專利名稱：一種具有顯示屏及可無線傳輸?shù)膗盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種U盤，尤其涉及一種具有顯示屏及可無線傳輸?shù)腢盤。
背景技術(shù)：
隨著電腦等電子產(chǎn)品的普及，U盤作為一種數(shù)據(jù)儲存及傳輸?shù)墓ぞ?，被廣泛使用。 在現(xiàn)有技術(shù)中，U盤一般是通過插接于電腦上或其它電子產(chǎn)品上，以獲得電源來使用，比如 通過在電腦上的操作進行數(shù)據(jù)傳輸及存儲，通過電腦顯示其存儲的文件信息等。顯然，U盤 必須結(jié)合其它設(shè)備使用，這就給使用者在使用上帶來一定的局限性，尤其當U盤持有者在 身邊不具有電腦卻很想獲得U盤內(nèi)信息內(nèi)容的時候。另外，當電腦等設(shè)備的插接口與U盤 彼此插接次數(shù)增多時，容易使得插接口出現(xiàn)變形等損壞，進而導(dǎo)致數(shù)據(jù)無法相互傳輸，給使 用者帶來不便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種可顯示U盤文件信息 并避免插接口出現(xiàn)損壞的U盤。本發(fā)明的上述目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的根據(jù)本發(fā)明，提供一種具有顯示屏及可無線傳輸?shù)腢盤，包括微處理器和數(shù)據(jù)存 儲模塊，其中，還包括顯示屏、顯示模塊、無線傳輸模塊和電源，所述顯示模塊的一端與所述微處理器相連接，用于接收來自所述微處理器的數(shù)據(jù) 并將其發(fā)送給顯示屏；所述顯示屏與所述顯示模塊相連接，用于接收所述顯示模塊所發(fā)送的數(shù)據(jù)，并將 其顯示出來；所述無線傳輸模塊與所述微處理器相連接，用于接收來自所述微處理器的數(shù)據(jù)并 無線發(fā)送；所述電源與所述微處理器、數(shù)據(jù)存儲模塊以及所述顯示模塊的另一端相連接，用 于向所述顯示模塊、微處理器以及所述數(shù)據(jù)存儲模塊供電。在所述U盤中，所述顯示屏包括有機發(fā)光二極管顯示屏或液晶顯示屏。在所述U盤中，所述有機發(fā)光二極管顯示屏采用低溫多晶硅薄膜作為基板。在所述U盤中，所述低溫多晶硅薄膜從下而上包括襯底、第一阻擋層、金屬誘導(dǎo) 層、第二阻擋層和多晶硅層。在所述U盤中，所述低溫多晶硅薄膜從下而上包括襯底、具有凹槽結(jié)構(gòu)的第一阻 擋層、金屬誘導(dǎo)層、第二阻擋層和多晶硅層。在所述U盤中，所述低溫多晶硅薄膜自下而上地包括襯底、阻擋層和具有連續(xù)晶 疇的多晶硅層。在所述U盤中，所述電源包括太陽能電池。所述太陽能電池優(yōu)選為薄膜太陽能電 池。所述薄膜太陽能電池包括非晶硅薄膜太陽能電池或多晶硅薄膜太陽能電池。
在所述U盤中，所述薄膜太陽能電池與所述低溫多晶硅薄膜制作于同一襯底的上 下表面上。在所述U盤中，所述無線傳輸模塊包括紅外接口或藍牙模塊。在上述技術(shù)方案中，所述U盤還包括電池管理模塊和充電接口，所述電源管理模 塊的一端與電源相連，用于接收來自電源的電能，其另一端與所述顯示模塊、操作模塊、微 處理器、數(shù)據(jù)存儲模塊和充電接口分別相連，以供電給顯示模塊、操作模塊、微處理器、數(shù)據(jù) 存儲模塊和充電接口。在上述技術(shù)方案中，所述U盤還包括操作模塊及輸入裝置，所述操作模塊的一端 與輸入裝置相連接，用于接收所述輸入裝置的輸入信息，所述操作模塊的另一端與所述微 處理器相連接，用于向微處理器發(fā)送所接收的輸入信息。