專利名稱：Crt顯示設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陰極射線管(CRT)顯示設(shè)備和方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種具有升壓電路的CRT顯示器，以及針對該顯示器的方法。
背景技術(shù)：
通常，CRT顯示器的回掃變壓器(FBT)輸出高達(dá)26KV。一般地，存在兩種類型的可用于穩(wěn)定地提供高壓的高壓調(diào)節(jié)電路。一種電路是可分離的調(diào)節(jié)電路，分別調(diào)節(jié)高壓和偏轉(zhuǎn)線圈(偏轉(zhuǎn)磁軛，DY)，而另一種電路是集成調(diào)節(jié)電路，對高壓和偏轉(zhuǎn)線圈一起進(jìn)行調(diào)節(jié)。
圖1是傳統(tǒng)CRT顯示器的集成調(diào)節(jié)電路。
如圖1所示，集成調(diào)節(jié)電路包括FBT 110、水平偏轉(zhuǎn)線圈120、偏轉(zhuǎn)信號控制器130和升壓電路140。
FBT 110具有初級導(dǎo)電線圈111和次級導(dǎo)電線圈112。次級導(dǎo)電線圈112具有與初級導(dǎo)電線圈111相比相當(dāng)大的匝數(shù)比，并且增加了施加到初級導(dǎo)電線圈111上的電壓。然后，將次級導(dǎo)電線圈112處的電壓提供給CRT的陰極。
水平偏轉(zhuǎn)線圈120與FBT的初級導(dǎo)電線圈111的一端相連。通過具有傾斜電流，水平偏轉(zhuǎn)線圈120對由電子槍產(chǎn)生的電子束進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，從而使電子束從角到角地掃描過CRT的顯像管。
偏轉(zhuǎn)信號控制器130包括晶體管Q3、上拉電阻R1和R2及阻尼二極管D2。典型地由硅二極管來實(shí)現(xiàn)的阻尼二極管D2用于限制在水平偏轉(zhuǎn)線圈120的傾斜電流波形的回掃周期之后所產(chǎn)生的自由振蕩。晶體管Q3使用BJT(雙極型結(jié)型晶體管)，并且響應(yīng)施加到其基極端子的控制信號，接通和切斷施加到水平偏轉(zhuǎn)線圈120上的電壓。
偏轉(zhuǎn)信號控制器130的主要目的是驅(qū)動水平偏轉(zhuǎn)線圈120。必須正確地將水平偏轉(zhuǎn)線圈120充電到適當(dāng)?shù)碾娏麟娖?，以使電子束的掃描能夠在屏幕上從左到右進(jìn)行。在水平偏轉(zhuǎn)線圈120中對電流強(qiáng)度的控制可以控制水平偏轉(zhuǎn)線圈120的偏轉(zhuǎn)，并且使掃描能夠水平地進(jìn)行。水平偏轉(zhuǎn)線圈120產(chǎn)生磁場，并且通過向電子束施加磁力使電子束偏轉(zhuǎn)。水平尺寸(H-尺寸)和水平線性(H-線性)分別控制偏轉(zhuǎn)角度和偏轉(zhuǎn)速度。升壓電路140向水平偏轉(zhuǎn)線圈120提供電能以能夠進(jìn)行連續(xù)的偏轉(zhuǎn)操作。
升壓電路140可以包括BJT(雙極型結(jié)型晶體管)Q1、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)Q2、二極管D1、上拉電阻器R3和R4、電容器C1和電感器L1。
將施加到BJT Q1上的根據(jù)PWM(脈沖寬度調(diào)制)信號產(chǎn)生的信號順序地施加到MOSFET Q2的柵極，作為切換MOSFET Q2的控制信號。施加到BJT Q1上的PWM信號是設(shè)計(jì)為在零負(fù)載電平和半負(fù)載電平之間交替的波形。當(dāng)MOSFET Q2處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，即，當(dāng)輸入到BJT Q1中的PWM信號處于零負(fù)載電平時(shí)，利用施加到MOSFET Q2的漏極端子的電壓對電容器C1進(jìn)行充電。另一方面，當(dāng)PWM信號處于半負(fù)載電平時(shí)，由電感器L1中所存儲的電動勢來增加對電容器C1進(jìn)行充電的電壓。當(dāng)施加到MOSFET Q2的漏極端子上的電壓(Vcc)是50V時(shí)，如果PWM信號處于零負(fù)載電平，則電容器C1的電壓是50V，而如果PWM信號處于半負(fù)載電平，則電容器C1的電壓增加到160V或180V。
