專利名稱：半導(dǎo)體集成電路器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路器件，更具體地涉及具有在等待方式和激勵(lì)方式之間切換的電源電路的半導(dǎo)體集成電路器件。
關(guān)于半導(dǎo)體集成電路器件，已經(jīng)設(shè)計(jì)了各種模擬電路，這些模擬電路被偏置以參考電流。模擬電路恒定地消耗參考電流。如果在模擬電路的等待狀態(tài)也一直有參考電流流過，那么，參考電流就是一種浪費(fèi)。因此，半導(dǎo)體集成電路器件在電路進(jìn)入等待狀態(tài)時(shí)，停止參考電流，而在響應(yīng)恢復(fù)的需要時(shí)，則開始向模擬電路供給參考電流。但是，高性能電子系統(tǒng)要求快速響應(yīng)恢復(fù)的需要，希望器件制造廠家縮短恢復(fù)時(shí)間。


圖1表示現(xiàn)有技術(shù)用的偏置電路。現(xiàn)有技術(shù)偏置電路在激勵(lì)方式和等待方式之間轉(zhuǎn)變。一個(gè)恒定電流源I1以恒定電流ISTD流入節(jié)點(diǎn)VATD，恒定電流ISTD進(jìn)一步從節(jié)點(diǎn)VATD流入一個(gè)n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N1。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N1有連接到地線GND的源節(jié)點(diǎn)，以及兩者都連接到節(jié)點(diǎn)VSTD的漏節(jié)點(diǎn)和柵極。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N1，與n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N2一起形成一個(gè)電流鏡像電路CM1。如果n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N1的溝道尺寸等于n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N1的溝道尺寸等于n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N2的溝道尺寸，那么，電流ISTD的量值等于流過n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N2的電流IMIRR的量值。電流ISTD和電流IMIRR之間的比值是可變的，取決于n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N1和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N2的溝道尺寸的比值。
n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N2，經(jīng)過傳輸門即一個(gè)n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N3和一個(gè)P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P1的并聯(lián)組合，被連接到節(jié)點(diǎn)，P溝道增Vsource強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P2有一個(gè)源-漏通路，處于電源電壓線Vdd和節(jié)點(diǎn)Vsource之間，而它的柵極則連接到節(jié)點(diǎn)Vsource。P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P2，與P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P3一起形成一個(gè)電流鏡像電路CM2,P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P3有一個(gè)源-漏通路，處于電源線Vdd和偏置節(jié)點(diǎn)Vbias之間。P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P3的柵極連接到節(jié)點(diǎn)Vsource。電流IMIRR和電流Ibias之間的比值，取決于P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P2和P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P3的溝道尺寸的比值。
n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N5有一個(gè)源一漏通路，處于偏置節(jié)點(diǎn)Vbias和地線GND之間，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N5的柵極連接到偏置節(jié)點(diǎn)Vbias。
負(fù)載電路L1,L2....和Ln是例如被供給偏置電流的放大器，電路結(jié)構(gòu)是任意的。圖2中表示的負(fù)載電路L1/L2..../Ln的電路結(jié)構(gòu)是一個(gè)例子。一個(gè)電阻R和一個(gè)輸入晶體管TIN串聯(lián)在電源線Vdd和公共節(jié)點(diǎn)COMN之間，另一個(gè)電阻RB和一個(gè)輸入晶體管TINB的串聯(lián)，與上述串聯(lián)并行連接在一起。一對輸入信號IN和INB被供給到負(fù)載電路。輸入信號IN供給到輸入晶體管TIN的柵極，互補(bǔ)的輸入信號INB供給到另一個(gè)輸入晶體管TINB的柵極。輸入信號IN和互補(bǔ)的輸入信號INB在幾十毫伏至幾百毫伏的電位范圍內(nèi)是可變的，輸入晶體管TIN/TINB根據(jù)一對輸入信號IN/INB，產(chǎn)生一對輸出信號OUT/OUTB。輸出信號OUT/OUTB在幾百毫伏量級范圍內(nèi)是可變的。
電流源晶體管TAIL1/TAIL2/.../TAILn是圖1所示現(xiàn)有技術(shù)的偏置電路的一個(gè)部分，被連接在公共節(jié)點(diǎn)COMN和地線GND之間。根據(jù)偏置電路Vbias的大小，電流源晶體管TAIL1/TAIL2/.../TMLn根據(jù)偏置電路Vbias改變流過源-漏通路的電流量值。當(dāng)偏置電壓Vbias太低的時(shí)候，流過輸晶體管TIN/TINB的電流的量值不足以用于放大，不能得到所要求的增益。另一方面，如果偏置電壓Vbias太高，公共節(jié)點(diǎn)COMN上的電位電平就要降低，在設(shè)計(jì)范圍內(nèi)變化的輸入信號IN/INB存在時(shí)，兩個(gè)輸入晶體管TIN/TINB導(dǎo)通。結(jié)果是，輸出信號OUT的電位范圍偏離另一個(gè)輸出信號OUTB的電位范圍。在最壞的情況下，輸入晶體管TIN/TINB不能用作差分放大器，因此，差分放大器TIN/TINB要求適當(dāng)?shù)钠秒妷篤bias。
