專利名稱：：一種發(fā)射功率的檢測(cè)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及無(wú)線通信
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體而言本發(fā)明涉及發(fā)射功率檢測(cè)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)廣泛采用了CDMA(CodeDivisionMultipleAccess,碼分多址接入)為基礎(chǔ)的接入方式，CDMA與傳統(tǒng)的窄帶通信相比具有更寬的頻譜帶寬，較小的發(fā)射功率，相應(yīng)地其chip(碼片)速率通常也是更高。TD-SCDMA(TimeDivision-SynchronizationCodeDivisionMultipleAccess,時(shí)分同步碼分多址接入)除了具備一般CDMA通信的特征，還具有其特有的時(shí)分特性。TD-SCDMA物理信道中每個(gè)無(wú)線幀長(zhǎng)10ms,每個(gè)無(wú)線幀分為兩個(gè)5ms的子幀，每個(gè)子幀由長(zhǎng)度675us的7個(gè)常規(guī)時(shí)隙和3個(gè)特殊時(shí)隙組成。3個(gè)特殊時(shí)隙分別是下行導(dǎo)頻時(shí)隙、上行下行導(dǎo)頻時(shí)隙和保護(hù)時(shí)隙。TD-SCDMA所有下行時(shí)隙中只有下行導(dǎo)頻在各種狀態(tài)下都存在并且功率是比較穩(wěn)定的。下行導(dǎo)頻的功率與其他時(shí)隙的功率、基站的總的發(fā)射功率存在對(duì)應(yīng)關(guān)系，因此，如果能準(zhǔn)確檢測(cè)出下行導(dǎo)頻的功率，就能確定其他時(shí)隙的功率、基站的總的發(fā)射功率。3GPP(ThirdGenerationPartnershipProject,第三代合作伙伴計(jì)劃)25.142TD-SCDMA基站一致性測(cè)試規(guī)范中，對(duì)基站最大輸出功率的相關(guān)規(guī)定是通常情況下，基站最大輸出功率要在生產(chǎn)商的標(biāo)稱輸出功率PRAT土2dB之內(nèi)；極端情況下，基站最大輸出功率要子生產(chǎn)商的標(biāo)稱輸出功率PRAT士2.5dB之內(nèi)；考慮到測(cè)試系統(tǒng)帶來(lái)的不確定度，通常情況下，基站最大輸出功率在PRAT士2.7dB之內(nèi)；考慮到測(cè)試系統(tǒng)帶來(lái)的不確定度，極端情況下，基站最大輸出功率在PRAT士3.2dB之內(nèi)；上述協(xié)議中的通常情況指如下表所示的環(huán)境<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>上述協(xié)議中的極端情況可按照3GPP25.142TD-SCDMA基站一致性測(cè)試規(guī)范中極端測(cè)試環(huán)境中的相關(guān)規(guī)定執(zhí)行。TD-SCDMA通信系統(tǒng)中基站的發(fā)射功率由于外界環(huán)境溫度的變化而變化，基站發(fā)射功率相對(duì)于預(yù)期功率的降低或升高，發(fā)射功率低于預(yù)期功率過(guò)多將影響到基站的覆蓋范圍，發(fā)射功率高于預(yù)期功率過(guò)多可能對(duì)其他基站造成干擾。為避免基站的發(fā)射功率的過(guò)大波動(dòng)影響性能，一般的基站都會(huì)設(shè)計(jì)功率校準(zhǔn)系統(tǒng)，定時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整射頻系統(tǒng)的發(fā)射功率，保證基站的發(fā)射功率在預(yù)期范圍之內(nèi)。由于只有下行導(dǎo)頻存在并且功率是比較穩(wěn)定的，因此功率校準(zhǔn)只能選擇檢測(cè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的功率。下行導(dǎo)頻時(shí)隙由32chip的保護(hù)間隔和64chip的Sync—DL(SynchronizeDownLink,下行同步)碼組成。TD-SCDMA系統(tǒng)中共有128個(gè)小區(qū)擾碼來(lái)區(qū)分不同的小區(qū)，每四個(gè)擾碼組成一組，對(duì)應(yīng)一個(gè)Sync—DL碼，共32組Sync—DL碼字。在建立不同擾碼的小區(qū)時(shí)，基站所發(fā)出的Sync一DL共有32種情況。在信號(hào)發(fā)射過(guò)程中，基帶數(shù)字信號(hào)經(jīng)過(guò)數(shù)字中頻處理過(guò)程中，Sync—DL數(shù)字基帶信號(hào)經(jīng)過(guò)RRC(RootRaisedCosine,根升余弦)成形濾波器后波形會(huì)變化，導(dǎo)致發(fā)射出的Sync一DL在時(shí)域上的波形出現(xiàn)波動(dòng)，而且不同碼字的波動(dòng)規(guī)J聿不相同。現(xiàn)有的TD-SCDMA功率校準(zhǔn)系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)是通過(guò)功率檢測(cè)系統(tǒng)得到當(dāng)前功率，與預(yù)期功率進(jìn)行比較后，調(diào)整射頻系統(tǒng)中的數(shù)控衰減器實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)增益。目前的基站通常應(yīng)用的功率^r測(cè)有以下三種方案1、快響應(yīng)的單點(diǎn);險(xiǎn)測(cè)方案該方案中功率檢測(cè)硬件對(duì)輸入信號(hào)的響應(yīng)時(shí)間較短，可以保證輸出電壓基本反映信號(hào)功率變化。通過(guò)遍歷性實(shí)測(cè)或仿真，在下行導(dǎo)頻時(shí)隙中尋找一個(gè)時(shí)間點(diǎn)，使32組Sync一DL碼字的時(shí)域波形在這一時(shí)刻的功率都比較接近整個(gè)下行導(dǎo)頻的平均功率。功率檢測(cè)時(shí)，由FPGA(FieldProgrammableGateArray,現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)對(duì)這個(gè)固定時(shí)刻的功率檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行數(shù)據(jù)采集。通過(guò)多個(gè)子幀重復(fù)檢測(cè)下行導(dǎo)頻時(shí)最終的功率檢測(cè)值，這個(gè)值即被認(rèn)為是下行導(dǎo)頻時(shí)隙功率，基站使用這個(gè)值進(jìn)行功率校準(zhǔn)。