一種精細(xì)線路封裝基板及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及印制線路板技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種精細(xì)線路封裝基板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著芯片封裝產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展及智能化設(shè)備功能逐漸強(qiáng)大，其體積逐漸變小的影響，對(duì)于芯片中的封裝基板的尺寸及排線密集度也有了更高的要求。根據(jù)行業(yè)內(nèi)對(duì)于基板中線路的要求，由普通的設(shè)計(jì)的35/35um演變?yōu)橐话愕?5/25um以及正在使用的18/18um等的精細(xì)線路。
[0003]目前，普通的MSAP (Modified Sem1-Additive Process，改良后的半加成法)流程能制作密集度為25/25um的線路，但對(duì)于更精細(xì)的線路在制作過(guò)程中存在一定的難度，針對(duì)超精細(xì)的線路行業(yè)內(nèi)通用的流程為SAP (Sem1-Additive Process，加成法)流程，SAP流程的主要特點(diǎn)是利用化學(xué)銅作為底銅，用作SAP的基材材料主要有兩種:ABF(ajin0m0t0build-up film，專用的干膜型材料)和PCF(primer coated copper foil，涂層為銅的樹脂材料)。現(xiàn)在SAP材料用的較為廣泛的以ABF居多，其極限能力可達(dá)L/S(線寬/線距)=8/8um，但是采用該方法需要配備不同的沉銅藥水、光成像退膜藥水、蝕刻藥水及特殊板材，對(duì)生產(chǎn)成本要求較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要針對(duì)SAP流程中需要配備不同的沉銅藥水、光成像退膜藥水、蝕刻藥水及特殊板材，使生產(chǎn)成本增加，而提供一種精細(xì)線路封裝基板及其制備方法。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種精細(xì)線路封裝基板的制備方法，所述方法包括:
[0006]將線路制作后的線路板，進(jìn)行第一次膠渣去除處理并沉銅；
[0007]對(duì)所述沉銅的線路板，進(jìn)行貼干膜、曝光和顯影處理；
[0008]進(jìn)行顯影處理后，將所述線路板電鍍銅；
[0009]將所述電鍍銅線路板第一次退膜后，進(jìn)行第二次膠渣去除處理，再第二次退膜；
[0010]將所述第二次退膜后的線路板，烘板、閃蝕形成線路。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二次膠渣去除使用的藥水成分包含:
[0012]160 ?200mL/L 的 Sweller E，40 ?55g/L 的 MnO4，O ?20g/L 的 MnO42，30 ?45g/L 的 NaOH，60 ?80g/L 的 H2SO4,10 ?20ml/l 的 H2O2和 O ?20g/L Cu 2+。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二次退膜的參數(shù)具體為:
[0014]剝膜劑ν/ν8.0%?12.0% (濃度)，剝膜促進(jìn)劑ν/ν0.6%?1.0% (濃度)，溫度在48。。?52°C之間，噴壓在0.14MPa?0.16MPa之間，H2S04v/v 3?7% (濃度)。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述貼干膜具體為:
[0016]所述貼附干膜在真空環(huán)境下進(jìn)行，且所述干膜的厚度為25 μπι。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述真空環(huán)境的具體參數(shù)為:
[0018]真空壓膜溫度為60_90°C，抽真空時(shí)間為30?50s，壓力為0.4?0.6MPa，加壓時(shí)間為20?50s。
[0019]本發(fā)明的另一目的是提供上述制備方法制備得到的精細(xì)線路封裝基板
[0020]上述無(wú)引線鍍金板退膜方法具有以下有益效果:
[0021]通過(guò)在MSAP流程增加Desmear及退膜流程，能夠完成制作L/S (線寬/線距)=20/20um甚至L/S (線寬/線距)=18/18um的精細(xì)線路，避免SAP流程中所涉及的特殊沉銅線藥水、光成像的退膜藥水及蝕刻藥水以及特殊的板材所帶來(lái)的成本，進(jìn)而大大降低投資和生產(chǎn)成本。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的精細(xì)線路封裝基板的制備方法的實(shí)現(xiàn)流程圖；
