一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路，包括單片機(jī)、數(shù)字信號(hào)源芯片、以MosFET 構(gòu)成的軟啟動(dòng)控制電路。本發(fā)明通過單片機(jī)、數(shù)字信號(hào)源芯片、軟啟動(dòng)控制電路的組合，克服數(shù)字信號(hào)芯片輸出波形在生成信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)時(shí)存在較長(zhǎng)暫態(tài)過程的缺點(diǎn)，避免對(duì)后級(jí)電路的暫態(tài)沖擊。
【專利說明】
一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種軟啟動(dòng)電路，特別涉及一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]直接數(shù)字式合成(DDS)技術(shù)產(chǎn)生的波形輸出具有較寬的頻率范圍、相對(duì)較高的精度、較小的失真度、較快的轉(zhuǎn)換速度等諸多優(yōu)點(diǎn)。但是基于數(shù)字信號(hào)源技術(shù)生成的信號(hào)瞬間，電路的動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)，經(jīng)過后級(jí)功率放大器放大后對(duì)測(cè)試元件產(chǎn)生較大的沖擊電壓、過電流等現(xiàn)象，對(duì)測(cè)試設(shè)備的可靠工作產(chǎn)生嚴(yán)重危害。同時(shí)，磁芯元件的功耗對(duì)激勵(lì)波形較敏感，畸變的暫態(tài)波形會(huì)影響測(cè)試精度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服DDS芯片輸出信號(hào)瞬間的暫態(tài)過程和關(guān)斷延時(shí)過程，消除后級(jí)功率放大器出現(xiàn)的過電壓和過電流等暫態(tài)現(xiàn)象，本發(fā)明提供一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路，通過單片機(jī)、數(shù)字信號(hào)源芯片、軟啟動(dòng)控制電路的組合，實(shí)現(xiàn)輸出信號(hào)軟啟動(dòng)，能有效克服數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)瞬間的暫態(tài)過程和關(guān)斷延時(shí)過程，使得被測(cè)磁性元件獲得較好的激勵(lì)波形。
[0004]本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路，包括單片機(jī)、數(shù)字信號(hào)源芯片、軟啟動(dòng)控制電路，其中，單片機(jī)與軟啟動(dòng)控制電路連接，用以控制軟啟動(dòng)控制電路的導(dǎo)通與關(guān)斷;數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出與軟啟動(dòng)控制電路連接，當(dāng)軟啟動(dòng)控制電路導(dǎo)通時(shí)，數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出信號(hào)被軟啟動(dòng)控制電路屏蔽；當(dāng)軟啟動(dòng)控制電路關(guān)斷時(shí)，數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出信號(hào)通過軟啟動(dòng)控制電路向后級(jí)電路輸出。
[0005]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化方案，單片機(jī)的控制端口與軟啟動(dòng)控制電路連接，通過單片機(jī)控制端口輸出波形來控制軟啟動(dòng)控制電路。
[0006]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化方案，單片機(jī)的1端口與數(shù)字信號(hào)源芯片連接，用以控制數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出波形。
[0007]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化方案，軟啟動(dòng)控制電路為MosFET，其中，單片機(jī)與MosFET的柵極連接，數(shù)字信號(hào)源芯片與MosFET的漏極連接，MosFET的源極接地。
[0008]作為本發(fā)明的進(jìn)一步優(yōu)化方案，該電路還包括第一至第三電阻和一個(gè)電容，軟啟動(dòng)控制電路為MosFET，其中，單片機(jī)通過第一電阻分別與MosFET的柵極、電容的一端連接，電容的另一端和MosFET的源極分別接地，MosFET的漏極分別與第二電阻的一端、第三電阻的一端連接，第二電阻的另一端與數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出連接，第三電阻的另一端接地；MosFET的漏極、第二電阻、第三電阻的公共端作為該軟啟動(dòng)電路的輸出，向后級(jí)電路輸出信號(hào)。
[0009]本發(fā)明采用以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下技術(shù)效果:本發(fā)明可以得到穩(wěn)定的輸出信號(hào)，能有效克服數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)瞬間的暫態(tài)過程和關(guān)斷延時(shí)過程，克服暫態(tài)過程對(duì)后級(jí)電路的沖擊，使被測(cè)磁性元件獲得較好的激勵(lì)波形。