在上述技術(shù)方案中，所述U盤還包括感觸模塊及觸摸屏，所述感觸模塊的一端與 所述觸摸屏相連接，用于感知觸摸屏的輸入信息，其另一端與所述微處理器相連接，用于將 感知到的信息傳送給所述微處理器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的U盤具有以下優(yōu)點1、U盤可以直接顯示其中存儲的文件；2、能夠?qū)盤中的文件進行操作，使用更加方便；3、使用太陽能電池供電避免對環(huán)境造成污染，節(jié)約能源；4、使用無線傳輸避免對接口的損壞。


下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明，其中圖1為本發(fā)明實施例的U盤的正面立體示意圖；圖2為圖1所示U盤的背面立體示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的U盤的內(nèi)部電路框圖；圖4為具有觸摸屏的顯示屏部分的電路框圖；圖5a為根據(jù)本發(fā)明一實施例的U盤的低溫多晶硅薄膜制造過程中，于襯底上形成 第一阻擋層后的多層膜的橫截面示意圖；圖5b根據(jù)本發(fā)明一實施例的U盤的低溫多晶硅薄膜制造過程中，在襯底上形成 第一阻擋層、金屬誘導(dǎo)層、第二阻擋層、非晶硅層及金屬吸收層之后的多層膜的橫截面示意 圖；圖5c為圖5a的多層膜的局部放大圖；圖5d為圖5b所示的多層膜在加熱晶化期間的橫截面示意圖；圖5e為根據(jù)本發(fā)明一實施例的U盤的低溫多晶硅薄膜在加熱晶化后并將金屬吸 附層去除后的多晶硅薄膜的橫截面示意圖；圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的U盤的低溫多晶硅薄膜制備方法的流程圖；圖7a為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的U盤的低溫多晶硅薄膜在第一次退火過程后的 晶體薄膜表面沉積金屬吸收層后的截面圖。
具體實施例方式參照圖1所示，為根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的U盤的正面立體示意圖。該U盤包 括殼體1、紅外接口 4和設(shè)置在第一表面11上的顯示屏2，其用于使用戶能夠直接查看需要 顯示的信息，優(yōu)選地，殼體1上還設(shè)有諸如鍵盤5的輸入裝置，以便于用戶操作。圖2為根 據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的U盤的背面立體示意圖。如圖所示，在與第一表面11相對設(shè)置的 第二表面12上設(shè)置有太陽能電池3，其用于將所接收到的太陽能轉(zhuǎn)化為電能向U盤供電。 該U盤還包括設(shè)置在殼體1內(nèi)的電路板(未示出)。圖3為圖1所示的U盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖。如圖所示，包括紅外接口、微處理器、數(shù) 據(jù)存儲模塊、顯示及操作模塊和太陽能電池。其中，顯示模塊的一端與微處理器相連接，用 于接收來自微處理器的數(shù)據(jù)，其另一端與顯示屏相連接，用于顯示所接收到的數(shù)據(jù)。紅外接 口與所述微處理器相連接，用于無線收發(fā)來自微處理器或諸如筆記本電腦、個人數(shù)字助理、 手機等終端的數(shù)據(jù)。操作模塊的一端與輸入裝置相連接，用于接收來自輸入裝置的輸入信 息，其另一端與微處理器相連接，用于將所接收到的輸入信息轉(zhuǎn)發(fā)給微處理器。所述電源與 顯示模塊、操作模塊、微處理器和數(shù)據(jù)存儲模塊分別相連接，用于向它們供電。