專利名稱:揚聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及揚聲器,更具體為涉及檢測振動片的動作狀態(tài)的揚聲器。
背景技術(shù):
作為一種提高揚聲器音質(zhì)的技術(shù),已知有安裝MFB(Motional Feed Back動反饋放大器)電路的揚聲器。該MFB電路根據(jù)表示輸入揚聲器的聲音信息的電信號(以后記作‘聲音信號’)檢測振動的振動片的動作狀態(tài),根據(jù)其檢測結(jié)果反饋控制振動片,通過這樣,尤其能消除在低音域容易產(chǎn)生的聲音失真。因此,通常MFB電路用于低音域不易做到高保真再生的小型揚聲器上是相當(dāng)有效的。
作為與MFB相關(guān)的技術(shù),例如揭示于專利文獻(xiàn)1~5。在專利文獻(xiàn)1~5中都通過檢測電極間形成的靜電電容的變化,從而檢測振動片的動作狀態(tài)。具體地說、將電極(下面稱為‘可動電極’)固定于振動片或使該振動片振動用的稱為音圈架的電磁線圈上,同時將電極(以后稱為‘固定電極’)固定成與該可動電極面對面,通過使可動電極能相對固定電極運動,從而用檢測器檢測變化的靜電電容,用變換電路將其變換成電信號(以后稱為‘檢測信號’)輸出。而且用比較裝置(例如CPU)對檢測信號和聲音信號進(jìn)行比較,根據(jù)其比較結(jié)果,即檢測信號的輸出電平和聲音信號的輸出電平相應(yīng)控制振動片的動作。
專利文獻(xiàn)1特開昭52-79644號專利文獻(xiàn)2特開昭53-12319號專利文獻(xiàn)3特開昭53-12320號專利文獻(xiàn)4特開昭53-12321號專利文獻(xiàn)5特開昭57-96589號但是,由于在電極間形成的靜電電容只有幾pF~幾百pf非常微小,稍些受到電磁波或靜電等噪音影響就會變化。例如一般的振動片的構(gòu)成為利用音圈架;嵌裝于音圈架上的稱為中心桿的鐵芯;以及穿過音圈架及中心桿產(chǎn)生磁通的磁鐵的勵磁作用而振動,但電極間的靜電電容受流過音圈架的勵磁電流的影響而變動。另外裝在揚聲器的電子器件中還是有發(fā)射電磁波的器件雖然其功率很小,但由于該電磁波傳到電極會引起靜電電容變化,另外,也要考慮到;電極間的靜電電容由于伴隨裝在揚聲器上零件的振動等力學(xué)現(xiàn)象的摩擦,設(shè)置于揚聲器周圍的電子設(shè)備輸出的電磁波等(以后將其稱為‘外擾噪音’)的影響。這樣按照專利文獻(xiàn)1~5的技術(shù),存在的問題是無法檢測靜電電容變化,以及在電極間形成的正確的靜電電容。
本發(fā)明為解決上述問題而提出,其目的在于提供一種不受外擾噪音的影響,能正確地檢測出電極間形成的靜電電容的揚聲器。
發(fā)明內(nèi)容
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的揚聲器,檢測在中心桿與具有由絕緣體層和非磁性的導(dǎo)電體層組成的線圈架的音圈架之間形成的靜電電容,并作為電信號進(jìn)行輸出,其中,所述線圈架的所述導(dǎo)電體層由三層及三層以上構(gòu)成,而且使所述絕緣體層介于所述導(dǎo)電體層之間。
