專利名稱：超薄型聲換能器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種超薄型聲換能器，更具體地，涉及一種厚度減小的超薄型聲換能 器，其中構(gòu)建了閉合磁路用于聲能轉(zhuǎn)換。
背景技術(shù)：
一般而言，根據(jù)佛來明(Fleming)左手定律(佛來明左手定律指出當(dāng)有電流流過 的導(dǎo)體置于磁場(chǎng)中時(shí)，力施加到該導(dǎo)體上)，揚(yáng)聲器通過存在于氣隙中的線圈部分將電能轉(zhuǎn) 換成機(jī)械能。即，當(dāng)包含各種頻率的電流信號(hào)施加到音圈上時(shí)，該音圈根據(jù)電流強(qiáng)度和頻率 等級(jí)生成機(jī)械能。因而，附著到線圈部分的振膜被振動(dòng)，從而產(chǎn)生可聽到的強(qiáng)度的聲壓。通過在由鐵類金屬制成的軛鐵中使用磁鐵(永磁鐵)和頂板(或上板)，揚(yáng)聲器的 磁路被設(shè)計(jì)成使得磁通量能夠與存在于氣隙中的線圈部分成直角互連。線圈部分附著到振 膜，用于通過輸入信號(hào)在上下方向上產(chǎn)生激振力。因此，附著到框架并受該框架限制的振膜 被振動(dòng)以產(chǎn)生聲壓。振膜具有各種波形，以獲得優(yōu)質(zhì)的響應(yīng)特性并消除關(guān)于上下振動(dòng)的屈 曲現(xiàn)象。振膜的形狀成為極大影響頻率特性的設(shè)計(jì)變量。圖1為示出傳統(tǒng)的超薄型聲換能器的截面圖，圖2為示出傳統(tǒng)的超薄型聲換能器 的閉合磁路的結(jié)構(gòu)圖。參見圖1，傳統(tǒng)的超薄型聲換能器包括框架1 ；軛鐵2，插入并安裝在框架1中；內(nèi) 環(huán)形磁鐵3和外環(huán)形磁鐵4，用于將磁力傳送給軛鐵2或者從軛鐵2接收磁力，內(nèi)環(huán)形磁鐵 3和外環(huán)形磁鐵4的磁化方向?yàn)樨Q直方向，使得磁力能夠被垂直地從內(nèi)環(huán)形磁鐵3和外環(huán)形 磁鐵4傳送到線圈部分7 ；線圈部分7，被部分地插入到內(nèi)環(huán)形磁鐵3、內(nèi)環(huán)形頂板5與外環(huán) 形磁鐵4、外環(huán)形頂板6之間的氣隙中，用于防止磁通量泄漏以及將磁通量垂直地傳送到線 圈部分7 ；振膜8，線圈部分7附著到該振膜；保護(hù)裝置9，用于保護(hù)振膜8 ；以及出聲孔10， 形成在保護(hù)裝置9中。如圖1和圖2所示，內(nèi)環(huán)形磁鐵3和外環(huán)形磁鐵4在軛鐵2上沿豎直方向被磁化， 以將磁力成直角地傳送給線圈部分7，并且內(nèi)環(huán)形頂板5和外環(huán)形頂板6依次疊置在磁鐵3 和4上。內(nèi)環(huán)形磁鐵3和外環(huán)形磁鐵4具有相反的極性N或S。振膜8與向上形成在框架1的水平表面的上沿處的耦合凸起耦合。與待回放的聲 或音對(duì)應(yīng)的電信號(hào)施加到呈環(huán)狀卷起的線圈部分7的兩端。線圈部分7附著到振膜8的底 表面，直到內(nèi)環(huán)形磁鐵3與外環(huán)形磁鐵4之間的空間。由金屬制成的保護(hù)裝置9在振膜8 的上部與框架1耦合，以確保振膜8的上下振動(dòng)空間并且保護(hù)振膜8。在上述傳統(tǒng)的超薄型聲換能器中，當(dāng)與待回放的聲或音對(duì)應(yīng)的交流電信號(hào)施加到 線圈部分7的兩端時(shí)，軛鐵2、磁鐵3和4、以及頂板5和6構(gòu)成閉合磁路。磁通量與線圈部 分7互連，且附著有線圈部分7的振膜8與線圈部分7 —起振動(dòng)，以隨之產(chǎn)生可聽到的強(qiáng)度 的聲壓。 然而，由于傳統(tǒng)的超薄型聲換能器具有大量組件，使得該聲換能器的疊置結(jié)構(gòu)和 磁路厚，這增加了生產(chǎn)的單位成本。