2、快響應(yīng)的多點(diǎn)檢測(cè)方案該方案與第1方案的區(qū)別就在于，F(xiàn)PGA在同一個(gè)子幀對(duì)下行導(dǎo)頻的多個(gè)等間隔的固定時(shí)間點(diǎn)連續(xù)進(jìn)行功率檢測(cè)結(jié)果的數(shù)據(jù)采集，這多個(gè)點(diǎn)的功率檢測(cè)值經(jīng)平均后，得到該幀的功率檢測(cè)值。與第1方案一樣，系統(tǒng)同樣通過(guò)多個(gè)子幀重復(fù)檢測(cè)這些固定點(diǎn)的功率，然后將多個(gè)子幀的檢測(cè)功率進(jìn)行平均而得到最終的功率檢測(cè)值，基站使用這個(gè)值進(jìn)行功率校準(zhǔn)。3、慢響應(yīng)的單點(diǎn)檢測(cè)方案該方案中功率檢測(cè)硬件對(duì)輸入信號(hào)的響應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)，輸出的電壓是對(duì)輸入信號(hào)的在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)的平均。在一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙周期內(nèi)FPGA采集對(duì)應(yīng)一個(gè)時(shí)刻功率的數(shù)字量，基站功率校準(zhǔn)軟件進(jìn)行換算得到功率值，通過(guò)多個(gè)子幀重復(fù)檢測(cè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙同一點(diǎn)的功率，然后將這多個(gè)子幀檢測(cè)的功率值進(jìn)行平均后得到最終的功率檢測(cè)值，基站使用這個(gè)值進(jìn)行功率校準(zhǔn)。上述技術(shù)方案存在如下的缺點(diǎn)上述方案1在理論上可以通過(guò)仿真或?qū)嶒?yàn)測(cè)試尋找到下行導(dǎo)頻的某一個(gè)固定的點(diǎn)作為功率檢測(cè)點(diǎn)，使32個(gè)Sync—DL碼字在這一點(diǎn)的功率都比較接近于下行導(dǎo)頻的平均功率。但是，通過(guò)仿真發(fā)現(xiàn)，實(shí)際只能找到使32個(gè)Sync—DL碼字全都滿足檢測(cè)功率處于下行導(dǎo)頻功率士2.0dB范圍內(nèi)的點(diǎn)，而更高精度范圍的點(diǎn)并不能找到，實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果相似。因此這就限制了這種方案的最高功率檢測(cè)精度不可能超過(guò)土2.0dB。而且，方案1對(duì)發(fā)射通道的時(shí)延要求比較嚴(yán)格，如果實(shí)際基站發(fā)射通道的時(shí)延與仿真條件有差異，那么得到的結(jié)果將會(huì)更差。上述方案2考慮到下行導(dǎo)頻時(shí)隙的時(shí)域波形存在起伏波動(dòng)，所以連續(xù)選取多個(gè)采樣點(diǎn)進(jìn)行平均得到一次采樣結(jié)果，即一幀的功率檢測(cè)值，采取多次平均后作為整個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的平均功率進(jìn)行功率校準(zhǔn)。但是由于受到FPGA數(shù)據(jù)處理時(shí)延的限制，這個(gè)檢測(cè)點(diǎn)數(shù)通常都很少，一般只能有4到5個(gè)檢測(cè)點(diǎn)。因此這種多點(diǎn)檢測(cè)方案還是不能獲得足夠的功率檢測(cè)精度，并且如果這些點(diǎn)恰好都取在了功率較高點(diǎn)或者較低點(diǎn)還有可能造成功率檢測(cè)結(jié)果的較大誤差。同樣這種方案對(duì)發(fā)射通道的時(shí)延要求很?chē)?yán)格，如果不同基站發(fā)射通道的時(shí)延稍有差異，檢測(cè)結(jié)果就可能存在很大差異。上述方案3需要調(diào)整功率檢測(cè)硬件對(duì)信號(hào)的響應(yīng)時(shí)間到一個(gè)合適值，使其輸出電平的某一時(shí)間段可以反映信號(hào)平均功率，然后在這個(gè)時(shí)間段內(nèi)做功率檢測(cè)，這個(gè)方法需要對(duì)硬件進(jìn)行單板調(diào)試找到合適的響應(yīng)時(shí)間。該方案會(huì)因?yàn)槠骷灰恢滦远鴰?lái)較大誤差，而且也不能完全消除上面提到的不同Sync_DL碼字的下行導(dǎo)頻時(shí)隙波動(dòng)劇烈?guī)?lái)的較大誤差。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提出一種發(fā)射功率的檢測(cè)方法及裝置，目的旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問(wèn)題之一。為了到達(dá)上述目的，本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)射功率的檢測(cè)方法，對(duì)下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行多點(diǎn)采樣，使得所獲得的各采樣點(diǎn)功率的平均值接近于整個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的平均功率。本方法包括以下步驟選擇m個(gè)子幀作為待檢測(cè)子幀，所述m為大于l的整數(shù)；依次對(duì)所述待檢測(cè)子幀的下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)功率采樣，所述n為正整數(shù)，其中，后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移△T;對(duì)上述nxm個(gè)功率采樣點(diǎn)得到的功率采樣結(jié)果進(jìn)行平均，得到下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率，通過(guò)所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率確定發(fā)射功率。作為上述方法的實(shí)施例，對(duì)所述待檢測(cè)子幀的第一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)間隔相等的功率采樣。在上述實(shí)施例中，所述m、n和AT滿足下列關(guān)系nx(mxAT)<下行導(dǎo)頻時(shí)隙所占的時(shí)間。作為上述方法的實(shí)施例，所述時(shí)間偏移厶T依賴于基站數(shù)字中頻成形濾波器的器件參數(shù)。'作為上述方法的實(shí)施例，確定所述時(shí)間偏移AT包括以下步驟確定基站數(shù)字中頻RRC成形濾波器的內(nèi)插倍數(shù)；確定所需的功率檢測(cè)精度，通過(guò)實(shí)驗(yàn)仿真確定采樣間隔，使得在所述采樣間隔下獲得的各采樣點(diǎn)的平均功率，相對(duì)于經(jīng)過(guò)所述基站數(shù)字中頻RRC成形濾波器濾波的所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的實(shí)際功率不失真；將所述時(shí)間偏移AT取值為所述采樣間隔。