專利名稱：集成式高頻功率合成與功率分配器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種高頻功率合成與功率分配器，特別是用于高頻功率源的高頻功率合成與功率分配器。
圖1所示的WILKINSON電路可用于功率合成和分配網(wǎng)絡(luò)。在具體實施過程中，是將N路長度為λ／4(λ為工作波長)的同軸線的外導(dǎo)體相互連通接地，N路內(nèi)導(dǎo)體的一端連通作為總輸出端的內(nèi)導(dǎo)體A(或總輸入端的內(nèi)導(dǎo)體)，N路內(nèi)導(dǎo)體的另一端作為分路輸入端的內(nèi)導(dǎo)體(或分路輸出端的內(nèi)導(dǎo)體)，各輸入內(nèi)導(dǎo)體之間還可接有電阻，共有N路電阻。如作為功率合成器，N路分功率分別從N個輸入端接入，合成后的總功率從總輸出端A輸出。作為功率分配器使用時，總功率從A端輸入，分配后的功率從N個端口輸出。實現(xiàn)上述電路的具體結(jié)構(gòu)都為分離結(jié)構(gòu)方式，是用電纜，或是用帶狀線實現(xiàn)。這種分離結(jié)構(gòu)的問題在于標(biāo)準(zhǔn)電纜的特性阻抗有限，沒有適用于WILKINSON電路的阻抗。而且各路之間普遍存在的機(jī)械尺寸偏差，造成電氣參數(shù)不一致，機(jī)械穩(wěn)定性差，尺寸大，安裝布置困難等。特別是電氣參數(shù)不一致，將造成各路信號之間的幅度和相位差，影響最后的合成功率指標(biāo)。
本實用新型的目的在于提供一種集成式功率合成與功率分配器件，是將各支路同軸線與總輸出同軸器件及調(diào)諧匹配器做在一個固定的構(gòu)件中，以提高全固態(tài)功率源的指標(biāo)，便于制造低成本大功率的固態(tài)功率源。
本實用新型的上述目的是由以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。
一種集成式高頻功率合成與功率分配器，有N路長度為λ／4的同軸線，該同軸線的外導(dǎo)體相互連通接地，N路內(nèi)導(dǎo)體的一端連通作為總輸出端(或總輸入端)，N路內(nèi)導(dǎo)體的另一端作為分路輸入端(或分路輸出端)，各輸入內(nèi)導(dǎo)體之間接有電阻，共有N路電阻，電阻的另一端互聯(lián)；其特征在于該N路同軸線均布于N等分的圓周上，N路同軸線的一端，其各路外導(dǎo)體相互連通，并與主路同軸插座的外導(dǎo)體相連通接地；N路同軸線的內(nèi)導(dǎo)體的一端按圓周均布方式接到一金屬盤的外沿，金屬盤的中心接主路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體；N路同軸線的另一端，其各路內(nèi)導(dǎo)體接各支路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體，其各路外導(dǎo)體接各支路同軸插座的外導(dǎo)體并接地，共有N個支路同軸插座；N個支路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體與同軸線內(nèi)導(dǎo)體的連接端接電阻，共有N路電阻；該N路電阻的另一端，接于對外導(dǎo)體絕緣的金屬圓環(huán)上；上述金屬盤的下面設(shè)有一個與金屬盤間距可調(diào)的匹配金屬塊；金屬盤、匹配金屬塊及金屬圓環(huán)三者的中心在同一軸線上。