如果將內(nèi)環(huán)形磁鐵3、外環(huán)形磁鐵4、以及疊置在磁鐵3和4上的內(nèi)環(huán)形頂板5和外環(huán)形頂板6移除，以減小傳統(tǒng)的超薄型聲換能器的厚度，則由于與線圈部分7互連的磁通量減小而使得聲壓下降，這降低了傳統(tǒng)的超薄型聲換能器的性能 和可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題因此，本發(fā)明意在解決現(xiàn)有技術(shù)中的前述問題。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種超 薄型聲換能器，該聲換能器能夠通過減少組件來使豎直方向的尺寸最小化。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種超薄型聲換能器，該聲換能器能夠通過增大磁鐵 的體積來防止磁通量互連減小。技術(shù)方案為了達(dá)到上述目的，提供一種超薄型聲換能器，包括第一磁鐵，為豎直磁鐵；第 二磁鐵，為水平磁鐵，該第二磁鐵形成為距第一磁鐵有預(yù)定的氣隙；中心軛鐵，與第一磁鐵 的下部分耦合；以及外軛鐵，與第二磁鐵的側(cè)表面耦合，并且還與中心軛鐵耦合。該超薄 型聲換能器還包括線圈部分，至少部分地插入到所述氣隙中；振膜，振膜上安裝有線圈部 分；保護(hù)裝置，用于保護(hù)振膜；以及框架，用于至少支撐外軛鐵和保護(hù)裝置。在第一磁鐵與第二磁鐵之間在所述氣隙中形成有第一磁路，而在第二磁鐵與第一 磁鐵之間在中心軛鐵和外軛鐵中形成有第二磁路，由第一磁鐵和第二磁鐵、中心軛鐵和外 軛鐵構(gòu)成閉合磁路。在本發(fā)明的另一方面，提供一種超薄型聲換能器，包括軛鐵，具有中心部分和外 圍部分，該外圍部分限定出圍繞中心部分對(duì)稱的空間；第一磁鐵，為豎直磁鐵，與中心部分 的上部分耦合；第二磁鐵，為水平磁鐵，在所述空間中與第一磁鐵一起限定出氣隙，并且與 外圍部分的內(nèi)表面耦合；線圈部分，部分地插入到所述氣隙中；振膜，在振膜上安裝有該線 圈部分；保護(hù)裝置，用于保護(hù)振膜；以及框架，用于至少支撐軛鐵和保護(hù)裝置。在所述空間中的第二磁鐵與第一磁鐵之間在所述氣隙中形成有第一磁路，而在第 一磁鐵與第二磁鐵之間在所述中心部分和外圍部分中形成有第二磁路，由第一磁鐵和第二 磁鐵以及軛鐵構(gòu)成閉合磁路。在本發(fā)明的又一方面，提供一種超薄型聲換能器，包括第一磁路，形成在第一磁 鐵與第二磁鐵之間，該第二磁鐵具有與第一磁鐵的磁化方向垂直的磁化方向，并且與第一 磁鐵一起限定出氣隙；線圈部分，至少部分地插入到該氣隙中；振膜，振膜上安裝有該線圈 部分；以及第二磁路，由第二磁鐵與第一磁鐵之間的路徑形成部分形成。由第一磁鐵、第一 磁路、第二磁鐵和第二磁路構(gòu)成閉合磁路。有益效果根據(jù)本發(fā)明，通過使第一磁鐵和第二磁鐵的體積最大化、通過縮短第一磁鐵和第 二磁鐵的短軸部分的長(zhǎng)度以及增大第一磁鐵和第二磁鐵的長(zhǎng)軸部分的長(zhǎng)度，該超薄型聲換 能器能夠放大回放的聲或音的輸出等級(jí)。此外，根據(jù)本發(fā)明，該超薄型聲換能器能夠用最少數(shù)量的組件獲得高的音質(zhì)。


圖1為示出傳統(tǒng)的超薄型聲換能器的截面圖；圖2為示出傳統(tǒng)的超薄型聲換能器的閉合磁路的結(jié)構(gòu)圖；圖3為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的分解立體圖；圖4為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的一部分的內(nèi)部裝配圖；圖5為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的短軸方向的截面圖；圖6為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的長(zhǎng)軸方向的截面圖；