[0023]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的精細(xì)線路封裝基板第一次膠渣去除和沉銅的狀態(tài)圖；
[0024]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的精細(xì)線路封裝基板貼膜曝光顯影的狀態(tài)圖；
[0025]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的精細(xì)線路封裝基板電鍍的狀態(tài)圖；
[0026]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的精細(xì)線路封裝基板第一次退膜的狀態(tài)圖；
[0027]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的精細(xì)線路封裝基板第二次膠渣去除的狀態(tài)圖；
[0028]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的精細(xì)線路封裝基板第二次退膜和烘板的狀態(tài)圖；
[0029]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的精細(xì)線路封裝基板閃蝕的狀態(tài)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為了使本發(fā)明的上述特征及有益效果能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)的闡述，需要說(shuō)明的是，本文所使用的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”、“垂直”、“水平”、“上方”、“下方”以及類似的表述只是為了起說(shuō)明目的，并不表示是唯一的實(shí)施方式。
[0031]為了說(shuō)明本發(fā)明所述的技術(shù)方案，下面通過(guò)具體實(shí)施例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
[0032]圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的精細(xì)線路封裝基板制備方法的實(shí)現(xiàn)流程，具體詳述如下:
[0033]在步驟SlOl中，將線路制作后的線路板，進(jìn)行第一次膠渣去除處理并沉銅；
[0034]在本發(fā)明實(shí)施例中，采用載銅的板材或者銅箔進(jìn)行線路制作。其中，載銅的板材厚度為2 μπι，在當(dāng)線路板為四層板時(shí)，需使用銅箔進(jìn)行線路制作。第一次膠渣去除(Desmear)可以為將線路板上的膠渣，通過(guò)化學(xué)藥水去除附著于孔壁的膠渣，保持線路板清潔，方便整版沉銅處理，以實(shí)現(xiàn)內(nèi)層銅環(huán)與孔壁的導(dǎo)通，沉銅的厚度為0.5?I ym之間，即確保電路導(dǎo)通，又不會(huì)對(duì)板面的線路造成影響(參見圖2)。
[0035]在步驟S102中，對(duì)沉銅后的線路板，進(jìn)行貼干膜、曝光和顯影處理；
[0036]參見圖3，在本發(fā)明實(shí)施例中，在線路板上貼附干膜需要在真空環(huán)境下進(jìn)行。真空壓膜溫度為60?90°C，抽真空時(shí)間控制為30?50s，壓力為0.4?0.6MPa，加壓時(shí)間為20?50s。通過(guò)該溫度和壓力的作用，真空貼膜使該干膜具有較強(qiáng)的流動(dòng)性，使該干膜充分填充線路間隙。真空貼膜廣泛應(yīng)用于封裝基板，通過(guò)抽真空、熱壓的方式使該干膜充分填充線路間隙，同時(shí)也填入微通孔內(nèi)，干膜將在抗蝕過(guò)程中起保護(hù)作用。
[0037]作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，干膜的厚度可以為25 μπι。曝光能量通常為70mj (毫焦)，此處采用曝光能量范圍為30?40mj。在此范圍內(nèi)進(jìn)行曝光，為通孔內(nèi)干膜與退膜藥水反應(yīng)創(chuàng)造有利的條件，使退膜效果較好。
[0038]在步驟S103中，進(jìn)行顯影處理后，將線路板電鍍銅；
[0039]參見圖4，對(duì)線路板電鍍銅或者金屬涂敷可以確保焊接性和保護(hù)電路避免侵蝕的標(biāo)準(zhǔn)操作，在單面、雙面和多層印制電路板的制造中，電鍍銅能夠抗氧化。
[0040]在步驟S104中，將電鍍銅線路板第一退膜后，進(jìn)行第二次膠渣去除處理，再第二次退膜；
[0041]參見圖5、6、7，將干膜進(jìn)行化學(xué)分解并去除后，在精細(xì)線路之間還殘留有少量的干膜，需要通過(guò)第二次膠渣去除(Desmear)處理，將少量的干膜進(jìn)行溶解。然后通過(guò)第二次退膜將第二次膠渣去除處理中溶解的干膜，進(jìn)行化學(xué)分解和沖擊，確保超精細(xì)線路中干膜的完全去除。
