專利名稱：測(cè)量lte移動(dòng)終端的鄰道泄露比的系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及技術(shù)長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE，Long Term Evolution)技術(shù)，尤其涉及一種在高速運(yùn)動(dòng)條件下，測(cè)量LTE移動(dòng)終端的鄰道泄漏比(ACLR，AdjacentChannel Leak Ratio)的系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
蜂窩移動(dòng)網(wǎng)、無線局域網(wǎng)以及廣播電視網(wǎng)通信技術(shù)的快速發(fā)展，刺激了人們使用在基于上述通信網(wǎng)技術(shù)的移動(dòng)終端上，在任何應(yīng)用環(huán)境中，觀看移動(dòng)業(yè)務(wù)內(nèi)容的需求。目前，在商用的蜂窩移動(dòng)終端技術(shù)中，考慮的應(yīng)用環(huán)境均為低速場(chǎng)景即移動(dòng)終端相對(duì)其基站的運(yùn)動(dòng)速度小于200km/S。但是，隨著時(shí)速超過200km/S的高速列車不斷投入商用，開發(fā)滿足高速列車環(huán)境的LTE移動(dòng)終端技術(shù)越來越成為一個(gè)急需解決的關(guān)鍵技術(shù)問題。解決該項(xiàng)技術(shù)的一個(gè)首要條件，是要形成能表征、測(cè)試和驗(yàn)證該項(xiàng)技術(shù)的建模方法、驗(yàn)證方法和測(cè)試方法，以便能為解決該技術(shù)提供系統(tǒng)仿真和設(shè)計(jì)、性能評(píng)價(jià)和驗(yàn)證、故障檢測(cè)和定位的基本手段以及提供技術(shù)優(yōu)化的基礎(chǔ)。由于高速環(huán)境下將產(chǎn)生多普勒頻移擴(kuò)展，導(dǎo)致信號(hào)頻譜將額外泄漏到鄰近信道， 因此，高速運(yùn)動(dòng)場(chǎng)景與ACLR參數(shù)密切相關(guān)。同時(shí)，由于LTE系統(tǒng)所采用的多址技術(shù)是單載波正交頻分復(fù)用多址(SC-OFDMA)技術(shù)，屬于窄帶調(diào)制(一個(gè)子載波為15Khz)，其對(duì)頻率誤差特別敏感，這樣，在高速場(chǎng)景下LTE移動(dòng)終端的這種頻率泄漏將會(huì)嚴(yán)重影響其它用戶的使用，帶來多址干擾，進(jìn)而影響系統(tǒng)容量。因此，在高速場(chǎng)景下(受到較大頻偏的影響)測(cè)量ACLR能夠全面的衡量LTE移動(dòng)終端的工作性能，提供一個(gè)有力的LTE移動(dòng)終端性能評(píng)價(jià)指標(biāo)。目前，針對(duì)高速運(yùn)行環(huán)境，沒有提供測(cè)量LTE移動(dòng)終端的ACLR參數(shù)的具體實(shí)現(xiàn)方案。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種測(cè)量LTE移動(dòng)終端的鄰道泄漏比的系統(tǒng)及方法，能夠在高速運(yùn)動(dòng)條件下，很好地衡量LTE移動(dòng)終端的工作性能，從而為移動(dòng)終端的設(shè)計(jì)提供參考，有助于提高LTE系統(tǒng)的性能。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種測(cè)量長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)移動(dòng)終端的鄰道泄漏比的系統(tǒng)，主要包括LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器，衰落信道模擬器、雙工器和LTE移動(dòng)終端，該系統(tǒng)置于與外界無線電屏蔽的電磁屏蔽室中，其中，LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器，用于模擬LTE基站或LTE系統(tǒng)環(huán)境，在下行方向與衰落信道模擬器連接，上行方向直接與雙工器連接；衰落信道模擬器，用于模擬信道衰落，連接在LTE基站模擬器與雙工器之間的下行方向上；