在具體實施過程中，除上述必要技術(shù)特征外，還可補(bǔ)充下述技術(shù)內(nèi)容該集成式高頻功率合成與功率分配器，設(shè)有一基體，該基體為一正N邊形棱柱體，在每一棱柱側(cè)平面的中間，沿軸向設(shè)有兩端開通的等邊矩形槽；基體的一端設(shè)有一孔，一金屬圓環(huán)藉由二絕緣環(huán)壓固于孔內(nèi)，孔壁上設(shè)有與矩型槽相通的通孔；另一端也設(shè)有一孔，該孔底部中心設(shè)有一螺孔，孔壁上部開有與矩型槽相通的槽孔；有N塊蓋板，該蓋板蓋合于基體側(cè)棱面的等邊矩形槽上構(gòu)成N個外導(dǎo)體，N個外導(dǎo)體內(nèi)設(shè)有內(nèi)導(dǎo)體，構(gòu)成N路同軸線；蓋板的近下端設(shè)有一通孔；有N個支路同軸插座，固設(shè)于蓋板下端的通孔中，其內(nèi)導(dǎo)體分別與對應(yīng)的同軸線的內(nèi)導(dǎo)體及電阻連接；有N個電阻，該電阻的另一端通過上述通孔與上述金屬圓環(huán)相連接；在基體的另一端的孔內(nèi)的螺孔中，螺裝一匹配金屬塊，該匹配金屬塊的端面為平面，其下端為螺柱；N路同軸線內(nèi)導(dǎo)體的另一端通過槽孔與一金屬盤連接，該金屬盤的中心設(shè)有一圓柱導(dǎo)體，該圓柱導(dǎo)體與設(shè)在上端板中心的主路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體相連接；上端板螺固于基體的端部；有一下端板，下端板螺固于基體的另一端。
上述基體兩端的孔與矩形槽相通的通孔和槽孔是由加大該部位孔徑使與矩形槽相通而實現(xiàn)。
該基體還可設(shè)為一圓柱體，在圓柱體的側(cè)面均布有N個沿軸向的平面，每個平面的中間沿軸向設(shè)有向兩端開通的等邊矩形槽，該基體的兩端設(shè)有相應(yīng)形狀的上端板及下端板，其內(nèi)部構(gòu)造同前。
該集成式高頻功率合成與功率分配器，設(shè)有一上安裝板和一下安裝板，并以上安裝板和下安裝板的中心為中心，適當(dāng)半徑圓周的N等分處設(shè)有供固設(shè)N個λ／4波長的同軸線的通孔，同軸線外導(dǎo)體藉由該通孔固設(shè)于該等上下安裝板上而形成一框架；上安裝板的中心設(shè)有一螺孔，下安裝板的中心設(shè)有一安裝孔；每個同軸線內(nèi)導(dǎo)體的一端連接金屬盤，金屬盤的下面，在上安裝板的中心螺孔中緊固一調(diào)諧金屬塊；金屬盤的中心設(shè)有一圓柱導(dǎo)體，該圓柱導(dǎo)體與上端板上的主路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體相連接；上端板的中心設(shè)有一主路同軸插座，上端板與上安裝板之間還接有連接板(或連接桿)以實現(xiàn)電和機(jī)械連接；各內(nèi)導(dǎo)體的另一端均分別與支路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體連接，各支路同軸插座固設(shè)于下端板的等分圓周上；在下端板與下安裝板之間裝有一金屬圓環(huán)，該金屬圓環(huán)通過絕緣環(huán)固設(shè)于下安裝板與下端板之間；有N個電阻，每個電阻的一端分別與內(nèi)導(dǎo)體連接，電阻的另一端接金屬圓環(huán)；下端板與下安裝板之間還接有連接板或連接桿以實現(xiàn)電的連接。
下端板上還可設(shè)有冷卻液進(jìn)入管及冷卻液排出管，供金屬環(huán)通循環(huán)冷卻液。
N為≥2的自然數(shù)中的任一個。
匹配金屬塊與基體的螺孔之間可設(shè)有調(diào)節(jié)墊圈。
為實現(xiàn)N路功率合成或?qū)⒛骋还β试捶殖蒒路。本實用新型整體式結(jié)構(gòu)中，是將合成電路的N條傳輸線部分做成一個整體結(jié)構(gòu)件，即在一根圓金屬棒(或厚壁圓管)的外沿，沿圓周方向以均勻分布方式加工N個矩形槽。矩形槽的長度方向平行于圓棒的軸線，矩形槽的長度為λ／4，這里，λ為工作波長。然后在每個矩形槽上加蓋板，形成N個矩形截面的波導(dǎo)管。其內(nèi)裝入圓形截面的內(nèi)導(dǎo)體，最后形成N根λ／4長的同軸傳輸線?；蚴窃诳蚣苁浇Y(jié)構(gòu)中，將N個λ／4長的同軸線外導(dǎo)體(或方型、或圓型)的兩端各固設(shè)一可使N個同軸線均布于圓周上的上、下安裝板中。