本發(fā)明工作原理為持有終端的用戶可以通過U盤的紅外接口將終端中的數(shù)據(jù)發(fā) 送到u盤中，同時，也可以通過其接收U盤中存儲的數(shù)據(jù)，從而避免了多次使用USB接口插 接進行數(shù)據(jù)交換給插接口可能帶來的損傷。此外，在光照或日光燈下，太陽能電池能夠供 電給U盤內(nèi)的各個模塊，此時，U盤的顯示屏能夠自動顯示其中所存儲的信息，例如關(guān)于文 件夾名稱的列表，隨后用戶可以通過鍵盤向微處理器輸入諸如查看或刪除文件等的指令， 隨后操作模塊將該輸入信息發(fā)送到微處理器，微處理器再將該輸入信息發(fā)送給數(shù)據(jù)存儲模 塊，最終通過顯示模塊將具體信息或數(shù)據(jù)顯示在顯示屏上，從而實現(xiàn)用戶對U盤所存儲的 內(nèi)容的操作。這種能夠顯示文件的U盤避免了使用者因身邊不具有電腦，無法及時查看U 盤內(nèi)文件或?qū)盤內(nèi)容進行刪除等操作，大大方便了使用者的使用。在上述實施例中，操作模塊僅便于使用者更加方便的操作，因此如果沒有該操作 模塊，同樣能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明目的。在本發(fā)明的其他實施例中，所述紅外接口也可以使用個諸 如藍牙模塊的無線傳輸模塊所替代。作為另一種優(yōu)選的實現(xiàn)方式，所述U盤還可以包括電源管理模塊和充電接口。該 電源管理模塊的一端與太陽能電池相連，用于接收太陽能電池的電能，其另一端與顯示模 塊、操作模塊、微處理器、數(shù)據(jù)存儲模塊和充電接口分別相連，以供電給顯示模塊、操作模 塊、微處理器、數(shù)據(jù)存儲模塊和充電接口。當將外接充電設(shè)備插置于該充電接口上時，所述電 源管理模塊將從太陽能電池接收到的電能轉(zhuǎn)送至充電接口，從而對外接充電設(shè)備進行充電。作為另一種優(yōu)選的實現(xiàn)方式，上述U盤還包括感觸模塊和觸摸屏。在一個實施例 中，將感觸模塊設(shè)置在殼體內(nèi)，觸摸屏設(shè)置在顯示屏之上，使其成為具有觸摸功能的顯示 屏。用戶可以通過觸摸屏對U盤進行操作，從而使輸入更加方便。該具有觸摸屏的顯示部 分的電路原理圖如圖4所示，包括與觸摸屏相連的感觸模塊、與顯示屏相連的顯示模塊，且 所述感觸模塊及所述顯示屏模塊均與上述微處理器相連。感觸模塊用來感知觸摸屏的輸 入，并將其轉(zhuǎn)化為對應(yīng)的信號而傳送給所述微處理器，所述微處理器控制所述顯示模塊，將 U盤中的內(nèi)容通過顯示屏顯示出來。在上述實施例中，太陽能電池僅為一種優(yōu)選的實現(xiàn)方式，在本發(fā)明的其他實施例中，還可以使用諸如干電池、鋰離子電池的其他類型電源來替代。當采用太陽能電池供電 時，殼體優(yōu)選由透明材料制成，使得光能透過殼體，被所述太陽能電池所吸收。更優(yōu)選地，太陽能電池可以采用薄膜太陽能電池，包括單晶硅薄膜太陽能電池、非 晶硅薄膜太陽能電池或多晶硅薄膜太陽能電池。其中，當所述太陽能電池為非晶硅薄膜 太陽能電池時，其與單晶硅太陽能電池相比具有以下優(yōu)點⑴非晶硅的光吸收系數(shù)大，因 而作為太陽能電池時，薄膜所需厚度相對其他材料如砷化鎵時，要小得多；(2)相對于單晶 硅，非晶硅薄膜太陽能電池制造工藝簡單，制造過程能量消耗少；(3)可實現(xiàn)大面積化及連 續(xù)的生產(chǎn)；(4)可以采用玻璃或不銹鋼等材料作為襯底，因而容易降低成本；(5)可以做成 疊層結(jié)構(gòu)，提高效率。