因此,利用該揚聲器,通過將在中心桿和與該中心桿對向的第1導(dǎo)電體層(導(dǎo)電體層中,和中心桿的距離最短的導(dǎo)電體層)間構(gòu)成的電容器與在第2導(dǎo)電體層(導(dǎo)電體層中,和第1導(dǎo)電體層相鄰的導(dǎo)電體層)與第1導(dǎo)電體層間構(gòu)成的電容器并聯(lián)連接,能檢測中心桿和第1導(dǎo)電體層間形成的靜電電容與第1導(dǎo)電體層和第2導(dǎo)電體層之間形成的靜電電容的總和。也就是說,能得到比中心桿和一層導(dǎo)電體層之間形成的靜電電容大的靜電電容,能提高抗外擾噪音的能力。另外,第1及第2導(dǎo)電體層以外的導(dǎo)電體層作為隔斷外擾噪音的屏蔽起作用。由此能檢測出不加外擾噪音的真實的靜電電容。再有,通過使絕緣體層介于導(dǎo)電體層之間提高介電常數(shù)增大靜電電容,所以更加增強(qiáng)抗外擾噪音的能力。其結(jié)構(gòu)具體為所述導(dǎo)電體層自所述中心桿一側(cè)起由第1導(dǎo)電體層、第2導(dǎo)電體層、第3導(dǎo)電體層三層構(gòu)成,由所述中心桿和所述第1導(dǎo)電體層構(gòu)成第1電容器,同時由所述第1導(dǎo)電體層和所述第2導(dǎo)電體層構(gòu)成第2電容器,所述第1電容器與所述第2電容器并聯(lián)連接,并且輸出所述第1電容器的靜電電容與第2電容器的靜電電容的總和作為電信號。
在上述發(fā)明的揚聲器上,也可以使導(dǎo)電體層中與中心桿間距離最短的導(dǎo)電體層以外的導(dǎo)電體層接地。在這種情況下,能增大中心桿和上述第1導(dǎo)電體層之間形成的靜電電容,與第1導(dǎo)電體層和第2導(dǎo)電體層之間形成的靜電電容的總和。也就是說,通過使第2導(dǎo)電體層接地,能使第1導(dǎo)電體層和第2導(dǎo)電體層之間形成的靜電電容增大。由此,總的靜電電容便增大。另外能提高第1及第2導(dǎo)電體層以外的導(dǎo)電體層的屏蔽效果。
在上述發(fā)明的揚聲器上,使導(dǎo)電體層中與中心桿間距離最長的導(dǎo)電體層接地,而且將電信號輸入到導(dǎo)電體層中與中心桿間距離最短的導(dǎo)電體層和與中心桿間距離最長的導(dǎo)電體層之間的導(dǎo)電體層。在這種情況下,中間的導(dǎo)電體層(位于第1導(dǎo)電體層和導(dǎo)電體層中與中心桿間距離最長的導(dǎo)電體層之間的導(dǎo)電體層)作為所謂的自舉電路(ブ-トストラツプ)電極起作用,能在中心桿和音圈架之間構(gòu)成純粹的電容器。例如在將中心桿和第1導(dǎo)電體層之間形成的靜電電容變換成電信號后,通過將該電信號反饋給中間的導(dǎo)電體層能提高線圈架的阻抗,通過這樣,能用中心桿和音圈架構(gòu)成不易受外擾噪音影響的電容器。
如以上所述,采用本發(fā)明的揚聲器,則由于用三層及三層以上構(gòu)成線圈架的導(dǎo)電體層,而且絕緣體層介于導(dǎo)電體層之間,檢測出中心桿與導(dǎo)電體層中和中心桿之間距離最短的導(dǎo)電體層之間形成的靜電電容、以及導(dǎo)電體層中和中心桿之間距離最短的導(dǎo)電體層與該導(dǎo)電體層相鄰的導(dǎo)電體層之間形成的靜電電容的總和,另外,由于用和中心桿間距離最短的導(dǎo)電體層、以及與該導(dǎo)電體層相鄰的導(dǎo)電體層以外的導(dǎo)電體層隔斷外擾噪音,所以能不受外擾噪音的影響檢測出真正的靜電電容。因此,提高檢測結(jié)果的可靠性,所以該檢測結(jié)果能有效地用于MFB電路,能消除以往成為問題的揚聲器發(fā)音失真。通過這樣,即使是小型的揚聲器也能實現(xiàn)可與大型的揚聲器比美的低音域。
