專(zhuān)利名稱：具有過(guò)載保護(hù)功能的光接收模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光纖通信領(lǐng)域中高速光接收模塊，尤其涉及一種在過(guò)高輸入光功率條件下具有過(guò)載保護(hù)裝置的APD光接收模塊。
背景技術(shù)：
APD(Avalanche photon diode)光電探測(cè)器又稱為雪崩光電二極管，是利用雪崩倍增效應(yīng)使光電流得到倍增的高靈敏度光電探測(cè)器，圖1所示為APD雪崩倍增效應(yīng)過(guò)程的示意圖。APD光電探測(cè)器在正常工作時(shí)，APD兩端設(shè)置的高反向偏置電壓在APD器件內(nèi)部形成一個(gè)強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域。當(dāng)有光入射到PN結(jié)上，并且光子的能量大于半導(dǎo)體材料的禁帶寬度，則價(jià)帶上的電子吸收一個(gè)光子而躍遷到導(dǎo)帶，結(jié)果產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，電子-空穴對(duì)經(jīng)過(guò)強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域時(shí)被加速，獲得足夠的能量，在高速運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中和APD材料晶格中的原子碰撞，使晶格中的原子電離，從而產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)，這種經(jīng)過(guò)碰撞產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)稱為二次電子-空穴對(duì)，二次電子-空穴對(duì)在經(jīng)過(guò)高電場(chǎng)區(qū)時(shí)又被加速，又可能碰撞晶格中的原子使其產(chǎn)生電離效應(yīng)，激發(fā)出更多的電子-空穴對(duì)，這樣經(jīng)過(guò)多次碰撞-電離-更多的電子空穴對(duì)-加速運(yùn)動(dòng)-碰撞電離的結(jié)果，使APD器件內(nèi)部載流子數(shù)目迅速增加，反向電流迅速加大，形成雪崩效應(yīng)。圖1中，輸入的平均光功率通過(guò)光纖耦合直接照射在探測(cè)器的光敏面上，光敏面上鍍了增透膜，防止光信號(hào)因大量反射而造成能量損失。
用APD做成的光接收器件，合適的偏置電壓和其內(nèi)在的雪崩效應(yīng)是APD接收器件具有較高接收靈敏度的兩個(gè)關(guān)鍵因素，而APD器件的內(nèi)在雪崩效應(yīng)在正常的偏置電壓作用下才可以得到最佳的接收靈敏度。因此，最佳增益因子M與APD光電探測(cè)器的材料、APD反向偏置電壓V、APD器件雪崩電壓VB以及溫度等因素密切有關(guān)，可以用以下簡(jiǎn)單的經(jīng)驗(yàn)公式來(lái)描述M＝1/[1-(V/VB)n]式中的系數(shù)n與APD器件的構(gòu)成材料有關(guān)，對(duì)于典型的InGaAs材料n＝3.45。由上式可知，當(dāng)實(shí)際偏置電壓V遠(yuǎn)小于VB時(shí)，不足以使APD產(chǎn)生雪崩效應(yīng)，APD產(chǎn)生的光生電流很小，因此M較小；當(dāng)實(shí)際偏置電壓V＝VB時(shí)，M趨向于無(wú)窮大，但是由于光電器件材料和制造工藝的限制以及雪崩倍增發(fā)生時(shí)產(chǎn)生的噪聲也非常大，實(shí)際倍增因子(或增益系數(shù))M值不可能達(dá)到無(wú)窮大；當(dāng)偏置電壓大于雪崩電壓VB時(shí)，增益系數(shù)M會(huì)迅速下降，這時(shí)APD器件可能由于反向偏壓過(guò)高而迅速擊穿損壞，由此可見(jiàn)，實(shí)際偏置電壓V通常設(shè)置在略低于VB附近，得到最佳增益因子M。