當所述太陽能電池為多晶硅薄膜太陽能電池時，其具有以下優(yōu)點(1) 由于多晶硅(poly-Si)薄膜是由許多大小不等、具有不同晶面取向的小晶粒構(gòu)成的，它在 長波段具有高光敏性，對可見光能有效吸收，且具有與晶體硅一樣的光照穩(wěn)定性，因此為高 效、低耗的最理想的光伏器件材料；(2)因多晶硅薄膜太陽能電池兼具單晶硅和多晶硅體 電池的高轉(zhuǎn)換效率和長壽命等優(yōu)點，同時材料制備工藝相對簡單，具有單晶硅的高遷移率 及非晶硅材料成本低的優(yōu)點；(3)使用的硅材料遠較單晶硅少，又無效率衰退問題，且多晶 硅薄膜太陽電池是將多晶硅薄膜生長在低成本的襯底材料上，用相對薄的晶體硅層作為太 陽電池的激活層，不僅保持了晶體硅太陽電池的高性能和穩(wěn)定性，而且材料的用量大幅度 下降，明顯地降低了電池成本。因此采用非晶硅、多晶硅薄膜太陽能電池為優(yōu)選。在上述實施例中，所述顯示屏包括液晶顯示屏或有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，簡稱0LED)顯示屏。在本發(fā)明的一個實施例中，優(yōu)選采用有機發(fā)光 二極管顯示屏(Organic Light-Emitting Diode，簡稱0LED)，該顯示屏采用由低溫多晶硅 薄膜制成的薄膜晶體管(thin filmtransistor，簡稱TFT)作為基板。更優(yōu)選地，該低溫多 晶硅薄膜包括以下三種A.第一種低溫多晶硅薄膜自下而上地包括襯底、第一阻擋層、金屬誘導(dǎo)層、第二阻 擋層和多晶硅層。其中，第一阻擋層也稱第一隔離層，其主要作用是為了防止襯底中的雜質(zhì)在后續(xù) 加熱過程中向涂布在第一阻擋層上的薄膜中擴散，其還用于增加襯底的厚度及硬度，從而 便于對其進行處理。一般地，所述第一阻擋層可以由具有阻擋性能的金屬、碳化硅、硅的氧 化物或硅的氮化物來替代，厚度可以在0.1-1. 0微米之間，在一個實施例中，所述第一阻擋 層是低溫氧化硅或氮氧化硅，厚度為1.0微米；位于第一阻擋層上的金屬誘導(dǎo)層含有以下金屬材料中的任意一種或幾種Ni、Ai、 Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pb和Cu，厚度在100-900納米之間，在一個實施例中，金屬誘導(dǎo)層是含有 0. 01% -0. 的鎳或含鎳物質(zhì)；位于金屬誘導(dǎo)層上的第二阻擋層的材料及厚度與第一阻擋層的材料及厚度可以 相同；位于第二阻擋層上的多晶硅層是由非晶硅薄膜晶化而來，所述多晶硅層厚度一般 在1-100納米。B.第二種低溫多晶硅薄膜自下而上地包括襯底、具有凹槽結(jié)構(gòu)的第一阻擋層、金 屬誘導(dǎo)層、第二阻擋層和多晶硅層。該第二種低溫多晶硅薄膜與所述第一種低溫多晶硅薄膜的主要區(qū)別點在于，所述第一阻擋層202設(shè)有凹槽結(jié)構(gòu)。具體如下在上述步驟1)基礎(chǔ)上將所述第一阻擋層202刻蝕成具有凹槽結(jié)構(gòu)。具體地，在所 述第一阻擋層202的與所述襯底201相對的表面上刻蝕出多個凹槽。圖5a為刻蝕第一阻擋 層202后的多層膜橫截面示意圖。如圖所示，包括襯底201和涂布在襯底201上的第一阻擋 層202，其中該第一阻擋層202包括多個凹槽2021和位于凹槽之間的凸起部分2022。在一 個實施例中，相鄰兩個凸起部分2022之間的間距可以為10-100微米，凸起部分2022的高 度為1-5納米。凸起部分2022的截面優(yōu)選為矩形或梯形形狀，當截面為矩形時，優(yōu)選寬為 1. 5-3. 0微米；當截面為梯形時，該梯形的上底寬度為0. 5-3. 0微米，下底寬度為0. 5-6. 0 微米。