在上述本發(fā)明中,若將導(dǎo)電體層中與中心桿間距離最短的導(dǎo)電體層以外的導(dǎo)電體層接地,則能加大中心桿與導(dǎo)電體層中與中心桿間距離最短的導(dǎo)電體層間形成的靜電電容;以及導(dǎo)電體層中與中心桿間距離最短的導(dǎo)電體層與該導(dǎo)電體層相鄰的導(dǎo)電體層之間形成的靜電電容的總和。另外,能提高導(dǎo)電體層中與中心桿間距離最短的導(dǎo)電體層、以及與該導(dǎo)電體層相鄰的導(dǎo)電體層以外的導(dǎo)電體層的屏蔽效果。通過這樣,能不受外擾噪音影響檢測出真正的靜電電容。因此,能進(jìn)一步提高檢測結(jié)果的可靠性,例如,該檢測結(jié)果能有效地用于MFB電路,能消除以往成為問題的揚聲器發(fā)音失真。通過這樣,即使是小型的揚聲器也能實現(xiàn)可與大型的揚聲器比美的低音域。
在上述本發(fā)明中,使導(dǎo)電體層中和中心桿間距離最長的導(dǎo)電體層接地,而且將電信號輸入到導(dǎo)電體層中與中心桿間距離最短的導(dǎo)電體層和與中心桿間距離最長的導(dǎo)電體層之間的導(dǎo)電體層。則使位于導(dǎo)電體層中與中心桿間距離最短的導(dǎo)電體層和與中心桿間距離最長的導(dǎo)電體層之間的導(dǎo)電體層作為所謂的自舉電路(ブ-トストラツプ)電極起作用,能提高線圈架的阻抗,用中心桿和音圈架構(gòu)成不易受外擾噪音影響的電容器。因此,能進(jìn)一步提高利用該電容器檢測出的靜電電容的可靠性,所以,例如該檢測結(jié)果能有效地用于MFB電路,能消除以往成為問題的揚聲器發(fā)音失真。通過這樣,即使是小型的揚聲器也能實現(xiàn)可與大型的揚聲器比美的低音域。
圖1為表示本發(fā)明的揚聲器構(gòu)成的剖視圖。
圖2為表示音圈架、中心桿、及磁軛板的部分剖視圖。
圖3為表示揚聲器的電氣構(gòu)成的功能方框圖。
圖4為表示檢測器和變換電路構(gòu)成的電路圖。
圖5為表示本發(fā)明的實施方式2的音圈架、中心桿、及磁軛板的部分剖視圖。
圖6為表示本發(fā)明的實施方式2的檢測器和變換電路構(gòu)成的電路圖。
標(biāo)號說明1揚聲器4音圈架5中心桿10線圈架12第1導(dǎo)電體層13第1絕緣體層14第2導(dǎo)電體層15第2絕緣體層16第3導(dǎo)電體層22比較器24檢測器25變換電路
具體實施例方式
以下,參照附圖對本發(fā)明的最佳實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖1~圖3表示本發(fā)明的揚聲器的一實施方式。本發(fā)明的揚聲器1的特點為檢測在中心桿5與具有由絕緣體層和非磁性的導(dǎo)電體層組成的線圈架10的音圈架4之間形成的靜電電容,并作為電信號進(jìn)行輸出,用第1導(dǎo)電體層12、第2導(dǎo)電體層14、以及第3導(dǎo)電體層16構(gòu)成線圈架10的導(dǎo)電體層(用三層及三層以上構(gòu)成線圈架10的導(dǎo)電體層),而且,使第1絕緣體層13介于第1導(dǎo)電體層12和第2導(dǎo)電體層14之間,使第2絕緣體層15介于第2導(dǎo)電體層14和第3導(dǎo)電體層16之間(絕緣體層介于導(dǎo)電體層之間)。
