專利名稱：：一種td-scdma/gsm雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本實(shí)用新型涉及一種功率放大器模塊，尤其涉及應(yīng)用于雙模手機(jī)上的射頻功率放大器模塊。
背景技術(shù)：
：從目前的移動通信發(fā)展的趨勢看來，3G已勢不可擋，而TD-SCDMA是我國的3G標(biāo)準(zhǔn)；但目前GSM最為成熟，網(wǎng)絡(luò)覆蓋面最廣，用戶最多。因此，在相當(dāng)長的時(shí)期內(nèi)，我國的TD-SCDMA手機(jī)必須兼容GSM，即產(chǎn)生雙模手機(jī)，所謂的"雙模"就是工作在兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)模式下，這兩個(gè)工作模式就是GSM網(wǎng)絡(luò)和TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)，所謂的"TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)"就是指手機(jī)可以同時(shí)支持GSM以及TD-SCDMA這兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)，它可以根據(jù)環(huán)境或者是實(shí)際操作的需要來從中做出選擇，哪個(gè)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)更能發(fā)揮作用，就讓手機(jī)切換到哪種模式下去工作，如果在一種模式下，手機(jī)通信質(zhì)量不高或者是出現(xiàn)其他不良的通信現(xiàn)象，可以自由轉(zhuǎn)到另外一個(gè)網(wǎng)絡(luò)模式上工作，它實(shí)際上就是擴(kuò)大了手機(jī)的通話頻率，并大大提高通信的穩(wěn)定性而已。而目前的TD-SCDMA手機(jī)在發(fā)射端都使用兩塊功率放大器模塊，分別負(fù)責(zé)GSM和TD-SCDMA兩種模式，這對于手機(jī)的生產(chǎn)來說，則造成了體積和成本的增加。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種布線簡單的單芯片雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊，它包括用于接收并處理TD輸入信號的TD-SCDMA功率放大芯片、用于接收并處理GSM輸入信號的GSM功率放大芯片、與所述的TD-SCDMA功率放大芯片和GSM功率放大芯片相電連接用于交替地控制所述的TD-SCDMA功率放大芯片和GSM功率放大芯片的控制芯片，且所述的TD-SCDMA功率放大芯片、GSM功率放大芯片、控制芯片封裝在一模塊上，該功率放大器模塊封裝管腳包括自上而下設(shè)置在同一側(cè)的多個(gè)輸入端、設(shè)置在相對另一側(cè)的多個(gè)輸出端，所述的輸入端包括TD射頻輸入端、發(fā)射使能端、兩雙?？刂贫?、電源輸入端、接地端、GSM輸出功率等級控制輸入端、GSM高頻段輸入端、GSM低頻段輸入端，所述的輸出端包括TD—SCDMA射頻信號輸出端、GSM髙頻段輸出端、GSM低頻段輸出端。所述的功率放大器模塊采用MCM封裝方式。本實(shí)用新型還提供了另一種較優(yōu)化的技術(shù)方案，一種TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊，它包括用于接收并處理TD輸入信號和GSM高頻段輸入信號的TD/GSM_HB功率放大芯片、用于接收并處理GSM低頻段輸入信號的GSM低頻功率放大芯片、與所述的TD/GSM一HB功率放大芯片和GSM低頻段功率放大芯片相電連接用于交替地控制所述的TD/GSM—HB功率放大芯片和GSM低頻段功率放大芯片的控制芯片，且所述的TD/GSM—HB功率放大芯片、GSM低頻段功率放大芯片、控制芯片封裝在一模塊上，該功率放大器模塊封裝管腳包括自上而下設(shè)置在同一側(cè)的多個(gè)輸入端、設(shè)置在相對另一側(cè)的多個(gè)輸出端，所述的輸入端包括TD射頻信號與GSM髙頻段信號輸入端、發(fā)射使能端、兩雙模控制端、電源輸入端、接地端、GSM輸出功率等級控制輸入端、GSM低頻段輸入端，所述的輸出端包括TD射頻信號和GSM髙頻段信號輸出端、GSM低頻段輸出端。所述的功率放大器模塊采用MCM封裝方式。由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)采用本實(shí)用新型功率放大器模塊的管腳排布，使得該功率放大器的布線較簡單，從而可進(jìn)一步達(dá)到減少功率放大器模塊的體積的目的。