另外，APD器件的增益對(duì)溫度變化很敏感，圖2給出了典型的10Gb/s APD器件的增益系數(shù)與偏置電壓與溫度的關(guān)系曲線。從圖2曲線中可見(jiàn)，當(dāng)溫度升高時(shí)，VB值也在增大，如果此時(shí)偏置電壓V不變，則增益系數(shù)M會(huì)下降許多，要想保證增益系數(shù)基本不變，必須在溫度升高時(shí)相應(yīng)增加APD反向偏置電壓。所以APD器件偏置電壓電路必須具有溫度補(bǔ)償功能。目前，比較通用的APD偏置電壓電路普遍采用PWM(Pulse widemodulation，脈寬調(diào)制)升壓轉(zhuǎn)換器件及倍壓電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，如圖3所示，輸入電源通常是低電壓，經(jīng)過(guò)DC/DC升壓電路及倍壓電路變換后成為高電壓，輸出高電壓可以通過(guò)控制端控制調(diào)節(jié)，并且能夠隨著環(huán)境溫度的變化而變化，脈寬調(diào)制升壓轉(zhuǎn)換器件內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)器件具有較高的極限耐壓，再加上外部電路構(gòu)成的倍壓網(wǎng)絡(luò)，使輸出電壓可高達(dá)75V以上。
APD光接收模塊通常使用的APD偏置電路如圖4所示，DC/DC升壓電路包括APD偏置電壓設(shè)定模塊、APD偏置電壓產(chǎn)生模塊及APD溫度傳感器，在升壓電路輸出端和APD高壓管腳之間串接一個(gè)誤差為1％的精密電阻R作為光生電流的取樣電阻，電阻兩端分別用一個(gè)電阻分壓網(wǎng)絡(luò)，將電阻上由光生電流而產(chǎn)生的電位差送到一個(gè)精密儀表運(yùn)算放大器的輸入端，適當(dāng)調(diào)節(jié)精密儀表運(yùn)放的放大倍數(shù)，得到一個(gè)在輸入光功率動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)隨輸入光功率近似線性變化的電壓曲線，因此可以用來(lái)檢測(cè)輸入光功率值的大小。連接在APD高壓管腳與地之間的電容C主要作濾波使用，以降低APD偏置電源的噪聲干擾。取樣電阻R的阻值一般不能選擇太大，如果阻值選擇太大，當(dāng)輸入光功率增大時(shí)，在該電阻上的電壓降增大，導(dǎo)致精密儀表運(yùn)算放大器的輸入端電壓大于其輸入共模電壓而不能正常工作，因而在高輸入光功率條件下不能正確檢測(cè)APD接收模塊輸入光功率的大小，另一方面，電阻R值過(guò)大也會(huì)造成如果輸入平均光功率在過(guò)載點(diǎn)附近時(shí)，APD反向偏置電壓過(guò)小而不能正常工作。上述電路，通過(guò)調(diào)節(jié)控制電壓，可以使APD器件工作在最佳偏置電壓附近從而得到最佳接收靈敏度，過(guò)載點(diǎn)測(cè)試也能夠滿足指標(biāo)要求。在輸入光功率動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)，APD的光生電流隨輸入光功率而線性變化，很好的工作。但是在實(shí)際工程中常常由于誤操作等因素(例如，由于操作失誤，誤將從光放大器中輸出的光信號(hào)不作衰減，直接接入到APD光接收模塊，或光纖傳輸系統(tǒng)在線檢查線路光纖時(shí)，光時(shí)域反射計(jì)發(fā)射的超強(qiáng)脈沖光會(huì)經(jīng)過(guò)線路放大器到達(dá)中繼端或接收端的APD光接收模塊)使輸入光功率大大超出APD輸入過(guò)載光功率，使輸入、輸出的線性關(guān)系遭到破壞，造成APD器件不能正常工作甚至損壞的情況，特別是當(dāng)輸入光功率遠(yuǎn)大于APD器件的過(guò)載光功率時(shí)，由于此時(shí)APD器件的偏置電壓使得APD仍然工作在最佳增益狀態(tài)，光生電流會(huì)瞬時(shí)迅速增加到遠(yuǎn)大于APD的飽和輸出電流，從而在極短的時(shí)間內(nèi)迅速將APD器件損壞，給光模塊制造商和客戶均造成較大的損失。如何保證在較大輸入光功率條件下，APD光接收器件不損壞已經(jīng)成為光接收模塊設(shè)計(jì)中必須解決的難題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有APD光接收模塊在輸入遠(yuǎn)大于過(guò)載光功率的強(qiáng)輸入光功率時(shí)，常常會(huì)損壞的缺點(diǎn)，提供一種在過(guò)高輸入光功率條件下具有過(guò)載保護(hù)裝置的APD光接收模塊。