如圖1所示,揚聲器1具有振動片2、3、音圈架4、中心桿5、磁鐵6、7、以及磁軛板8。外殼9做成圓筒形。該外殼9上除了中心桿5外,還收容磁鐵6、7及磁軛板8,它們均用粘合劑或小螺釘?shù)裙潭ㄓ谕鈿?的內(nèi)壁表面。中心桿5是鋼制的由圓柱狀的中心桿本體5a和形成于該中心桿5a的底端的圓盤狀的凸緣5b構(gòu)成。中心桿5配置于外殼9上使中心桿本體5a的前端部分從外殼9a的實質(zhì)上中央開始凸出于外殼9的外部。
中心桿5及外殼9與稱為盆架的殼體(圖中未示出)連接并接地,與凸緣5b的開口9a對向的面上靠磁性吸附著以中心桿本體5a為中心的環(huán)形的磁鐵6。與磁鐵6上的開口9a對向的面上靠磁性吸附著實質(zhì)上圓板形的磁軛板8,磁鐵6成被磁軛板8和凸緣5b夾住的狀態(tài)。形狀和磁鐵6相同的磁鐵7設(shè)置于與凸緣5b上的外殼9的底部9b對向的面和底部9b之間。該磁鐵7配置于底部9b使得與凸緣5b抵接的一側(cè)的極成為和磁鐵6的與凸緣5b抵接的一側(cè)的極極性相同。通過這樣,在磁鐵6、磁軛板8及中心桿5之間形成穩(wěn)定的磁通回路(后面敘述)。
實質(zhì)上圓板狀的磁軛板8被磁鐵6靠磁性吸附成與圓柱形的中心桿本體5a長度方向的軸實質(zhì)上正交,同時其內(nèi)圓周面與中心桿本體5a的外圓周面5d對向,在磁軛板8的內(nèi)圓周面和中心桿本體5a的外圓周面5d之間形成空氣隙。另外,上述實質(zhì)上圓板狀的磁軛板8配置成在外殼9內(nèi),使其內(nèi)圓周面通過中心桿本體5a而對向,而且其外圓周面與外殼9的內(nèi)壁表面對向,以這種狀態(tài)靠近。
音圈架4具有前端和后端開口的筒狀的線圈架10、以及纏繞在該線圈架10的外圓周上的音圈11??梢杂闷岚€或銅線等導(dǎo)電體作為音圈11,可以擇需而定。如圖2所示,線圈架10由第1導(dǎo)電體層12、第1絕緣體層13、第2導(dǎo)電體層14、第2絕緣體層15、及第3導(dǎo)電體層16構(gòu)成。第1導(dǎo)電體層12、第2導(dǎo)電體層14、及第3導(dǎo)電體層16是銅箔,第1絕緣體層13及第2絕緣體層15是聚酰亞胺膜。線圈架10從其內(nèi)側(cè)向外側(cè)依次疊層著第1導(dǎo)電體層12、第1絕緣體層13、第2導(dǎo)電體層14、第2絕緣體層15、第3導(dǎo)電體層16。雖圖中未特地示出,但在音圈11和第3導(dǎo)電體層16之間靠涂覆處理形成絕緣膜,音圈11和第3導(dǎo)電體層16之間成電氣絕緣狀態(tài)。經(jīng)引線與第1導(dǎo)電體層12連接的端子17同以后將敘述的變換電路25的運算放大器25a的非倒相輸入端(參照圖4)連接。而第2及第3導(dǎo)電體層14、16與揚聲器框架18連接、并接地。
如圖1所示,線圈架10能沿前后方向(圖1的箭頭A方向)自由滑動地安裝于外殼9中,由此,靠后述的勵磁作用能沿前后方向振動。線圈架10其內(nèi)徑比中心桿5a的外徑稍大,覆蓋在中心桿本體5a上。也就是,使音圈11和磁軛板8的一端面面對面,而且將線圈架10覆蓋在中心桿本體5a上,使得中心桿本體5a的外圓周面5c和線圈架10的內(nèi)圓周面大致平行。由此,磁軛板8的一端面呈鄰近音圈11的狀態(tài),同時,線圈架10的內(nèi)圓周面呈鄰近中心桿本體5a外圓周面5c的狀態(tài),在磁鐵6和磁軛板8和中心桿5之間沿圖中的圓弧箭頭方向始終形成一定的磁通回路。還有,磁鐵6及磁軛板8也可設(shè)置于能在中心桿5及磁鐵6和磁軛板8之間形成一定磁通的部位,具體設(shè)置部位可擇需而定。