[0042]在本發(fā)明實(shí)施例中，Desmear的藥水效果直接決定第二次退膜的結(jié)果，進(jìn)而Desmear 段藥水成分包含:160 ?200mL/L 的 Sweller E, 40 ?55g/L 的 MnO4，0 ?20g/L 的MnO廣，30 ?45g/L 的 NaOH，60 ?80g/L 的 H2SO4,10 ?20ml/l 的 H2O2和 O ?20g/L Cu 2+。
[0043]退膜參數(shù)可以為:剝膜主劑v/v8.0%?12.0% (濃度)，剝膜促進(jìn)劑v/v0.6%?1.0% (濃度)，溫度在48°C?52°C之間，噴壓在0.14MPa?0.16MPa之間，H2S04v/v3?7%(濃度)。
[0044]在步驟S105中，將第二次退膜后的線路板，烘板、閃蝕形成線路。
[0045]參見圖8，由于需要蝕刻掉的沉銅層較薄，閃蝕操作與現(xiàn)有的蝕刻操作相同，區(qū)別僅在于蝕刻的時(shí)間相對(duì)較短。
[0046]在本發(fā)明實(shí)施例中，提供的精細(xì)線路封裝基板及其制備方法，通過(guò)在MSAP流程增加Desmear及退膜流程，能夠完成制作L/S(線寬/線距)=20/20um甚至L/S(線寬/線距)=lO/lOum的精細(xì)線路，避免SAP流程中所涉及的特殊沉銅線藥水、光成像的退膜藥水及蝕刻藥水以及特殊的板材所帶來(lái)的成本，進(jìn)而大大降低投資和生產(chǎn)成本。
[0047]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種精細(xì)線路封裝基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括: 將線路制作后的線路板，進(jìn)行第一次膠渣去除處理并沉銅； 對(duì)所述沉銅的線路板，進(jìn)行貼干膜、曝光和顯影處理； 進(jìn)行顯影處理后，將所述線路板電鍍銅； 將所述電鍍銅線路板第一次退膜后，進(jìn)行第二次膠渣去除處理，再第二次退膜； 將所述第二次退膜后的線路板，烘板、閃蝕形成線路。
2.如權(quán)利要求1所述的精細(xì)線路封裝基板的制備方法，其特征在于，所述第二次膠渣去除使用的藥水成分包含:160 ?200mL/L 的 Sweller E，40 ?55g/L 的 MnO4，O ?20g/L 的 MnO42，30 ?45g/L 的NaOH, 60 ?80g/L 的 H2SO4,10 ?20ml/l 的 H2O2和 O ?20g/L Cu 2+。
3.如權(quán)利要求1所述的無(wú)引線鍍金板退膜方法，其特征在于，所述第二次退膜的參數(shù)具體為: 剝膜劑ν/ν8.0 %?12.0 % (濃度)，剝膜促進(jìn)劑ν/ν0.6 %?1.0 % (濃度)，溫度在48。。?52°C之間，噴壓在 0.14MPa ?0.16MPa 之間，H2S04v/v 3 ?7% (濃度)。
4.如權(quán)利要求1所述的精細(xì)線路封裝基板的制備方法，其特征在于，所述貼干膜具體為: 所述貼附干膜在真空環(huán)境下進(jìn)行，且所述干膜的厚度為25 μπι。
5.如權(quán)利要求4所述的精細(xì)線路封裝基板的制備方法，其特征在于，所述真空環(huán)境的具體參數(shù)為: 真空壓膜溫度為60-90°C，抽真空時(shí)間為30?50s，壓力為0.4?0.6MPa，加壓時(shí)間為20 ?50s。
6.權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述制備方法制備得到的精細(xì)線路封裝基板。
【專利摘要】一種精細(xì)線路封裝基板的制備方法，所述方法包括：將線路制作后的線路板，進(jìn)行第一次膠渣去除處理并沉銅；對(duì)所述沉銅的線路板，進(jìn)行貼干膜、曝光和顯影處理；進(jìn)行顯影處理后，將所述線路板電鍍銅；將所述電鍍銅線路板第一次退膜后，進(jìn)行第二次膠渣去除處理，再第二次退膜；將所述第二次退膜后的線路板，烘板、閃蝕形成線路。在本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)在MSAP流程增加Desmear及退膜流程，能夠完成制作L/S(線寬/線距)＝20/20um甚至L/S(線寬/線距)＝18/18um的精細(xì)線路，避免SAP流程中所涉及的特殊沉銅線藥水、光成像的退膜藥水及蝕刻藥水以及特殊的板材所帶來(lái)的成本，進(jìn)而大大降低投資和生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H05K3-46
【公開號(hào)】CN104582332
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510031873
【發(fā)明人】崔永濤, 謝添華, 李志東
【申請(qǐng)人】廣州興森快捷電路科技有限公司, 宜興硅谷電子科技有限公司, 深圳市興森快捷電路科技股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2015年1月21日