專利名稱：：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本申請(qǐng)涉及圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
：圖像傳感器可將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。近年來(lái)，隨著計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)和通信行業(yè)的發(fā)展，在各種領(lǐng)域中，諸如數(shù)碼相機(jī)、可攜式攝像機(jī)、PCS(個(gè)人通信系統(tǒng))、游戲機(jī)、安全相機(jī)和醫(yī)藥微相機(jī)，對(duì)于高性能的圖像傳感器的要求增力口。特別地，金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)圖像傳感器易于梯:作且可由各種掃描方法實(shí)施。另外，其中所提供的信號(hào)處理電路集成到單一芯片中，這使其能減小MOS圖像傳感器的尺寸。此外，MOS圖像傳感器可由MOS技術(shù)制造，這可降低制造成本。MOS圖像傳感器可具有低能耗，且可用于具有有限電池容量的產(chǎn)品中。因此，MOS圖像傳感器的發(fā)展使其能改善分辨率。至少因?yàn)橐陨显?，?duì)圖像傳感器的要求快速提高。MOS圖像傳感器可分為其中形成有多個(gè)單元像素的傳感器陣列區(qū)域，和外圍電路區(qū)域，該外圍電路區(qū)域具有用于控制/驅(qū)動(dòng)在其中形成的多個(gè)單元像素的電路。傳感器陣列區(qū)域可包括光電轉(zhuǎn)換元件和多個(gè)MOS晶體管，外圍電路區(qū)域可包括多個(gè)MOS晶體管。傳感器陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域可集成到一個(gè)基板上，傳感器陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域中的MOS晶體管可同時(shí)形成。近來(lái)，隨著外圍電路區(qū)域中布線層的數(shù)量增加，傳感器陣列區(qū)域中布線層的數(shù)量與外圍電路區(qū)域中布線層的數(shù)量之間的差別同樣增加。例如，四層或多層布線層可形成于傳感器陣列區(qū)域中，兩層或多層布線層可形成于外圍電路區(qū)域中。盡管兩層布線層形成于傳感器陣列區(qū)域中，但是四個(gè)或多個(gè)層間絕緣膜可形成于傳感器陣列區(qū)域中。當(dāng)厚膜形成于光電轉(zhuǎn)換元件上時(shí)，可降低入射到光電轉(zhuǎn)換元件上的光強(qiáng)度，這將惡化各種光學(xué)屬性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的示例性實(shí)施方式可提供具有改善的光學(xué)屬性的圖像傳感器。本發(fā)明的示例性實(shí)施方式還提供具有改善的光學(xué)屬性的圖像傳感器的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，提供一種圖像傳感器。該圖像傳感器包括基板，其具有傳感器陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域；第一絕緣膜結(jié)構(gòu)，其形成于外圍電路區(qū)域上并包括多個(gè)第一多層布線線路；以及第二絕緣膜結(jié)構(gòu)，其形成于傳感器陣列區(qū)域上并包括多個(gè)第二多層布線線路。多個(gè)第一多層布線線路的最上層布線線路比多個(gè)第二多層布線線路的最上層布線線路高。第一絕緣膜結(jié)構(gòu)包括各向同性蝕刻終止層，第二絕緣膜結(jié)構(gòu)不包括各向同性蝕刻終止層。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，提供一種圖像傳感器。該圖像傳感器包括基板，其具有傳感器陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域；第一絕緣膜結(jié)構(gòu)，其形成于外圍電路區(qū)域上并包括多個(gè)第一多層布線線路；以及第二絕緣膜結(jié)構(gòu)，其形成于所述傳感器陣列區(qū)域上并包括多個(gè)第二多層布線線路。第一絕緣膜結(jié)構(gòu)的第一上表面高于第二絕緣膜結(jié)構(gòu)的第二上表面，連接第一上表面和第二上表面的至少部分連接表面具有各向同性蝕刻輪廓。根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式，提供一種制造圖像傳感器的方法。該方法包括將基板定義為傳感器陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域；在外圍電路區(qū)域上形成第一絕緣膜結(jié)構(gòu)，所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)多層布線線路和各向同性蝕刻終止層；在傳感器陣列區(qū)域上形成第二絕緣膜結(jié)構(gòu)，該第二絕緣膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)多層布線線路和各向同性蝕刻終止層。該方法還包括利用各向同性蝕刻終止層執(zhí)行蝕刻工藝，使得傳感器陣列區(qū)域上的第二絕緣膜結(jié)構(gòu)的上表面低于外圍電路區(qū)域上的第一絕緣膜結(jié)構(gòu)的上表面；以及去除傳感器陣列區(qū)域上的各向同性蝕刻終止層。通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，將更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的圖像傳感器的配置的方框圖；圖2是示出在圖1中示出的傳感器陣列的等效電路圖3和圖4分別是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的圖像傳感器的概念設(shè)計(jì)圖和橫截面視圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的圖像傳感器的橫截面視圖6A至圖6D是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的圖像傳感器的制造方法的中間過(guò)程的橫截面視圖7A至圖7E和圖8A及圖8B是詳細(xì)示出才艮據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的圖像傳感器的制造方法的中間過(guò)程的橫截面視圖9A和圖9B是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的圖像傳感器的制造方法的中間過(guò)程的橫截面視圖10是示出在僅使用各向異性蝕刻去除形成于傳感器陣列區(qū)域上的不需要的層間絕緣膜之后測(cè)量的絕緣膜結(jié)構(gòu)高度與在使用各向同性蝕刻去除形成于傳感器陣列區(qū)域上的不需要的層間絕緣膜之后測(cè)量的絕緣膜結(jié)構(gòu)高度之間的比較結(jié)果的圖表；以及圖11是示出在僅使用各向異性蝕刻去除形成于傳感器陣列區(qū)域上的不需要的層間絕緣膜之后測(cè)量的單元像素的敏感度與在使用各向同性蝕刻去除形成于傳感器陣列區(qū)域上的不需要的層間絕緣膜之后測(cè)量的單元像素的敏感度之間的比較結(jié)果的曲線。