上拉電阻器R3的主要作用是通知用于控制偏轉(zhuǎn)的IC(集成電路)MOSFET Q2處于導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)在MOSFET Q2的導(dǎo)通狀態(tài)期間電流流過上拉電阻器R3時(shí)，在Bsense處的電壓增加。因此，偏轉(zhuǎn)控制IC感測了Bsense處的電壓，并且通過改變MOSFET Q2的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)來控制該電壓，以使其成為高電壓。
主要在于MOSFET Q2的升壓電路140有效地用于控制高電壓。根據(jù)例如從31kHz到70kHz(千赫茲)變化的頻率、以及電子束的最大/最小載荷量，靈活地改變在電容器C1處的電壓，從而綜合地改變高電壓。
施加到電感器L1的磁場依賴于MOSFET Q2的導(dǎo)通負(fù)載狀態(tài)的長度，例如，磁力將隨著導(dǎo)通負(fù)載狀態(tài)的長度增加而增加。因此，通過處于導(dǎo)通負(fù)載狀態(tài)的MOSFET Q2，可以改變電容器C1中的電壓。將電容器C1中的電壓傳導(dǎo)到FBT 110的初級線圈111并提供給水平偏轉(zhuǎn)線圈120。
這樣的CRT設(shè)備廣泛地在TV顯像管、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器等中使用。還使用繼電器來控制上述CRT設(shè)備的系統(tǒng)，雖然繼電器由于振動噪聲、時(shí)延等可能對于系統(tǒng)是不利的。
參考圖1，傳統(tǒng)CRT顯示設(shè)備具有幾個(gè)問題，例如，由于來自繼電器的錯(cuò)誤，水平偏轉(zhuǎn)信號控制器130突然停止，效率低下的系統(tǒng)環(huán)境，以及潛在地會連續(xù)地施加升壓電路140的PWM信號。結(jié)果，在電感器C1中所存儲的電動勢可能會連續(xù)地增加，并且流過MOSFET Q2的電流可能會增加到危險(xiǎn)的水平，以致于實(shí)際上可能會毀壞MOSFET Q2。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)方面是提出一種CRT(陰極射線管)顯示設(shè)備及方法，其降低了升壓電路的輸入電壓，以便執(zhí)行常規(guī)的掃描操作，并且防止了升壓電路的元件的毀壞。
本發(fā)明的另外方面和/或優(yōu)點(diǎn)將部分地在以下描述中說明，以及部分地從描述中顯而易見地知道，或者可以通過實(shí)施本發(fā)明來認(rèn)識到。
為了實(shí)現(xiàn)上述和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的實(shí)施例提出了一種陰極射線管(CRT)顯示器，包括具有導(dǎo)電線圈的回掃變壓器(FBT)；升壓電路，用于將預(yù)定能量提供給FBT；高電壓傳感器，用于感測從升壓電路中輸出的電壓；以及控制器，用于接收感測到的電壓，并且當(dāng)所感測的電壓高于預(yù)定的危險(xiǎn)電壓時(shí)，控制對升壓電路的輸入電壓的降低。
所述CRT顯示器還可以包括偏轉(zhuǎn)信號輸出，向該偏轉(zhuǎn)信號輸出施加來自升壓電路的預(yù)定偏轉(zhuǎn)電壓；以及偏轉(zhuǎn)信號控制器，用于控制將所施加到的偏轉(zhuǎn)電壓從升壓電路施加到偏轉(zhuǎn)信號輸出，其中，當(dāng)升壓電路連續(xù)地向FBT提供能量而偏轉(zhuǎn)信號控制器未控制將所施加的偏轉(zhuǎn)電壓施加到偏轉(zhuǎn)信號輸出時(shí)，控制器降低施加到升壓電路的輸入電壓。