回到圖1，電流源晶體管TAIL1/TAIL2/.../TAILn由n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管實(shí)現(xiàn)，并有電流Ilocal1/Ilocal2/...Ilocaln向地線流動(dòng)。電流源晶體管TAIL1/TAIL2/.../TAILn與n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N5，一起形成一個(gè)電流鏡像電路CM3。電流Ibias和電流Ilocal1/Ilocal2/...Ilocaln之間的比值，取決于n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N5和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管TAIL1/TAIL2/.../TAILn之間的溝道尺寸的比值。為了減少等待方式下的電流消耗量，電流ISTD和IMIRR被設(shè)計(jì)為幾十微安，場效應(yīng)晶體管被設(shè)計(jì)為流過大量的電流Ibias和大量的電流Ilocal1/Ilocal2/...Ilocaln。
P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P6有一個(gè)源-漏通路，處于電源電壓線Vdd和節(jié)點(diǎn)Vsource之間，一個(gè)來自反相器INV1的反相控制信號STBY，加到P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P6的柵極。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N8有一個(gè)源-漏通路，處于偏置節(jié)點(diǎn)Vbias和地線GND之間，一個(gè)控制信號STBY加到n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N8的柵極。
n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N4和脈沖產(chǎn)生器PG1，被并入現(xiàn)有技術(shù)的偏置控制電路，組合形成返回加速器ACL1。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N4有一個(gè)源-漏通路，處于節(jié)點(diǎn)Vcourse和地線GND之間，來自脈沖產(chǎn)生器PG1的輸出脈沖PLS1被供給到n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N4的柵極。
圖3表示脈沖產(chǎn)生器PG1。脈沖產(chǎn)生器包括NOR(“或非”)門NR1，和延遲電路DLY1與反相器INV2的串聯(lián)電路?？刂菩盘朣TBY直接被供給到NOR門NR1的一個(gè)輸入節(jié)點(diǎn)，經(jīng)過延遲時(shí)間以后的反相控制信號，從反相器INV2被送到NOR門NR1的另一個(gè)輸入節(jié)點(diǎn)。當(dāng)控制信號STBY從高電平改變到低電平時(shí)，或非門NRS1轉(zhuǎn)變輸出脈沖PLS1至高電平，并在等于延遲時(shí)間的時(shí)間間隔內(nèi)保持輸出脈沖PLS1為高電平。延遲時(shí)間期滿后，或非門NR1使輸出脈沖PLS1恢復(fù)到低電平。這個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間與延遲時(shí)間一起是可變的。
下面，說明現(xiàn)有技術(shù)偏置電路的電路性能。當(dāng)現(xiàn)有技術(shù)的偏置電路在等待方式中處于暫停狀態(tài)時(shí)，控制信號STBY處于高電平?？刂菩盘朣TBY保持傳輸門N3/P1關(guān)斷，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N8和P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P6導(dǎo)通。P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P6，對節(jié)點(diǎn)Vsource充電至電源電壓的電平，節(jié)點(diǎn)Vsource上的正電源電壓的電平使P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P2/P3關(guān)斷。因此，電流IMIRR和Ibias為零。輸出脈沖PLS1已經(jīng)恢復(fù)到低電平，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N4關(guān)斷。因此，沒有任何電流從節(jié)點(diǎn)Vsource流出。
n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N8使偏置節(jié)點(diǎn)Vbias放電，并保持偏置節(jié)點(diǎn)Vbias為零。由于偏置節(jié)點(diǎn)Vbias上的電壓為零，所以n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N5和n溝道增強(qiáng)型電流源晶體管TAIL1/TAIL2/.../TAILn關(guān)斷。沒有任何電流流過n溝道增強(qiáng)型電流源晶體管TAIL1/TAIL2/.../TAILn。因此，現(xiàn)有技術(shù)的偏置控制電路使負(fù)載電路L1/L2/...Ln的電流消耗減至最小。
在激勵(lì)方式中，控制信號STBY是低電平，輸出脈沖PLS1也是低電平。輸出脈沖PLS1保持n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N4處于斷開狀態(tài)。傳輸門N3/P1被接通，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N8和P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P6被斷開。電流IMIRR的量值，等于電流ISTD的量值乘以n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N1與n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N2的溝道尺寸的比值。電流Ilocal1-Ilocaln的量值，等于電流Ibias的量值乘以n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N5與n溝道增強(qiáng)型電流源晶體管TAIL1-TAILn的溝道尺寸的比值。節(jié)點(diǎn)Vsource被控制到適當(dāng)?shù)碾妷弘娖絍P，使電流IMIRR流通，偏置節(jié)點(diǎn)Vbias也被控制到適當(dāng)?shù)碾妷弘娖絍N，使偏置電流Ibias流通。