圖7為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的閉合磁路的一部分的結(jié) 構(gòu)圖；圖8為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的前視立體圖；圖9為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的后視立體圖；圖10為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的超薄型聲換能器的一部分的立體圖；圖11為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的超薄型聲換能器的一部分的立體圖；圖12為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的超薄型聲換能器的一部分的截面圖；以及圖13為示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的超薄型聲換能器的一部分的立體圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖3為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的分解立體圖，圖4為示出 根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的一部分的內(nèi)部裝配圖。如圖3和圖4所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器包括框架100、第一 磁鐵110、第二磁鐵120、中心軛鐵130、外軛鐵140、線圈部分150、振膜160、端子170以及 保護(hù)裝置200。在圖4中，A-A'表示超薄型聲換能器的長(zhǎng)軸，而B-B'表示超薄型聲換能器 的短軸。用于將磁力傳送通過出聲孔201的第一磁鐵110被固定地附著到中心軛鐵130的 上部。固定地安裝有第一磁鐵Iio的中心軛鐵130與插入到框架100中的外軛鐵140的下 部耦合。在第一磁鐵110的兩側(cè)設(shè)置有兩個(gè)第二磁鐵120。每個(gè)第二磁鐵120都被固定地 安裝到外軛鐵140的內(nèi)表面上，并與第一磁鐵110 —起限定了預(yù)定的氣隙101。線圈部分150的一部分插入到第一磁鐵110與第二磁鐵120之間的氣隙101中。 與線圈部分150耦合的振膜160由保護(hù)裝置200和框架100固定，端子170插入并安裝在 框架100中。當(dāng)輸入電信號(hào)時(shí)，第一磁鐵110和第二磁鐵120產(chǎn)生磁場(chǎng)。由于磁鐵110和120 所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的原因，線圈部分150往復(fù)運(yùn)動(dòng)，使得吸引和排斥反復(fù)出現(xiàn)。振膜160隨著線 圈部分150的振動(dòng)而振動(dòng)，以隨之產(chǎn)生聲壓。端子170提供與組件的電連接，保護(hù)裝置200 保護(hù)振膜160不受外部影響，框架100支撐外軛鐵140或端子170和保護(hù)裝置200，以保持 振膜160的上下振動(dòng)空間。圖5為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的短軸方向的截面圖，圖6為 示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的長(zhǎng)軸方向的截面圖，圖7為示出根據(jù)本發(fā)明 第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的閉合磁路的一部分的結(jié)構(gòu)圖。具體地，圖5是沿圖4所示的線A-A'(長(zhǎng)軸)截取的截面圖，而圖6是沿圖4所示的線B-B'(短軸)截取的截面圖。參照?qǐng)D5、圖6和圖7，緊密附著到外軛鐵140的內(nèi)表面的第二磁鐵120沿水平方向被磁化為N極性或S極性，所述外軛鐵140插入到框架100中。