在上述實(shí)施例中，所述基站數(shù)字中頻RRC成形濾波器的內(nèi)插倍數(shù)為60。在上述實(shí)施例中，所述所需的功率檢測(cè)精度為檢測(cè)誤差不大于0.015dB。在上述實(shí)施例中，所述采樣間隔為1/8chip或1/4chip。作為上述方法的實(shí)施例，所述n依賴于基站內(nèi)采樣處理器處理數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間。作為上述方法的實(shí)施例，所述n點(diǎn)采樣包括以下步驟確定基站內(nèi)采樣處理器處理數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間；確定一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙內(nèi)的有效檢測(cè)時(shí)間；在所述一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙內(nèi)的有效4全測(cè)時(shí)間內(nèi)進(jìn)行n點(diǎn)采樣，采樣間隔不小于所述基站內(nèi)采樣處理器處理數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間。在上述實(shí)施例中，所述一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙內(nèi)的有效檢測(cè)時(shí)間不包括下行導(dǎo)頻時(shí)隙開(kāi)始時(shí)的頭4個(gè)chip和結(jié)束前的后4個(gè)chip。本發(fā)明還公開(kāi)了一種基站自適應(yīng)調(diào)整發(fā)射功率的方法，包括以下步驟選擇m個(gè)子幀作為待檢測(cè)子幀，所述m為大于l的整數(shù)；基站依次對(duì)所述待檢測(cè)子幀的下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)功率采樣，所述n為正整數(shù)，其中，后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移AT;所述基站對(duì)所述nxm個(gè)功率采樣點(diǎn)的功率采樣結(jié)果進(jìn)行平均，得到下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率，通過(guò)所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率確定所述基站的發(fā)射功率；所述基站根據(jù)得到的所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率對(duì)所述基站的發(fā)射功率進(jìn)行自適應(yīng)調(diào)整。本發(fā)明還公開(kāi)了一種發(fā)射功率檢測(cè)裝置，包括設(shè)置保存模塊、采樣模塊和計(jì)算模塊所述設(shè)置保存模塊，用于保存作為待檢測(cè)子幀的個(gè)數(shù)m、每個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的功率采樣點(diǎn)數(shù)n、采樣起始時(shí)刻和體現(xiàn)功率檢測(cè)精度的時(shí)間偏移AT，其中，所述m為大于1的整數(shù)，所述n為正整數(shù)；所述采樣模塊，用于依次對(duì)所述待檢測(cè)子幀的下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)功率采樣，其中，后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移AT;所述計(jì)算模塊，用于將所述采樣模塊得到所述nxm個(gè)采樣點(diǎn)的功率采樣結(jié)果進(jìn)行平均，得到所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率，通過(guò)所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率確定所述基站的發(fā)射功率。作為上述裝置的實(shí)施例，還包括仿真模塊，所述時(shí)間偏移AT通過(guò)仿真模塊仿真得到，所述仿真模塊根據(jù)基站數(shù)字中頻RRC成形濾波器的內(nèi)插倍數(shù)和所需的功率檢測(cè)精度，通過(guò)實(shí)驗(yàn)仿真確定采樣間隔，使得在所述采樣間隔下獲得的各采樣點(diǎn)的平均功率，相對(duì)于經(jīng)過(guò)所述基站數(shù)字中頻RRC成形濾波器濾波的所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的實(shí)際功率不失真。作為上述裝置的實(shí)施例，所述設(shè)置保存模塊中設(shè)置進(jìn)行功率檢測(cè)的時(shí)間具體為功率采樣點(diǎn)總數(shù)或檢測(cè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的個(gè)數(shù)。作為上述裝置的實(shí)施例，所述采樣模塊為FPGA，所述n由所述FPGA處理數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間所決定。本發(fā)明的技術(shù)方案具備的優(yōu)點(diǎn)是(1)精度高利用本發(fā)明的技術(shù)方案，通過(guò)多次多臺(tái)基站的實(shí)驗(yàn)，功率校準(zhǔn)后的基站功率檢測(cè)值與頻譜儀測(cè)量到的實(shí)際功率最大誤差小于0.5dB。(2)消除了不同Sync—DL碼字對(duì)功率檢測(cè)值的影響實(shí)驗(yàn)測(cè)試表明，32個(gè)不同Sync—DL碼字的功率檢測(cè)誤差在0.38dB以內(nèi)。(3)消除了射頻通道的時(shí)延對(duì)功率檢測(cè)值的影響實(shí)驗(yàn)測(cè)試表明，對(duì)于同一個(gè)Sync一DL碼字小區(qū)，設(shè)置不同射頻通道時(shí)延所測(cè)得的率檢測(cè)誤差在0.39dB以內(nèi)。(4)節(jié)省資源本發(fā)明的技術(shù)方案雖然進(jìn)行高采樣精度的多點(diǎn)功率檢測(cè)，但是通過(guò)仿真實(shí)驗(yàn)獲得合適的功率采樣間隔后，可以在保證功率檢測(cè)精度足夠高的提前下，最大限度地節(jié)省數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理資源。