當(dāng)控制信號STBY從高電平轉(zhuǎn)換為低電平時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)的偏置控制器從等待方式恢復(fù)到激勵(lì)方式，n溝道增強(qiáng)型電流源晶體管TAIL1-TAILn的電流Iloc8l1-Ilocaln增加至適當(dāng)?shù)牧恐担缦滤觥?br> 首先，假定返回加速器ACL1沒有被并入現(xiàn)有技術(shù)的偏置控制器，控制信號STBY簡單地被送到反相器INV1的柵極，P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P1的n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N8的柵極?？刂菩盘朣TBY在時(shí)間t1從高電平變到低電平(見圖4A)，節(jié)點(diǎn)Vsource通過經(jīng)n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N2的放電，而從電位電平VP逐漸下降。因此，P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P2/P3的電流IMIRR和Ibias增加，偏置節(jié)點(diǎn)Vbias向電位電平VN上升。電位逐漸增加的原因是分別被耦合到節(jié)點(diǎn)Vsource和Vbias上的寄存電容。特別是，從偏置節(jié)點(diǎn)Vbias到電流源晶體管TAILn的導(dǎo)線比較長，耦合到偏置節(jié)點(diǎn)Vbias的寄存電容是幾pF至幾十pF。另一個(gè)原因是n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N2的電流驅(qū)動(dòng)能力較小。n溝道增強(qiáng)型電流源晶體管，和偏置節(jié)點(diǎn)Vbias上的電位電平一起，逐漸增加溝道電導(dǎo)，也就逐漸增加電流TAIL1-TAILn。偏置節(jié)點(diǎn)Vbias在時(shí)間t10達(dá)到電位電平VN，電流Ilocal1-Ilocaln隨之達(dá)到飽和。因此，沒有返回加速器ACL1的現(xiàn)有技術(shù)的偏置控制器，需要從時(shí)間t1到時(shí)間t10這樣長的恢復(fù)時(shí)間，有幾微秒，長的恢復(fù)時(shí)間也可以來源于耦合到節(jié)點(diǎn)Vsource/Vbias的寄存電容量，而且n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N2的電流驅(qū)動(dòng)能力小。
現(xiàn)有技術(shù)中設(shè)有返回加速器ACL1的偏置控制器，在長的脈沖持結(jié)時(shí)間和短的脈沖持續(xù)時(shí)間情況下的不同性能表現(xiàn)，如圖4B和4C所示。輸出脈沖在時(shí)間t2上升，在時(shí)間t7(見圖4B)或時(shí)間t4(見圖4C)下降。因此，圖4B所示的電路性能和圖4C所示的電路性能表現(xiàn)之間，脈沖持續(xù)時(shí)間是不同的。在圖4B和4C中，曲線PL1和PL2表示出現(xiàn)有技術(shù)中沒有返回加速器ACL1的偏置控制器的電位變化情形。
控制信號STBY在時(shí)間t1從高電平變到低電平，返回加速器在時(shí)間t2使輸出脈沖PLS1變到高電平。輸出脈沖PLS1使n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N4變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N4很快從節(jié)點(diǎn)Vsource釋放電流到地線GND。因此，節(jié)點(diǎn)Vsource在時(shí)間t3下降到低電平。這引起P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管P2/P3完全導(dǎo)通。返回加速器ACL1在相對長的時(shí)間周期內(nèi)，保持輸出脈沖PLS1處于高電平，并在時(shí)間t7使輸出脈沖PLS1恢復(fù)至低電平。因此，偏置節(jié)點(diǎn)Vbias在時(shí)間t6超過電位電平VN，并在時(shí)間t8下降到電位電平VN。超量的電位電平引起n溝道增強(qiáng)型電流源晶體管TAIL1-TAILn流過的電流Ilocal1-Ilocaln大于目標(biāo)值Itg。雖然恢復(fù)時(shí)間縮短了，但很大量的電路Ilocal1-Ilocaln流過負(fù)載電路L1/L2/.../Ln，成為不希望有的閉鎖現(xiàn)象和溫度升高和原因。
另一方面，如果返回加速器ACL1在時(shí)間t4使輸出脈沖PLS1恢復(fù)至低電平(見圖4C)，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管N4斷開，偏置節(jié)點(diǎn)Vbias的電位上升被減速。因此，n溝道增強(qiáng)型電流源晶體管TAIL1-TAILn要耗費(fèi)相對長的時(shí)間，電流Ilocal1-Ilocaln才達(dá)到目標(biāo)值Itg。
從上面的敘述將會(huì)理解，返回加速器ACL1對輸出脈沖PLS1的脈沖持續(xù)時(shí)間是如此敏感，以致于制家廠家碰到一個(gè)需要在恢復(fù)時(shí)間和不能正常工作之間折衰選擇的問題。如上所述，脈沖持結(jié)時(shí)間是由延遲電路DLY1確定的，制造廠家在設(shè)計(jì)延遲電路DLY1時(shí)，采用從節(jié)點(diǎn)Vsource放電的延遲時(shí)間最佳化。但是，延遲電路DLY1的晶體管特性及相應(yīng)的延遲時(shí)間受制造過程的波動(dòng)性的影響很大。另外，工作溫度和電源電壓Vdd不經(jīng)意的波動(dòng)，使延遲時(shí)間及相應(yīng)的脈沖持續(xù)時(shí)間發(fā)生變化。因此，很難將脈沖持續(xù)時(shí)間精確調(diào)整到最佳值。
因此，本發(fā)明的一個(gè)重要目的，是提供一種偏置控制電路，使從等待方式到激勵(lì)方式加速恢復(fù)的時(shí)間最佳化。
為實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的，本發(fā)明的提出將偏置電流與參考電流的量值進(jìn)行比較，以確定加速周期的終點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)特點(diǎn)，提供一個(gè)半導(dǎo)體集成電路，包括主電路，其中流過被控制的第一電流；和偏置電流控制電路，其中包括偏置電流控制器，它與主電路相連接，產(chǎn)生一個(gè)參考電流，并在第一方式將第一電流調(diào)整到與參考電流值有關(guān)的第一值，在第二方式將第一電流調(diào)整到小于第一值的第二值，方式轉(zhuǎn)換器，它被連接到偏置電流控制器，并響應(yīng)代表在第一方式和第二方式之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換的指示，以使偏置電流控制器在第一方式和第二方式之間轉(zhuǎn)換，和恢復(fù)加速器，它被連接到偏置電流控制器和方式轉(zhuǎn)換器，響應(yīng)從第二方式向第一方式加速轉(zhuǎn)換的指示，并比較第一電流和參考電流的量值，以確定加速轉(zhuǎn)換的終點(diǎn)。