在磁軛板8的露于外殼9的外部的面上,用粘合劑將框架18粘接在一起。該框架18用小螺釘或粘合劑等與前面所述的殼體(圖中未示出)接合在一起,并接地。振動片2、3裝在線圈架10上。振動片2是有多個彎曲部的薄片,其一端用粘合劑粘在線圈架10的外圓周面,而另一端用粘合劑粘在框架18上。振動片3作為所謂的揚聲器盆紙起作用,其一端與線圈架10的外圓周面接合,另一端通過連接邊緣19和框架18連接。揚聲器盆底中央帽蓋20由鋁等組成,其邊緣部分用粘合劑與振動片3粘接。通過這樣,線圈架10的開口10a被揚聲器盆底中央帽蓋20蓋沒。
如圖3所示,表示將輸入端21輸入的聲音信息的電信號(以后稱為‘聲音信號’),經(jīng)具有CPU(Central Process Unit中央處理單元)的比較器,輸入到功率放大器23。經(jīng)該功率放大器23放大后的聲音信號輸入音圈架4。也就是說,表示聲音信號的電流在音圈架4的音圈11上流動,由于該電流和中心桿5、磁鐵6、及磁軛板8之間形成的磁通產(chǎn)生的勵磁作用,音圈架4沿前后方向(圖1中示出的箭頭A方向)移動。隨此振動片2、3也振動,從揚聲器1中發(fā)出聲音。
檢測器24、變換電路25、及反饋電路26設(shè)置在揚聲器1上。具體將在后面敘述,但檢測器24由第1電容器27、及第2電容器28(參照圖4)構(gòu)成。如圖4所示,變換電路25具有運算放大器25a、電源25b、及晶體管25c。運算放大器25a的非倒相輸入端和音圈架4的第1導(dǎo)電體層12借助引線連接。由電源25b將偏置電壓加在運算放大器25a的非倒相輸入端及第1導(dǎo)電體層12。運算放大器25a的輸出端和晶體管25c的輸入端連接,通過這樣,運算放大器25a輸出端輸出的信號輸入晶體管25c的輸入端。另外,成為晶體管25c的負(fù)側(cè)的輸出端的發(fā)射極連接運算放大器25a的非倒相輸入端,再有,晶體管25c的發(fā)射極和運算放大器25a的非倒相輸入端與中心桿5連接,并接地。反饋電路26雖然圖中未特地示出,但具有積分電路、緩沖放大器、電子電位器、加法電路等。
第1電容器27具有中心桿5和第1導(dǎo)電體層12。第2電容器28具有第1導(dǎo)電體層12和第導(dǎo)2電體層14。如上所述,通過運算放大器25a的非倒相輸入端和音圈架4的第1導(dǎo)電體層12連接,電容器27和電容器28呈并聯(lián)連接狀態(tài),成為由電容器27形成的靜電電容和由電容器28形成的靜電電容在總和在總和的靜電電容作為電信號輸入變換電路25的運算放大器25a。就這樣,從檢測器24輸入的電信號在運算放大器25a及晶體管25c中作C-V變換及放大,自端子25d作為檢測信號經(jīng)反饋電路26輸入比較器22。比較器22響應(yīng)輸入的檢測信號對輸入端21輸入的聲音信號和檢測信號進(jìn)行比較。而且根據(jù)該比較結(jié)果,即對聲音信號的輸出電平和檢測信號的輸出電平作比較,算出兩者之差。接著,功率放大器23根據(jù)其計算結(jié)果調(diào)節(jié)聲音信號的輸出電平,將其輸入音圈架4。然后,音圈架4根據(jù)功率放大器23輸入的聲音信號振動。