本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為一種具有過(guò)載保護(hù)功能的APD光接收模塊，包括一雪崩光電二極管；一為所述雪崩光電二極管提供反向偏置電壓的DC/DC升壓電路；一用于輸入光檢測(cè)的取樣電阻，所述取樣電阻的一端與所述DC/DC升壓電路的輸出端連接；以及第一濾波電容；在所述取樣電阻的另一端與所述雪崩二極管的反向偏壓管腳之間串接一限流保護(hù)電阻，且所述限流保護(hù)電阻的阻值大于所述取樣電阻的阻值；所述第一濾波電容接于所述取樣電阻和所述限流保護(hù)電阻的連接處與地之間。
所述的APD光接收模塊，其中在所述限流保護(hù)電阻和所述雪崩光電二極管反向偏壓管腳的連接處與地之間接有第二濾波電容。
所述的光接收模塊，其中當(dāng)所述雪崩光電二極管采用的是傳輸速率為2.5Gb/s的雪崩光電二極管時(shí)，所述限流保護(hù)電阻的阻值設(shè)置在20kΩ至40kΩ之間；當(dāng)所述雪崩光電二極管采用的是傳輸速率為10Gb/s的雪崩光電二極管時(shí)，所述限流保護(hù)電阻的阻值設(shè)置在10kΩ至20kΩ之間。
所述的光接收模塊，其中所述第一濾波電容取值為0.1uF；所述第二濾波電容取值為100pF。
本發(fā)明的有益效果為采用了本發(fā)明的技術(shù)方案，由于在取樣電阻與雪崩光電二極管反向偏壓之間串接了一限流保護(hù)電阻，并且限流保護(hù)電阻遠(yuǎn)大于取樣電阻，因此，當(dāng)輸入光功率過(guò)高時(shí)，瞬時(shí)產(chǎn)生較大的光生電流在限流保護(hù)電阻上產(chǎn)生的電壓降會(huì)迅速增大，導(dǎo)致雪崩光電二極管的反向偏置電壓也迅速降低下來(lái)，直至降低到雪崩光電二極管無(wú)法產(chǎn)生雪崩效應(yīng)，此時(shí)即使APD光接收模塊接收到很大的輸入光功率，也不會(huì)產(chǎn)生很大的光生電流而造成雪崩光電二極管的過(guò)流損壞，從而起到了過(guò)載保護(hù)的作用。本發(fā)明提高了APD光接收模塊對(duì)超強(qiáng)輸入光功率的抵抗能力，并使APD光接收模塊在實(shí)際光傳輸系統(tǒng)中在線運(yùn)行的可靠性也大大提高。


圖1為APD光電探測(cè)器發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)過(guò)程示意2為APD光電探測(cè)器的增益系數(shù)隨溫度變化的關(guān)系曲線圖3為通常采用的APD的DC/DC升壓電路及倍壓電路圖4為通常APD反向偏置電壓電路框5為電阻值不同時(shí)，APD輸入平均光功率與其反向偏置電壓關(guān)系曲線圖6為濾波電容值不同時(shí)，APD輸入平均光功率與其反向偏置電壓關(guān)系曲線圖7為具有過(guò)載保護(hù)功能的APD反向偏置電路圖8為具有過(guò)載保護(hù)功能的APD接收模塊正常工作時(shí)輸入較大平均光功率后的測(cè)試數(shù)據(jù)具體實(shí)施方式