以下面結(jié)合附圖的敘述，半導(dǎo)體集成電路器件的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，將會(huì)被更清晰地理解，其中圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)的偏置控制電路的電路結(jié)構(gòu)的一個(gè)電路圖；圖2是表示由現(xiàn)有技術(shù)的偏置控制電路控制的負(fù)載電路的電路結(jié)構(gòu)的一個(gè)電路圖；圖3是表示延遲電路的電路結(jié)構(gòu)的一個(gè)電路圖；圖4A是表示在現(xiàn)有技術(shù)的沒有返回加速器的偏置控制電路中觀測到信號被形圖；圖4B和4C是表示現(xiàn)有技術(shù)的偏置控制電路中在短的脈沖持續(xù)時(shí)間的長的脈沖持續(xù)時(shí)間情況下觀測到的信號波形圖；圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的偏置控制電路的電路結(jié)構(gòu)圖的一個(gè)電路圖；圖6是表示偏置控制電路中的主要結(jié)點(diǎn)上的信號波形圖；圖7是表示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)偏置控制電路的電路結(jié)構(gòu)圖的一個(gè)電路圖；和圖8是表示偏置控制電路的主要結(jié)點(diǎn)上的信號波形圖。
參看附圖5，一個(gè)半導(dǎo)體集成電路器件被制造在單個(gè)半導(dǎo)體芯片10上。這個(gè)半導(dǎo)體集成電路器件分為偏置控制電路11和被偏置的模擬電路12。模擬電路12包括多個(gè)差分放大器，例如121/122/.../12n，和多個(gè)從差分放大器121/122/.../12n流到地線GND的電流Ilocal1/Ilocal2/...Ilocaln。
偏置控制電路11主要包括偏置電流產(chǎn)生器13，方式轉(zhuǎn)換器14和恢復(fù)加速器15。方式轉(zhuǎn)換器14使偏置電流產(chǎn)生器13在等待方式和激勵(lì)方式之間改變。偏置電流產(chǎn)生器13在激勵(lì)方式中調(diào)整電流Ilocal1/Ilocal2/...Ilocaln到常數(shù)值，而在等待方式中使它們最小?；謴?fù)加速器15加速從等待方式中使它們最小?；謴?fù)加速器15加速從等待方式到激勵(lì)方式的方式變化。
偏置電流產(chǎn)生器13包括連接在正電源線Vdd和地張GND之間的電流鏡像電路13a，連接在模擬電路12和地線GND之間的電流鏡像電路13b，以及通過方式轉(zhuǎn)換器14連接在正電源線Vdd和電流鏡像電路13a/13b之間的電流鏡像電路13c。電流鏡像電路13a使來自正電源線Vdd的參考電流ISTD不變地流入地線GND，產(chǎn)燕生基本上正比于電流ISTD的電流IMIRR。電流鏡像電路13c產(chǎn)生基本上正比于電流IMIRR的偏置電流Ibias，并將偏置電流Ibias供給電流鏡像電路13b。最后，電流鏡像電路13b產(chǎn)生基本上正比于偏置電流Ibias的電流Ilocal1-Ilocaln。
電流鏡像電路13a包括恒流源13d和并聯(lián)的n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn1/Qn2。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn1被連接在恒流源13d和地線GND之間，另外一個(gè)n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn2被連接在方式轉(zhuǎn)換器14和地線GND之間。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn1/Qn2的柵極。參考電流ISTD被轉(zhuǎn)換為參考電壓Vref，并將參考電壓Vref加到n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn1/Qn2兩者的柵極。由于這個(gè)原因，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn1/Qn2的并聯(lián)，使電流IMIRR正比于參考電流ISTD而變化。參考電路Vref正比于參考電流ISTD而變化，它代表參考電流ISDT的量值。參考電壓Vref還被供給到恢復(fù)加速器15。
電流鏡像電路13c使用P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp1/Qp2并聯(lián)而成，它并聯(lián)地連接在正電源線Vdd和方式轉(zhuǎn)換器14之間。P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp1通過方式轉(zhuǎn)換器將電流IMIRR供給n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn2，另外一個(gè)P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn2使偏置電流Ibias經(jīng)過方式轉(zhuǎn)換器14流入電流鏡像電路13b。并聯(lián)的P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn1/Qn2與電流IMIRR成正比地改變偏置電流Ibias。
電流鏡像電路13b包括并聯(lián)的n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn3,Qn11,Qn12,...和Qn1n。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn3被連接在方式轉(zhuǎn)換器14和地線GND之間，使偏置電流Ibias流入地線GND。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn3的漏節(jié)點(diǎn)被連接到n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn3的柵極和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn11,Qn12,...和Qn1n的機(jī)極。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn3將偏置電流Ibias轉(zhuǎn)換為偏置電壓Vbias，并將偏置電壓加到n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn3,Qn11,Qn12,...和Qn1n。因此，電流鏡像電路13b正比于偏置電流Ibias產(chǎn)生電流Ilocal1/Ilocal2/...Ilocaln。偏置電壓Vbias還進(jìn)一步被供給到恢復(fù)加速器15。