然后在所述第一阻擋層202基礎(chǔ)上形成金屬誘導(dǎo)層203、第二阻擋層204、非晶硅 層205以及金屬吸收層206，圖5b為在襯底201上形成第一阻擋層202、誘導(dǎo)金屬層203、 第二阻擋層204、非晶硅層205及金屬吸收層206之后的多層膜橫截面示意圖，其中，所述 金屬誘導(dǎo)層203的厚度應(yīng)低于5納米，以保證金屬誘導(dǎo)層203本身具有隨所述第一阻擋層 202起伏變化的凹凸結(jié)構(gòu)。應(yīng)該使涂布后的所述第二阻擋層204完全覆蓋所述金屬誘導(dǎo)層 203，優(yōu)選地，所述第二阻擋層204與所述非晶硅層205的接觸平面為平坦的。金屬誘導(dǎo)層 203的這種凹凸結(jié)構(gòu)有利于在金屬誘導(dǎo)層203和非晶硅層205之間形成不一致的距離，從而 更有助于控制金屬誘導(dǎo)層中金屬擴散的方向及速率。如圖5c所示，將從金屬誘導(dǎo)層203的 凹槽2021到第二阻擋層204的上表面(即與非晶硅膜接觸的那個表面)的距離定義為a， 將從金屬誘導(dǎo)層203的凸起部分2022到第二阻擋層204的上表面的距離定義為b。在一個 實施例中，a大約為3. 0-4. 0微米，b大約為1. 0-2. 0微米。然后對上述多層膜進行退火處理。圖5d為圖5b所示的多層膜在退火過程中的非 晶硅進化為多晶硅的橫截面示意圖。從圖中可以看出，在退火過程中金屬誘導(dǎo)層203中諸 如鎳源的金屬不斷向非晶硅薄膜205中擴散(如黑色向上箭頭所示)，如前面所述，由于在 金屬誘導(dǎo)層203和非晶硅層205之間存在不一致的間距，在第一阻擋層102凸起部分2022 的鎳首先到達非晶硅層205，形成多晶硅晶核并在該處形成誘導(dǎo)多晶硅區(qū)(即非晶硅層205 中的深色區(qū)域)，然后以該處為中心向與第一阻擋層凹處對應(yīng)的非晶硅橫向晶化(如黑色 橫向箭頭所示)形成橫向晶化區(qū)。最后鎳源層逐漸消耗，從阻擋層擴散到非晶硅層中，從而 為多晶硅誘導(dǎo)源的鎳則不斷作為誘導(dǎo)前鋒推進至諸如磷硅玻璃的金屬吸收層被吸附。由于 金屬吸附層在退火處理前即被涂布在非晶硅層上，所以僅僅需要一次退火處理即可完成晶 化及金屬吸附的過程，從而縮短了整個方法的操作時間。最終，去除金屬吸附層后的產(chǎn)物橫 截面示意圖如圖5e所示。C.第三種多晶硅薄膜材料自下而上地包括襯底、阻擋層和具有連續(xù)晶疇的多晶 硅層；其中，所述多晶硅層的厚度為10-500納米，所述多晶硅層中的晶粒均勻分布；其中， 所述多晶硅層是通過在非晶硅薄膜上的覆蓋層光刻誘導(dǎo)口、在所述誘導(dǎo)口使金屬誘導(dǎo)薄膜 和所述非晶硅薄膜接觸并經(jīng)過兩次退火晶化形成的多晶硅層。圖6示出所述第三種多晶硅薄膜材料的一實施例的制備方法的流程圖，該方法包 括在襯底211上沉積氧化硅或氮化硅阻擋層212，并沉積非晶硅薄膜213(步驟301)；在非 晶硅薄膜213上形成一層氧化硅或氮化硅覆蓋層214，并在覆蓋層214上刻蝕誘導(dǎo)口(步驟 302)；在覆蓋層214上形成一層金屬誘導(dǎo)薄膜215，使該金屬誘導(dǎo)薄膜在誘導(dǎo)口處與非晶硅薄膜接觸(步驟303)；進行第一步退火過程，在誘導(dǎo)口下方的非晶硅薄膜中得到多晶硅島 300 (步驟304)；在金屬誘導(dǎo)薄膜215上沉積金屬吸收層216，然后進行第二次退火過程，形 成晶粒均勻分布的晶化的非晶硅薄膜(步驟305)；去除金屬吸收層和覆蓋層(步驟306)。 圖7a示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的多晶硅薄膜在第一次退火過程后晶體薄膜表面沉積金屬 吸收層的結(jié)構(gòu)。