耦合至中心軛鐵130的上 部的第一磁鐵110沿豎直方向被磁化，且具有與第二磁鐵120的極性垂直對(duì)稱的極性，即， S極性或N極性。通過縮短第一磁鐵110和第二磁鐵120在短軸方向上的長(zhǎng)度以及增加第一磁鐵 110和第二磁鐵120在長(zhǎng)軸方向上的長(zhǎng)度，促進(jìn)磁通量互連。此外，第一磁鐵110和第二磁 鐵120被置成彼此平齊。由此，根據(jù)本發(fā)明的超薄型聲換能器通過簡(jiǎn)化組件但不減小磁通 量互連，使得豎直方向上的尺寸最小化。第一磁鐵110和第二磁鐵120、中心軛鐵130以及外軛鐵140構(gòu)成超薄型聲換能 器的閉合磁路。第二磁鐵120具有N極性而第一磁鐵110具有S極性的閉合磁路由從為水 平磁鐵的第二磁鐵120經(jīng)由氣隙101連接到為豎直磁鐵的第一磁鐵110的上表面的第一磁 路、以及從第一磁鐵110經(jīng)由中心軛鐵130和與中心軛鐵130耦合的外軛鐵140連接到第 二磁鐵120的第二磁路組成，其中置于出聲孔201中的線圈部分150與磁通量互連。第一磁鐵110具有N極性而第二磁鐵120具有S極性的閉合磁路由從第一磁鐵 110的上部經(jīng)由氣隙101連接到第二磁鐵120的第一磁路、以及從第二磁鐵120經(jīng)由外軛鐵 140連接到第一磁鐵110的第二磁路組成。更具體地，當(dāng)?shù)诙盆F120具有N極性而第一磁鐵110具有S極性時(shí)，如在短軸表 面上所見，為水平磁鐵的第二磁鐵120的左部分具有S極性、右部分具有N極性，為與第二 磁鐵120垂直對(duì)稱的豎直磁鐵的第一磁鐵110的下部分具有N極性，而上部分具有S極性。 因此，磁通量在第二磁鐵120中從左側(cè)向右側(cè)移動(dòng)，而在第一磁鐵110中從頂部向底部移動(dòng)。在第一磁路中，磁通量從形成在第二磁鐵120的右部分的N極經(jīng)由氣隙101流向 形成在第一磁鐵110的上表面的S極。在第二磁路中，磁通量從形成在第一磁鐵110的上 部分的S極流向形成在第一磁鐵110的下部分的N極，穿過固定地耦合到第一磁鐵110的 中心軛鐵130以及外軛鐵140，并流入形成在第二磁鐵120的左部分的S極。第一磁路和第 二磁路構(gòu)成閉合磁路。在此閉合磁路中，磁力甚至與較弱的、線圈部分150的彎曲部分152 互連，使得磁通密度是均勻的。圖8為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的前視立體圖，而圖9為示 出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的超薄型聲換能器的后視立體圖。如圖8和圖9中所示，第二磁鐵(120 ；參見圖4)成對(duì)地與插入到框架100中的外 扼鐵(140 ；參見圖4)的內(nèi)表面耦合。固定地耦合至第一磁鐵110的中心軛鐵130被固定 地耦合到外扼鐵(140 ；參見圖4)的底表面，其中，第一磁鐵110通過氣隙101與第二磁鐵 (120 ；參見圖4)隔開。位于完全附著到外扼鐵(140 ；參見圖4)的底表面的中心軛鐵130 與第二磁鐵(120 ；參見圖4)之間的預(yù)定尺寸的氣隙101用作線圈部分(150 ；參見圖5)的 插入空間以及后出聲孔。由金屬制成的保護(hù)裝置200確保振膜160的振動(dòng)空間，并保護(hù)包 括框架100在內(nèi)的其它組件。在下面的描述中，與本發(fā)明第一實(shí)施例的元件相同的元件使用相同的標(biāo)號(hào)。圖10為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的超薄型聲換能器的一部分的立體圖。在豎直方向上被磁化的第一磁鐵110附著至中心軛鐵130，而在水平方向上被磁化的一對(duì)第二磁鐵120附著至插入到框架(100 ；參見圖4)中的外軛鐵140的內(nèi)表面。安裝有第一磁鐵 110的中心軛鐵130附著并耦合到外軛鐵140的下部。