此外，當(dāng)所感測的電壓高于危險(xiǎn)電壓時(shí)，所述控制器可以在顯示器電源管理信號控制(DPMS)模式下控制對CRT顯示器進(jìn)行操作，以降低施加到升壓電路的輸入電壓。另外，當(dāng)所感測到的電壓高于危險(xiǎn)電壓時(shí)，所述控制器向偏轉(zhuǎn)信號控制器輸出預(yù)定的控制信號，以使偏轉(zhuǎn)信號控制器能夠控制施加到偏轉(zhuǎn)信號輸出的偏轉(zhuǎn)電壓，從而降低對升壓電路的輸入電壓。
為了實(shí)現(xiàn)上述和/或另外的方面和優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種控制陰極射線管(CRT)顯示器的方法，包括感測從回掃變壓器(FBT)的升壓電路輸出的電壓；以及當(dāng)所感測的電壓高于預(yù)定電壓時(shí)，控制對升壓電路的輸入電壓的降低。
所述方法還可以包括將偏轉(zhuǎn)電壓從升壓電路施加到偏轉(zhuǎn)信號輸出，以控制CRT的電子束的偏轉(zhuǎn)，其中，當(dāng)升壓電路連續(xù)地向FBT提供能量，而未由偏轉(zhuǎn)信號輸出使用來自正在由用于控制偏轉(zhuǎn)信號輸出的偏轉(zhuǎn)信號控制器控制的升壓電路的偏轉(zhuǎn)電壓時(shí)，降低施加到升壓電路上的輸入電壓。
此外，當(dāng)升壓電路的輸出的所感測的電壓高于預(yù)定電壓時(shí)，在顯示器電源管理信號控制(DPMS)模式下對CRT顯示器的操作進(jìn)行控制，以便降低施加到升壓電路的輸入電壓。另外，當(dāng)升壓電路的輸出所感測到的電壓高于預(yù)定電壓時(shí)，通過降低對升壓電路的輸入電壓，控制偏轉(zhuǎn)信號控制器，以控制由偏轉(zhuǎn)信號輸出對來自升壓電路的偏轉(zhuǎn)電壓的使用。


從結(jié)合附圖所采用的以下對實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的上述和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯并且更加容易理解圖1示出了傳統(tǒng)CRT(陰極射線管)顯示器的集成調(diào)節(jié)電路的電路圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的CRT顯示器的方框圖；
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的具有完整調(diào)節(jié)電路的CRT顯示器的方框圖；以及圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的CRT顯示器的電路圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)地描述，在附圖中示出了這些實(shí)施例的實(shí)例，其中，相同的參考符號表示相同的組件。下面通過參考附圖來描述這些實(shí)施例以對本發(fā)明進(jìn)行說明。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的CRT(陰極射線管)顯示器的方框圖。
如圖2所示，CRT顯示設(shè)備包括FBT(回掃變壓器)10、升壓電路20、高電壓傳感器30和控制器60。
FBT 10將輸入電壓增加到高輸出電壓，并且將高輸出電壓輸出到CRT顯示器的陽極(未示出)、聚焦格柵和控制格柵(未示出)。
升壓電路20放大預(yù)定的輸入電壓，以便將放大后的電壓輸出到FBT 10的初級線圈。高壓傳感器30感測由升壓電路20的晶體管輸出的放大的輸入電壓，并且將感測到的輸入電壓輸出到控制器60。