具體實(shí)施例方式然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)解釋為限于這里闡述的實(shí)施例。在本發(fā)明的示例性實(shí)施方式中，當(dāng)其將使本發(fā)明的主體模糊時(shí)，將省略在此結(jié)合的已知器件結(jié)構(gòu)和技術(shù)的詳細(xì)描述?？梢岳斫猱?dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)?上"、"連接到"和/或"耦合到"另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在其他元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到、耦合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為"直接"在其他元件"上"、"直接連接到"和/或"直接耦合到"另一元件或?qū)訒r(shí)，則沒有中間元件或?qū)哟嬖凇Ｔ谡麄€(gè)說(shuō)明書中，相似的標(biāo)記表示相似的元件。這里所用的術(shù)語(yǔ)"和/或"包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的一個(gè)或更多的任何和所有組合?？梢岳斫怆m然術(shù)語(yǔ)第一、第二等可以用于此來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)只用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與其他元件、部件、區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。這里所使用的術(shù)語(yǔ)是只為了描述特別的實(shí)施例的目的且不旨在限制本發(fā)明。如這里所用，單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非內(nèi)容清楚地指示另外的意思。可以進(jìn)一步理解當(dāng)在此說(shuō)明書中使用時(shí)術(shù)語(yǔ)"包括"和/或"包含"說(shuō)明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組分的存在，但是不排除存在或添加一個(gè)或更多其他特征、整體、步驟、操作、元件和/或組分。除非另有界定，這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有本發(fā)明屬于的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員共同理解的相同的意思。還可以理解諸如那些在共同使用的字典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)解釋為一種與在相關(guān)技術(shù)和本公開的背景中的它們的涵義一致的涵義，而不應(yīng)解釋為理想化或過(guò)度正式的意義，除非在這里明確地如此界定。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的圖像傳感器的方框圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的圖像傳感器包括其中像素為二維布置的傳感器陣列10，每個(gè)像素具有光電轉(zhuǎn)換元件；時(shí)序產(chǎn)生器20;行解碼器30;行驅(qū)動(dòng)器40;相關(guān)雙取樣器(correlateddoublesampler,CDS)50;模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)60;閂鎖(latch)70;和列解碼器80。傳感器陣列10包括二維布置的多個(gè)單元像素。多個(gè)單元像素將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電輸出信號(hào)。響應(yīng)于從行驅(qū)動(dòng)器40接收的多個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，諸如行選擇信號(hào)、重置信號(hào)和電荷傳輸信號(hào)，驅(qū)動(dòng)傳感器陣列10。轉(zhuǎn)換后的電輸出信號(hào)通過(guò)垂直信號(hào)線被傳輸?shù)较嚓P(guān)雙取樣器50。時(shí)序產(chǎn)生器20將時(shí)序信號(hào)和控制信號(hào)提供到行解碼器30和列解碼器80。根據(jù)行解碼器30的解碼結(jié)果，行驅(qū)動(dòng)器40將驅(qū)動(dòng)多個(gè)單元像素的多個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到有源像素傳感器陣列10。一般地，當(dāng)單元像素以矩陣形式排列時(shí)，行解碼器將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供到每行。相關(guān)雙取樣器50通過(guò)垂直信號(hào)線接收來(lái)自有源像素傳感器陣列10的輸出信號(hào)，保持所接收的信號(hào)并對(duì)所接收的信號(hào)取樣。也即，相關(guān)雙取樣器50對(duì)輸出信號(hào)的特定噪音電平和信號(hào)電平執(zhí)行雙取樣，并輸出噪音電平和信號(hào)電平之間的電平差。8模數(shù)轉(zhuǎn)換器60將相應(yīng)于電平差的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，并輸出轉(zhuǎn)換后的信號(hào)。閂鎖70將數(shù)字信號(hào)閂鎖，隨后根據(jù)列解碼器80的解碼結(jié)果將被閂鎖的信號(hào)輸出到圖像信號(hào)處理器。圖2是在圖1中示出的傳感器陣列的等效電路圖。參照?qǐng)D2，像素P按矩陣布置，以形成傳感器陣列10。每個(gè)像素P包括光電轉(zhuǎn)換元件ll，浮置擴(kuò)散區(qū)域13，電荷傳輸元件15,驅(qū)動(dòng)元件17，重置元件18，和選擇元件19。將參照第i行像素(P(i,j),P(i,j+l),P(i,j+2)，P(i，j+3)，…)描述元件的功能。光電轉(zhuǎn)換元件11接收入射光并存儲(chǔ)相應(yīng)于光的量的電荷。例如，光電轉(zhuǎn)換元件11可以為光二極管，光晶體管，光4冊(cè)，鉸接光電二極管(pinnedphotodiode)或其組合。在圖中，光二極管例示為光電轉(zhuǎn)換元件。每個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件11耦接到將所存儲(chǔ)的電荷傳輸?shù)礁≈脭U(kuò)散區(qū)域13的相應(yīng)電荷傳輸元件15。浮置擴(kuò)散(FD)區(qū)域13將電荷轉(zhuǎn)換成電壓并具有寄生電容。因此，電荷積聚地存儲(chǔ)在浮置擴(kuò)散區(qū)域中。