方式轉(zhuǎn)換器14包括并聯(lián)的P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp3和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn4,一個(gè)P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn4，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn5以及反相器INV11?？刂菩盘朣TBY供給反相器INV11，反相器INV11從控制信號STBY產(chǎn)生被反相的控制信號STBYB。并聯(lián)的Qp3/Qn4被連接在P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp1和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn2之間，控制信號STBY和反相的控制信號STBYB分別地供給Pn溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp3的柵極，和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn4的柵極。P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp4被連接在正電源線Vdd和P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp1的漏節(jié)點(diǎn)Vsource之間，并由反相的控制信號STBYB選通。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn5被連接在P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp2的漏節(jié)點(diǎn)Vbias和地線GND之間，控制信號STBY被供給到n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn5的柵極。
低電平的控制信號STBY表示激勵(lì)方式，而高電平代表等待方式。當(dāng)控制信號STBY停留在低電平時(shí)，P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp4和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn5被斷開，傳輸門Qp3/Qn4被接通。P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp4在電氣上使P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn1的漏節(jié)點(diǎn)Vsource與正電源線Vdd隔離，而n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn5在電氣上使P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp2與地線GND隔離。并聯(lián)的Qp3/Qn4使電流IMIRR流過n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn2，方式轉(zhuǎn)換器14允許電流鏡像電路13a/13b/13c產(chǎn)生正比于參考電流ISTD的偏置電流Ibias。
另一方面，當(dāng)控制信號STBY處于高電平時(shí)，并聯(lián)的Qp3/Qn4斷開，而P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp4和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn5接通。并聯(lián)的Qp3/Qn4使電流鏡像電流13a與電流鏡像電路13c隔開。P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp4將正電源電壓供給到P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp1/Qp2的柵極，引起P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp1/Qp2斷開。電流鏡像電路13c不提供電流IMIRR和偏置電流Ibias給其它的電流鏡像電路13a/13b。另外，由于n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn5導(dǎo)通，所保持的偏置電流Ibias向地線GND放電，而使漏節(jié)點(diǎn)Vbias固定在地電平。因此，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn3/Qn11/.../Qn1n斷開，而使電流Ilocal1/I1ocal2/...Ilocaln最小。
恢復(fù)加速器15包括n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6和控制器15a。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6連接在P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn1的漏節(jié)點(diǎn)和地線GND之間，控制器15a使n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6在導(dǎo)通狀態(tài)和斷開狀態(tài)之間改變。當(dāng)偏置控制電路處于激勵(lì)方式時(shí)，控制器保持n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6處于斷開狀態(tài)，而不提供從電流鏡像電路13c流出電流的任何附加電流通路。當(dāng)控制信號STBY從高電平變到低電平時(shí)，控制器15a使n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6改變到導(dǎo)通狀態(tài)，而n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6提供從電流鏡像電路13c流出電流的附加電流通路，以便加速恢復(fù)至激勵(lì)方式。
控制器15a分為兩部分，即終點(diǎn)檢測器15b和邏輯電路15c。終點(diǎn)檢測器連接正電源線Vdd和地線GND之間，查看是否終止加速周期。當(dāng)控制信號STBY從高電平向低電平變化時(shí)，邏輯電路15c將高電平提供給n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6，使它改變到導(dǎo)通狀態(tài)。此后，終點(diǎn)檢測器15b確定加速達(dá)到終點(diǎn)，邏輯電路15c將n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6改變到斷開狀態(tài)。