控制器60將切換電壓信號施加到升壓電路20的晶體管，以便控制從升壓電路20輸出的電壓電平。同時(shí)，控制器60從高壓傳感器30中接收預(yù)定電壓，并且如果預(yù)定電壓高于預(yù)定的危險(xiǎn)電壓，則控制對升壓電路20的輸入電壓的降低。在顯示器電源管理信號控制(DPMS)的節(jié)能模式下，控制器60還可以控制對CRT顯示設(shè)備進(jìn)行操作，并且可以將施加到升壓電路20的晶體管上的切換信號保持為截止?fàn)顟B(tài)。
高電壓傳感器30感測從升壓電路20輸出的電壓，并且將感測到的電壓輸出到控制器60。然后，控制器60確定所感測到的電壓是否諸如由于CRT顯示器的故障而高于正常電壓，從而控制對升壓電路20的輸入電壓降低。
高電壓傳感器30可以直接感測升壓電路20的輸入電壓，并且可以測量在其他節(jié)點(diǎn)中形成的電壓，從而將所感測的電壓輸出到控制器60。控制器60將所感測的電壓與預(yù)定的危險(xiǎn)電壓進(jìn)行比較，以檢測CRT的故障。
此外，高電壓傳感器30可以感測從FET 10中輸出的電壓或者從升壓電路20施加到FBT 10上的電壓，并且將所感測的電壓輸出到控制器60。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的具有集成的高電壓調(diào)節(jié)電路的CRT的方框圖。
如圖3所示，除了在本實(shí)施例中已添加了偏轉(zhuǎn)電路35之外，集成高電壓調(diào)節(jié)電路可以具有與圖2所示的CRT類似的結(jié)構(gòu)。
偏轉(zhuǎn)電路35包括偏轉(zhuǎn)信號輸出40和偏轉(zhuǎn)信號控制器50。
偏轉(zhuǎn)信號輸出40接收來自升壓電路20的鋸齒形電流信號并輸出偏轉(zhuǎn)信號，所述偏轉(zhuǎn)信號對來自電子槍的電子束(未示出)進(jìn)行偏轉(zhuǎn)。這樣的偏轉(zhuǎn)信號對電子流進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，以控制電子束掃描過CRT的屏幕。
偏轉(zhuǎn)信號控制器50控制由升壓電路20提供的電流流到偏轉(zhuǎn)信號輸出40，從而控制電子束的偏轉(zhuǎn)量，以及偏轉(zhuǎn)的變化。
作為CRT系統(tǒng)的潛在故障的實(shí)例，如果在升壓電路20連續(xù)工作的同時(shí)，偏轉(zhuǎn)信號控制器50停止操作，則預(yù)定的高電壓將很可能被提供給回掃變壓器(FBT)和偏轉(zhuǎn)信號輸出40。在這種情況下，控制器60感測到該故障，并適當(dāng)?shù)亟档蜕龎弘娐?0的輸入電壓。按照這種方式，控制器60控制對偏轉(zhuǎn)信號控制器50的正常操作，從而降低升壓電路20的輸入電壓。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的CRT顯示器的電路圖。
如圖4所示，CRT顯示器可以包括回掃變壓器(FBT)10、升壓電路20、高電壓傳感器30、偏轉(zhuǎn)信號輸出40、偏轉(zhuǎn)信號控制器50、以及控制器60。
FBT 10具有初級導(dǎo)電線圈11和次級導(dǎo)電線圈12，并且將高電壓變換到以高匝數(shù)比與初級導(dǎo)電線圈11相連的次級線圈12。由次級導(dǎo)電線圈12輸出的電壓施加到CRT顯示器的陽極。
升壓電路20可以包括BJT Q4、MOSFET Q5、二極管D22、上拉電阻器R24和R25、電容器C23、以及電感器L21。
將根據(jù)施加到BJT Q4上的PWM信號產(chǎn)生的信號順序地施加到MOSFET Q5的柵極端子，作為切換MOSFET Q5的控制信號。施加到BJT Q4上的PWM信號是設(shè)計(jì)為在零負(fù)載電平和半負(fù)載電平之間交替的波形。當(dāng)MOSFET Q5處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，即，當(dāng)施加到BJT Q4的PWM信號處于零負(fù)載電平時(shí)，利用施加到MOSFET Q5的漏極端子上的電壓對電容器C23進(jìn)行充電。另一方面，當(dāng)PWM信號處于半負(fù)載電平時(shí)，由在電感器L21中所存儲的電動勢增加對電容器C23進(jìn)行充電的電壓。例如，當(dāng)施加到MOSFET Q5的漏極端子的電壓是50V時(shí)，如果PWM信號處于零負(fù)載電平，則電容器C23的電壓是50V，而如果PWM信號處于半負(fù)載電平時(shí)，則電容器C23的電壓增加到諸如160V或180V。