圖1為本發(fā)明基站功率檢測(cè)實(shí)現(xiàn)方案示意圖2為本發(fā)明每個(gè)子幀進(jìn)行兩點(diǎn)采樣的功率檢測(cè)實(shí)施方案示意圖3為本發(fā)明不同采樣間隔的功率檢測(cè)仿真結(jié)果圖4為本發(fā)明不同采樣間隔下功率檢測(cè)誤差仿真結(jié)果圖5為本發(fā)明每個(gè)子幀進(jìn)行四點(diǎn)采樣的功率檢測(cè)實(shí)施方案示意ii圖6為本發(fā)明實(shí)際測(cè)試示意圖7為本發(fā)明發(fā)射功率檢測(cè)裝置示意圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明主要提出一種發(fā)射功率的檢測(cè)方法及裝置，對(duì)m個(gè)子幀的下行導(dǎo)頻時(shí)隙依次進(jìn)行n點(diǎn)采樣，并且后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移△T;這樣就使得所獲得的nxm個(gè)功率采樣點(diǎn)功率值的平均值非常接近于整個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的平均功率值，從而能夠更加精確地對(duì)發(fā)射功率進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明可用于對(duì)基站的發(fā)射功率進(jìn)行檢測(cè)，得到更精確的檢測(cè)結(jié)果，使得基站對(duì)自身發(fā)射功率的調(diào)整更加有效。當(dāng)然本發(fā)明提出的檢測(cè)方法不僅可用于對(duì)基站的檢測(cè)，還可應(yīng)用到其他無(wú)線設(shè)備發(fā)射功率的檢測(cè)，因此基于本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)任何對(duì)本發(fā)明的專用或變化均應(yīng)為本發(fā)明保護(hù)范圍所涵蓋。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述如圖1所示，為本發(fā)明采用的基站功率檢測(cè)實(shí)現(xiàn)方案示意圖，其中，功率耦合器耦合發(fā)射模塊發(fā)射信號(hào)后送入功率檢測(cè)器，功率檢測(cè)器為RMS(root-mean-square,均方根)；險(xiǎn)波方式的檢波器，輸入RF信號(hào)輸出模擬電壓值，功率與電壓按照一定關(guān)系對(duì)應(yīng)。功率檢測(cè)器輸出的電壓通過(guò)AD變化為數(shù)字量，由采樣處理器，如MCU或FPGA等設(shè)備，在某一時(shí)刻或某些時(shí)刻對(duì)功率檢測(cè)的數(shù)字結(jié)果進(jìn)行采集，并發(fā)送給相應(yīng)軟件模塊做后續(xù)處理。本發(fā)明提出的檢測(cè)實(shí)現(xiàn)方法包括以下步驟選擇m個(gè)子幀作為待檢測(cè)子幀，所述m為大于l的整數(shù)；依次對(duì)所述待檢測(cè)子幀的下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)功率采樣，所述n為正整數(shù)，其中，后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移△T;對(duì)上述nxm個(gè)功率采樣點(diǎn)得到的功率采樣結(jié)果進(jìn)行平均，得到下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率，通過(guò)所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率確定發(fā)射功率。作為本發(fā)明的實(shí)施例，將本發(fā)明應(yīng)用于TD-SCDMA基站發(fā)射功率的4全測(cè)中。通過(guò)對(duì)具體實(shí)施例的說(shuō)明，以對(duì)本發(fā)明的內(nèi)涵作進(jìn)一步闡述。TD-SCDMA基站下發(fā)的一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙由64個(gè)chip構(gòu)成。顯然，本發(fā)明中的下行導(dǎo)頻時(shí)隙可以為整個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙，也可以是下行導(dǎo)頻時(shí)隙的部分時(shí)間段。考慮到下行導(dǎo)頻起始和結(jié)束時(shí)候的功率可能不夠穩(wěn)定，優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，功率檢測(cè)點(diǎn)只包含在一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙中下行導(dǎo)頻開(kāi)始4個(gè)chip后到結(jié)束前的4個(gè)chip之間的時(shí)間長(zhǎng)度，總共56chip。根據(jù)本發(fā)明所描述的方法，nxm個(gè)功率采樣點(diǎn)為在對(duì)基站的發(fā)射功率進(jìn)行一次完整的測(cè)試中所需要采集的功率采樣點(diǎn)。顯然，采樣點(diǎn)總數(shù)nxm以及采樣間隔，也就是采樣精度，體現(xiàn)了不同的功率檢測(cè)要求?；诒绢I(lǐng)域技術(shù)人員的常識(shí)，可以對(duì)m、n的取值作出各種調(diào)整，上述各種參數(shù)的變化均應(yīng)為本發(fā)明保護(hù)范圍所涵蓋。下面通過(guò)實(shí)施例對(duì)所述參數(shù)的含義作進(jìn)一步的闡述。如圖2所示，作為本發(fā)明的實(shí)施例，為本發(fā)明每子幀檢測(cè)兩點(diǎn)的功率檢測(cè)實(shí)施方案示意圖。在圖2中，顯示的是一個(gè)子幀的下行導(dǎo)頻的時(shí)域波形，出于示意的目的，將各個(gè)采樣點(diǎn)示意于圖中。在第一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的檢測(cè)起始點(diǎn)與檢測(cè)終止點(diǎn)之間，進(jìn)行兩次功率采樣al、bl，第一次采樣時(shí)刻為有效卩險(xiǎn)測(cè)時(shí)間開(kāi)始的時(shí)刻，二分之一有效;險(xiǎn)測(cè)時(shí)間過(guò)后，進(jìn)行第二次采樣。所述兩個(gè)采樣點(diǎn)將第一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙內(nèi)的有效檢測(cè)時(shí)間等分，對(duì)待檢測(cè)子幀的下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行兩點(diǎn)間隔相等的功率采樣。其中，a2、b2示意為下一個(gè)子幀中的2個(gè)采樣點(diǎn)，同理，am、bm示意為第m個(gè)子幀中的2個(gè)采樣點(diǎn)。