下面根據(jù)附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明一種具有過(guò)載保護(hù)功能的光接收模塊，如圖7所示，包括一雪崩光電二極管，一為所述雪崩光電二極管提供反向偏置電壓的DC/DC升壓電路及其外圍控制電路，一用作輸入光檢測(cè)的精密取樣電阻，其作用是把APD產(chǎn)生的光生電流轉(zhuǎn)換成電壓，經(jīng)后續(xù)的精密儀表放大器放大，利用APD輸入光功率動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)檢測(cè)電壓與輸入光功率的近似線性關(guān)系來(lái)檢測(cè)APD輸入光功率的大小，所述取樣電阻的一端與所述DC/DC升壓電路輸出端連接；在所述取樣電阻的另一端與所述雪崩二極管的反向偏壓管腳之間串接一限流保護(hù)電阻，并使限流保護(hù)電阻的阻值遠(yuǎn)大于所述取樣電阻的阻值。這樣，當(dāng)APD處于最佳偏置電壓狀態(tài)時(shí)，在正常輸入光功率狀態(tài)下，由于取樣電阻要比限流保護(hù)電阻小許多，不影響取樣檢測(cè)的動(dòng)態(tài)范圍；如果輸入光功率突然增大至過(guò)載狀態(tài)，必然會(huì)產(chǎn)生瞬時(shí)較大的光生電流，伴隨著瞬時(shí)光生電流的迅速增大，在限流保護(hù)電阻R2上的電壓降也迅速增大，導(dǎo)致APD反向偏置電壓也迅速降低下來(lái)。由前面分析我們知道，合適的反向偏置電壓是APD器件發(fā)生雪崩效應(yīng)的必然條件，當(dāng)APD反向偏置電壓降低到無(wú)法產(chǎn)生雪崩效應(yīng)時(shí)，APD產(chǎn)生的光生電流很小，甚至只有很小的暗電流，此時(shí)即使接收到很大的輸入光功率，也不會(huì)產(chǎn)生很大的光生電流，因而可以有效保護(hù)APD器件不再因接收到過(guò)強(qiáng)的輸入光功率而過(guò)流損壞。為了降低電源噪聲對(duì)APD器件接收靈敏度的影響，濾除電源噪聲，充分發(fā)揮本發(fā)明裝置的作用，除了在取樣電阻與限流保護(hù)電阻的連接處與地之間接一濾波電容CI外，還在在所述限流電阻與所述雪崩二極管反向偏壓管腳的連接處與地之間接有第二濾波電容C2。
APD光接收模塊的過(guò)載保護(hù)性能與串接在DC/DC升壓電路輸出端與雪崩二極管的反向偏壓管腳之間的電阻，以及濾波電容的取值大小有直接的關(guān)系。以下通過(guò)對(duì)圖4所示的現(xiàn)有光接收模塊框圖中電阻電容參數(shù)選取的分析，為具有過(guò)載保護(hù)功能的APD光接收模塊中相關(guān)阻容參數(shù)的選擇和確定奠定基礎(chǔ)。
APD器件正常工作的兩個(gè)重要參數(shù)是反向偏置電壓VAPD和最大工作電流iAPD，其中
iAPD＝(M R0)Pin＝R Pin，(1)則vAPD＝V-iAPDR(1-e-t/RC)＝V-(M R0)PinR(1-e-t/RC)(2)式(1)中M是APD器件的倍增因子，R0是單位倍增響應(yīng)度，R是APD器件的響應(yīng)度，式(2)中Pin是平均輸入光功率，V是DC/DC升壓電路的輸出直流電壓值，R為電阻值，C是電容值。由公式2可見(jiàn)，M值與vAPD是有關(guān)的，即可以認(rèn)為M是vAPD的函數(shù)，當(dāng)vAPD到某一定值時(shí)，M值達(dá)到最大。
以典型的2.5Gb/s APD接收器件為例，假設(shè)DC/DC升壓電路輸出電壓為75V(高速光通信用2.5Gb/s光電探測(cè)器APD雪崩電壓的范圍是40～80V)，典型的APD器件響應(yīng)度R為8.5A/W，選擇電容C＝0.1uF時(shí)，分別選擇R＝5kΩ和R＝8kΩ，由公式(2)可以得到APD器件反向偏置電壓VAPD與輸入光功率Pin的曲線關(guān)系如圖5所示。由圖5曲線可見(jiàn)，在弱的輸入光功率條件下幾乎不影響APD的偏置電壓，也就是說(shuō)對(duì)增益系數(shù)幾乎沒(méi)有任何影響，因而對(duì)APD器件的接收靈敏度也幾乎沒(méi)有任何影響。隨著輸入光功率的增加，尤其是在大于過(guò)載光功率(＞-9dBm)之后，APD反向偏置電壓會(huì)迅速下降，并且下降的速率根據(jù)電阻阻值不同而不同。圖中曲線1對(duì)應(yīng)電阻為R＝5kΩ，曲線2對(duì)應(yīng)電阻為R＝8kΩ，比較著兩組曲線可知，隨著電阻值增大，在高輸入光功率時(shí)APD反向偏置電壓下降越快。