圖示為源極跟隨放大器的驅(qū)動(dòng)元件17放大從相應(yīng)的光電轉(zhuǎn)換元件11接收存儲(chǔ)電荷的浮置擴(kuò)散區(qū)域13的電勢(shì)變化，并將放大結(jié)果輸出到輸出線Vout。重置元件18周期性地重置浮置擴(kuò)散區(qū)域13。重置元件18可由一個(gè)MOS晶體管組成，該MOS晶體管由通過(guò)重置線RX(i)供應(yīng)的預(yù)定偏壓(即，重置信號(hào))驅(qū)動(dòng)。當(dāng)重置元件18被經(jīng)由重置線RX(i)供應(yīng)的偏壓開啟時(shí)，預(yù)定電勢(shì)，例如被供應(yīng)到重置元件18的漏極的電源電壓VDD被傳輸?shù)礁≈脭U(kuò)散區(qū)域13。選擇元件19選擇將被讀取的每行像素P。選擇元件19可由一個(gè)MOS晶體管組成，該MOS晶體管被經(jīng)過(guò)行選擇線SEL(i)供應(yīng)的偏壓(即，行選擇信號(hào))驅(qū)動(dòng)。當(dāng)選擇元件19被經(jīng)過(guò)行選擇線SEL(i)供應(yīng)的偏壓開啟時(shí)，預(yù)定電勢(shì)，例如被供應(yīng)到選擇元件19的漏極的電源電壓VDD被傳輸?shù)津?qū)動(dòng)元件17的漏4及區(qū)。經(jīng)過(guò)其將偏壓供應(yīng)到電荷傳輸元件15的傳輸線TX(i)、經(jīng)過(guò)其將偏壓供應(yīng)到重置元件18的重置線RX(i)和經(jīng)過(guò)其將偏壓供應(yīng)到選擇元件19的行選擇線SEL(i)可布置為基本平行于行方向延伸。圖3和圖4分別是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的圖像傳感器的概念設(shè)計(jì)圖和橫截面視圖。為了描述清楚，圖4示出了部分傳感器陣列區(qū)域和部分外圍電路區(qū)域，主要示出了傳感器陣列區(qū)域中的光電轉(zhuǎn)換元件。首先，參照?qǐng)D3，外圍電路區(qū)域I可包括，例如，相關(guān)雙取樣器50,模數(shù)轉(zhuǎn)換器60和在圖1中示出的閂鎖70;傳感器陣列區(qū)域II可包括在圖1中示出的傳感器陣列10。如在圖3中所示的，外圍電路區(qū)域I可形成為圍繞傳感器陣列區(qū)域II,但是本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。參照?qǐng)D4，元件隔離區(qū)120，諸如淺槽隔離(STI)形成于基板110中，有源區(qū)域由元件隔離區(qū)120限定。有源區(qū)域主要分為外圍電路區(qū)域I和傳感器陣列區(qū)域II?；?10可由例如第一導(dǎo)電(例如，p型)基板形成。另夕卜，外延層可形成于基板110上，或多個(gè)阱可形成于基板110中。第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140可形成于外圍電路區(qū)域I上，第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150可形成于傳感器陣列區(qū)域II上。第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140和第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150可具有不同高度。第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140可包括第一多層布線線路Mla、M2a、M3a和M4a;電連接第一多層布線線路Mla、M2a、M3a和M4a的多個(gè)通孔(例如，141);以及多個(gè)層間絕緣膜140a、140b、140c、140d、140e和140f。第二絕纟彖膜結(jié)構(gòu)150可包括第二多層布線線^各Mlb和M2b;電連4矣第二多層布線線路Mlb和M2b的多個(gè)通孔(via);以及多個(gè)層間絕緣膜150a，150b和150c。在該示例性實(shí)施方式中，第一多層布線線^各Mla、M2a、M3a和M4a以及第二多層布線線路Mlb和M2b可由鋁形成，但是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此。第一多層布線線路Mla、M2a、M3a和M4a中的最上層布線線路M4a高于第二多層布線線路Mlb和M2b的最上層布線線路M2b。在圖4中，第一多層布線線^各Mla、M2a、M3a和M4a包括四層布線線3各，第二多層布線線路Mlb和M2b包括兩層布線線路。然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此。第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140的第一上表面(即，層間絕緣膜140f的上表面)可高于第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150的第二上表面(即，層間絕緣膜150c的上表面)。例如，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140可包括各向同性蝕刻終止層200，但是第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150可不包括各向同性蝕刻終止層200。各向同性蝕刻終止層200用于利用各向同性蝕刻來(lái)蝕刻/去除形成于傳感器陣列區(qū)域II上的不需要的層間絕緣膜。即，各向同性蝕刻終止層200用于去除傳感器陣列區(qū)域II中高于第二多層布線線路Mlb和M2b的最上層布線線路M2b的層間絕緣膜。因此，各向同性蝕刻終止層200可在高于第二多層布線線路Mlb和M2b的最上層布線線路M2b的位置處設(shè)置。通過(guò)各向同性蝕刻來(lái)蝕刻并去除傳感器陣列區(qū)域II中不需要的層間絕緣膜的原因如下?？赡芙档蛦卧袼氐目讖奖?aspectratio)r?？讖奖萺可由各種方法限定。然而，在該示例性實(shí)施方式中，孔徑比r被限定為第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150的高度h與光電轉(zhuǎn)換元件130的寬度w的比率(即，r=h/w)。當(dāng)從傳感器陣列區(qū)域II去除不需要的層間絕緣膜時(shí)，高度h減小，孔徑比r降低。當(dāng)孔徑比r降低時(shí)，入射到光電轉(zhuǎn)換元件130上的光量增加，其進(jìn)而致使圖像傳感器的敏感度增加。另外，在各種光學(xué)屬性中，特別地，RI(相對(duì)強(qiáng)度)值可增加。RI值是表示傳感器陣列區(qū)域II的中心區(qū)域中單元像素的敏感度與最外區(qū)域中單元像素的敏感度的比率的指數(shù)。隨著RI值增加，傳感器陣列區(qū)域II中單元像素的敏感度變成常數(shù)，而與單元像素的位置無(wú)關(guān)。為了增加RI值，應(yīng)該縮短入射到最外區(qū)域中單元像素上的光的傾斜光學(xué)路徑?？s短傾斜光學(xué)路徑的最好方式之一為增加高度h。因此，當(dāng)根據(jù)該實(shí)施方式的方法用于增加高度h時(shí)，RI值增加。然而，當(dāng)通過(guò)各向異性蝕刻從傳感器陣列區(qū)域II去除不需要的層間絕緣膜時(shí)，高度h的變化增加。