上拉電阻器R25的主要作用是向可以在控制器60中具體實(shí)現(xiàn)并且對偏轉(zhuǎn)進(jìn)行控制的偏轉(zhuǎn)控制集成電路(IC)通知MOSFET Q5處于導(dǎo)通狀態(tài)。如果在MOSFET Q5的導(dǎo)通狀態(tài)期間，電流正流過上拉電阻器R25，則在Bsense處的電壓增加。因此，偏轉(zhuǎn)控制IC感測到在Bsense處的電壓，并且通過改變MOSFET Q5的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)將其控制為高電壓。
主要在于MOSFET Q5的升壓電路20，用于有效地控制高電壓。對應(yīng)于諸如從31kHz到70kHz變化的頻率、以及電子束的最大/最小載荷量，靈活地改變電容器C 23中的電壓，從而改變高電壓。
MOSFET Q5的較長的導(dǎo)通負(fù)載狀態(tài)導(dǎo)致了電感器L21中傳導(dǎo)的磁力增加。因此，通過MOSFET Q5的導(dǎo)通負(fù)載狀態(tài)，可以改變電容器C23中的電壓。將電容器C23中的電壓傳遞到FBT 10的初級線圈11上，并且提供給偏轉(zhuǎn)線圈41。
高電壓傳感器30可以包括導(dǎo)電線圈31、二極管D32、電阻器R33、以及電容器C34。
導(dǎo)電線圈31以相當(dāng)小的匝數(shù)比與FBT 10的次級導(dǎo)電線圈12相連。因此，根據(jù)匝數(shù)比，降低了施加到次級線圈12上的電壓，并且將該電壓施加到處于更低電壓的導(dǎo)電線圈31。
二極管D32防止了電流的回流。電阻器R33和電容器C34構(gòu)成了低通濾波器(LPF)，用于從導(dǎo)電線圈31中所存儲的電壓中去除波動，并且將去除波動后的電壓輸出到微型計(jì)算機(jī)61。
偏轉(zhuǎn)信號輸出40可以包括偏轉(zhuǎn)線圈41。由流過偏轉(zhuǎn)線圈41的鋸齒形電流產(chǎn)生的磁場對電子束的電荷進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，從而使電子束能夠掃描過CRT屏幕。
偏轉(zhuǎn)信號控制器50還可以包括BJT Q6、上拉電阻器R51和R52、以及阻尼二極管D53。
BJT Q6接收基極端子中的預(yù)定切換信號，并且阻尼二極管D53防止了鋸齒形電流在回掃周期內(nèi)的振蕩。
偏轉(zhuǎn)信號控制器50控制施加到偏轉(zhuǎn)信號輸出40的電壓或電流。當(dāng)BJT Q6導(dǎo)通時(shí)，流過偏轉(zhuǎn)線圈41的電流流到與BJT Q6的發(fā)射極相連的接地端子。
控制器60包括微型計(jì)算機(jī)61，并且微型計(jì)算機(jī)61包括高電壓傳感器端口P1，用于從高電壓傳感器30中接收高電壓；以及輸出端子，用于分別輸出控制升壓電路20和偏轉(zhuǎn)信號控制器50的晶體管Q4和Q6的切換信號。
如果由于系統(tǒng)在繼電器發(fā)生故障等，未將切換信號從微型計(jì)算機(jī)61施加到偏轉(zhuǎn)信號控制器50的晶體管Q6上，則電感器L21的電動勢將以響應(yīng)升壓電路20的操作的預(yù)定量增加。這樣的電動勢導(dǎo)致了電容器C23的電壓增加，從而造成了高電壓被施加到FBT 10的初級導(dǎo)電線圈11上，以致于次級導(dǎo)電線圈12和高電壓傳感器30的導(dǎo)電線圈31產(chǎn)生了比正常情況更高的電壓。由于將來自微型計(jì)算機(jī)61的切換信號停止輸出到偏轉(zhuǎn)信號控制器50，使提供給升壓電路20的能量累積在電感器L21中，該能量不會通過與晶體管Q6相連的接地端子消失，因此，可能會發(fā)生該現(xiàn)象。