理想的WILKINSON電路的傳輸線特性阻抗為W=N50(Ω)]]>該裝置被用來組成功合器時，在N個輸入端都接上一只電阻，而電阻的另一端都接到一個對殼體(地)絕緣的金屬環(huán)上。N個電阻在裝置的一端成輻射狀排列。在大功率使用條件下，為了使電阻及整個模塊基體能夠有效地散熱，該合成器裝置模塊還可通以液體冷卻，其中N個電阻的公共端的金屬圓環(huán)，是冷卻的重點(diǎn)部位之一，但不應(yīng)因液態(tài)冷卻及有關(guān)裝置的加入而使其對地絕緣電阻降到影響網(wǎng)絡(luò)正常工作的地步。冷卻液的入口和出口都被裝在模塊這一端的同一端蓋上，或直接裝設(shè)在金屬圓環(huán)上。
實際上電阻存在分布電容，因此必須對WILKINSON電路的長度和特性阻抗進(jìn)行修正。為了改善功合器輸出端的阻抗匹配狀況，在功率合成端的金屬圓片的一側(cè)，加了一塊接地的匹配金屬塊，調(diào)節(jié)匹配金屬塊與金屬圓片之間的距離，即改變阻抗匹配狀況；在輸入端也可加金屬片形成補(bǔ)償電容。
本實用新型的優(yōu)點(diǎn)在于1、可實現(xiàn)N路功率合成或N路功率分配，即在金屬圓棒(或厚壁金屬圓管)外表面縱向開N個方槽，加蓋板置入內(nèi)導(dǎo)體，或直接采用標(biāo)準(zhǔn)同軸線，可以得到所需的傳輸線的特性阻抗W=N50(Ω)]]>然后根據(jù)電阻分布電容的大小對其進(jìn)行修正，很容易達(dá)到或接近理論值。
2、所加電阻集中呈輻射狀排列在徑向上，引線最短。
3、N個電阻共同端接在一個對地絕緣的金屬環(huán)上，便于以液態(tài)方式冷卻，從而能在較大的功率等級上普及應(yīng)用。
4、在功合器與功分器模塊內(nèi)加入可調(diào)的金屬塊，可將阻抗匹配狀況調(diào)到最佳。
5、功合器輸出端(功分器輸入端)N個傳輸線的內(nèi)導(dǎo)體共同連接到一個金屬盤上，金屬盤中心連到輸出插座的內(nèi)導(dǎo)體上，這樣增加了帶寬，改善了匹配。
6、消除了各路間的機(jī)械尺寸偏差，各路電氣參數(shù)一致。
7、結(jié)構(gòu)緊湊，便于安裝。
以下結(jié)合附圖及實施例對本實用新型所提供的集成式功率合成與功率分配器的具體結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步說明。


圖1是用于N路功率合成(分配)的WILKINSON電路圖。
圖2是N路功率合成(分配)器整體式的總裝配立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是N路功率合成(分配)器整體式的總裝配立體結(jié)構(gòu)分解示意圖。
圖4是基體主視圖。
圖5是基體仰視圖。
圖6是基體俯視圖。
圖7是N路功率合成(分配)器框架式的總裝配立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8是傳輸線結(jié)構(gòu)橫截面參數(shù)圖。
由圖2、圖3可見，本實用新型所提供的集成式高頻功率合成與功率分配器整體式結(jié)構(gòu)是由基體3、上端板1、主路同軸插座2、接線金屬盤4、內(nèi)導(dǎo)體51、匹配金屬塊6、下端板11、支路同軸插座8、金屬圓環(huán)9、電阻10、蓋板7、絕緣環(huán)14、15、墊圈16組成。
其中基體3(如圖4、圖5、圖6所示)為一正N邊形棱柱體，在每一棱柱側(cè)平面的中間，沿軸向設(shè)有兩端開通的等邊矩形槽35；基體3的下端設(shè)有孔31，該孔31為階梯孔，孔31的孔壁上設(shè)有與矩型槽35相通的通孔33；基體3的另一端設(shè)有孔32，孔32底部中心設(shè)有一螺孔38，孔32孔壁上部(即基體上端部)開有與矩型槽35相通的槽孔34，在孔32的底部中心設(shè)有螺孔38。