綜上所述，第二種低溫多晶硅薄膜同所述第一種低溫多晶硅薄膜均能實現(xiàn)如下有 益效果由于所述金屬誘導(dǎo)層位于非晶硅層之下并位于兩層阻擋層間，這對于縮短熱處理 時間、提高晶粒尺寸、控制誘導(dǎo)金屬往非晶硅層擴散啟到了關(guān)鍵作用，同時避免了金屬誘導(dǎo) 層暴露在空氣中被污染的可能，提高了多晶硅薄膜的質(zhì)量，進而使得所述顯示屏的性能得 到提高。此外，所述第二種多晶硅薄膜及其制備方法還能實現(xiàn)如下有益效果1)制備的晶 體晶粒尺寸取決于凸起間的距離且成正比關(guān)系(此根據(jù)大量的實驗數(shù)據(jù)可得)，完全可以 根據(jù)凸起間距的設(shè)計制備范圍內(nèi)任何尺寸的晶粒，這樣完全可以把薄膜晶體管制備在晶粒 中，相當于單晶體的性能，極大的改善漏電流、載流子遷移率等性能。相比，可以解決現(xiàn)有方 法制備多晶硅材料的過程中，鎳源過于豐富，晶核比較密集，限制了晶體的長大的缺陷；2) 完全晶化的時間取決于凸起的高度，因此能較好地控制晶化時間，解決了現(xiàn)有技術(shù)中誘導(dǎo) 金屬隨機分布，完全晶化時間無法控制的問題；3)眾所周知，殘余金屬的存在會極大的增 加漏電流，特別是對于薄膜晶體管TFT來說，其有源溝道不能存在大量的金屬殘余，否則會 嚴重影響器件的穩(wěn)定性。而第二種制備多晶硅過程中，只有在凸起處的鎳源最先擴散形成 晶核，其它區(qū)域只在補充用，因此可以降低鎳量的使用，并且，隨著晶化過程的完成，鎳源都 隨誘導(dǎo)峰推移至對撞晶界處，避開了器件材料區(qū)域鎳殘余的堆積。所述第三種多晶硅薄膜的制備中包括晶化與有針對性的吸除過程，其中(1)在 非晶硅表面形成微量鎳源，使用誘導(dǎo)口預(yù)先控制成核點的位置；(2)經(jīng)第一步退火，在誘導(dǎo) 口處形成多晶硅斑；(3)在上述薄膜表面，沉積磷硅玻璃(PSG)薄膜，并進行第二次退火， 完成整個多晶硅薄膜的晶化過程。PSG薄膜邊吸收誘導(dǎo)口處的鎳晶體邊生長，在誘導(dǎo)口周 圍晶化過程中需要消耗鎳的地方能很好地保護起來而不被PSG吸收。因此，這樣的晶化過 程，不存在如傳統(tǒng)金屬誘導(dǎo)橫向晶化法(MILC)中的誘導(dǎo)口的明顯高鎳含量的區(qū)間，在縮短 工藝時間的同時，給獲得具有連續(xù)晶疇的多晶硅薄膜。從而進一步使得整個多晶硅薄膜的 任何區(qū)域都可以作為高質(zhì)量TFT的有源層，消除了晶化過程襯底收縮造成的對位板錯位問 題。另外，所述第三種多晶硅薄膜的制備，還對晶核定位的誘導(dǎo)口進行優(yōu)化設(shè)計形成諸如正 六角形的蜂巢晶體薄膜。由于誘導(dǎo)口的分布為規(guī)則重復(fù)分布，形成的晶疇形狀與尺寸相同， 可準確控制晶化過程，具有晶化時間的高可控性和工藝過程的高穩(wěn)定性，適合于工業(yè)化生 產(chǎn)要求。優(yōu)選地，當上述低溫多晶硅薄膜采用石英或玻璃的透明材料作為襯底時，顯示屏 發(fā)出的光可以到達所述太陽能電池，以供所述太陽能電池轉(zhuǎn)化為電能。優(yōu)選地，當使用薄膜太陽能電池作為電源供電時，將薄膜太陽能電池與顯示屏制 作于同一襯底上，不僅可以節(jié)省材料，同時可以有效地減少薄膜太陽能電池與顯示屏占用U 盤的體積，進而利于U盤向小型化方向發(fā)展。因此，根據(jù)本發(fā)明，提供一種將所述薄膜太陽 能電池3與所述顯示屏2制作于同一襯底上的制備方法的實施例，該方法包括如下步驟1)在透明襯底的上下兩表面先后制備出非晶硅薄膜；