LTE移動(dòng)終端與雙工器連接；通過設(shè)置衰落信道模擬器的多普勒(Doppler)頻移的掃描幅度、掃描周期，以及設(shè)置LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器，和LTE移動(dòng)終端的信道參數(shù)，測(cè)量LTE移動(dòng)終端的鄰道泄漏比(ACLR)。所述LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器、衰落信道模擬器和LTE移動(dòng)終端之間通過低損耗電纜相連接。所述電池屏蔽室使用的頻段覆蓋LTE移動(dòng)終端的工作頻段。所述衰落信道模擬器包括Doppler信道模擬器；Doppler信道模擬器主要包括上變頻器、下變頻器、Doppler信號(hào)發(fā)生器、混頻器及射頻(RF)本振源。所述衰落信道模擬器的輸入信號(hào)頻率fin、輸入信號(hào)功率Pin及輸出信號(hào)頻率f。ut、 輸出信號(hào)功率P。ut及Doppler信號(hào)頻率fd滿足如下的條件輸出信號(hào)頻率f。ut =輸入信號(hào)頻率fin+Doppler信號(hào)頻率fd ；輸出信號(hào)功率p。ut =輸入信號(hào)功率pin。一種測(cè)量LTE移動(dòng)終端的鄰道泄漏比的方法，在權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)中，該方法包括A.將所述LTE移動(dòng)終端置于與外界無線電屏蔽的電磁屏蔽室中，使LTE移動(dòng)終端和LTE基站模擬器或系統(tǒng)模擬器之間，通過串接衰落信道模擬器建立正常的無線鏈路，并且使LTE移動(dòng)終端處于ACLR的待測(cè)量狀態(tài)；B.測(cè)量所述LTE移動(dòng)終端在上述環(huán)境和條件下的ACLR。所述步驟A具體包括所述LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器、衰落信道模擬器和LTE移動(dòng)終端之間通過低損耗電纜相連接；設(shè)置所述衰落信道模擬器的Doppler頻移的掃描幅度為零；設(shè)置LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器以及所述LTE移動(dòng)終端的信道參數(shù)，測(cè)量此時(shí)所述LTE移動(dòng)終端的ACLR ；調(diào)節(jié)所述衰落信道模擬器的Doppler頻移的掃描周期，掃描幅度，測(cè)量此時(shí)所述 LTE移動(dòng)終端的誤比特率。所述步驟B具體包括在待測(cè)信道上，調(diào)節(jié)所述衰落信道模擬器的Doppler頻移掃描幅度，保持所述掃描周期不變，測(cè)量此時(shí)所述LTE移動(dòng)終端的誤比特率為預(yù)設(shè)值時(shí)的 ACLR0所述待測(cè)信道為專用傳輸信道(DCH)。從上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明通過現(xiàn)有LTE基站或系統(tǒng)模擬器，及衰落信道模擬器(主要包括Doppler信道模擬器)，有效方便地實(shí)現(xiàn)了測(cè)量LTE移動(dòng)終端高速移動(dòng)產(chǎn)生Doppler效應(yīng)時(shí)的ACLR，在高速運(yùn)動(dòng)條件下，很好地衡量了 LTE移動(dòng)終端的工作性能，從而為移動(dòng)終端的設(shè)計(jì)提供參考，有助于提高LTE系統(tǒng)的性能。本發(fā)明系統(tǒng)具有環(huán)境要求低，易測(cè)試，簡(jiǎn)便易行的優(yōu)點(diǎn)，與現(xiàn)有設(shè)備接口完全兼容且具有通用性。


圖1為本發(fā)明測(cè)量LTE移動(dòng)終端的ACLR的系統(tǒng)組成結(jié)構(gòu)示意圖2為圖1中的Doppler信道模擬器的組成結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1為本發(fā)明測(cè)量LTE移動(dòng)終端的ACLR的系統(tǒng)組成結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示主要包括LTE基站模擬器(或LTE系統(tǒng)模擬器)，衰落信道模擬器、雙工器和LTE移動(dòng)終端，本發(fā)明系統(tǒng)置于與外界無線電屏蔽的電磁屏蔽室(也稱為電波暗室)中，其中，LTE基站模擬器(或LTE系統(tǒng)模擬器)，用于模擬LTE基站或LTE系統(tǒng)環(huán)境，在下行方向與衰落信道模擬器連接，上行方向直接與雙工器連接。衰落信道模擬器，主要包括多普勒(Doppler)信道模擬器，用于模擬信道衰落，連接在LTE基站模擬器(或LTE系統(tǒng)模擬器)與雙工器之間的下行方向上。LTE移動(dòng)終端與雙工器連接。圖1所示的本發(fā)明測(cè)量LTE移動(dòng)終端的ACLR的系統(tǒng)的工作原理描述如下首先，建立LTE移動(dòng)終端(MS，Mobile Station)無線鏈路正常工作所需高速信道環(huán)境和條件，LTE MS處于該環(huán)境和條件的正常無線鏈路工作狀態(tài)，具體包括將LTE MS置于與外界無線電屏蔽的電波暗室中，這里，電波暗室使用的頻段要覆蓋LTE MS的工作頻段； 使LTE MS和LTE基站模擬器(或系統(tǒng)模擬器)如綜測(cè)儀之間，通過串接衰落信道模擬器建立正常的無線鏈路，并且使LTE MS處于ACLR的待測(cè)量狀態(tài)。