【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路。
[0012]圖3是沒有軟啟動(dòng)功能時(shí)數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)啟動(dòng)暫態(tài)波形。
[0013]圖4是沒有軟啟動(dòng)功能時(shí)數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)關(guān)斷暫態(tài)波形。
[0014]圖5是有軟啟動(dòng)功能時(shí)數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)啟動(dòng)暫態(tài)波形。
[0015]圖6是有軟啟動(dòng)功能時(shí)數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)關(guān)斷暫態(tài)波形。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施方式是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0017]本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，除非特意聲明，這里使用的單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”、“所述”和“該”也可包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)該進(jìn)一步理解的是，本發(fā)明的說明書中使用的措辭“包括”是指存在所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。應(yīng)該理解，當(dāng)我們稱元件被“連接”或“耦接”到另一元件時(shí)，它可以直接連接或耦接到其他元件，或者也可以存在中間元件。此外，這里使用的“連接”或“耦接”可以包括無線連接或耦接。這里使用的措辭“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)的任一單元和全部組合。
[0018]本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，除非另外定義，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員的一般理解相同的意義。還應(yīng)該理解的是，諸如通用字典中定義的那些術(shù)語應(yīng)該被理解為具有與現(xiàn)有技術(shù)的上下文中的意義一致的意義，并且除非像這里一樣定義，不會(huì)用理想化或過于正式的含義來解釋。
[0019]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)說明:
為了克服DDS芯片輸出信號(hào)瞬間的暫態(tài)過程和關(guān)斷延時(shí)過程，消除后級(jí)功率放大器出現(xiàn)的過電壓和過電流等暫態(tài)現(xiàn)象，本發(fā)明提出了一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路，如圖1所示，包括單片機(jī)、數(shù)字信號(hào)源芯片、軟啟動(dòng)控制電路，其中，單片機(jī)與軟啟動(dòng)控制電路連接，用以控制軟啟動(dòng)控制電路的導(dǎo)通與關(guān)斷;數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出與軟啟動(dòng)控制電路連接，當(dāng)軟啟動(dòng)控制電路導(dǎo)通時(shí)，數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出信號(hào)被軟啟動(dòng)控制電路屏蔽；當(dāng)軟啟動(dòng)控制電路關(guān)斷時(shí)，數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出信號(hào)通過軟啟動(dòng)控制電路向后級(jí)電路輸出。單片機(jī)的控制端口與軟啟動(dòng)控制電路連接，通過單片機(jī)控制端口輸出波形來控制軟啟動(dòng)控制電路;單片機(jī)的1端口與數(shù)字信號(hào)源芯片連接，用以控制數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出波形。
[0020]本發(fā)明中，單片機(jī)首先將控制指令寫入數(shù)字信號(hào)源芯片產(chǎn)生所需的激勵(lì)信號(hào)，同時(shí)打開軟啟動(dòng)控制電路，此時(shí)模塊沒有信號(hào)輸出。延時(shí)一定的暫態(tài)時(shí)間后，關(guān)閉軟啟動(dòng)控制電路，此時(shí)模塊輸出期望的信號(hào)波形。
[0021]本發(fā)明具體實(shí)施例如下:單片機(jī)的型號(hào)為STC89C52、數(shù)字信號(hào)源芯片的型號(hào)為AD9834，軟啟動(dòng)控制電路為2N7002型號(hào)的N溝道MosFET。如圖2所示，單片機(jī)的控制端口 P0.0通過電阻Rl分別與MosFET的柵極G、電容Cl的一端連接，電容Cl的另一端和MosFET的源極S分別接地，MosFET的漏極D分別與電阻R2的一端、電阻R3的一端連接，電阻R2的另一端與數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出連接，電阻R3的另一端接地;MosFET的漏極D、電阻R2、電阻R3的公共端作為該軟啟動(dòng)電路的輸出，向后級(jí)電路輸出信號(hào)。