但是當(dāng)我們繼續(xù)增加電阻值時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)在APD器件過(guò)載點(diǎn)附近反向偏置電壓值要下降，這時(shí)有可能會(huì)導(dǎo)致增益系數(shù)下降，造成APD器件在過(guò)載點(diǎn)附近不能正常工作，而影響了APD器件正常工作的動(dòng)態(tài)范圍，所以電阻R值的選擇也不能任意增大，必須根據(jù)實(shí)際的APD光接收器件進(jìn)行選擇，保證在APD器件動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)能夠正常工作是選擇該電阻值的基本原則。
圖6所示的APD器件反向偏置電壓VAPD與輸入光功率Pin的關(guān)系曲線，以濾波電容C為參變量，從而討論濾波電容C值對(duì)APD反向偏置電壓的影響。其中曲線2對(duì)應(yīng)C＝0.1uF，曲線1對(duì)應(yīng)C＝100uF，從兩條曲線的比較中可看出，選擇濾波電容值越小，在輸入平均光功率升高時(shí)，APD反向偏置電壓下降的越快，但電容過(guò)小會(huì)影響低頻噪聲的濾除效果；相反濾波電容值越大，在輸入平均光功率升高時(shí)，APD反向偏置電壓下降的緩慢一些。為了有效地保護(hù)APD器件，我們期望在強(qiáng)輸入光功率增加時(shí)，APD反向偏置電壓迅速降低，因此，為使光接收模塊獲得良好的過(guò)載保護(hù)性能，并兼顧其濾波效果，一般選擇C＝0.1uF的電容。
上述分析的結(jié)果，同樣適用本發(fā)明的APD光接收模塊。只不過(guò)其中R＝取樣電阻R1+限流保護(hù)電阻R2，而由于R2遠(yuǎn)大于R1，所以R2阻值的選取對(duì)于過(guò)載性能的影響具有決定性的意義。經(jīng)過(guò)實(shí)際的仿真確定，對(duì)于2.5Gb/s的APD器件，限流保護(hù)電阻R2的選擇范圍為20kΩ到40kΩ，對(duì)于10Gb/s的APD器件，限流保護(hù)電阻R2的選擇范圍為10kΩ到20kΩ；而C2一般取值為100pF，以保證在輸入光功率增大時(shí)，APD反向偏置電壓降低的更快。
在實(shí)際的2.5Gb/s APD光接收模塊電路中，DC/DC升壓電路采用脈寬調(diào)制技術(shù)，其輸出電壓為范圍為35～78V，而且是可通過(guò)外圍控制電路調(diào)節(jié)輸出電壓大小的，為了適應(yīng)溫度變化，在外圍控制端電路中增加了溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，用來(lái)補(bǔ)償因溫度變化造成APD器件雪崩電壓的變化，在APD接收模塊工作全溫度范圍內(nèi)線性補(bǔ)償輸出電壓的變化。輸入光功率檢測(cè)取樣電阻R1選擇4.75k±1％的精密電阻，APD限流保護(hù)電阻R2選擇20～40kΩ的電阻，濾波電容C1＝0.1uF，C2＝100pF，在正常工作條件下，輸入+20dBm的平均光功率，測(cè)量APD器件的反向偏置電壓已經(jīng)降低到10V左右，此時(shí)的APD器件幾乎沒(méi)有倍增特性，光生電流很小，幾乎相當(dāng)于暗電流的強(qiáng)度，因而可以確保APD接收器件不再損壞。
為了驗(yàn)證上述保護(hù)措施的有效性，我們采用如圖7所示的本發(fā)明具有過(guò)載保護(hù)功能的APD接收模塊來(lái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果如圖8表格所示。實(shí)驗(yàn)選用的APD接收器件的型號(hào)為OF3637B-CTM421，其雪崩電壓分別為VB＝63.3V和VB＝64.9V，另外一種APD器件的型號(hào)為F0862482T，其雪崩電壓為VB＝55.3V，光源統(tǒng)一采用Santec TSL-210可調(diào)諧激光器，其輸出波長(zhǎng)和平均功率均可調(diào)，最大輸出光功率為+20dBm。