金屬圓環(huán)9藉由二絕緣環(huán)14、15壓固于孔31內(nèi)，有N塊蓋板7，該蓋板7蓋合于基體3側(cè)棱面的等邊矩形槽35上構(gòu)成N個外導(dǎo)體52，N個外導(dǎo)體52內(nèi)設(shè)有內(nèi)導(dǎo)體51，構(gòu)成N路支路同軸線5；蓋板7的近下端設(shè)有一通孔71；有N個支路同軸插座8，固設(shè)于蓋板7下端的通孔71中，N個支路同軸插座8的內(nèi)導(dǎo)體分別與對應(yīng)的同軸線5的內(nèi)導(dǎo)體51連接，該接點(diǎn)還接電阻10，共有N個電阻10，電阻10的另一端通過通孔33與上述金屬圓環(huán)9連接；在基體3的孔32內(nèi)的螺孔38中，螺裝一匹配金屬塊6，該匹配金屬塊6的端面61為平面，其下端設(shè)有一旋入螺孔的螺柱62；N路同軸線5的內(nèi)導(dǎo)體51的另一端通過槽孔34與金屬盤4連接，該金屬盤4的中心設(shè)有一圓柱導(dǎo)體20，該圓柱導(dǎo)體20與上端板1中心固設(shè)的主路同軸插座2的內(nèi)導(dǎo)體相連接；上端板1螺固于基體3的上端；該金屬盤4的下表面與匹配金屬塊6的端面61相對，調(diào)節(jié)匹配金屬塊6的端面61與金屬盤4的下表面的距離即可調(diào)節(jié)匹配阻抗，在匹配金屬塊6的下面可配有適當(dāng)厚度的墊圈16；有一下端板11，下端板11螺固于基體3的下端，并使金屬圓環(huán)9、絕緣環(huán)14、15壓固于孔31內(nèi)。用于大功率時，端板11上可設(shè)有冷卻液入管12及冷卻液出管13，以供冷卻金屬圓環(huán)及電阻。
上述基體兩端的孔31、32與矩形槽35相通的通孔33和槽孔34是由加大該部位孔徑使與矩形槽相通而實現(xiàn)，也可以不加大該部位孔徑而直接由槽孔向中心加工實現(xiàn)，可以是矩形孔也可以是圓孔。
圖7是集成式功率合成與功率分配器框架式結(jié)構(gòu)圖，是在以上安裝板18和下安裝板19的中心為中心適當(dāng)半徑的圓周的N等分處設(shè)有供固設(shè)長度為λ／4波長的同軸導(dǎo)體5的外導(dǎo)體51的通孔40、41。λ／4波長的同軸導(dǎo)體5的外導(dǎo)體52藉由通孔40、41固設(shè)于該等上、下安裝板18、19上而形成一框架；上安裝板18的中心設(shè)有一螺孔21，下安裝板19的中心設(shè)有一安裝孔(圖中未示)；每個同軸外導(dǎo)體52的中心均藉由絕緣子固設(shè)一內(nèi)導(dǎo)體51，該內(nèi)導(dǎo)體51的一端連接金屬盤4，金屬盤4的下面，在上安裝板18的中心螺孔21中緊固一調(diào)諧金屬塊6，在調(diào)諧金屬塊6與上安裝板18之間可設(shè)有多個用于調(diào)節(jié)調(diào)諧金屬塊6與金屬盤4之間距的墊圈16(如同整體式結(jié)構(gòu))；金屬盤4的中心設(shè)有一圓柱導(dǎo)體20，在金屬盤4的上部還設(shè)有一上端板1，該上端板1的中心設(shè)有一通孔26(如同整體式結(jié)構(gòu))，一主路同軸插座2藉由螺釘27通過該安裝螺孔28固設(shè)于上端板1的中心通孔26中；該主路同軸插座2的內(nèi)導(dǎo)體與金屬盤4中心的導(dǎo)體20連接；上端板1與上安裝板18之間還接有連接板24(或連接桿)以實現(xiàn)電和機(jī)械的連接，使主同軸插座2的外導(dǎo)體與各支路同軸導(dǎo)體5的外導(dǎo)體52等電位；各支路同軸導(dǎo)體5的內(nèi)導(dǎo)體51的另一端均分別與支路同軸插座8的內(nèi)導(dǎo)體連接；各支路同軸插座8固設(shè)于下端板11的等分圓周上；在下端板11與下安裝板19之間裝有金屬圓環(huán)9，該金屬圓環(huán)9通過絕緣環(huán)14、15固設(shè)于下安裝板19與下端板11之間；有N個電阻10，每個電阻10的一端分別與內(nèi)導(dǎo)體51連接，電阻10的另一端接金屬圓環(huán)9；下端板11與下安裝板19之間還接有連接板25(或連接桿)以實現(xiàn)電和機(jī)械的連接。
制成的N=8的功率合成和分配器。通過對不同的功合及功分特性的組合應(yīng)用，已可以使最終合成功率達(dá)到20kw等級。