除了在第一磁鐵110的上部進(jìn)一步 設(shè)置的頂板190之外，第二實(shí)施例的以上以及其它組件與第一實(shí)施例中的相同。頂板190包含磁性材料，以將磁力傳送給線圈部分(150 ；參見圖5)。頂板190形 成為與第一磁鐵110的上表面形狀相同的形狀，以防止磁力向外發(fā)送。同時(shí)，超薄型聲換能 器的水平面積不變。由于頂板190形成在振膜與第一磁鐵110之間的空間中，所以該超薄 型聲換能器能夠增進(jìn)磁通量互連而不增大豎直方向上的尺寸。在第二實(shí)施例中，將對(duì)第二磁鐵120具有N極性而第一磁鐵110具有S極性的閉 合磁路進(jìn)行說明。如在短軸表面上所見，第二磁鐵120的左部分具有S極性，第二磁鐵120 的右部分具有N極性，第一磁鐵110的上部分具有S極性，而其下部分具有N極性。因此，在第一磁路中，當(dāng)與線圈部分150互連時(shí)，磁通量從形成在第二磁鐵120的 右部分的N極經(jīng)由氣隙101流向第一磁鐵110的S極以及形成在第一磁鐵110上的頂板 190。在第二磁路中，磁通量從頂板190開始，從形成在第一磁鐵110的上部分的S極流向 形成在第一磁鐵110的下部分的N極，穿過中心軛鐵130和外軛鐵140，并流入形成在第二 磁鐵120的左部分的S極。第一磁路和第二磁路構(gòu)成閉合磁路。在此閉合磁路中，磁力甚 至與較弱的、線圈部分150的彎曲部分152互連，使得磁通密度是均勻的。圖11為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的超薄型聲換能器的一部分的立體圖，圖12 為示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的超薄型聲換能器的一部分的截面圖。圖12是從圖11所示的C方向看去的截面圖。除了第一磁鐵110的高度之外，第 三實(shí)施例的超薄型聲換能器的組件和耦合方法與第一實(shí)施例中的相同。具體地，第一磁鐵 110的上表面被置為低于第二磁鐵120的上表面。在第三實(shí)施例中，對(duì)第二磁鐵120具有N極性而第一磁鐵110具有S極性的閉合 磁路進(jìn)行說明。第二磁鐵120的左部分具有S極性，而其右部分具有N極性，第一磁鐵110 的上部分具有S極性，而其下部分具有N極性。因此，在第一磁路中，當(dāng)與線圈部分150互連時(shí)，磁通量從形成在第二磁鐵120的 右部分的N極經(jīng)由氣隙101流向形成在第一磁鐵110的上部分的S極。由于第一磁鐵110 的上部分被置為相對(duì)較低，所以在第一磁路中促進(jìn)了磁通量流動(dòng)。在第二磁路中，磁通量從 形成在第一磁鐵Iio的上部分的S極流向形成在第一磁鐵110的下部分的N極，穿過中心 軛鐵130和外軛鐵140，并流入形成在第二磁鐵120的左部分的S極。第一磁路和第二磁路 構(gòu)成閉合磁路。在此閉合磁路中，磁力甚至與較弱的、線圈部分150的彎曲部分152互連， 使得磁通密度是均勻的。圖13為示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的超薄型聲換能器的一部分的立體圖。根據(jù) 本發(fā)明第四實(shí)施例的超薄型聲換能器包括框架100、第一磁鐵110、第二磁鐵120、軛鐵130、 線圈部分150、振膜160、端子170以及保護(hù)裝置200。軛鐵130被分成中心部分132和外圍部分133。中心部分132的上部固定地耦合 到第一磁鐵110，而外圍部分133限定出圍繞中心部分132對(duì)稱的空間134。在空間134中， 第二磁鐵120成對(duì)地耦合到外圍部分133的內(nèi)表面。其它的組件和耦合方法與第一實(shí)施例 中的相同。