附圖1為本實(shí)用新型TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊實(shí)施例一功能框附圖2為本實(shí)用新型TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊實(shí)施例二功能框其中1、TD-SCDMA功率放大芯片；11、TD輸入匹配電路；12、TD輸出匹配電路；2、控制芯片；3、GSM功率放大芯片；31、GSM髙頻段輸入匹配電路；31'、GSM低頻段輸入匹配電路；32、GSM高頻段輸出匹配電路；32'、GSM低頻段輸出匹配電路；l'、TD/GSM—HB功率放大芯片；11'、輸入開關(guān)匹配電路；12'、輸出開關(guān)匹配電路；2'、控制芯片；3'、GSM低頻段放大器芯片；31、輸入匹配電路；32、輸出匹配電路。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖、舉例詳細(xì)說明本實(shí)用新型的具體內(nèi)容實(shí)施例一如圖1所示的TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊，該功率放大器模塊包括TD-SCDMA功率放大芯片1、GSM功率放大芯片3、控制芯片2，TD-SCDMA功率放大芯片1用于接收并處理TD射頻輸入信號，GSM功率放大芯片3用于接收并處理GSM射頻段輸入信號，控制芯片2根據(jù)輸入的控制信號相應(yīng)地控制并選擇TD-SCDMA功率放大芯片1或者GSM功率放大芯片3的輸出，同時(shí)，為了更好的實(shí)現(xiàn)電路的匹配，該雙模射頻功率放大器模塊中還設(shè)置有輸入匹配電路和輸出匹配電路，由于GSM手機(jī)功放芯片的輸出有高、低兩個(gè)頻段，具體又細(xì)分為GSM850、GSM900、DCS和PCS，因此我們用HB表示DCS和PCS，用LB表示GSM850和GSM900,因此，相應(yīng)的匹配電路可具體為與TD-SCDMA功放芯片相匹配的TD輸入匹配電路11和TD輸出匹配電路12;與GSM功放芯片相匹配的GSM高頻段輸入匹配電路31和低頻段輸入匹配電路31'以及GSM高頻段輸出匹配電路32和低頻段輸出匹配電路32'。各輸入輸出匹配電路在具體設(shè)計(jì)時(shí)均含有隔直(DCBlock)電容，以進(jìn)行濾波，上述功能芯片采用MCM封裝方式封裝在同一塊模塊上，MCM(multi-chipmodule)也稱為多芯片組件，其是將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝技術(shù)，該功率放大器模塊的管腳設(shè)定及其相應(yīng)的功能參見表1:<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>表l管腳定義在本實(shí)施例中，TD-SCDMA手機(jī)功放可采用控制偏置電路來實(shí)現(xiàn)高功率和低功率兩種工作模式。因此，綜合考慮GSM高低頻段等因素，采用如下的邏輯方式來進(jìn)行控制，以兼顧TD-SCDMA的高低兩種功率模式和GSM的髙低兩個(gè)頻段，如表2所示，其中0表示低電平，l表示高電平。<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>表2雙模功率模式和頻段控制方式為了進(jìn)一步說明表2中的控制功能的實(shí)現(xiàn)，在控制芯片2還設(shè)定有數(shù)個(gè)控制端口，其中控制端口V—bias表示為放大器內(nèi)部偏置電路的偏置電壓(常開)、控制端口V—apc表示為放大器內(nèi)部偏置電路的偏置控制電壓，控制端口V—mode表示為TD功放的功率模式控制。具體控制方式如表3所示，其中0表示低電平，l表示高電平<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>表3內(nèi)部控制邏輯實(shí)施例二由于GSM手機(jī)功放芯片的輸出有髙、低兩個(gè)頻段，且TD-SCDMA的發(fā)射頻率和GSM—HB的頻段比較接近，因此為了進(jìn)一步縮小雙模手機(jī)功放模塊的體積、降低成本，如圖2所示，將TD-SCDMA與GSM髙頻段功放電路設(shè)計(jì)為一合成TD/GSM—HB功率放大芯片1、GSM低頻段采用一GSM低頻功率放大芯片3'實(shí)現(xiàn)，且在TD/GSM—HB功率放大芯片1'與GSM低頻功率放大器芯片3之間仍通過一控制芯片2'對兩芯片進(jìn)行控制，同時(shí)，為了使得TD/GSM—HB功率放大芯片1'對TD射頻輸入信號或GSM射頻輸入信號能夠區(qū)分，在TD/GSM—HB功率放大芯片1'的輸入端連接有輸入開關(guān)匹配電路ll'，在其輸出端連接有輸出開關(guān)匹配電路12'，為了更好的實(shí)現(xiàn)電路的匹配，在與GSM低頻功放芯片3'輸入端相匹配連接有低頻段輸入匹配電路31，在GSM低頻段功放芯片3'輸出端相匹配連接有低頻段輸出匹配電路32。