如上所述,利用圖1~圖4示出的結(jié)構(gòu)的揚聲器1,當(dāng)聲音信號輸入輸入端21時,根據(jù)該聲音信號音圈架4振動,伴隨著這一振動,振動片2、3也振動。由于上述振動片的振動揚聲器1發(fā)出聲音。這時振動片2、3的工作狀態(tài)由檢測器4檢測出的靜電電容進(jìn)行識別。即,音圈架4的第1導(dǎo)電體層12和中心桿本體5a的外圓周面5c間的對向面積變化,由電容器27形成的靜電電容及由電容器28形成的靜電電容在總和變化。該總和變化與振動片2、3的位移相當(dāng)。這樣,表示檢測器24檢測出的靜電電容的電信號輸入變換電路25。而且,在變換電路25表示靜電電容的電信號變換成檢測信號,該檢測信號通過反饋電路26輸入比較器22。比較器22對檢測信號和聲音信號作比較,其比較結(jié)果和聲音信號一起輸入功率放大器23。功率放大器23根據(jù)該比較結(jié)果調(diào)節(jié)聲音信號,將其輸入音圈架4。
本發(fā)明中,用第1導(dǎo)電體層12、第1絕緣體層13、第2導(dǎo)電體層14、第2絕緣體層15、第3導(dǎo)電體層16構(gòu)成線圈架10,使用中心桿5和第1導(dǎo)電體層12構(gòu)成的電容器27、及用第1導(dǎo)電體層12和第2導(dǎo)電體層14構(gòu)成的電容器28并聯(lián)連接,所以與只檢測形成于中心桿5和第1導(dǎo)電體層12之間的靜電電容的現(xiàn)有的方式相比,由于成為檢測對象的靜電電容增大,所以能不受外擾噪音影響,檢測靜電電容。另外用第2絕緣體層15使第2導(dǎo)電體層14和第3導(dǎo)電體層16電氣絕緣,而且將第3導(dǎo)電體層接地,所以能隔斷外擾噪音。再有,使第1絕緣體層13介于第1導(dǎo)電體層12和第2導(dǎo)電體層14之間,所以能提高電容器27的介電常數(shù),增大靜電電容。
以下,參照圖5及圖6說明本發(fā)明的實施方式2。還有對于和實施方式1相同的構(gòu)成部件在附圖上標(biāo)注同一標(biāo)號并省略其說明。
通過引線,將端子29與線圈架10的第2導(dǎo)電體層14連接。該端子29和運算放大器25a的非倒相輸入端一起與作為晶體管25c的負(fù)側(cè)輸出端的發(fā)射極連接。通過這樣,從變換電路25輸出的檢測信號輸入反饋電路26(參照圖3)之同時,輸入第2導(dǎo)電體層。這樣,通過檢測信號輸入第2導(dǎo)電體層14以提高第2導(dǎo)電體層14的阻抗,第2導(dǎo)電體層14就作為自舉電路(ブ-トストラツプ)電極起作用,能用中心桿5和第1導(dǎo)電體層12構(gòu)成不易受外擾噪音影響的電容器。
還有,上述實施方式是本發(fā)明適用的實施方式的一個示例,但并不限于此,在不脫離本發(fā)明的主要內(nèi)容的范圍內(nèi)可作各種變形并實施。上述實施方式中線圈架10具有第1導(dǎo)電體層12、第2導(dǎo)電體層14、第3導(dǎo)電體層16三個導(dǎo)電體層和介于導(dǎo)電體層之間的絕緣體層,但不限于此,例如可以具有四個及四個以上的導(dǎo)電體層和介于導(dǎo)電體層之間的絕緣體層。這時,將除和中心桿5之間距離最短的導(dǎo)電體層以外的導(dǎo)電體層接地。在這種情況下,將除和中心桿5之間距離最短的導(dǎo)電體層以外的導(dǎo)電體層作為隔斷外擾噪音的屏蔽起作用。另外,也可以將和中心桿5之間距離最短的導(dǎo)電體層、及與該導(dǎo)電體層相鄰的導(dǎo)電體層以外的導(dǎo)電體層接地,使用中心桿5、和與該中心桿5之間距離最短的導(dǎo)電體層構(gòu)成的電容器;以及與中心桿5之間距離最短的導(dǎo)電體層和與該導(dǎo)電體層相鄰的導(dǎo)電體層構(gòu)成的電容器并聯(lián)連接。通過這樣,能更加可靠地隔斷外擾噪音,而且能形成不易受外擾噪音影響的靜電電容。