由于入射到光電轉(zhuǎn)換元件130上的光的量取決于高度h,所以圖像傳感器的敏感度變化。因此，RI值降低。另外，圖像傳感器可在各向異性蝕刻期間被等離子體損傷，其將導(dǎo)致暗電流(darkcurrent)增加。例如，等離子體可使正電荷被存儲(chǔ)在傳輸元件(參見圖2中的附圖標(biāo)記15)的柵極中，正電荷可使負(fù)電荷被存儲(chǔ)在傳輸元件15的溝道區(qū)域中(即，發(fā)生電子積累)。由于在本發(fā)明的當(dāng)前示例性實(shí)施方式中，當(dāng)通過(guò)各向同性蝕刻從傳感器陣列區(qū)域II去除不需要的層間絕緣膜時(shí)，能減少由于等離子體而對(duì)圖像傳感器造成的損傷，顯著減小了高度h變化，這可導(dǎo)致RI值增加。因此，能改善圖像傳感器的光學(xué)屬性。ii，各向同性蝕刻終止層200可形成于第一多層布線線路Mla、M2a、M3a和M4a中的第二層布線線路M2a與第三層布線線路M3a之間，但是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此。各向同性蝕刻終止層200可布置在任何位置，只要該位置高于第二多層布線線路Mlb和M2b的最上層布線線路M2b。例如，各向同性蝕刻終止層200可形成于第一多層布線線^各Mla、M2a、M3a和M4a中的第三層布線線路M3a與第四層布線線路M4a之間。由于從傳感器陣列區(qū)域II去除的不需要的層間絕緣膜的量增加，所以入射到光電轉(zhuǎn)換元件130上的光的量可增加。因此，優(yōu)選為各向同性蝕刻終止層200可設(shè)置為盡可能靠近第二多層布線線路Mlb和M2b的最上層布線線路M2b。此外，如在圖4中所示，各向同性蝕刻終止層200可形成為不接觸第二層布線線3各M2a與第三層布線線路M3a。例如，下層間絕緣膜140c和上層間絕緣膜140d布置在第二層布線線路M2a與第三層布線線路M3a之間，各向同性蝕刻終止層200布置在下層間絕緣膜140c與上層間絕緣膜140d之間。例如，上層間絕緣膜140d用作保護(hù)各向同性蝕刻終止層200。上層間絕緣膜140d防止在形成通孔141的蝕刻工藝期間以及在形成第三層布線線路M3a的蝕刻工藝期間各向同性蝕刻終止層200被去除或損傷。如果不提供上層間絕緣膜140d,則各向同性蝕刻終止層200可通過(guò)蝕刻工藝被去除或損傷。當(dāng)各向同性蝕刻終止層200被損傷時(shí)，在從傳感器陣列區(qū)域I去除不需要的層間絕緣膜的隨后工藝期間，可能難以使用各向同性蝕刻?？紤]到一部分上層間絕緣膜140d被形成通孔141的燭刻工藝和形成第三層布線線路M3a的蝕刻工藝蝕刻，上層間絕》彖膜140d可具有例如約1500到2500A的厚度。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解上層間絕緣膜140d的厚度取決于圖像傳感器的設(shè)計(jì)。各向同性蝕刻終止層200可由相對(duì)于層間絕緣膜140d、140e和140f具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，當(dāng)層間絕緣膜140d、140e和140f是氧化膜時(shí)，各向同性蝕刻終止層200可以為氮化物膜(例如，PSiN)。即，層間絕緣膜140d、140e和140f可由任何材料形成，只要該材料具有對(duì)氧化物膜蝕刻劑(例如，LAL)的蝕刻抵抗性。另外，當(dāng)?shù)谝欢鄬硬季€線路Mla、M2a、M3a和M4a以及第二多層布線線路Mlb和M2b由鋁形成時(shí)，各向同性蝕刻終止層200可由通過(guò)不使用高溫的例如CVD(化學(xué)氣相沉積)方法或ALD(原子層沉積)方法形成的材料制成。這是因?yàn)樵诟飨蛲晕g刻終止層200在高溫下形成時(shí)，應(yīng)力可能被施加到第一多層布線線;洛Mla、M2a、M3a和M4a以及第二多層布線線路Mlb和M2b。各向同性蝕刻終止層200的厚度可以在例如約300至1500A的范圍內(nèi)，但是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此。各向同性蝕刻終止層200的厚度可根據(jù)圖像傳感器的設(shè)計(jì)而變化。連4妾第二層布線線路M2a和第三層布線線路M3a的通孔141可形成為穿過(guò)各向同性蝕刻終止層200，如圖4中所示。同時(shí)，由于第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140的第一上表面(即，層間絕緣膜140f的上表面)高于第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150的第二上表面(即，層間絕緣膜150c的上表面)，所以根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前示例性實(shí)施方式的圖像傳感器配置有連接第一上表面和第二上表面的連接表面170。例如，在根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前示例性實(shí)施方式的圖像傳感器中，至少一部分連接表面170具有各向同性蝕刻輪廓。這是因?yàn)楦飨蛲晕g刻是用于從傳感器陣列區(qū)域II去除不需要的層間絕緣膜，如上所述。具體地，例如，整個(gè)連接表面170具有各向同性蝕刻輪廓?？蛇x地，一部分連接表面170具有各向同性蝕刻輪廓，其它部分的連接表面170可具有各向異性蝕刻輪廓。例如，如在圖4中所示，連接表面170可包括接觸第一上表面的第一部分170a,接觸第二上表面的第二部分170c,以及設(shè)置在第一部分170a與第二部分170c之間的第三部分170b。第一部分170a和第二部分170c可具有各向異性蝕刻輪廓，第三部分170b可具有各向同性蝕刻輪廓。同樣，僅第一部分170a可具有各向異性蝕刻輪廓，或者僅第二部分170c可具有各向異性蝕刻輪廓。在當(dāng)前示例性實(shí)施方式中，在第一部分170a和第二部分170c之間的連接部分示為臺(tái)階狀(或突出狀(projectionshape)),但是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此。同時(shí)，鈍化層160可形成于第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140的第一上表面上，濾色器180、平坦化膜185和微透鏡190可依次形成于第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150的第二上表面上。濾色器180和微透鏡190形成于對(duì)應(yīng)于每個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件130的區(qū)域中。在圖4中示出的光電轉(zhuǎn)換元件130為鉸接光二極管，并且可包括第二導(dǎo)電(例如，n-型)摻雜區(qū)域132和第一導(dǎo)電(例如，p-型)摻雜區(qū)域134。光電轉(zhuǎn)換元件130常常用于傳感器陣列，以降低暗電流和由于暗電流而引起的噪音。簡(jiǎn)單地講，在本發(fā)明的當(dāng)前示例性實(shí)施方式中，各向同性蝕刻終止層200包括于第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140，但是不包括于第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150中。