當(dāng)N=8時，傳輸線的特性阻抗為W=N×50=8×50=141.42(Ω)---------(1)]]>當(dāng)電阻分布電容為3．1pf時，頻率為352MHz時，應(yīng)修正為130。圖8中D為傳輸線橫截面邊長(mm)，d為內(nèi)導(dǎo)體直徑(mm)。據(jù)此特性阻抗為W=138 lg 1．078(D／d)………………………………………(2)令(1)、(2)式相等則得(D／d)=9．80，若取D=14．7(mm)，則d=1．50(mm)。
修正后，內(nèi)導(dǎo)體用2．5mm2標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)線，即D=1．87mm，目前MOSFET UFH功率增益可達(dá)10dB左右，因此用一個模塊推動8個模塊是很經(jīng)濟(jì)的設(shè)計。
實際應(yīng)用證明，這種功率合成與功率分配模塊加工一致性好，性能穩(wěn)定，運(yùn)行可靠性高。
權(quán)利要求1.一種集成式高頻功率合成與功率分配器，有N路長度為λ／4的同軸線，該同軸線的外導(dǎo)體相互連通接地，N路內(nèi)導(dǎo)體的一端連通作為總輸出端(或總輸入端)，N路內(nèi)導(dǎo)體的另一端作為分路輸入端(或分路輸出端)，各輸入內(nèi)導(dǎo)體之間接有電阻，共有N路電阻，電阻的另一端互聯(lián)；其特征在于該N路同軸線均布于N等分的圓周上，N路同軸線的一端，其各路外導(dǎo)體相互連通，并與主路同軸插座的外導(dǎo)體相連通接地；N路同軸線的內(nèi)導(dǎo)體的一端按圓周均布方式接到一金屬盤的外沿，金屬盤的中心接主路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體；N路同軸線的另一端，其各路內(nèi)導(dǎo)體接各支路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體，其各路外導(dǎo)體接各支路同軸插座的外導(dǎo)體并接地，共有N個支路同軸插座；N個支路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體與同軸線內(nèi)導(dǎo)體的連接端接電阻，共有N路電阻；該N路電阻的另一端，接于對外導(dǎo)體絕緣的金屬圓環(huán)上；上述金屬盤的下面設(shè)有一個與金屬盤間距可調(diào)的匹配金屬塊；金屬盤、匹配金屬塊及金屬圓環(huán)三者的中心在同一軸線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所說的集成式高頻功率合成與功率分配器，其特征在于該集成式高頻功率合成與功率分配器，設(shè)有一基體，該基體為一正N邊形棱柱體，在每一棱柱側(cè)平面的中間，沿軸向設(shè)有兩端開通的等邊矩形槽；基體的一端設(shè)有一孔，一金屬圓環(huán)藉由二絕緣環(huán)壓固于孔內(nèi)，孔壁上設(shè)有與矩型槽相通的通孔；另一端也設(shè)有一孔，該孔底部中心設(shè)有一螺孔，孔壁上部開有與矩型槽相通的槽孔；有N塊蓋板，該蓋板蓋合于基體側(cè)棱面的等邊矩形槽上構(gòu)成N個外導(dǎo)體，N個外導(dǎo)體內(nèi)設(shè)有內(nèi)導(dǎo)體，構(gòu)成N路同軸線；蓋板的近下端設(shè)有一通孔；有N個支路同軸插座，固設(shè)于蓋板下端的通孔中，其內(nèi)導(dǎo)體分別與對應(yīng)的同軸線的內(nèi)導(dǎo)體及電阻連接；共有N個電阻，該電阻的另一端通過上述通孔與上述金屬圓環(huán)相連接；在基體的另一端的孔內(nèi)的螺孔中，螺裝一匹配金屬塊，該匹配金屬塊的端面為平面，其下端設(shè)有一個旋入螺孔的螺柱；N路同軸線內(nèi)導(dǎo)體的另一端通過槽孔與一金屬盤連接，該金屬盤的中心設(shè)有一圓柱導(dǎo)體，該圓柱導(dǎo)體與上端板上的主路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體相連接；上端板螺固于基體的端部；上端板的中心設(shè)有一主路同軸插座；有一下端板，下端板螺固于基體的另一端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所說的集成式高頻功率合成與功率分配器，其特征在于上述基體兩端的孔與矩形槽相通的通孔和槽孔是由加大該部位孔徑使與矩形槽相通而實現(xiàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所說的集成式高頻功率合成與功率分配器，其特征在于該基體還可設(shè)為一圓柱體，在圓柱體的側(cè)面均布有N個沿軸向的平面，每個平面的中間沿軸向設(shè)有向兩端開通的等邊矩形槽，該基體的兩端設(shè)有相應(yīng)形狀的上端板及下端板，其內(nèi)部構(gòu)造同前。