在本實(shí)施例中，后一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于第一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移△T;時(shí)間偏移△T的大小可以根據(jù)采樣精度的要求進(jìn)行設(shè)定，只需要保證nx(mxAT)《檢測(cè)起始點(diǎn)與檢測(cè)終止點(diǎn)之間的時(shí)間。在本實(shí)施例中，n取值為2。顯然，在已經(jīng)確定采樣點(diǎn)總數(shù)和每子幀采樣次數(shù)的條件下，即m、n已經(jīng)確定的情所檢測(cè)的下行導(dǎo)頻時(shí)隙的范圍也越小。顯然，基于本領(lǐng)域技術(shù)人員的采樣形式，可以對(duì)采樣方式作出各種調(diào)整，所述變化應(yīng)為本發(fā)明保護(hù)范圍所涵蓋。時(shí)間偏移AT反映采樣精度，基于本領(lǐng)域技術(shù)人員的常識(shí)，可以對(duì)時(shí)間偏移AT的取^直作出各種調(diào)整，例如，時(shí)間偏移AT可以相對(duì)于參考點(diǎn)向前偏移或向后偏移，偏移量的大小也可以作適當(dāng)調(diào)整，只需要保證各個(gè)采樣點(diǎn)落在有效檢測(cè)時(shí)間之內(nèi)即可，所述變化應(yīng)為本發(fā)明保護(hù)范圍所涵蓋。下面通過(guò)具體實(shí)施例給出一種確定時(shí)間偏移AT的優(yōu)選實(shí)施方式，同時(shí)對(duì)m、n的含義也作進(jìn)一步闡述。在本實(shí)施例中，被測(cè)基站的數(shù)字中頻RRC成形濾波器內(nèi)插倍數(shù)為60。被測(cè)基站的數(shù)字中頻RRC成形濾波器采用的內(nèi)插倍數(shù)是60倍，也就是一個(gè)chip變成了60個(gè)符號(hào)。因此以1/60chip采樣精度獲得的各采樣點(diǎn)RMS功率的平均功率可以視為整個(gè)下行導(dǎo)頻的平均功率。雖然以1/60chip的采樣間隔完全能滿足功率4全測(cè)精度的要求，但是以1/60chip的采樣間隔進(jìn)行采樣，在一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的有效檢測(cè)時(shí)間內(nèi)，例如，功率檢測(cè)點(diǎn)只包含在一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙中下行導(dǎo)頻開(kāi)始4個(gè)chip后到結(jié)束前的4個(gè)chip之間的時(shí)間長(zhǎng)度，總共56chip,則一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙采樣點(diǎn)為60x56,如果需要對(duì)m個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行檢測(cè)，總采樣點(diǎn)為60x56xm,無(wú)論是測(cè)試時(shí)間、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)還是數(shù)據(jù)處理資源，消耗都非常巨大。優(yōu)選地，本實(shí)施例通過(guò)以下方式解決上述采樣點(diǎn)與采樣精度的矛盾通過(guò)實(shí)驗(yàn)仿真，對(duì)各種采樣精度進(jìn)行比較，從中選擇出合適的采樣間隔，在滿足采樣精度的條件下，降低采樣點(diǎn)數(shù)。如圖3所示，為本發(fā)明不同采樣間隔的功率檢測(cè)仿真結(jié)果圖；如圖4所示，為本發(fā)明不同采樣間隔下功率檢測(cè)誤差仿真結(jié)果圖。對(duì)TD-SCDMA系統(tǒng)中32個(gè)Sync—DL碼字的下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行功率檢測(cè)仿真，通過(guò)仿真實(shí)驗(yàn)可以得到結(jié)果是，1/8chip和1/4chip采樣精度結(jié)果均和1/60chip的采樣精度結(jié)果非常接近，前兩者與后者的誤差均小于0.015dB;1/2chip采樣精度結(jié)果和1/60chip的采樣精度結(jié)果有比較明顯的誤差，誤差接近O.ldB;而lchip采樣精度結(jié)果和1/60chip的采樣精度結(jié)果誤差很大，誤差接近ldB。優(yōu)選地，在本實(shí)施例中，所要求的功率檢測(cè)精度為功率檢測(cè)誤差不大于0.015dB,根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)仿真分析，將采樣精度優(yōu)選為1/4chip。因此，在一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙內(nèi)的有效檢測(cè)時(shí)間內(nèi)，也就是在一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙中下行導(dǎo)頻起始后4chip到結(jié)束前4chip的時(shí)間長(zhǎng)度、總共56chip內(nèi)，需要的采樣點(diǎn)數(shù)為56x4=224。作為本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，基站內(nèi)部的采樣處理器為FPGA。在本實(shí)施例中，基站內(nèi)部的FPGA對(duì)數(shù)據(jù)處理響應(yīng)時(shí)間不能低于8.5us，即FPGA處理兩次數(shù)據(jù)的間隔不能小于8.5us。每個(gè)chip為0.78125us而整個(gè)采樣長(zhǎng)度為56x0.78125-43.75us，因此對(duì)56x4點(diǎn)的采樣顯然不能在一個(gè)子幀里完成。由于下行導(dǎo)頻波形在一個(gè)周期校準(zhǔn)周期內(nèi)的不同子幀非常穩(wěn)定，因此可以考慮采用以下方式實(shí)現(xiàn)在一個(gè)子幀里進(jìn)行11==4個(gè)點(diǎn)的采樣，這4個(gè)點(diǎn)的時(shí)間間隔為10.9375us,檢測(cè)這4個(gè)點(diǎn)的功率值；在下一幀由FPGA將這4個(gè)一全測(cè)點(diǎn)均向后平移1/4chip再進(jìn)行檢測(cè)，以此類推，直到完成所需要的56x4點(diǎn)的功率檢測(cè)。通過(guò)上述56x4點(diǎn)功率采樣，將上述56x4采樣點(diǎn)的功率值平均后，即可以作為整個(gè)下行導(dǎo)頻的平均功率。如圖5所示，為本發(fā)明每子幀檢測(cè)四點(diǎn)的功率檢測(cè)實(shí)施方案示意圖。作為本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，選出基站下發(fā)的下行導(dǎo)頻信號(hào)的連續(xù)m個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行功率檢測(cè)，即對(duì)連續(xù)m個(gè)下行子幀進(jìn)行檢測(cè)，每幀采樣n個(gè)點(diǎn)，其中111=56,n=4。