式中的GPIO功能。CODEC下電過程圖9中的Vbias 要關(guān)閉,二極管導(dǎo)通,使V-迅速跌落,OUTPUT也迅速由低變高,使MOS導(dǎo)通。由此可見,不僅可以利用MCU的GPIO引腳向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出高電平或低電平,控制第一 MOS管和第二 MOS管的導(dǎo)通或斷開,也可以利用比較器的輸出端向第一 MOS管和第二 MOS管的G引腳輸出高電平或低電平,控制第一 MOS管和第二 MOS 管的導(dǎo)通或斷開。使得本發(fā)明的實(shí)施方式靈活多變。上述各實(shí)施方式是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的具體實(shí)施例,而在實(shí)際應(yīng)用中,可以在形式上和細(xì)節(jié)上對(duì)其作各種改變,而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種音頻POP音的消除方法,其特征在于,包含以下步驟在初始化編譯碼器之前,通過導(dǎo)通與耳機(jī)的右聲道并聯(lián)的第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS管,對(duì)與所述編譯碼器的右輸出端相連的第一隔直電容進(jìn)行充電;通過導(dǎo)通與耳機(jī)的左聲道并聯(lián)的第二 MOS管,對(duì)與所述編譯碼器的左輸出端相連的第二隔直電容進(jìn)行充電;在導(dǎo)通所述第一 MOS管和所述第二 MOS管后,初始化所述編譯碼器;所述初始化完成后延時(shí)預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T,并在延時(shí)所述T后,斷開所述第一 MOS管和所述第二 MOS 管;所述編譯碼器通過所述右輸出端向所述耳機(jī)的右聲道輸出音頻信號(hào);通過所述左輸出端向所述耳機(jī)的左聲道輸出音頻信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的音頻POP音的消除方法,其特征在于,還包含以下步驟在關(guān)閉所述編譯碼器之前,通過導(dǎo)通所述第一 MOS管,對(duì)所述第一隔直電容進(jìn)行充電;通過導(dǎo)通所述第二 MOS管,對(duì)所述第二隔直電容進(jìn)行充電;在導(dǎo)通所述第一 MOS管和所述第二 MOS管后,關(guān)閉所述編譯碼器;在關(guān)閉所述編譯碼器后延時(shí)所述T,并在延時(shí)所述T后,斷開所述第一 MOS管和所述第二 MOS 管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的音頻POP音的消除方法,其特征在于,所述T小于1ms。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的音頻POP音的消除方法,其特征在于,通過微控制單元MCU的 GPIO引腳,向所述第一 MOS管和所述第二MOS管的G引腳輸出高電平,導(dǎo)通所述第一MOS管和所述第二 MOS管;通過所述MCU的GPIO引腳,向所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的G引腳輸出低電平, 斷開所述第一 MOS管和所述第二 MOS管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的音頻POP音的消除方法,其特征在于,通過比較器的輸出端向所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的G引腳輸出高電平,導(dǎo)通所述第一 MOS管和所述第二 MOS 管;通過所述比較器的輸出端向所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的G引腳輸出低電平, 斷開所述第一 MOS管和所述第二 MOS管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的音頻POP音的消除方法,其特征在于,所述耳機(jī)為以下任一終端產(chǎn)品中的耳機(jī)手機(jī)、MP3、MP4。
7.一種耳機(jī)音頻電路,包含編譯碼器、與所述編譯碼器的右輸出端相連的第一隔直電容、與所述編譯碼器的左輸出端相連的第二隔直電容、耳機(jī),其特征在于,還包含第一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS管和第二 MOS管;所述編譯碼器的右輸出端輸出的音頻信號(hào),輸出到所述第一隔直電容,經(jīng)所述第一隔直電容輸出后分為兩路信號(hào),其中一路信號(hào)輸出到所述耳機(jī)的右聲道,另外一路信號(hào)經(jīng)所述第一 MOS管到地;所述編譯碼器的左輸出端輸出的音頻信號(hào),輸出到所述第二直電容,經(jīng)所述第二隔直電容輸出后分為兩路信號(hào),其中一路信號(hào)輸出到所述耳機(jī)的左聲道,另外一路信號(hào)經(jīng)所述第二 MOS管到地;所述第一 MOS管用于在初始化編譯碼器之前,通過導(dǎo)通狀態(tài)對(duì)所述第一隔直電容進(jìn)行充電,并在完成所述編譯碼器的初始化的預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T后,處于斷開狀態(tài);所述第二 MOS管用于在初始化編譯碼器之前,通過導(dǎo)通狀態(tài)對(duì)所述第二隔直電容進(jìn)行充電,并在完成所述編譯碼器的初始化的所述預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T后,處于斷開狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的耳機(jī)音頻電路,其特征在于,所述第一 MOS管還用于在關(guān)閉所述編譯碼器之前,通過導(dǎo)通狀態(tài)對(duì)所述第一隔直電容進(jìn)行充電,并在完成所述編譯碼器的關(guān)閉的所述預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T后,處于斷開狀態(tài);所述第二 MOS管還用于在關(guān)閉所述編譯碼器之前,通過導(dǎo)通狀態(tài)對(duì)所述第二隔直電容進(jìn)行充電,并在完成所述編譯碼器的關(guān)閉的所述預(yù)定時(shí)長(zhǎng)T后,處于斷開狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的耳機(jī)音頻電路,其特征在于, 所述T小于1ms。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的耳機(jī)音頻電路,其特征在于,所述耳機(jī)音頻電路還包含微控制單元MCU ;所述MCU的GPIO引腳分別與所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的G引腳相連; 所述MCU的GPIO引腳通過向所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的G引腳輸出高電平, 導(dǎo)通所述第一 MOS管和所述第二 MOS管;所述MCU的GPIO引腳通過向所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的G引腳輸出低電平, 斷開所述第一 MOS管和所述第二 MOS管。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的耳機(jī)音頻電路,其特征在于,所述耳機(jī)音頻電路還包含比較器;所述比較器的輸出端分別與所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的G引腳相連; 所述比較器的輸出端通過向所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的G引腳輸出高電平, 導(dǎo)通所述第一 MOS管和所述第二 MOS管;所述比較器的輸出端通過向所述第一 MOS管和所述第二 MOS管的G引腳輸出低電平, 斷開所述第一 MOS管和所述第二 MOS管。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的耳機(jī)音頻電路,其特征在于,所述耳機(jī)為以下任一終端產(chǎn)品中的耳機(jī)手機(jī)、MP3、MP4。
全文摘要
本發(fā)明涉及音頻處理,公開了一種音頻POP音的消除方法及耳機(jī)音頻電路。本發(fā)明中,在初始化編譯碼器之前,利用與耳機(jī)并聯(lián)的兩MOS管,對(duì)兩隔直電容進(jìn)行充電。待充電完成后,再關(guān)斷兩MOS管。由于MOS管道通阻抗很小,僅幾十毫歐級(jí),因此,在初始化編譯碼器之前,通過兩MOS管對(duì)兩隔直電容進(jìn)行充電,可徹底消除POP音,使得耳機(jī)中完全聽不到POP音。而且在隔直電容充電完成后,再關(guān)閉兩MOS管,可使得該過程不會(huì)對(duì)耳機(jī)的正常工作造成影響。
文檔編號(hào)H04R3/00GK102572642SQ20101058817
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月14日
發(fā)明者劉峰, 康書峰 申請(qǐng)人:聯(lián)芯科技有限公司