因此，高電壓傳感器30將通過LPF在導(dǎo)電線圈31中感應(yīng)出的異常的高電壓信號輸出到微型計(jì)算機(jī)61的高電壓傳感器端口P1。由此，當(dāng)高電壓傳感器端口P1處的電壓高于預(yù)定的危險(xiǎn)電壓時(shí)，微型計(jì)算機(jī)61檢測到系統(tǒng)的故障，并且因而停止輸出用于切換升壓電路20的控制信號，從而諸如使晶體管Q4截止。
如上所述，控制器60還使顯示設(shè)備能夠在DPMS(顯示器電源管理信號控制)模式下操作，并且將切換信號提供給偏轉(zhuǎn)信號控制器50的晶體管Q6，使晶體管Q6能夠在預(yù)定周期內(nèi)保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且當(dāng)高電壓傳感器30中感測到的電壓下降到低于預(yù)定電壓時(shí)，還施加正常切換信號。
雖然已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會意識到，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以在這些實(shí)施例中進(jìn)行改變，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等價(jià)物所限定。
權(quán)利要求
1.一種陰極射線管(CRT)顯示器，包括回掃變壓器(FBT)，具有導(dǎo)電線圈；升壓電路，用于將預(yù)定電能提供給FBT；高壓傳感器，用于感測從升壓電路中輸出的電壓；以及控制器，用于接收感測的電壓，并且當(dāng)所感測的電壓高于預(yù)定的危險(xiǎn)電壓時(shí)，控制對升壓電路的輸入電壓的降低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CRT顯示器，其特征在于還包括偏轉(zhuǎn)信號輸出，向該偏轉(zhuǎn)信號輸出施加來自升壓電路的預(yù)定偏轉(zhuǎn)電壓；以及偏轉(zhuǎn)信號控制器，用于控制將所施加的偏轉(zhuǎn)電壓從升壓電路施加到偏轉(zhuǎn)信號輸出，其中，當(dāng)升壓電路連續(xù)地向FBT提供電能而偏轉(zhuǎn)信號控制器未控制將所施加的偏轉(zhuǎn)電壓施加到偏轉(zhuǎn)信號輸出時(shí)，控制器降低施加到升壓電路的輸入電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CRT顯示器，其特征在于所述高壓傳感器感測從升壓電路提供給FBT的電壓，并且將所提供的電壓輸出到控制器作為所感測的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CRT顯示器，其特征在于所述高壓傳感器包括與FBT的導(dǎo)電線圈耦合的線圈，并且感測傳導(dǎo)到耦合線圈上的電壓，從而將所感測的耦合線圈的電壓輸出到控制器作為所感測到的電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CRT顯示器，其特征在于當(dāng)所感測的電壓高于危險(xiǎn)電壓時(shí)，所述控制器在顯示器電源管理信號控制(DPMS)模式下控制要進(jìn)行操作的CRT顯示器，以降低施加到升壓電路的輸入電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的CRT顯示器，其特征在于當(dāng)所感測的電壓高于危險(xiǎn)電壓時(shí)，所述控制器控制在顯示器電源管理信號控制(DPMS)模式下控制要進(jìn)行操作的CRT顯示器，以降低施加到升壓電路的輸入電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CRT顯示器，其特征在于當(dāng)所感測到的電壓高于危險(xiǎn)電壓時(shí)，所述控制器向偏轉(zhuǎn)信號控制器輸出預(yù)定的控制信號，以使偏轉(zhuǎn)信號控制器能夠控制施加到偏轉(zhuǎn)信號輸出的偏轉(zhuǎn)電壓，從而降低輸入到升壓電路的輸入電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CRT顯示器，其特征在于升壓電路還包括切換晶體管，用于控制對FBT的電能提供。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CRT顯示器，其特征在于高電壓傳感器感測在切換晶體管處的電壓以確定晶體管是否導(dǎo)通。