各向同性蝕刻終止層200可形成于第n(n為大于1的自然數(shù))層布線線路與第(n+l)層布線線路之間，使得其不接觸第n層布線線路和第(n+l)層布線線路。讀取元件(例如，電荷傳輸元件、驅(qū)動(dòng)元件、重置元件以及選擇元件)可形成于傳感器陣列區(qū)域II中，CMOS元件、晶體管和電容器可與讀取元件同時(shí)形成于外圍電路區(qū)域I中。這些元件可由本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的各種方法實(shí)施。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的圖像傳感器的橫截面視圖。在圖5中示出的另一實(shí)施方式不同于圖4中示出的上述實(shí)施方式，其區(qū)別在于各向同性蝕刻終止層210形成于第三層布線線路M3a與第四層布線線路M4a之間并且各向同性蝕刻終止層210接觸第三層布線線^各M3a。特別地，各向同性蝕刻終止層210可形成于層間絕緣膜140c的上表面以及第三層布線線路M3a的側(cè)表面上。與圖4中示出的各向同性蝕刻終止層200相比，在圖5中示出的各向同性蝕刻終止層210遠(yuǎn)離第二多層布線線路Mlb和M2b的最上層布線線路M2b。因此，在圖5中示出的當(dāng)前示例性實(shí)施方式中，第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150的高度比圖4中示出的實(shí)施方式中的高，RI值比圖4中示出的示例性實(shí)施方式的小。接下來(lái)，將參照?qǐng)D2和圖6A至圖6D描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的圖像傳感器的制造方法。圖6A至圖6D是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的圖像傳感器的制造方法的中間過(guò)程的橫截面視圖。參照?qǐng)D6A，元件隔離區(qū)120形成于基板110中，以限定外圍電路區(qū)域I和傳感器陣列區(qū)域II。然后，光電轉(zhuǎn)換元件130形成于傳感器陣列區(qū)域n中。多個(gè)讀取元件形成于傳感器陣列區(qū)域n中，多個(gè)CMOs元件形成于外圍電路區(qū)域i中。隨后，第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140形成于外圍電路區(qū)域I上，該第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140包括第一多層布線線路Mla、M2a、M3a和M4a，電連接第一多層14布線線路Mla、M2a、M3a和M4a的多個(gè)通孔(例如，141),和多個(gè)層間絕緣膜140a、140b、140c、140d、140e和140f。第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150形成于傳感器陣列區(qū)域II上，該第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150包括第二多層布線線路Mlb和M2b，電連接第二多層布線線路Mlb和M2b的多個(gè)通孔，以及多個(gè)層間絕緣膜150a、150b、150c、150d、150e和150f。第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140和第二絕》彖膜結(jié)構(gòu)150可同時(shí)形成。特別地，如在圖6A中所示，各向同性蝕刻終止層200形成于第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140和第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150中。各向同性蝕刻終止層200可形成于第二層布線線路M2a與第三層布線線路M3a之間，但是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此。連接第二層布線線路M2a與第三層布線線^各M3a的通孔141可形成為穿過(guò)各向同性蝕刻終止層200,如在圖6A中所示。以下將參照?qǐng)D7A至圖7E以及圖8A和圖8B描述形成通孔141的方法。然后，鈍化層160形成于第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140和第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150上。參照?qǐng)D6B，各向異性蝕刻用于去除形成于第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150上的鈍化層160。第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140中多個(gè)第四層布線線路M4a的某些用作信號(hào)輸入/輸出焊盤。各向異性蝕刻使其能在去除形成于第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150上的鈍化層160時(shí)從第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140暴露焊盤(pad)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解去除形成于第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150上的鈍化層160的工藝與從第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140暴露焊盤的工藝分開執(zhí)行。參照?qǐng)D6C,各向同性蝕刻用于去除第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150中的一些層間絕緣膜150d、150e和150f。即，各向同性蝕刻終止層200上的層間絕緣膜150d、150e和150f被從第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150去除。這是為了增加入射到光電轉(zhuǎn)換元件130上的光的量，從而改善圖像傳感器的敏感度，如上所述。近年來(lái)，隨著外圍電路區(qū)域I中包括第一多層布線線路Mla、M2a、M3a和M4a的層的數(shù)量增加，外圍電路區(qū)域I中包括第一多層布線線路Mla、M2a、M3a和M4a的層的數(shù)量與傳感器陣列區(qū)域II中包括第二多層布線線路Mlb和M2b的層的數(shù)量之間的差異增加。如在圖6C中所示，例如，包括第一多層布線線^各Mla、M2a、M3a和M4a的層的凄t量是四，而包括第二多層布線線路Mlb和M2b的層的數(shù)量是二。因此，當(dāng)厚膜形成于光電轉(zhuǎn)換元件130上時(shí)，入射到光電轉(zhuǎn)換元件130上的光的量減少，因而各種光學(xué)屬性惡化。因此，在本發(fā)明的示例性實(shí)施方式中，各向同性蝕刻用于去除第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150中的某些不需要的層間絕緣膜150d、150e和150f。