終點(diǎn)檢測器15b包括一個(gè)連接到正電源線Vdd的并聯(lián)P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp5/Qp6，兩個(gè)連接在P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp5/Qp6和地線GND之間的n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn7/Qn8，以及一個(gè)反相器INV12。P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp5/Qn6有各自連接到P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp5和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn7之間的公共漏節(jié)點(diǎn)的柵極，形成電流鏡像電路。參考電壓Vref和偏置電壓Vbias被提供給n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn7的柵極和另一個(gè)n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn8的柵極。n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn7在晶體管特性上等于另一個(gè)n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn8，控制信號CTL10從P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp6和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn8之間的公共漏節(jié)點(diǎn)饋送到反相器INV12?？刂菩盘朇TL10的電位電平與偏置電壓Vbias的電位電平成反比。當(dāng)偏置電壓Vbias達(dá)到預(yù)定值VN時(shí)，控制信號CTL10變成低于反相器INV12的門限，反相器INV12改變它輸出節(jié)點(diǎn)上的電位電平。于是，終點(diǎn)檢測15b通過參考電壓Vref和偏置電壓Vbias之間的電壓比較檢測終點(diǎn)。
邏輯電路15c包括與反相器相連的“或非”門NR10?？刂菩盘朣TBY和反相器INV12的輸出信號被饋送到“或非”門NR10?！盎蚍恰遍TNR10的輸出節(jié)點(diǎn)被連接到n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6的柵極，饋送脈沖信號PUMP到n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6的柵極。
P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp5/Qp6響應(yīng)公共漏節(jié)點(diǎn)上的電位電平，并向n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn7/Qn8供給電流。P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp5提供阻止電流的溝道電阻，溝道電阻隨著公共漏節(jié)點(diǎn)上的電位電平和相應(yīng)的參考電壓Vref作同樣的變化。然而，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn7/Qn8根據(jù)參考電壓Vref和偏置電壓Vbias改變溝道電阻。盡管參考電壓Vref是恒定的，但是從等待方式向激勵(lì)方式轉(zhuǎn)換的瞬間，偏置電壓Vbias上升，P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp6和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn8之間公共漏節(jié)點(diǎn)上的電位電平減小。公共漏節(jié)點(diǎn)上的電位電平如同控制信號CTL10一樣被送到反相器INV12。當(dāng)控制信號CTL10變得低于反相器INV12的門限時(shí)，反相器INV12改變它的輸出節(jié)點(diǎn)到高電平，而或非門NR10改變它的輸出節(jié)點(diǎn)到低電平。結(jié)果，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6斷開。
圖6說明圖5所示偏置控制器的電路運(yùn)行狀態(tài)。偏置控制器11在激勵(lì)方式和等待方式中的運(yùn)行狀態(tài)與現(xiàn)有技術(shù)的偏置控制器類似。但是，偏置控制器11在從等待方式向激勵(lì)方式恢復(fù)時(shí)的電路運(yùn)行狀態(tài)。
當(dāng)偏置控制器11在等待方式時(shí)，控制信號STBY是高電平，反相器INV12將低電平送到或非門NR10?；蚍情TNR10使脈沖信號PUMP保持在低電平。曲線PL10/PL11表示沒有恢復(fù)加速器的現(xiàn)的技術(shù)的偏置控制器的電位變化。
控制信號STBY在時(shí)間t21改變到低電平，因此，或非門NR10在時(shí)間t22使脈沖信號PUMP改變到高電平。然后，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6導(dǎo)通。控制信號STBY使傳輸門Qp3/Qp4導(dǎo)通，P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp4和n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn5斷開。而后，漏節(jié)點(diǎn)Vsource通過兩個(gè)n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn2和Qn6放電，其電位電平很快下降。
漏節(jié)點(diǎn)Vsource上的電位電平被送到P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp1/Qp2，迅速的電位下降使P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qp2增加偏置電流Ibias并因此增加偏置電壓Vbias。
偏置電壓Vbias在時(shí)間t23達(dá)到預(yù)定電壓電平NV，電流Ilocal1-Ilocaln被增加到目標(biāo)值Itg。偏置電壓Vbias被送到n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn8的柵極，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn8減小溝道電阻。結(jié)果，控制信號CTL10變成低于反相器INV12的門限，反相器INV12將高電平送到或非門NR10恢復(fù)脈沖信號PUMP到低電平，n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn6斷開。
從前面的說明可以了解，終點(diǎn)檢測器15b監(jiān)視偏置電壓Vbias，即使制造過程的波動(dòng)因素影響晶體管的特性，終點(diǎn)檢測器15b也能精確地確定加速的終點(diǎn)，避免了偏置控制器11的不良性能。終點(diǎn)檢測器15b還能擺脫設(shè)計(jì)的工作溫度和實(shí)際的工作溫度之間的差別，精確地給出加速的終點(diǎn)。