實(shí)驗(yàn)時(shí)直接將較強(qiáng)的光功率輸入到采用過(guò)載保護(hù)電路的APD接收模塊中，APD接收模塊處于上電狀態(tài)，各種不同供應(yīng)商的的APD器件經(jīng)過(guò)10～60分鐘時(shí)間的強(qiáng)光入射后再重新測(cè)試靈敏度和過(guò)載點(diǎn)，發(fā)現(xiàn)APD接收模塊的接收靈敏度和過(guò)載點(diǎn)沒(méi)有任何改變，而沒(méi)有采用保護(hù)電路的APD接收模塊在注入光功率大于0dBm時(shí)，APD器件瞬間就很快損壞。實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)一步證實(shí)了本發(fā)明具有過(guò)載保護(hù)裝置的APD偏置電路可以有效地保護(hù)APD接收器件，避免強(qiáng)輸入光時(shí)APD的過(guò)載損壞，大大地提高了APD接收模塊在實(shí)際光傳輸系統(tǒng)中在線運(yùn)行的可靠性。
可以理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，而所有這些改變或替換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有過(guò)載保護(hù)功能的光接收模塊，包括一雪崩光電二極管；一為所述雪崩光電二極管提供反向偏置電壓的DC/DC升壓電路；一用于輸入光檢測(cè)的取樣電阻，所述取樣電阻的一端與所述DC/DC升壓電路的輸出端連接；以及第一濾波電容；其特征在于在所述取樣電阻的另一端與所述雪崩二極管的反向偏壓管腳之間串接一限流保護(hù)電阻，且所述限流保護(hù)電阻的阻值大于所述取樣電阻的阻值；所述第一濾波電容接于所述取樣電阻和所述限流保護(hù)電阻的連接處與地之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光接收模塊，其特征在于在所述限流保護(hù)電阻和所述雪崩光電二極管反向偏壓管腳的連接處與地之間接有第二濾波電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光接收模塊，其特征在于當(dāng)所述雪崩光電二極管采用的是傳輸速率為2.5Gb/s的雪崩光電二極管時(shí)，所述限流保護(hù)電阻的阻值設(shè)置在20kΩ至40kΩ之間；當(dāng)所述雪崩光電二極管采用的是傳輸速率為10Gb/s的雪崩光電二極管時(shí)，所述限流保護(hù)電阻的阻值設(shè)置在10kΩ至20kΩ之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光接收模塊，其特征在于所述第一濾波電容取值為0.1uF；所述第二濾波電容取值為100pF。
全文摘要
一種具有過(guò)載保護(hù)功能的光接收模塊，用于光纖通訊領(lǐng)域；包括一雪崩光電二極管；一為雪崩光電二極管提供反向偏置電壓的DC/DC升壓電路；一用于輸入光檢測(cè)的取樣電阻；取樣電阻的一端與DC/DC升壓電路的輸出端連接，在取樣電阻的另一端與雪崩二極管的反向偏壓管腳之間串接一限流保護(hù)電阻，且所述限流保護(hù)電阻的阻值大于取樣電阻的阻值。當(dāng)輸入光功率過(guò)高時(shí)，瞬時(shí)產(chǎn)生較大的光生電流在限流保護(hù)電阻上產(chǎn)生的電壓降會(huì)迅速增大，導(dǎo)致雪崩光電二極管的反向偏置電壓迅速降低到無(wú)法產(chǎn)生雪崩效應(yīng)，因此不會(huì)產(chǎn)生很大的光電流而造成雪崩光電二極管的過(guò)流損壞，從而起到了過(guò)載保護(hù)的作用。
文檔編號(hào)H04B10/66GK1790946SQ200410077688
公開(kāi)日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2004年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月17日
發(fā)明者張立昆, 高登·瑞 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司