10.一種控制陰極射線管(CRT)顯示器的方法，包括感測從回掃變壓器(FBT)的升壓電路輸出的電壓；以及當(dāng)所感測的電壓高于預(yù)定電壓時(shí)，控制升壓電路的輸入電壓的降低。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于還包括將偏轉(zhuǎn)電壓從升壓電路施加到偏轉(zhuǎn)信號輸出，以控制CRT的電子束的偏轉(zhuǎn)，其中，當(dāng)升壓電路連續(xù)地向FBT提供電能，而未由偏轉(zhuǎn)信號輸出使用來自正在由用于控制偏轉(zhuǎn)信號輸出的偏轉(zhuǎn)信號控制器控制的升壓電路的偏轉(zhuǎn)電壓時(shí)，降低施加到升壓電路上的輸入電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于還包括感測從升壓電路提供給FBT的電壓，并且輸出所提供的電壓，作為升壓電路的輸出的感測電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于還包括感測與FBT的導(dǎo)電線圈耦合的線圈的電壓，并且輸出所感測到的耦合的線圈的電壓，作為升壓電路的輸出的感測電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于還包括當(dāng)升壓電路的輸出的感測電壓高于預(yù)定電壓時(shí)，在顯示器電源管理信號控制(DPMS)模式下對CRT顯示器的操作進(jìn)行控制，以便降低施加到升壓電路的輸入電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于還包括當(dāng)升壓電路的輸出的感測電壓高于預(yù)定電壓時(shí)，在顯示器電源管理信號控制(DPMS)模式下對CRT顯示器的操作進(jìn)行控制，以便降低施加到升壓電路的輸入電壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于還包括當(dāng)升壓電路的輸出所感測到的電壓高于預(yù)定電壓時(shí)，通過降低輸入到升壓電路的輸入電壓，控制偏轉(zhuǎn)信號控制器，以控制由偏轉(zhuǎn)信號輸出對來自升壓電路的偏轉(zhuǎn)電壓的使用。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于還包括利用在升壓電路中的切換晶體管，控制從升壓電路向FBT的電能提供。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于包括感測在切換晶體管處的電壓以確定切換晶體管是否導(dǎo)通。
全文摘要
一種陰極射線管(CRT)顯示設(shè)備及方法，包括具有導(dǎo)電線圈的回掃變壓器(FBT)；升壓電路，用于將預(yù)定能量提供給FBT。所述CRT包括高電壓傳感器，用于感測施加到升壓電路的電壓；以及控制器，用于接收從FBT中輸出的電壓，并且當(dāng)從FBT接收到的電壓高于預(yù)定的危險(xiǎn)電壓時(shí)，控制對升壓電路的輸入電壓的降低。按照這種結(jié)構(gòu)，本發(fā)明提供了能夠降低升壓電路的輸入電壓以正常操作并且防止了升壓電路的元件的毀壞的CRT顯示設(shè)備。
文檔編號H04N3/20GK1578390SQ20041006216
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月3日
發(fā)明者樸炯錫 申請人:三星電子株式會社