在這種情況下，模擬電路12作為主電路，激勵(lì)方式和等待方式分別對應(yīng)于第一方式和第二方式。
轉(zhuǎn)到附圖7，本發(fā)明半導(dǎo)體電路器件的另一個(gè)實(shí)施例包括集成在同一半導(dǎo)體芯片(未示)上的偏置控制器31和模擬電路32。模擬電路32包括放大器321/322/...32n，偏置控制器31包括偏置控制器31包括偏置電流產(chǎn)生器33，方式轉(zhuǎn)換器34和恢復(fù)加速器35。偏置電流產(chǎn)生器33和方式轉(zhuǎn)換器34類似于第一個(gè)實(shí)施例中的有關(guān)電路，為了簡單起見，在這里不做進(jìn)一步說明。
恢復(fù)加速器35包括n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn31和控制器35a，控制器35a分為終點(diǎn)檢測器35b和邏輯電路35c。終點(diǎn)檢測器35b在電路結(jié)構(gòu)上類似于終點(diǎn)檢測器15b，詳細(xì)說明被省略。
反相器INV20被加到邏輯電路15c。電路其它部件標(biāo)以邏輯電路15c中的相應(yīng)電路部件的相同參考號碼。反相器INV20有一個(gè)輸入節(jié)點(diǎn)和一個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)，分別連接到或非門NR10輸出節(jié)點(diǎn)和輸入節(jié)點(diǎn)。反相器INV20對或非門NR10的狀態(tài)給予一個(gè)滯后作用。
圖8說明從等待方式向激勵(lì)方式恢復(fù)中的偏置控制器31的電路狀態(tài)。滯后作用是由偏置電壓Vbias波形中的過沖OS引起的，恢復(fù)時(shí)間相比于第一個(gè)實(shí)施例的恢復(fù)時(shí)間稍延長一點(diǎn)。但是，滯后作用使得檢測特性穩(wěn)定。當(dāng)通過n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn7的電流量值接近通過n溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管Qn8的電流量值時(shí)，終點(diǎn)檢測器35b精確地決定加速的終點(diǎn)。
盡管本發(fā)明的具體實(shí)施例已經(jīng)示出并被說明，顯然對熟悉這方面技術(shù)的人來說，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，各種改變和改進(jìn)是可以實(shí)現(xiàn)的。
將被偏置的模擬電路決不限于放大器121-12n。在用于通過改變偏置電壓進(jìn)行等待方式和激勵(lì)方式之間轉(zhuǎn)換的模擬電路范圍內(nèi)，任何種類的模擬電路都可作為偏置控制器。
在等待方式中，偏置控制器可以有小量電流在模擬電路和地線GND之間流過。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體集成電路，其中包括主電路(12；32)，有被控制的第一電流(Ilocal1-Ilocaln)流通；和偏置電路控制電路(11；31)，其包括與所述主電路(12；32)連接的偏置電流控制器(13；33)，其產(chǎn)生參考電流(ISTD)，并在第一方式中根據(jù)所述參考電流值調(diào)整所述第一電流(Ilocal1-Ilocaln)至第一值，在第二方式中將其調(diào)整至小于所述第一值的第二值，與所述偏置電流控制器(13；33)連接的方式轉(zhuǎn)換器(14；34)，其響應(yīng)代表在所述第一方式和所述第二方式之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換的指示(STBY)，用于在所述第一方式和所述第二方式之間轉(zhuǎn)換所述偏置電流控制器(13；33)，和恢復(fù)加速器(15；35)，被連接至所述偏置電流控制器(13；33)和所述方式轉(zhuǎn)換器(14；34)，并響應(yīng)關(guān)于從所述第二方式向所述第一方式加速轉(zhuǎn)換的所述指示，其特征在于所述恢復(fù)加速器，將所述第一電流(Ilocal1-Ilocaln)值與所述參考電流(ISTD)值比較，以確定所述轉(zhuǎn)換的加速終點(diǎn)。
2．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，其中所述恢復(fù)加速器(15；35)包括電壓比較器(15b；35b)，將從正比于所述第一電流(Ilocal1-Ilocaln)的第二電流(Ibias)轉(zhuǎn)變而得的第一偏置電壓(Vbias)，與從所述參考電流(ISTD)轉(zhuǎn)變而得的參考電壓(Vref)比較，當(dāng)所述加速器到達(dá)所述終點(diǎn)時(shí)，產(chǎn)生第一控制信號，邏輯電路(15c；35c)，其響應(yīng)所述指示(STBY)和所述第一控制信號，在所述的加速之際使第二控制信號(PUMP)從非激勵(lì)電平向激勵(lì)電平轉(zhuǎn)換，和響應(yīng)所述第二控制信號(PUMP)用于加速所述轉(zhuǎn)換的加速晶體管(Qn6；Qn31)。
3．如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，其中所述加速晶體管(Qn6；Qn31)提供從所述偏置電流控制器(13；33)的第一節(jié)點(diǎn)(Vsource)至第一恒定電壓源(GND)之間的電流通路，所述方式轉(zhuǎn)換器(14；34)使電流能流經(jīng)所述第一節(jié)點(diǎn)(Vsource)，以使所述偏置電流控制器從所述第二方式轉(zhuǎn)換到所述第一方式。
4．如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，其中所述電壓比較器(15b；35b)包括電流鏡像電路(Qp5/Qp6)，其被連接至不同于所述第一恒定電壓的第二恒定電壓源(Vdd)，并響應(yīng)第二偏置電壓向第一輸出節(jié)點(diǎn)供給第三電流，并向第二輸出節(jié)點(diǎn)供給正比于所述第三電流的第四電流，第一晶體管(Qn7)，被連接在所述第一輸出節(jié)點(diǎn)和所述第一恒定電壓源(GND)之間，響應(yīng)所述參考電壓(Vref)以便提供抵抗所述第三電流的第一電阻用于產(chǎn)生所述第二偏置電壓，第二晶體管(Qn8)，其被連接在所述第二輸出節(jié)點(diǎn)和所述第一恒定電壓源(GND)，并響應(yīng)所述第一偏置電壓(Vbias)以便提供抵抗所述第四電流的第二電阻用于產(chǎn)生第三控制信號(CTL10)，和響應(yīng)所述第三控制信號(CTL10)以產(chǎn)生所述第一控制信號的邏輯門(INV12)。
5．如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，在所述加速期間所述第三控制信號(CTL10)增加電位電平，當(dāng)所述第三控制信號(CTL10)超過其門限值時(shí)，所述邏輯門(INV12)產(chǎn)生所述第一控制信號。