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所說的集成式高頻功率合成與功率分配器，其特征在于該集成式高頻功率合成與功率分配器，設(shè)有一上安裝板和一下安裝板，并以上安裝板和下安裝板的中心為中心，適當(dāng)半徑圓周的N等分處設(shè)有供固設(shè)N個λ／4波長的同軸線的通孔，同軸線外導(dǎo)體藉由該通孔固設(shè)于該等上下安裝板上而形成一框架；上安裝板的中心設(shè)有一螺孔，下安裝板的中心設(shè)有一安裝孔；每個同軸線內(nèi)導(dǎo)體的一端連接金屬盤，金屬盤的下面，在上安裝板的中心螺孔中緊固一調(diào)諧金屬塊；金屬盤的中心設(shè)有一圓柱導(dǎo)體，該圓柱導(dǎo)體與上端板上的主路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體相連接；上端板的中心設(shè)有一主路同軸插座，上端板與上安裝板之間還接有連接板(或連接桿)；各內(nèi)導(dǎo)體的另一端均分別與支路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體連接，各支路同軸插座固設(shè)于下端板的等分圓周上；在下端板與下安裝板之間裝有一金屬圓環(huán)，該金屬圓環(huán)通過絕緣環(huán)固設(shè)于下安裝板與下端板之間；有N個電阻，每個電阻的一端分別與內(nèi)導(dǎo)體連接，電阻的另一端接金屬圓環(huán)；下端板與下安裝板之間還接有連接板或連接桿以實現(xiàn)電的連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5所說的集成式高頻功率合成與功率分配器，其特征在于下端板上還可設(shè)有冷卻液進(jìn)入管及冷卻液排出管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5所說的集成式高頻功率合成與功率分配器，其特征在于N為≥2的自然數(shù)中的任一個。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2或5所說的集成式高頻功率合成與功率分配器，其特征在于匹配金屬塊與基體的螺孔之間可設(shè)有調(diào)節(jié)墊圈。
專利摘要一種集成式高頻功率合成與功率分配器,特征是:N路同軸線均布于N等分圓周上,其內(nèi)導(dǎo)體的一端接金屬盤的外沿,金屬盤中心接主路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體;N路同軸線的另一端,其內(nèi)導(dǎo)體接N個支路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體;N個支路同軸插座的內(nèi)導(dǎo)體與同軸線內(nèi)導(dǎo)體的連接端均接一電阻;電阻的另一端,接于對外導(dǎo)體絕緣的金屬圓環(huán)上;上述金屬盤的下面設(shè)有匹配金屬塊。很好的解決了WILKINSON電路的阻抗;及各路電氣參數(shù)不一致的問題。
文檔編號H04B3/02GK2414550SQ0020146
公開日2001年1月10日 申請日期2000年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月31日
發(fā)明者阮倜, 孫永寬 申請人:北京廣播器材廠