2)將透明襯底的上表面的非晶硅薄膜晶化為低溫多晶硅薄膜；3)在低溫多晶硅薄膜上制作有機發(fā)光二極管；4)在透明襯底的下表面的非晶硅薄膜上制備太陽能薄膜電池或太陽能薄膜疊層 電池；5)對有機發(fā)光二極管顯示屏和太陽能薄膜電池采用雙玻璃或多層薄膜密封封裝。在本發(fā)明的其他實施例中，所述步驟1)可以采用等離子增強化學氣相沉積 (PECVD)工藝或者低壓化學氣相沉積(LPCVD)或者液相外延法(LPE)或者濺射沉積法，在透 明襯底的兩面先后制備出非晶硅薄膜；所述步驟2)優(yōu)選可以采用之前所述的三種低溫多晶硅薄膜的制備方法；所述步驟3)進一步包括步驟3a)在低溫多晶硅薄膜上加工TFT有源島圖案，沉積柵氧化層，形成柵電 極；步驟3b) :N、P型摻雜源被離子注入到有源層中，并形成重摻雜的源漏區(qū)；步驟3c):用激光，閃燈等快速退火方式活化摻雜層，沉積絕緣層，開柵、源、漏電 極的接觸孔；步驟3d)采用真空濺射方法制備透明導(dǎo)電薄膜，透明導(dǎo)電薄膜通過接觸孔與源、 漏極相連接；并且采用光刻膠脫模方法光刻成像素圖像；步驟3e)用旋轉(zhuǎn)涂覆法制備絕緣層，光刻露出6)中所述的透明導(dǎo)電膜；步驟3f)以透明導(dǎo)電薄膜為陽極，用真空蒸鍍方法制備有機發(fā)光二極管和它的 金屬陰極；優(yōu)選地，在所述步驟4)后，還包括以下步驟采用埋層電極、表面鈍化、密柵工藝、 優(yōu)化背電場或者接觸電極等來減少光生載流子的復(fù)合損失，提高載流子的收集效率，從而 提高太陽電池的效率。本發(fā)明通過在殼體上設(shè)有顯示屏，同時通過太陽能電池吸收光能給所述殼體及所 述顯示屏供電，使得使用者即使在身邊不具有電腦等顯示插接設(shè)備時，依然可以通過所述U 盤上的顯示屏看到其內(nèi)存儲的相關(guān)內(nèi)容，以方便使用者的使用，此外，通過太陽能電池吸收 光能以供電，避免了普通電池只能使用一次，需要經(jīng)常置換的缺點，如此也避免了大量廢棄 的普通電池給環(huán)境造成的污染，有利于節(jié)省能源，同時可避免充電電池需要經(jīng)常充電帶來 的不便。盡管參照上述的實施例已對本發(fā)明作出具體描述，但是對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來說應(yīng)該理解，所述太陽能電池、鍵盤、USB接口和顯示屏的大小、形狀及布局為示意性 的，可以在不脫離本發(fā)明的精神以及范圍之內(nèi)基于本發(fā)明公開的內(nèi)容進行修改或改進，這 些修改和改進都在本發(fā)明的精神以及范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種具有顯示屏及可無線傳輸?shù)腢盤，包括微處理器和數(shù)據(jù)存儲模塊，其特征在于，還包括顯示屏、顯示模塊、無線傳輸模塊和電源，所述顯示模塊的一端與所述微處理器相連接，用于接收來自所述微處理器的數(shù)據(jù)并將其發(fā)送給顯示屏；所述顯示屏與所述顯示模塊相連接，用于接收所述顯示模塊所發(fā)送的數(shù)據(jù)，并將其顯示出來；所述無線傳輸模塊與所述微處理器相連接，用于接收來自所述微處理器的數(shù)據(jù)并無線發(fā)送；所述電源與所述微處理器、數(shù)據(jù)存儲模塊以及所述顯示模塊的另一端相連接，用于向所述顯示模塊、微處理器以及所述數(shù)據(jù)存儲模塊供電。
2.如權(quán)利要求1所述的U盤，其特征在于，所述顯示屏包括有機發(fā)光二極管顯示屏或液晶顯不屏。
3.如權(quán)利要求2所述的U盤，其特征在于，所述有機發(fā)光二極管顯示屏采用低溫多晶硅 薄膜作為基板。