6．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，所述偏置電流控制器(13；33)包括第一電流鏡像電路(13a)，其被連接在第一恒定電壓源(GND)和幅度與所述第一恒定電壓不同的第二恒定電壓源(Vdd)之間，并被供給以所述參考電流(ISTD)，以便正比于所述參考電流(ISTD)調(diào)整第二電流(IMIRR)，第二電流鏡像電路(13c)，其被連接在所述第二電壓源(Vdd)和所述第一電流鏡像電路(13a)之間，以便正比于所述第二電流(IMIRR)調(diào)整第三電流(Ibias)和第三電流鏡像電路(13b)，其被連接在所述第二電流鏡像電路(13c)和所述第一恒定電壓源(GND)之間，以便正比于所述第三電流(Ibias)調(diào)整所述第一電流(Ilocal1-Ilocaln)。
7．如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，其中所述方式轉(zhuǎn)換器(14；34)被連接在所述第二電流鏡像電路(13c)和所述第一與第三電流鏡像電路(13a/13b)之間，在所述第二方式中，使所述第二和第三電流(IMIRR；Ibias)減小至零。
8．如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，其中所述方式轉(zhuǎn)換器(14；34)包括控制門裝置(Qp3/Qp4)，其被連接在所述第二電流鏡像電路(13c)和所述第一電流鏡像電路(13a)之間，并響應(yīng)所述指示(STBY)在所述第二方式中阻斷所述第二電流(IMIRR)，所述第一控制門裝置(Qp3/Qn4)允許所述第二電流(IMIRR)從所述第二鏡像電路(13c)流向所述第一電流鏡像電路(13a)，第一開關(guān)晶體管(Qp4)，其被連接在所述第二恒定電壓源(Vdd)和處于所述第二電流鏡像電流(13c)和所述控制門裝置(Qp3/Qp4)之間的第一中間節(jié)點(diǎn)(Vsource)之間，并響應(yīng)所述指示(STBY)在第二方式中經(jīng)過所述第二中間節(jié)點(diǎn)向所述第二電流鏡像電路(13c)提供所述第二恒定電壓源(Vdd)，以便使所述第二和第三電流(IMIRR/Ibias)減小至零，在所述第一方式中，所述第一開關(guān)晶體管(Qp4)從所述第二恒定電壓源(Vdd)阻斷所述第一中間節(jié)點(diǎn)(Vsource)，和第二開關(guān)晶體管(Qn5)，其被連接在所述第一恒定電壓源(GND)和處于所述第二電流鏡像電路(13c)和所述第三電流鏡像電路(13b)之間的第二中間節(jié)點(diǎn)(Vbias)之間，并響應(yīng)所述指示(STBY)以便在第二方式中將所述第二中間節(jié)點(diǎn)(Vbias)連接至所述第一恒定電壓(GND)，所述第二開關(guān)晶體管(Qn5)在所述第一方式中，從所述第一恒定電壓源(GND)阻斷所述第二中間節(jié)點(diǎn)(Vbias)。
9．如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，所述恢復(fù)加速器(15；35)有加速晶體管(Qn6,Qn31)，其被連接在所述第一中間節(jié)點(diǎn)(Vsource)和所述第一恒定電壓源(GND)之間，以便在所述加速期間，為所述第中間節(jié)點(diǎn)和所述第一恒定電壓源之間提供一個(gè)電流通路。
10．如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，所述恢復(fù)加速器(15；35)進(jìn)一步包括電壓比較器(15b；35b)，其將從所述第三電流(Ibias)轉(zhuǎn)變而得的第一偏置電壓(Vbias)，與從所述參考電流(ISTD)轉(zhuǎn)變而得的參考電壓(Vref)比較，當(dāng)所述加速到達(dá)所述終點(diǎn)時(shí)，產(chǎn)生第一控制信號，和邏輯電路(15c,35c)，響應(yīng)所述指示(STBY)和所述第一控制信號，在所述加速期間向所述加速晶體管(Qn6；Qn31)提供第二控制信號(PUMP)。
11．如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，所述電壓比較器(15b；35b)包括電流鏡像電流(Qp5/Qn6)，其被連接至所述第二恒定電壓源(Vdd)，并響應(yīng)第二偏置電壓向第一輸出節(jié)點(diǎn)供給第四電流，并向第二輸出節(jié)點(diǎn)供給正比于所述第四電流的第五電流，第一晶體管(Qn7)，其被連接在所述第一輸出節(jié)點(diǎn)和所述第一恒定電壓源之間，并響應(yīng)所述參考電壓以提供抵抗所述第四電流的第一電阻以便產(chǎn)生所述第二偏置電壓，第二晶體管(Qn8)，其被連接在所述第二輸出節(jié)點(diǎn)和所述第一恒定電壓源之間，并響應(yīng)所述第一偏置電壓以提供抵抗所述第五電流的第二電阻，以便產(chǎn)生第三控制信號，和邏輯門(INV12)，其響應(yīng)所述第三控制信號以產(chǎn)生所述第一控制信號。
12．如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，其中所述第三控制信號(CTL10)在所述加速期間增加電位電平，當(dāng)所述第三控制信號(CTL10)超過其門限值時(shí)，所述邏輯門(INV12)使所述第一控制信號從低電平轉(zhuǎn)換為高電平。
13．如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，其中所述指示由第四控制信號(STBY)代表，所述第四控制信號在所述第二方式有所述高電平，在所述第一方式有所述低電平，第一反相器(INV12)和或非(NIR10)門分別用作所述邏輯門和所述邏輯電路。
14．如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體集成電路器件，其特征在于，所述邏輯電路進(jìn)一步包括第二反相器(INV20)，所述第二反相器有一個(gè)輸入節(jié)點(diǎn)與所述或非門的一個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)相連，而且一個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)與所述或非門的一個(gè)輸入節(jié)點(diǎn)相連，所述第二反相器給或非門的邏輯功能一個(gè)滯后作用。
全文摘要
偏置控制器(11),在激勵(lì)方式中,將從模擬電路(12)流出的偏置電路(Iloca1-Iocaln)調(diào)整到適當(dāng)值,而在等待方式中將電流減小到零,其中偏置控制器(11)有恢復(fù)加速器(15),檢測正比于偏置電流的偏置電壓(Vbias),用以終止從等待方式向激勵(lì)方式轉(zhuǎn)換的加速,從而,可忽略晶體管特性以及設(shè)計(jì)工作溫度和實(shí)際工作溫度之間的差別,精確地控制加速。
文檔編號H03K17/687GK1232318SQ9910557
公開日1999年10月20日 申請日期1999年4月14日 優(yōu)先權(quán)日1998年4月14日
發(fā)明者小林勝太郎 申請人:日本電氣株式會(huì)社