明顯，也可以選擇非連續(xù)的多個(gè)子幀進(jìn)行檢測(cè)。在圖5中，顯示的是一個(gè)子幀的下行導(dǎo)頻的時(shí)域波形，al、bl、cl、dl示意為在第一個(gè)子幀中的間隔10.9375us的4個(gè)采樣點(diǎn)，a2、b2、c2、d2示意為第二個(gè)子幀中的間隔10.9375us的4個(gè)采樣點(diǎn)，同理，am、bm、cm、dm示意為第m個(gè)子幀中的間隔10.9375us的4個(gè)采樣點(diǎn)?？梢杂?jì)算出完成一次功率檢測(cè)所需的時(shí)間。例如，如果基站功率才全測(cè)以每一幀10ms進(jìn)行一輪下行導(dǎo)頻時(shí)隙內(nèi)的采樣，則224點(diǎn)功率檢測(cè)時(shí)間為10x224/4=560ms。通常TD-SCDMA基站的周期校準(zhǔn)時(shí)間一般都是至少數(shù)十秒鐘進(jìn)行一次。因此，這種檢測(cè)速度完全能夠滿足基站周期校準(zhǔn)的要求。如圖6所示，為本發(fā)明實(shí)際測(cè)試示意圖。作為本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，測(cè)試中使用額定功率為2W的微基站，建立滿功率小區(qū)，下行導(dǎo)頻的功率，PCCPCH信道的功率和TS4、TS5、TS6下行業(yè)務(wù)時(shí)隙的功率均配置為33dBm，經(jīng)過(guò)多次周期校準(zhǔn)后，在基站天線口使用頻譜儀測(cè)量TS4時(shí)隙的RMS功率。下表為兩種不同檢測(cè)方案對(duì)TS4時(shí)隙的功率檢測(cè)數(shù)據(jù)，功率單位為dBm。其中現(xiàn)有方案為
背景技術(shù)：
中介紹的快響應(yīng)的多點(diǎn)檢測(cè)方案，具體為采用4點(diǎn)檢測(cè)的快響應(yīng)檢測(cè)方案。Snyc—DL碼字01234567現(xiàn)有方案的檢測(cè)結(jié)果33.27832.12433.71632.09133.20632.09632.12833.820本發(fā)明的檢測(cè)結(jié)果33.06632.78032.99032.73932.74532.96733.00233.083Snyc—DL碼字89101112131415現(xiàn)有方案的檢測(cè)結(jié)果33.63234.23332.15733.71733,14132.03933.68033.711本發(fā)明的檢測(cè)結(jié)果32.89633.01733.04132.98532.91232,90232.93632.972Snyc—DL碼字1617181920212223現(xiàn)有方案的檢測(cè)結(jié)果32.14332.07534.70132.11432,10733.19232.05332.121本發(fā)明的檢測(cè)結(jié)果33.01732.931」32.95232.97232.93932.92832,89832.971Snyc一DL碼字2425262728293031現(xiàn)有方案的檢測(cè)結(jié)果33.22433.21833.21732.11932.01932.10333.70632,018本發(fā)明的檢測(cè)結(jié)果32.96032.94432.95032.97432.86132.94832.93832.861對(duì)檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行比較，可以得到以下結(jié)論，現(xiàn)有方案的檢測(cè)結(jié)果顯示輸出功率的最大正負(fù)向誤差為1.701dB和-0.982dB，以本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行檢測(cè)，輸出功率的最大正負(fù)向誤差為0.083dB和-0.261dB。顯然，本發(fā)明的技術(shù)方案的功率控制精度明顯優(yōu)于現(xiàn)有的方案。本發(fā)明還提出了一種基站自適應(yīng)調(diào)整發(fā)射功率的方法，包括以下步驟步驟l,基站選擇m個(gè)子幀作為待檢測(cè)子幀，其中m至少為2;16步驟2,基站依次對(duì)待檢測(cè)子幀的下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)功率采樣，其中，后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移AT;步驟3，基站對(duì)nxm個(gè)功率采樣點(diǎn)的功率采樣結(jié)果進(jìn)行平均，得到下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率，通過(guò)下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率確定基站的發(fā)射功率；步驟4,基站根據(jù)得到的下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率對(duì)基站自身的發(fā)射功率進(jìn)行自適應(yīng)調(diào)整。作為本發(fā)明的實(shí)施例，將本發(fā)明應(yīng)用于TD-SCDMA基站。TD-SCDMA基站由于只有下行導(dǎo)頻存在并且功率是比較穩(wěn)定的，因此在功率校準(zhǔn)中，利用本發(fā)明，能高精度地檢測(cè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的功率，從導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率能推算基站的發(fā)射功率，并以此作出發(fā)射功率的調(diào)整，確保發(fā)射功率符合額定功率的要求。如圖7所示，為本發(fā)明發(fā)射功率檢測(cè)裝置示意圖，該發(fā)射功率檢測(cè)裝置包括設(shè)置保存模塊11、采樣模塊12和計(jì)算模塊13:設(shè)置保存模塊11用于保存作為待檢測(cè)子幀的個(gè)數(shù)m、每個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的功率采樣點(diǎn)數(shù)n、采樣起始時(shí)刻和體現(xiàn)功率檢測(cè)精度的時(shí)間偏移AT;采樣模塊12用于依次對(duì)待檢測(cè)子幀的下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)功率采樣，其中，后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移AT;計(jì)算模塊13用于將采樣模塊得到的采樣點(diǎn)的功率值進(jìn)行平均，由此得到下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率。