這里，建立正常的無線鏈路， 并且使LTE MS處于ACLR的待測(cè)量狀態(tài)包括LTE基站模擬器(或LTE系統(tǒng)模擬器)、衰落信道模擬器和LTE MS之間通過低損耗電纜相連接，低損耗電纜有確定的損耗值；設(shè)置衰落信道模擬器的Doppler頻移的掃描幅度Ad為零；設(shè)置LTE基站模擬器(LTE系統(tǒng)模擬器) 和LTE MS的信道參數(shù)，測(cè)量此時(shí)LTE MS的ACLR ；調(diào)節(jié)衰落信道模擬器的Doppler頻移的掃描周期T，掃描幅度Ad，測(cè)量此時(shí)LTE MS的誤比特率。然后，測(cè)量所述MS在上述環(huán)境和條件下的ACLR，具體包括在待測(cè)信道上，調(diào)節(jié)衰落信道模擬器的Doppler頻移掃描幅度Ad，保持掃描周期不變，測(cè)量此時(shí)LTE MS的誤比特率為預(yù)設(shè)值如0. 01bit/s時(shí)的ACLR。圖2為圖1中衰落信道模擬器(主要包括Doppler信道衰落模擬器)的組成結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，主要包括上變頻器、下變頻器、Doppler信號(hào)發(fā)生器、混頻器及射頻 (RF)本振源。衰落信道模擬器(主要包括Doppler信道模擬器)，可以是一個(gè)掃頻信號(hào)源， 其掃頻幅度Ad以及掃頻周期T可以調(diào)節(jié)變化。衰落信道模擬器(主要包括Doppler信道模擬器)的輸入信號(hào)頻率fin、輸入信號(hào)功率Pin及輸出信號(hào)頻率f。ut、輸出信號(hào)功率P。ut&Doppler信號(hào)頻率fd滿足如公式(Ia)和 (Ib)所示的條件輸出信號(hào)頻率f。ut =輸入信號(hào)頻率fin+Doppler信號(hào)頻率fd (la)輸出信號(hào)功率p。ut =輸入信號(hào)功率Pin(Ib)本發(fā)明通過現(xiàn)有LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器如綜測(cè)儀，及衰落信道模擬器(主要包括Doppler信道模擬器)，有效方便地實(shí)現(xiàn)了測(cè)量LTE移動(dòng)終端高速移動(dòng)產(chǎn)生 Doppler效應(yīng)時(shí)的ACLR，在高速運(yùn)動(dòng)條件下，很好地衡量了 LTE移動(dòng)終端的工作性能，從而有助于提高LTE系統(tǒng)的性能。本發(fā)明系統(tǒng)具有環(huán)境要求低，易測(cè)試，簡(jiǎn)便易行的優(yōu)點(diǎn)。下面以LTE MS接收解調(diào)專用傳輸信道(DCH)為例，結(jié)合圖1和圖2描述LTE MS的ACLR的測(cè)量方法。首先，LTE基站模擬器、Doppler信道模擬器和LTE MS置于電波屏蔽室中，LTE基站模擬器、Doppler信道模擬器和LTE MS之間依次通過低損耗電纜相連接；設(shè)置Doppler 信道模擬器的Doppler頻移的掃描幅度Ad為零，設(shè)置LTE基站模擬器和LTE MS的通信參數(shù)，測(cè)量此時(shí)LTE MS的ACLR ；調(diào)節(jié)Doppler信道模擬器的Doppler頻移的掃描周期T= 11 秒，掃描幅度Ad = 715HZ@2140MhZ，測(cè)量此時(shí)LTE MS的ACLR。這里，參數(shù)的設(shè)置屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的慣用技術(shù)手段，不再詳述。然后，在LTE待測(cè)信道上，調(diào)節(jié)Doppler衰落信道模擬器的Doppler頻移掃描幅度 Ad，保持掃描周期LTE = 11秒不變，測(cè)量此時(shí)LTE MS的誤比特率為0. 01時(shí)ACLR。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)量長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)移動(dòng)終端的鄰道泄漏比的系統(tǒng)，其特征在于，主要包括LTE 基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器，衰落信道模擬器、雙工器和LTE移動(dòng)終端，該系統(tǒng)置于與外界無線電屏蔽的電磁屏蔽室中，其中，LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器，用于模擬LTE基站或LTE系統(tǒng)環(huán)境，在下行方向與衰落信道模擬器連接，上行方向直接與雙工器連接；衰落信道模擬器，用于模擬信道衰落，連接在LTE基站模擬器與雙工器之間的下行方向上；LTE移動(dòng)終端與雙工器連接；通過設(shè)置衰落信道模擬器的多普勒(Doppler)頻移的掃描幅度、掃描周期，以及設(shè)置 LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器，和LTE移動(dòng)終端的信道參數(shù)，測(cè)量LTE移動(dòng)終端的鄰道泄漏比(ACLR)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器、 衰落信道模擬器和LTE移動(dòng)終端之間通過低損耗電纜相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述電池屏蔽室使用的頻段覆蓋LTE 移動(dòng)終端的工作頻段。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述衰落信道模擬器包括Doppler信道模擬器；Doppler信道模擬器主要包括上變頻器、下變頻器、Doppler信號(hào)發(fā)生器、混頻器及射頻(RF)本振源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述衰落信道模擬器的輸入信號(hào)頻率fin、 輸入信號(hào)功率Pin及輸出信號(hào)頻率f。ut、輸出信號(hào)功率P。ut及Doppler信號(hào)頻率fd滿足如下的條件輸出信號(hào)頻率f。ut =輸入信號(hào)頻率fin+Doppler信號(hào)頻率fd ；輸出信號(hào)功率Pout =輸入信號(hào)功率Pin。
6.一種測(cè)量LTE移動(dòng)終端的鄰道泄漏比的方法，在權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)中，其特征在于，該方法包括A.將所述LTE移動(dòng)終端置于與外界無線電屏蔽的電磁屏蔽室中，使LTE移動(dòng)終端和 LTE基站模擬器或系統(tǒng)模擬器之間，通過串接衰落信道模擬器建立正常的無線鏈路，并且使 LTE移動(dòng)終端處于ACLR的待測(cè)量狀態(tài)；B.測(cè)量所述LTE移動(dòng)終端在上述環(huán)境和條件下的ACLR。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟A具體包括所述LTE基站模擬器或LTE系統(tǒng)模擬器、衰落信道模擬器和LTE移動(dòng)終端之間通過低損耗電纜相連接；設(shè)置所述衰落信道模擬器的Doppler頻移的掃描幅度為零；設(shè)置LTE基站模擬器或 LTE系統(tǒng)模擬器以及所述LTE移動(dòng)終端的信道參數(shù)，測(cè)量此時(shí)所述LTE移動(dòng)終端的ACLR ；調(diào)節(jié)所述衰落信道模擬器的Doppler頻移的掃描周期，掃描幅度，測(cè)量此時(shí)所述LTE移動(dòng)終端的誤比特率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述步驟B具體包括在待測(cè)信道上，調(diào)節(jié)所述衰落信道模擬器的Doppler頻移掃描幅度，保持所述掃描周期不變，測(cè)量此時(shí)所述LTE移動(dòng)終端的誤比特率為預(yù)設(shè)值時(shí)的ACLR。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述待測(cè)信道為專用傳輸信道(DCH)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種測(cè)量LTE移動(dòng)終端的鄰道泄漏比(ACLR)的系統(tǒng)及方法，本發(fā)明通過現(xiàn)有LTE基站或系統(tǒng)模擬器，及衰落信道模擬器，有效方便地實(shí)現(xiàn)了測(cè)量LTE移動(dòng)終端高速移動(dòng)產(chǎn)生多普勒(Doppler)效應(yīng)時(shí)的ACLR，在高速運(yùn)動(dòng)條件下，很好地衡量了LTE移動(dòng)終端的工作性能，從而有助于提高LTE系統(tǒng)的性能。本發(fā)明系統(tǒng)具有環(huán)境要求低，易測(cè)試，簡(jiǎn)便易行的優(yōu)點(diǎn)，與現(xiàn)有設(shè)備接口完全兼容且具有通用性。
文檔編號(hào)H04W24/06GK102201874SQ20101013104
公開日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2010年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月22日
發(fā)明者彭宏利, 黃旭 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司