[0022]如圖2所示，Ql是MosFET管2N7002，Q1的漏極接在AD9834輸出端口與后級(jí)信號(hào)之間。Ql管的導(dǎo)通與關(guān)斷由單片機(jī)控制端口 P0.0控制，當(dāng)P0.0置高電平，Ql管導(dǎo)通，屏蔽AD9834的輸出信號(hào)；當(dāng)需要信號(hào)發(fā)生模塊輸出信號(hào)時(shí)，P0.0置低電平，Ql管關(guān)閉，可以將AD9834的輸出信號(hào)提供給后級(jí)電路。在整個(gè)自動(dòng)測(cè)試流程中，通過軟啟動(dòng)控制電路引入適當(dāng)?shù)难訒r(shí)環(huán)節(jié)，給數(shù)字信號(hào)源芯片和濾波電路提供充分的響應(yīng)時(shí)間，從而避免信號(hào)生成瞬間的暫態(tài)響應(yīng)過程和關(guān)斷過程的信號(hào)衰減過程。
[0023]如果沒有軟啟動(dòng)電路，直接由數(shù)字信號(hào)源芯片為后級(jí)電路提供信號(hào)。圖3示出了信號(hào)輸出模塊由O V生成正弦波開通過程波形圖；圖4示出了正弦波輸出信號(hào)變化為O V的關(guān)斷過程波形圖。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，直接由數(shù)字信號(hào)源芯片產(chǎn)生輸出信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)時(shí)，存在明顯的啟動(dòng)沖擊過電壓，同時(shí)關(guān)斷過程非常漫長(zhǎng)，不利于后級(jí)電路的測(cè)試。這樣的暫態(tài)信號(hào)經(jīng)后級(jí)功率放大電路放大后，對(duì)設(shè)備存在較嚴(yán)重的危害。
[0024]通過引入軟啟動(dòng)電路，圖5示出了信號(hào)輸出模塊由OV生成正弦波開通過程波形圖；圖6示出了正弦波輸出信號(hào)變化為O V的關(guān)斷過程波形圖。與圖3、圖4相比，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，當(dāng)信號(hào)源產(chǎn)生輸出信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)時(shí)，沒有產(chǎn)生啟動(dòng)沖擊過電壓，同時(shí)關(guān)斷過程非常迅速。
[0025]以上所述，僅為本發(fā)明中的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉該技術(shù)的人在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可理解想到的變換或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的包含范圍之內(nèi)，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路，其特征在于，包括單片機(jī)、數(shù)字信號(hào)源芯片、軟啟動(dòng)控制電路，其中，單片機(jī)與軟啟動(dòng)控制電路連接，用以控制軟啟動(dòng)控制電路的導(dǎo)通與關(guān)斷;數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出與軟啟動(dòng)控制電路連接，當(dāng)軟啟動(dòng)控制電路導(dǎo)通時(shí)，數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出信號(hào)被軟啟動(dòng)控制電路屏蔽；當(dāng)軟啟動(dòng)控制電路關(guān)斷時(shí)，數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出信號(hào)通過軟啟動(dòng)控制電路向后級(jí)電路輸出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路，其特征在于，單片機(jī)的控制端口與軟啟動(dòng)控制電路連接，通過單片機(jī)控制端口輸出波形來控制軟啟動(dòng)控制電路。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路，其特征在于，單片機(jī)的1端口與數(shù)字信號(hào)源芯片連接，用以控制數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出波形。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路，其特征在于，軟啟動(dòng)控制電路為MosFET，其中，單片機(jī)與MosFET的柵極連接，數(shù)字信號(hào)源芯片與MosFET的漏極連接，MosFET的源極接地。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種數(shù)字信號(hào)源芯片輸出信號(hào)軟啟動(dòng)電路，其特征在于，該電路還包括第一至第三電阻和一個(gè)電容，軟啟動(dòng)控制電路為MosFET，其中，單片機(jī)通過第一電阻分別與MosFET的柵極、電容的一端連接，電容的另一端和MosFET的源極分別接地，MosFET的漏極分別與第二電阻的一端、第三電阻的一端連接，第二電阻的另一端與數(shù)字信號(hào)源芯片的輸出連接，第三電阻的另一端接地;MosFET的漏極、第二電阻、第三電阻的公共端作為該軟啟動(dòng)電路的輸出，向后級(jí)電路提供激勵(lì)信號(hào)。
【文檔編號(hào)】H03K17/687GK105915204SQ201610434995
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年6月17日
【發(fā)明人】周巖, 陳麒米
【申請(qǐng)人】南京郵電大學(xué)