作為上述裝置的一個(gè)實(shí)施例，其中還包括仿真模塊14，時(shí)間偏移△T通過(guò)仿真模塊仿真得到，仿真模塊根據(jù)基站數(shù)字中頻RRC成形濾波器的內(nèi)插倍數(shù)和所需的功率檢測(cè)精度，通過(guò)實(shí)驗(yàn)仿真確定采樣間隔，使得在采樣間隔下獲得的各采樣點(diǎn)的平均功率相對(duì)于所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的實(shí)際功率不失真，其中，時(shí)間偏移AT取值為采樣間隔。作為上述裝置的一個(gè)實(shí)施例，設(shè)置保存模塊11中設(shè)置進(jìn)行功率檢測(cè)的時(shí)間具體為功率采樣點(diǎn)總數(shù)或檢測(cè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的個(gè)數(shù)。例如，設(shè)置保存模塊中設(shè)定的檢測(cè)m個(gè)導(dǎo)頻信號(hào)時(shí)隙，在此條件下，采樣模塊將對(duì)m個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行功率檢測(cè)，每個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)的功率采樣，其中后一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的n點(diǎn)功率采樣中的每一個(gè)采樣點(diǎn)與前一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的n點(diǎn)功率采樣中的相對(duì)應(yīng)采樣點(diǎn)之間的時(shí)間偏移AT由仿真模塊提供，使得獲得的各采樣點(diǎn)的平均功率相對(duì)于所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的實(shí)際功率不失真。作為上述裝置的一個(gè)實(shí)施例，采樣模塊12為FPGA，每個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的功率采樣點(diǎn)數(shù)n由FPGA處理數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間所決定。顯然，采樣模塊12也可以是MCU等其它采樣設(shè)備。本發(fā)明的技術(shù)方案的應(yīng)用，具有至少以下優(yōu)點(diǎn)之一。首先，功率檢測(cè)精度高，通過(guò)多次多臺(tái)基站的實(shí)驗(yàn)表明，功率校準(zhǔn)后的基站功率檢測(cè)值與頻i普儀測(cè)量到的實(shí)際功率最大誤差小于0.5dB。同時(shí)，本發(fā)明的技術(shù)方案消除了不同Sync一DL碼字對(duì)導(dǎo)頻信號(hào)功率檢測(cè)值的影響，實(shí)驗(yàn)測(cè)試表明，32個(gè)不同Sync一DL碼字的功率檢測(cè)誤差在0.38dB以內(nèi)。而且，本發(fā)明的技術(shù)方案消除了射頻通道的時(shí)延對(duì)功率檢測(cè)值的影響，實(shí)驗(yàn)測(cè)試表明，對(duì)于同一個(gè)Sync—DL碼字小區(qū)，設(shè)置不同射頻通道時(shí)延所測(cè)得的功率檢測(cè)誤差在0.39dB以內(nèi)。最后，本發(fā)明的技術(shù)方案能在提高檢測(cè)精度的同時(shí)充分利用現(xiàn)有資源，通過(guò)仿真獲得合適的功率采樣間隔后，在保證功率檢測(cè)精度足夠高的前提下最大限度地節(jié)省數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理資源。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，可以對(duì)本發(fā)明做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。權(quán)利要求1、一種發(fā)射功率的檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟選擇m個(gè)子幀作為待檢測(cè)子幀，所述m為大于1的整數(shù)；依次對(duì)所述待檢測(cè)子幀的下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)功率采樣，所述n為正整數(shù)，其中，后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移ΔT；對(duì)上述n×m個(gè)功率采樣點(diǎn)得到的功率采樣結(jié)果進(jìn)行平均，得到下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率，通過(guò)所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率確定發(fā)射功率。2、如權(quán)利要求1所述的發(fā)射功率的檢測(cè)方法，其特征在于，對(duì)所述待檢測(cè)子幀的第一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)間隔相等的功率采樣。3、如權(quán)利要求2所述的發(fā)射功率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述m、n和AT滿足下列關(guān)系nx(mxAT)<下行導(dǎo)頻時(shí)隙所占的時(shí)間。4、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射功率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述時(shí)間偏移AT依賴于基站數(shù)字中頻成形濾波器的器件參數(shù)。5、如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)射功率的檢測(cè)方法，其特征在于，確定所述時(shí)間偏移AT包括以下步驟確定基站數(shù)字中頻根升余弦RRC成形濾波器的內(nèi)插倍數(shù)；確定所需的功率檢測(cè)精度，通過(guò)實(shí)驗(yàn)仿真確定采樣間隔，使得在所述采樣間隔下獲得的各采樣點(diǎn)的平均功率，相對(duì)于經(jīng)過(guò)所述基站數(shù)字中頻RRC成形濾波器濾波的所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的實(shí)際功率不失真；將所述時(shí)間偏移△T取值為所述采樣間隔。6、如權(quán)利要求5所述的發(fā)射功率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述基站數(shù)字中頻RRC成形濾波器的內(nèi)插倍數(shù)為60。