在該示例性實(shí)施方式中，孔徑比r被定義為第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150的高度h與光電轉(zhuǎn)換元件130的寬度w的比率(即，r=h/w)，RI(相對(duì)強(qiáng)度)值被定義為傳感器陣列區(qū)域II的中心區(qū)域中單元像素的敏感度與最外區(qū)域中單元像素的敏感度的比率。在該情形下，不同于以上所述的本發(fā)明的實(shí)施方式，當(dāng)各向異性蝕刻用于去除不需要的層間絕緣膜150d、150e和150f時(shí)，高度h的變化增加，入射到光電轉(zhuǎn)換元件130上的光的量減少，這導(dǎo)致RI值降低。另外，在各向同性蝕刻期間圖像傳感器可能被等離子體損傷，暗電流的量增加。例如，等離子體可能引發(fā)將被存儲(chǔ)在傳輸元件15的4冊(cè)極中的正電荷，正電荷可引發(fā)將^皮存儲(chǔ)在傳輸元件15的溝道區(qū)域中的負(fù)電荷。然而，如上述示例性實(shí)施方式，當(dāng)各向同性蝕刻用于去除傳感器陣列區(qū)域II中的不需要的層間絕緣膜時(shí)，能減少由于等離子體對(duì)圖像傳感器引起的損傷，顯著減少高度h的變化，這將導(dǎo)致RI值增加。因此，可能改善圖係J專感器的光學(xué)屬性。參照?qǐng)D6D，各向異性蝕刻用于去除第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150中的各向同性蝕刻終止層200。這是為了增加入射到傳感器陣列區(qū)域II上的光的量，從而改善圖像傳感器的敏感度。即，如上所述，各向同性蝕刻終止層200可由氮化物膜(例如，PSiN)形成。氮化物膜是不透明的，其吸收或反射入射到傳感器陣列區(qū)域II上的光。當(dāng)各向同性蝕刻終止層200位于傳感器陣列區(qū)域II上時(shí)，入射到傳感器陣列區(qū)域II上的光的量減少。因此，優(yōu)選地為從第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150去除各向同性蝕刻終止層200。參照?qǐng)D2,濾色器180、平坦化膜185和微透鏡190依次形成于第二絕緣膜結(jié)構(gòu)150的第二上表面上。平坦化膜185形成為向上延伸至第一絕緣膜結(jié)構(gòu)140的第一上表面。接下來(lái)，將參照?qǐng)D7A至圖7E以及圖8A和圖8B描述形成通孔141的方法。圖7A至圖7E示出了使用ArF光刻膠膜的實(shí)例(即，使用ArF曝光光源的光刻工藝)，圖8A和圖8B示出了使用KrF光刻膠膜的實(shí)例(即，使用KrF曝光光源的光刻工藝)。由于ArF曝光光源具有高于KrF曝光光源的分辨率，所以ArF光刻膠膜的厚度小于KrF光刻膠膜的厚度。因此，當(dāng)ArF曝光光源用于形成通孔時(shí)，使用硬掩模膜(原因在于ArF光刻膠膜較薄)。當(dāng)KrF曝光光源用于形成通孔時(shí)，可以不使用硬掩模膜(原因在于KrF光刻膠膜足夠厚)。首先，將參照?qǐng)D7A至圖7E描述使用ArF光刻膠膜的實(shí)例。參照?qǐng)D7A，下層間絕緣膜140c、各向同性蝕刻終止層200、上層間絕緣膜140d、第一硬掩模膜143、第二硬掩模膜144、抗反射膜145和ArF光刻膠膜146依次形成于第二層布線線路M2a上。例如，第一硬掩模膜143為氮化物膜(例如，PSiN)，第二硬掩模膜144為無(wú)定形碳層(ACL),抗反射膜145為氧氮化物膜(例如，SiON)。ArF光刻膠膜146具有例如約2000A的厚度。聚合物基的ACL用作第二硬掩模膜144的原因是為了使用灰化工藝同時(shí)去除ArF光刻膠膜146和第二硬掩模膜144。參照?qǐng)D7B，ArF光刻膠膜146用于圖案化抗反射膜145。參照?qǐng)D7C,圖案化第二硬掩模膜144。參照?qǐng)D7D，蝕刻第一硬掩模膜143、上層間絕緣膜140d和各向同性蝕刻終止層200。參照?qǐng)D7E,執(zhí)行灰化工藝以去除ArF光刻膠膜146、抗反射膜145和第二硬掩才莫膜144。然后，使用剩余的第一硬掩模膜143執(zhí)行蝕刻，使得暴露第二層布線線路M2a，從而完成貫穿孔(viahole)141a。貫穿孔141a由導(dǎo)電材料例如鴒來(lái)填充以形成通孔。接下來(lái)，將參照?qǐng)D8A和圖8B描述使用KrF光刻膠膜的實(shí)例。參照?qǐng)D8A,下層間絕緣膜140c、各向同性蝕刻終止層200、上層間絕緣膜140d、硬掩模膜148和KrF光刻膠膜149依次形成于第二層布線線路M2a上。例如，硬掩模膜148可以為氮化物膜(例如，PSiN)。根據(jù)設(shè)計(jì)，可以不使用硬掩模膜148。KrF光刻膠膜149可具有例如大約5000A的厚度。參照?qǐng)D8B，KrF光刻膠膜149用于圖案化硬掩模膜148、上層間絕緣膜140d、各向同性蝕刻終止層200和下層間絕緣膜140c，從而形成貫穿孔141a。圖9A和圖9B是示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的圖像傳感器17AA幽l，'去士,，土AA士lVni'rf"f9AA4告^品SC1圓"^fr;/fe卩，W:t^士A、7曰豐ki^'t"iife方式，其區(qū)別在于各向同性蝕刻終止層210形成為與第三層布線線^各M3a接觸。例如，各向同性蝕刻終止層210可形成于層間絕緣膜140c上表面上以及第三層布線線路M3a側(cè)表面上。接下來(lái)，將參照?qǐng)D9A和圖9B描述形成各向同性蝕刻終止層210的方法。參照?qǐng)D9A，各向同性蝕刻終止層210a共形地形成于其中形成有第三層布線線^各M3a的層間絕緣膜140c上。即，各向同性蝕刻終止層210a形成于層間絕緣膜140c的上表面、每個(gè)第三布線線路M3a的上表面和側(cè)表面上。然后，光刻膠159形成于各向同性蝕刻終止層210a上。光刻膠159充滿相鄰的第三布線線路M3a之間的空間。參照?qǐng)D9B，例如，執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝或回蝕工藝以去除形成于每個(gè)第三布線線路M3a的上表面上的各向同性蝕刻終止層210a。因此，各向同性蝕刻終止層210形成于層間絕緣膜140c的上表面上以及每個(gè)第三層布線線路M3a的上表面和側(cè)表面上。然后，去除剩余的光刻膠159。接著，層間絕緣膜140f形成于第三層布線線路M3a和各向同性蝕刻終實(shí)施方式的相同，所以將省略其描述。去除形成于每個(gè)第三層布線線路的上表面上的各向同性蝕刻終止層210a且然后形成層間絕緣膜140f的原因是為了便于在第三層布線線路M3a上形成通孔。即，當(dāng)層間絕緣膜形成于保留在第三層布線線路M3a上表面上的各向同性蝕刻終止層210a上時(shí)，在第三層布線線路M3a上形成貫穿孔的工藝變得復(fù)雜。將通過(guò)以下的實(shí)驗(yàn)實(shí)例描述本發(fā)明的細(xì)節(jié)。由于在此所述的內(nèi)容能4皮本領(lǐng)域的技術(shù)人員在技術(shù)上進(jìn)行考慮，所以將省略其描述。實(shí)-瞼實(shí)例1在對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例l中，如在圖6A中所示，形成中間結(jié)構(gòu)，僅通過(guò)各向異性蝕刻工藝去除形成于傳感器陣列區(qū)域上的不需要的層間絕緣膜(即，圖6A中的層間絕^彖膜150d、150e和150f)。