4.如權(quán)利要求3所述的U盤，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜從下而上包括襯底、第 一阻擋層、金屬誘導(dǎo)層、第二阻擋層和多晶硅層。
5.如權(quán)利要求3所述的U盤，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜從下而上包括襯底、具 有凹槽結(jié)構(gòu)的第一阻擋層、金屬誘導(dǎo)層、第二阻擋層和多晶硅層。
6.如權(quán)利要求3所述的U盤，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜自下而上地包括襯 底、阻擋層和具有連續(xù)晶疇的多晶硅層。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的U盤，其特征在于，所述電源包括太陽能電池。
8.如權(quán)利要求7所述的U盤，其特征在于，所述太陽能電池為薄膜太陽能電池。
9.如權(quán)利要求8所述的U盤，其特征在于，所述薄膜太陽能電池包括非晶硅薄膜太陽能 電池或多晶硅薄膜太陽能電池。
10.如權(quán)利要求9所述的U盤，其特征在于，所述薄膜太陽能電池與所述低溫多晶硅薄 膜制作于同一襯底的上下表面上。
11.如權(quán)利要求1所述的U盤，其特征在于，所述無線傳輸模塊包括紅外接口或藍牙模塊。
12.如權(quán)利要求1所述的U盤，其特征在于，還包括電池管理模塊和充電接口，所述電 源管理模塊的一端與電源相連，用于接收來自電源的電能，其另一端與所述顯示模塊、操作 模塊、微處理器、數(shù)據(jù)存儲模塊和充電接口分別相連，以供電給顯示模塊、操作模塊、微處理 器、數(shù)據(jù)存儲模塊和充電接口。
13.如權(quán)利要求1所述的U盤，其特征在于，還包括操作模塊及輸入裝置，所述操作模塊 的一端與輸入裝置相連接，用于接收所述輸入裝置的輸入信息，所述操作模塊的另一端與 所述微處理器相連接，用于向微處理器發(fā)送所接收的輸入信息。
14.如權(quán)利要求1所述的U盤，其特征在于，還包括感觸模塊及觸摸屏，所述感觸模塊的 一端與所述觸摸屏相連接，用于感知觸摸屏的輸入信息，其另一端與所述微處理器相連接， 用于將感知到的信息傳送給所述微處理器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種U盤，包括微處理器和數(shù)據(jù)存儲模塊，其中還包括顯示屏、顯示模塊、無線傳輸模塊和電源，所述顯示模塊的一端與所述微處理器相連接，用于接收來自所述微處理器的數(shù)據(jù)并將其發(fā)送給顯示屏；所述顯示屏與所述顯示模塊相連接，用于接收所述顯示模塊所發(fā)送的數(shù)據(jù)，并將其顯示出來；所述無線傳輸模塊與所述微處理器相連接，用于接收來自所述微處理器的數(shù)據(jù)并無線發(fā)送；所述電源與所述微處理器、數(shù)據(jù)存儲模塊以及所述顯示模塊的另一端相連接，用于向所述顯示模塊、微處理器以及所述數(shù)據(jù)存儲模塊供電。本發(fā)明便于使用者在身邊不具有電腦等顯示設(shè)備時，較容易地查看到U盤內(nèi)存儲內(nèi)容，并且可以通過無線傳輸與外接設(shè)備進行數(shù)據(jù)交換。
文檔編號H04B1/38GK101859591SQ201010209958
公開日2010年10月13日 申請日期2010年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月22日
發(fā)明者凌代年, 彭俊華, 趙文靜, 邱成峰, 郭海成, 黃宇華, 黃飚 申請人:廣東中顯科技有限公司