7、如權(quán)利要求6所述的發(fā)射功率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述所需的功率檢測(cè)精度為檢測(cè)誤差不大于0.015dB。8、如權(quán)利要求7所述的發(fā)射功率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述采樣間隔為1/8碼片chip或1/4chip。9、如權(quán)利要求1所述的基站發(fā)射功率的檢測(cè)實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于，所述n依賴于基站內(nèi)采樣處理器處理數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間。10、如權(quán)利要求1所述的發(fā)射功率的檢測(cè)方法，其特征在于，所述n點(diǎn)采樣包括以下步驟確定基站內(nèi)采樣處理器處理數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間；確定一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙內(nèi)的有效;險(xiǎn)測(cè)時(shí)間；在所述一個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙內(nèi)的有效4企測(cè)時(shí)間內(nèi)進(jìn)行n點(diǎn)采樣，采樣間隔不小于所述基站內(nèi)采樣處理器處理數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間。11、如權(quán)利要求IO所述的發(fā)射功率的檢測(cè)方法，其特征在于，所頭4個(gè)chip和結(jié)束前的后4個(gè)chip。12、一種基站自適應(yīng)調(diào)整發(fā)射功率的方法，其特征在于，包括以下步驟選擇m個(gè)子幀作為待檢測(cè)子幀，所述m為大于1的整數(shù)；所述n為正整數(shù)，其中，后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移△T;所述基站對(duì)所述nxm個(gè)功率采樣點(diǎn)的功率采樣結(jié)果進(jìn)行平均，得到下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率，通過(guò)所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率確定所述基站的發(fā)射功率；所述基站根據(jù)得到的所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率對(duì)所述基站的發(fā)射功率進(jìn)行自適應(yīng)調(diào)整。13、一種發(fā)射功率檢測(cè)裝置，其特征在于，包括設(shè)置保存模塊、采樣模塊和計(jì)算模塊所述設(shè)置保存模塊，用于保存作為待檢測(cè)子幀的個(gè)數(shù)m、每個(gè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的功率采樣點(diǎn)數(shù)n、采樣起始時(shí)刻和體現(xiàn)功率檢測(cè)精度的時(shí)間偏移AT,其中，所述m為大于l的整數(shù)，所述n為正整數(shù)；n點(diǎn)功率采樣，其中，后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移△T;所述計(jì)算模塊，用于將所述采樣模塊得到所述nxm個(gè)采樣點(diǎn)的功率采樣結(jié)果進(jìn)行平均，得到所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率，通過(guò)所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率確定所述基站的發(fā)射功率。14、如權(quán)利要求13所述的發(fā)射功率檢測(cè)裝置，其特征在于，還包括仿真模塊，所述時(shí)間偏移AT通過(guò)仿真模塊仿真得到，所述仿真模塊根據(jù)基站數(shù)字中頻RRC成形濾波器的內(nèi)插倍數(shù)和所需的功率檢測(cè)精度，通過(guò)實(shí)驗(yàn)仿真確定采樣間隔，使得在所述采樣間隔下獲得的各采樣點(diǎn)的平均功率，相對(duì)于經(jīng)過(guò)所述基站數(shù)字中頻RRC成形濾波器濾波的所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的實(shí)際功率不失真。15、如權(quán)利要求13所述的發(fā)射功率檢測(cè)裝置，其特征在于，所述設(shè)置保存模塊中設(shè)置進(jìn)行功率檢測(cè)的時(shí)間具體為功率采樣點(diǎn)總數(shù)或檢測(cè)下行導(dǎo)頻時(shí)隙的個(gè)數(shù)。16、如權(quán)利要求13所述的發(fā)射功率檢測(cè)裝置，其特征在于，所述采樣模塊為現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列FPGA，所述n由所述FPGA處理數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間所決定。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)射功率的檢測(cè)方法及裝置。其中所述方法包括以下步驟選擇m個(gè)子幀作為待檢測(cè)子幀，所述m為大于1的整數(shù)；依次對(duì)所述待檢測(cè)子幀的下行導(dǎo)頻時(shí)隙進(jìn)行n點(diǎn)功率采樣，所述n為正整數(shù)，其中，后一下行導(dǎo)頻時(shí)隙的采樣點(diǎn)相對(duì)于前一下行導(dǎo)頻時(shí)隙對(duì)應(yīng)的采樣點(diǎn)具有時(shí)間偏移ΔT；對(duì)所述n×m個(gè)功率采樣點(diǎn)的功率采樣結(jié)果進(jìn)行平均，得到所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率，通過(guò)所述下行導(dǎo)頻信號(hào)的平均功率確定所述發(fā)射功率。本發(fā)明還公開(kāi)了一種功率檢測(cè)裝置。本發(fā)明技術(shù)方案的應(yīng)用，能提高功率檢測(cè)的精度，消除了不同碼字對(duì)功率檢測(cè)值的影響，消除了射頻通道的時(shí)延對(duì)功率檢測(cè)值的影響，并能節(jié)省資源。文檔編號(hào)H04W52/18GK101577591SQ20081010578公開(kāi)日2009年11月11日申請(qǐng)日期2008年5月5日優(yōu)先權(quán)日2008年5月5日發(fā)明者張世進(jìn),衛(wèi)林,軍熊,蔡月民申請(qǐng)人:大唐移動(dòng)通信設(shè)備有限公司