然后，測(cè)量形成于傳感器陣列區(qū)域上的絕緣膜結(jié)構(gòu)的高度。在實(shí)-瞼實(shí)例1和2中，如在圖6A中所示，形成中間結(jié)構(gòu)，僅通過(guò)各向同性蝕刻工藝至少部分去除形成于傳感器陣列區(qū)域上的不需要的層間絕緣膜(即，圖6A中的層間絕》彖膜150d、150e和150f)。然后，測(cè)量形成于傳感器陣列區(qū)域上的絕緣膜結(jié)構(gòu)的高度。依次在不需要的層間絕緣膜上執(zhí)行各向異性蝕刻(參見圖6B)、各向同性蝕刻(參見圖6C)、各向異性蝕刻(參見圖6D)。在表l和圖IO中示出了結(jié)果。表1示出了，例如均值、中值、最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)偏差，以及對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例1及實(shí)驗(yàn)實(shí)例1和2的范圍。圖10示出了方框圖，其中中心線表示中值。參照表1和圖10,比較均值，實(shí)驗(yàn)實(shí)例1的均值大約為1062A,其小于對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例1的均值；實(shí)驗(yàn)實(shí)例2的均值大約為824A，其小于對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例1的均值。與對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例1的標(biāo)準(zhǔn)偏差相比，實(shí)驗(yàn)實(shí)例1的標(biāo)準(zhǔn)偏差增加大約40.7%(因?yàn)?，約1-約490/約826=約0.407)。與對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例1的標(biāo)準(zhǔn)偏差相比，實(shí)-險(xiǎn)實(shí)例2的標(biāo)準(zhǔn)偏差增加大約41.4%(因?yàn)?，約1-約484/約826=約0.414)。范圍對(duì)應(yīng)于最大值與最小值相差的值。與對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例1的范圍相比，實(shí)-瞼實(shí)例1的范圍增加大約46%(因?yàn)椋s1-約2011/約3724=約0.460)。與對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例1的范圍相比，實(shí)驗(yàn)實(shí)例2的范圍增加大約46.6%(因?yàn)?，約1-約1988/約3724=約0.466)。表1對(duì)比實(shí)—驗(yàn)實(shí)例1實(shí)-瞼實(shí)例1實(shí)-驗(yàn)實(shí)例2均值(AVG)約19044約17982約18220中值(MEDIAN)約18923約17817約18090最小值(MIN)約17615約17234約17588最大值(MAX)約21339約19245約19576標(biāo)準(zhǔn)偏差(STD)約826約490約484范圍(RANGE)約3724約2011約1988實(shí)驗(yàn)實(shí)例2在對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例2中，如在圖6A中所示，形成中間結(jié)構(gòu)，然后僅通過(guò)各向異性蝕刻工藝去除形成于傳感器陣列區(qū)域上的不需要的層間絕緣膜19(即，在圖6A中的層間絕緣膜150d、150e和150f)。在實(shí)驗(yàn)實(shí)例3中，如在圖6A中所示，形成中間結(jié)構(gòu)，然后僅通過(guò)各向膜(即，在圖6A中的層間絕緣膜150d、150e和150f)。即，依次在不需要的層間絕緣膜上執(zhí)行各向異性蝕刻(參見圖6B)、各向同性蝕刻(參見圖6C)、各向異性蝕刻(參見圖6D)。然后，測(cè)量對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例2中接收紅光的單元像素的敏感度，測(cè)量實(shí)驗(yàn)實(shí)例3中接收紅光的單元像素的敏感度。在表2和圖11中示出了結(jié)果。在圖11中，x軸表示敏感度(mV/Ls)，y軸表示累積百分?jǐn)?shù)(％)。參照表2和圖11,與對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例2的均值相比，實(shí)驗(yàn)實(shí)例3的均值增加了大約4.4°/0(因?yàn)?，約483.3/約463.3=約1.044)。與對(duì)比實(shí)驗(yàn)實(shí)例2的標(biāo)準(zhǔn)偏差相比，實(shí)驗(yàn)實(shí)例3的標(biāo)準(zhǔn)偏差增加了大約33.6%(因?yàn)?約1—約7.07/約10.65=約0.336)。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，但是應(yīng)該進(jìn)一步注意本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員易于了解在不脫離由隨附的權(quán)利要求的界限和范圍所限定的本發(fā)明的精神和范圍下，可以做出各種修改。本申請(qǐng)要求享有2008年2月15提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2008-0014038的優(yōu)先權(quán)，在此結(jié)合其全部?jī)?nèi)容作為參考。權(quán)利要求1.一種圖像傳感器，其包括基板，其具有傳感器陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域；第一絕緣膜結(jié)構(gòu)，其形成于所述外圍電路區(qū)域上，所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一多層布線線路；以及第二絕緣膜結(jié)構(gòu)，其形成于所述傳感器陣列區(qū)域上，所述第二絕緣膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第二多層布線線路，其中所述多個(gè)第一多層布線線路的最上層布線線路比所述多個(gè)第二多層布線線路的最上層布線線路高，所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)包括各向同性蝕刻終止層，所述第二絕緣膜結(jié)構(gòu)不包括所述各向同性蝕刻終止層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述各向同性蝕刻終止層比所述第二多層布線線路的所述最上層布線線路高。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述各向同性蝕刻終止層形成于所述多個(gè)第一多層布線線路中的第n層布線線路與第(n+l)層布線線路之間，其中n為大于等于1的自然數(shù)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中所述各向同性蝕刻終止層不與所述第n層布線線路和所述第(n+l)層布線線路接觸。