在第四實(shí)施例中，對(duì)第二磁鐵120具有N極性而第一磁鐵110具有S極性的閉合磁路進(jìn)行說明。如在短軸表面上所見，第二磁鐵120的左部分具有S極性，而其右部分具有 N極性，第一磁鐵110的上部分具有S極性，而其下部分具有N極性。在第一磁路中，磁通量從形成在空間134中的第二磁鐵120的右部分的N極經(jīng)由氣隙101流向形成在第一磁鐵110的上部分的S極。在第二磁路中，磁通量從形成在第一 磁鐵Iio的上部分的S極流向形成在第一磁鐵110的下部分的N極，穿過軛鐵130的中心 部分132和外圍部分133，并流入形成在第二磁鐵120的左部分的S極。此過程反復(fù)進(jìn)行。 在此閉合磁路中，磁力甚至與較弱的、線圈部分150的彎曲部分152互連，使得磁通密度是 均勻的。在本發(fā)明的第五實(shí)施例中，閉合磁路由第一磁鐵、第二磁鐵以及路徑形成部分構(gòu)成。除了路徑形成部分之外，第五實(shí)施例的組件和耦合方法與第一實(shí)施例中的相同。第五 實(shí)施例在沒有圖的情況下予以詳細(xì)描述。在第五實(shí)施例中，第一磁通路形成在第二磁鐵(120 ；參見圖7)與第一磁鐵(110 ； 參見圖7)之間的氣隙(101 ；參見圖7)中，而第二磁通路由路徑形成部分(未示出)形成， 該路徑形成部分將第一磁鐵(110 ；參見圖7)連接到第二磁鐵(120 ；參見圖7)。第一磁路 和第二磁路構(gòu)成閉合磁路。在此閉合磁路中，磁力甚至與較弱的、線圈部分(150 ；參見圖7) 的彎曲部分(152 ；參見圖7)互連，使得磁通密度是均勻的。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，在超薄型聲換能器中，為豎直磁鐵的第一磁鐵110、為水平磁鐵的第 二磁鐵120、中心軛鐵130以及外軛鐵140構(gòu)成閉合磁路。由于第一磁鐵110和第二磁鐵 120的水平表面的量被最大化，所以回放的聲或音的輸出等級(jí)得到放大，但減小了組件的總 數(shù)量。因此，該超薄型聲換能器能夠用最少數(shù)量的組件獲得高的音質(zhì)。在現(xiàn)有技術(shù)中，磁通 量被以直角傳送給線圈部分150。根據(jù)本發(fā)明，設(shè)置外軛鐵140和中心軛鐵130，以使磁通 密度均勻。盡管描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是應(yīng)理解，本發(fā)明不限于這些優(yōu)選實(shí)施例，而 是可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員在如所附權(quán)利要求所述的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)做出各種改動(dòng) 和變型。
權(quán)利要求
一種超薄型聲換能器，包括第一磁鐵，該第一磁鐵為豎直磁鐵；第二磁鐵，該第二磁鐵為水平磁鐵，且形成為距第一磁鐵有預(yù)定的氣隙；中心軛鐵，該中心軛鐵與第一磁鐵的下部耦合；外軛鐵，該外軛鐵與第二磁鐵的側(cè)表面耦合，并且還與中心軛鐵耦合；線圈部分，該線圈部分至少部分地插入到所述氣隙中；振膜，在該振膜上安裝有所述線圈部分；保護(hù)裝置，用于保護(hù)所述振膜；以及框架，用于至少支撐所述外軛鐵和所述保護(hù)裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的超薄型聲換能器，其中，在第一磁鐵與第二磁鐵之間在所述氣 隙中形成有第一磁路，而在第二磁鐵與第一磁鐵之間在所述中心軛鐵和外軛鐵中形成有第 二磁路，由第一磁鐵和第二磁鐵、中心軛鐵和外軛鐵構(gòu)成閉合磁路。
3.如權(quán)利要求2所述的超薄型聲換能器，其中，所述第一磁路形成在第二磁鐵與第一 磁鐵之間。
4.如權(quán)利要求1所述的超薄型聲換能器，其中，所述第二磁鐵成對(duì)地形成在第一磁鐵 的兩個(gè)側(cè)表面上。
5.如權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的超薄型聲換能器，其中，在所述第一磁鐵的 上部分設(shè)置有頂板。
6.如權(quán)利要求5所述的超薄型聲換能器，其中，所述第一磁路形成在第二磁鐵與頂板 之間。