各輸入輸出匹配電路以及輸入開關(guān)匹配電路11及輸出開關(guān)匹配電路12在具體設(shè)計(jì)時(shí)均含有隔直(DCBlock)電容，以進(jìn)行濾波，上述功能芯片采用MCM封裝方式封裝在同一塊模塊上，對該功率放大器模塊的封裝管腳設(shè)定如下表1:<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>其控制方式與實(shí)施例一的控制方式相同，在此不再贅述。本實(shí)用新型對TD-SCDMA/GSM雙模射頻功率放大器模塊的結(jié)構(gòu)功能及其控制方式進(jìn)行了介紹，將TD-SCDMA功放與GSM功放通過同一控制芯片進(jìn)行控制并將其整合到一模塊上，將其應(yīng)用到雙模手機(jī)上，可減小手機(jī)硬件體積，從而降低制造成本，但是上述內(nèi)容并不能理解為對本實(shí)用新型保護(hù)內(nèi)容的限制，凡是根據(jù)本實(shí)用新型的精神實(shí)質(zhì)作出的變動，都應(yīng)在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1、一種TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊，它包括用于接收并處理TD輸入信號的TD-SCDMA功率放大芯片(1)、用于接收并處理GSM輸入信號的GSM功率放大芯片(3)、與所述的TD-SCDMA功率放大芯片(1)和GSM功率放大芯片(3)相電連接用于交替地控制所述的TD-SCDMA功率放大芯片(1)和GSM功率放大芯片(3)的控制芯片(2)，且所述的TD-SCDMA功率放大芯片(1)、GSM功率放大芯片(3)、控制芯片(2)封裝在一模塊上，其特征在于該功率放大器模塊封裝管腳包括自上而下設(shè)置在同一側(cè)的多個(gè)輸入端、設(shè)置在相對另一側(cè)的多個(gè)輸出端，所述的輸入端包括TD射頻輸入端(TD_IN)、發(fā)射使能端(TX_EN)、兩雙?？刂贫?Vctrl_1、Vctrl_2)、電源輸入端(V_BATT)、接地端(GND)、GSM輸出功率等級控制輸入端(V_DAC)、GSM高頻段輸入端(HB_IN)、GSM低頻段輸入端(LB_IN)，所述的輸出端包括TD_SCDMA射頻信號輸出端(TD_OUT)、GSM高頻段輸出端(HB_OUT)、GSM低頻段輸出端(LB_OUT)。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊，其特征在于所述的功率放大器模塊采用MCM封裝方式。3、一種TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊，它包括用于接收并處理TD輸入信號和GSM高頻輸入信號的TD/GSM—HB功率放大芯片(l')、用于接收并處理GSM低頻段輸入信號的GSM低頻段功率放大芯片(3')、與所述的TD/GSM—HB功率放大芯片(l"和GSM低頻段功率放大芯片(3')相電連接用于交替地控制所述的TD/GSM—HB功率放大芯片(l')和GSM低頻段功率放大芯片(3')的控制芯片(2')，且所述的TD/GSM—HB功率放大芯片(l')、GSM低頻段功率放大芯片(3')、控制芯片(2')封裝在一模塊上，其特征在于該功率放大器模塊封裝管腳包括自上而下設(shè)置在同一側(cè)的多個(gè)輸入端、設(shè)置在相對另一側(cè)的多個(gè)輸出端，所述的輸入端包括TD射頻信號與GSM髙頻段信號輸入端(TD—IN/GSM—HB)、發(fā)射使能端(TX—EN)、兩雙?？刂贫?Vctrl—1、Vctrl—2)、電源輸入端(V—BATT)、接地端(GND)、GSM輸出功率等級控制輸入端(V—DAC)、GSM低頻段輸入端(LB—IN),所述的輸出端包括TD射頻信號和GSM髙頻段信號輸出端(GSM—HB/TD—OUT)、GSM低頻段輸出端(LB—OUT)。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊，其特征在于所述的功率放大器模塊采用MCM封裝方式。專利摘要本實(shí)用新型涉及一種TD-SCDMA/GSM雙模手機(jī)射頻功率放大器模塊，它包括TD-SCDMA功率放大芯片、GSM功率放大芯片、控制芯片，且TD-SCDMA功率放大芯片、GSM功率放大芯片、控制芯片封裝在一模塊上，該模塊封裝管腳包括設(shè)置在同一側(cè)的多個(gè)輸入端、設(shè)置在另一側(cè)的多個(gè)輸出端，其輸入端包括TD射頻輸入端、發(fā)射使能端、兩雙?？刂贫?、電源輸入端、接地端、GSM輸出功率等級控制輸入端、GSM高頻輸入端、GSM低頻輸入端，其輸出端包括TD_SCDMA射頻信號輸出端、GSM高頻輸出端、GSM低頻輸出端，采用本實(shí)用新型的管腳排布，使得該功率放大器的布線較簡單，從而可進(jìn)一步達(dá)到減少功率放大器模塊的體積的目的。文檔編號H04W88/06GK201345648SQ20082019970公開日2009年11月11日申請日期2008年12月22日優(yōu)先權(quán)日2008年12月22日發(fā)明者脫西河,陳立強(qiáng)申請人:德可半導(dǎo)體(昆山)有限公司