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，其中所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)還包括形成于所述第n層布線線路與所述第(n+l)層布線線路之間的下層間絕緣膜和上層間絕緣膜；以及所述各向同性蝕刻終止層形成于所述下層間絕緣膜與所述上層間絕緣膜之間。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器，其中所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)包括電連接所述第n層布線線路和所述第(n+l)層布線線3各的通孔；以及所述通孔形成為穿過(guò)所述各向同性蝕刻終止層。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中所述各向同性蝕刻終止層與所述第n層布線線鴻"接觸。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其中所述第n層布線線路形成于層間絕緣膜上；以及所述各向同性蝕刻終止層形成于所述層間絕緣膜的上表面上以及所述第n層布線線路的側(cè)表面上。9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中所述各向同性蝕刻終止層形成于第二層布線線路與第三層布線線路之間，或者形成于所述第三層布線線路與第四層布線線路之間。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)的第一上表面高于所述第二絕緣膜結(jié)構(gòu)的第二上表面；以及連接所述第一上表面和所述第二上表面的至少部分連接表面具有各向同性蝕刻輪廓。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包含多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件，其形成于所述傳感器陣列區(qū)域中；以及多個(gè)濾色器和多個(gè)微透鏡，其形成于所述第二絕緣膜結(jié)構(gòu)的對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的區(qū)域上。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述多個(gè)第一多層布線線路和所述多個(gè)第二多層布線線路由鋁形成。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述各向同性蝕刻終止層為氮化物膜。14.一種圖像傳感器，其包括基板，其具有傳感器陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域；第一絕緣膜結(jié)構(gòu)，其形成于所述外圍電路區(qū)域上，所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一多層布線線路；以及第二絕緣膜結(jié)構(gòu)，其形成于所述傳感器陣列區(qū)域上，所述第二絕緣膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第二多層布線線路，其中所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)的第一上表面高于所述第二絕緣膜結(jié)構(gòu)的第二上表面，連接所述第一上表面和所述第二上表面的至少部分連接表面具有各向同性蝕刻輪廓。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的圖像傳感器，其中接觸所述第一上表面的部分連接表面具有各向異性蝕刻輪廓。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的圖像傳感器，其中接觸所述第二上表面的另一部分連接表面具有各向異性蝕刻輪廓。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的圖像傳感器，其中所述連接表面包括接觸所述第一上表面的第一部分、接觸所述第二上表面的第二部分以及形成在所述第一部分與所述第二部分之間的第三部分；所述第一部分和所述第二部分具有各向異性蝕刻輪廓；以及所述第三部分具有各向同性蝕刻輪廓。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的圖像傳感器，其中所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)包括各向同性蝕刻終止層；以及所述第二絕緣膜結(jié)構(gòu)不包括所述各向同性蝕刻終止層。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的圖像傳感器，其中所述各向同性蝕刻終止層形成于所述多個(gè)第一多層布線線路中的第n層布線線路與第(n+l)層布線線路之間，其中n為大于等于1的自然數(shù)。20.—種制造圖像傳感器的方法，該方法包括將基板定義為傳感器陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域；在所述外圍電路區(qū)域上形成第一絕緣膜結(jié)構(gòu)，所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)多層布線線路和各向同性蝕刻終止層；在所述傳感器陣列區(qū)域上形成第二絕緣膜結(jié)構(gòu)，所述第二絕緣膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)多層布線線路和各向同性蝕刻終止層；利用所述各向同性蝕刻終止層執(zhí)行蝕刻工藝，使得所述傳感器陣列區(qū)域上的所述第二絕緣膜結(jié)構(gòu)的上表面低于所述外圍電路區(qū)域上的所述第一絕緣膜結(jié)構(gòu)的上表面；以及去除所述傳感器陣列區(qū)域上的所述各向同性蝕刻終止層。全文摘要本發(fā)明提供了一種圖像傳感器及其制造方法。該圖像傳感器包括基板，其具有傳感器陣列區(qū)域和外圍電路區(qū)域；第一絕緣膜結(jié)構(gòu)，其形成于外圍電路區(qū)域上，該第一絕緣膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一多層布線線路；以及第二絕緣膜結(jié)構(gòu)，其形成于傳感器陣列區(qū)域上，該第二絕緣膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第二多層布線線路。多個(gè)第一多層布線線路的最上層布線線路比多個(gè)第二多層布線線路的最上層布線線路高。第一絕緣膜結(jié)構(gòu)包括各向同性蝕刻終止層，第二絕緣膜結(jié)構(gòu)不包括各向同性蝕刻終止層。文檔編號(hào)H04N5/374GK101510553SQ200910006369公開日2009年8月19日申請(qǐng)日期2009年2月16日優(yōu)先權(quán)日2008年2月15日發(fā)明者盧鉉弼,李德炯,金弘基申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社