在上述實施方式中,用銅箔形成第1導(dǎo)電體層12、第2導(dǎo)電體層14、第3導(dǎo)電體層16,但也可以用鋁或?qū)щ娝芰系茸龀?,只要是非磁性的?dǎo)電體,可按需進(jìn)行變更。另外,第1及第2絕緣體層13、15用聚酰亞胺做成,但例如也可以用紙做成,只要是絕緣體可按需進(jìn)行變更。
權(quán)利要求
1.一種揚聲器,檢測在中心桿與具有由絕緣體層和非磁性導(dǎo)電體層組成的線圈架的音圈架之間形成的靜電電容,并作為電信號進(jìn)行輸出,其特征在于,所述線圈架的所述導(dǎo)電體層由三層及三層以上構(gòu)成,而且使所述絕緣體層介于所述導(dǎo)電體層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的揚聲器,其特征在于,使所述導(dǎo)電體層中與所述中心桿間距離最短的所述導(dǎo)電體層以外的所述導(dǎo)電體層接地。
3.如權(quán)利要求1所述的揚聲器,其特征在于,使所述導(dǎo)電體層中與所述中心桿間距離最長的所述導(dǎo)電體層接地,而且將所述電信號輸入到所述導(dǎo)電體層中與所述中心桿間距離最短的所述導(dǎo)電體層和與中心桿間距離最長的所述導(dǎo)電體層之間的所述導(dǎo)電體層。
4.如權(quán)利要求1所述的揚聲器,其特征在于,所述導(dǎo)電體層自所述中心桿一側(cè)起由第1導(dǎo)電體層、第2導(dǎo)電體層、第3導(dǎo)電體層的三層構(gòu)成,由所述中心桿和所述第1導(dǎo)電體層構(gòu)成第1電容器,同時由所述第1導(dǎo)電體層和所述第2導(dǎo)電體層構(gòu)成第2電容器,所述第1電容器與所述第2電容器并聯(lián)連接,并且輸出所述第1電容器的靜電電容與第2電容器的靜電電容的總和作為電信號。
5.如權(quán)利要求4所述的揚聲器,其特征在于,將所述第3導(dǎo)電體層接地。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種揚聲器,能不受外擾噪音影響,正確地檢測在中心桿和音圈架之間形成的靜電電容。揚聲器(1)檢測在中心桿(5)和音圈架(4)之間形成的靜電電容,并作為電信號進(jìn)行輸出,其特點是用第1導(dǎo)電體層(12)、第2導(dǎo)電體層(14)、以及第3導(dǎo)電體層(16)構(gòu)成線圈架(10)的導(dǎo)電體層,而且,使第1絕緣體層(13)介于第1導(dǎo)電體層(12)和第2導(dǎo)電體層(14)之間,使第2絕緣體層(15)介于第2導(dǎo)電體層(14)和第3導(dǎo)電體層(16)之間。由于中心桿(5)和第1導(dǎo)電體層(12)構(gòu)成的電容器(27)、和第1導(dǎo)電體層(12)和第2導(dǎo)電體層(14)構(gòu)成的電容器(28)并聯(lián)連接,所以能使成為檢測對象的靜電電容不易受外擾噪音的影響。
文檔編號H04R9/06GK1882195SQ20061009153
公開日2006年12月20日 申請日期2006年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月7日
發(fā)明者北澤秀夫, 牛越昭雄, 金兒孝昌, 橫山健司 申請人:日本電產(chǎn)鴿株式會社