7.如權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的超薄型聲換能器，其中，第一磁鐵的上表面 被置為低于第二磁鐵的上表面。
8.一種超薄型聲換能器，包括軛鐵，該軛鐵具有中心部分和外圍部分，該外圍部分限定出圍繞該中心部分對(duì)稱的空間；第一磁鐵，該第一磁鐵為與該中心部分的上部分耦合的豎直磁鐵； 第二磁鐵，該第二磁鐵為水平磁鐵，該水平磁鐵在所述空間中與第一磁鐵一起限定出 氣隙，并且與所述外圍部分的內(nèi)表面耦合；線圈部分，該線圈部分部分地插入到所述氣隙中； 振膜，該振膜上安裝有所述線圈部分； 保護(hù)裝置，用于保護(hù)所述振膜；以及 框架，用于至少支撐所述軛鐵和所述保護(hù)裝置。
9.如權(quán)利要求8所述的超薄型聲換能器，其中，在所述空間中的第二磁鐵與第一磁鐵 之間在所述氣隙中形成有第一磁路，而在第一磁鐵與第二磁鐵之間在所述中心部分和外圍 部分中形成有第二磁路，由第一磁鐵和第二磁鐵以及軛鐵構(gòu)成閉合磁路。
10.如權(quán)利要求9所述的超薄型聲換能器，其中，所述第一磁路形成在空間中的第二磁 鐵與第一磁鐵之間。
11.如權(quán)利要求8所述的超薄型聲換能器，其中，所述第二磁鐵成對(duì)地形成在第一磁鐵 的兩個(gè)側(cè)表面上。
12.如權(quán)利要求8至11中任一權(quán)利要求所述的超薄型聲換能器，其中，在所述第一磁鐵 的上部分設(shè)置有頂板。
13.如權(quán)利要求12所述的超薄型聲換能器，其中，所述第一磁路形成在所述空間中的 第二磁鐵與所述頂板之間。
14.一種超薄型聲換能器，包括第一磁路，該第一磁路形成在第一磁鐵與第二磁鐵之間，該第二磁鐵具有與該第一磁 鐵的磁化方向垂直的磁化方向，并且與該第一磁鐵一起限定出氣隙；線圈部分，該線圈部分至少部分地插入到所述氣隙中；振膜，該振膜上安裝有所述線圈部分；以及第二磁路，該第二磁路由第二磁鐵與第一磁鐵之間的路徑形成部分形成，由第一磁鐵、 第一磁路、第二磁鐵和第二磁路構(gòu)成閉合磁路。
15.如權(quán)利要求14所述的超薄型聲換能器，其中，所述第一磁鐵為豎直磁鐵，而所述第 二磁鐵為水平磁鐵。
16.如權(quán)利要求14所述的超薄型聲換能器，其中，所述路徑形成部分連接在第一磁鐵 與第二磁鐵之間。
17.如權(quán)利要求14至16中任一權(quán)利要求所述的超薄型聲換能器，其中，所述第一磁路 形成在第二磁鐵與第一磁鐵之間。
18.如權(quán)利要求14至16中任一權(quán)利要求所述的超薄型聲換能器，其中，在所述第一磁 鐵的上部分設(shè)置有頂板。
19.如權(quán)利要求18所述的超薄型聲換能器，其中，所述第一磁路形成在第二磁鐵與頂 板之間。
20.如權(quán)利要求14所述的超薄型聲換能器，其中，所述第二磁鐵成對(duì)地形成在第一磁 鐵的兩側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種厚度減小的超薄型聲換能器，其中構(gòu)造閉環(huán)磁路用于聲能轉(zhuǎn)換。該超薄型聲換能器包括為豎直磁鐵的第一磁鐵(110)，以及為水平磁鐵的第二磁鐵(120)，還包括與第一磁鐵的下部分耦合的中心軛鐵(130)，以及與第二磁鐵(120)的側(cè)表面耦合并且還與中心軛鐵(130)耦合的外軛鐵(140)，以與第一磁鐵一起限定出氣隙。線圈部分(150)的一部分插入到該氣隙中。該超薄型聲換能器包括安裝有線圈部分(150)的振膜(160)，用于保護(hù)振膜(160)的保護(hù)裝置(200)；以及用于至少支撐外軛鐵(140)和保護(hù)裝置(200)的框架(100)。
文檔編號(hào)H04R7/04GK101803403SQ200780100666
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2007年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月19日
發(fā)明者丁南鎮(zhèn), 鄭承奎, 金榺泰 申請(qǐng)人:易音特電子株式會(huì)社