專利名稱：有源濾波器控制裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及到一種磁盤驅動裝置、一種光盤驅動裝置、一種磁帶驅動裝置或類似裝置。特別是本發(fā)明涉及到一種有源濾波器控制裝置，該裝置在一個系統(tǒng)的信號處理器中執(zhí)行讀出波形的最佳波形均衡，所述系統(tǒng)處理器在一個盤的內外周邊具有不同的數據傳輸速率。
一個恒密度記錄(此后簡稱之為CDR)方法被設計為用于增加一個磁盤記錄容量的方法。當采用所述的CDR方法時，在所述盤和一個信號處理單元之間傳輸數據的速率是變化的。因此，將一個其濾波特性可隨傳輸速率而變化的有源濾波器用作一個濾波器，以處理一個讀出波形的均衡。與增加所述磁盤容量的要求相似，希望增加所述數據的傳輸速率并得到適用于高頻帶的高精度有源濾波器。另外，由于一個系統(tǒng)使用了諸如減小了工作電壓和功率損耗的個人計算機等磁盤驅動裝置，而工作電壓和功率損耗的減少也是磁盤驅動裝置的要求，所以，所述的有源濾波器也需要減小工作電壓和功率損耗。
下面將結合

圖1來描述一個傳統(tǒng)的有源濾波器控制裝置。
圖1的方框圖簡要地示出了所述傳統(tǒng)的有源濾波器控制裝置。所述裝置包括一個微機1和一個有源濾波器部件100，該部件包括一個寄存器2，一個D/A轉換器(此后稱之為DAC)5，一個互導控制電流發(fā)生器(此后簡稱為Gm控制電流發(fā)生器)8，一個有源濾波器9和一個基準電流源10。所述的有源濾波器9包括兩個互導放大器(此后簡稱之為Gm放大器)11和12以及電容器13和14。
當在所述的磁盤驅動裝置中使用所述的有源濾波器控制裝置時，所述微機1根據一個數據的傳輸速率來設定所述寄存器2的值，所述DAC5從所述基準電流源10接收一個基準電流iref，并傳送一個遵守寄存器2所設定值的截止頻率控制信號ifc。所述的Gm控制電流發(fā)生器8接收所述的截止頻率控制電流ifc并傳送與所述輸入控制電流ifc成正比的互導控制電流igm1和igm2?；Э刂齐娏鱥gm和igm2之比是由所述有源濾波器9所確定的。利用所述的互導控制電流igm1和igm2來控制在有源濾波器9中的Gm放大器11和12的電導，以達到控制所述有源濾波器9濾波特性的目的。
如上所述之有源濾波器控制裝置在例如下面的文章中都有披露IEEE JOURNAL OF SKLID-STATE CIRCUITS，VOL，27，NO.3，MARCH 1992，“Design of a Bipoiar 10-MHz Programmable Continous-Time 0.05°Equiripple Linear phase Filter”.
下面將描述現有技術中有源濾波器的濾波特性。
圖2簡要的示出了所述截止頻率設定寄存器的設定頻率與現有技術有源濾波器中截止頻率(fc)之間的關系。虛線表示一個理想有源濾波器特性，而實線表示一個電路的特性。當處于所述理想特性和實際電路特性相符合的低截止頻帶時，實際電路的截止頻率降低到在高截止頻帶中理想特性的頻率以下，并喪失線性。這是因為在所述低頻帶，有源濾波器截止頻率對于附加在構成所述有源濾波器的Gm放大器中的極點激勵的影響較小，而在高頻帶，這種影響就因此，即使是當所述的有源濾波器是由需要低壓源和低功率損耗的Gm放大器構成時，也可以在一個高頻帶實現一個理想的濾波特性。
圖5示出了在圖4所示系統(tǒng)中一個寄存器設定表的內容。下面將描述其存貯區(qū)號。用于設定互導校正電流的所述寄存器3(或寄存器4)的設定值被設定成這樣一個值通過模擬和評價一個實際電路，使得所述值隨著頻率的增加而增加，以便使所述濾波器的濾波特性滿足一個理想的特性。所述濾波器3和4所設定的值是由所述電路的特性所確定的。
圖6示出了圖4所示有源濾波器結構的一個例子。在圖6中，以二階低通濾波器為例。所述有源濾波器9包括Gm放大器15、16、17和18以及電容器19、20、21和22。所述Gm放大器15的電導為gm1，Gm放大器16的電導為gm2、Gm放大器17的電導為gm3，而Gm放大器18的電導為gm4。所述電容器19和20的電容為C1，電容器21和22的電容為C2。
圖6所示二階低通濾波器的傳輸函數由等式(1)表示VoutVin=(ω o)2S2+ω OQS+(ω o)2……(1)]]>其中ω O=gm2x gm4CL x c2……(2)]]>和Q=1gm4c2 × gm2 × gm4cl……(3)]]>較大。
圖3簡要示出了在所述有源濾波器中所述截止頻率和Q之間的關系。虛線表示一個理想特性，實線則表示一個實際電路的特性。即使是在實際電路中所述截止頻率改變的情況下，所述濾波器的Q也能理想地保持為一個常數，當所述的截止頻率增加時，在所述GM放大器中極點的影響下，所述相位旋轉增加且Q變大。
如圖2和圖3所示，當設置一個高截止頻率時，所述有源濾波器的截止頻率和Q都要偏離所述理想值，并且(按頻率對相位進行區(qū)分所獲得的)相繼的組延遲特性也要移離所述理想值。
特別是，在所述磁盤驅動裝置的情況下，所述組延遲特性的降低會引起波形失真，從而引起嚴重的問題。
某種電路設計能夠改善構成該有源濾波器的Gm放大器自身的特性，但難以滿足工作電壓的減小。
本發(fā)明的目的就是要實現一種有源濾波器控制裝置，這種控制裝置能夠在使用高截止頻率的情況下抑制所述濾波器特性的失真，并能減小所需的工作電壓。
本發(fā)明的另一個目的就是要在所述CDR方法的基礎之上提供一種磁盤驅動裝置，所述的CDR方法能夠利用上述的有源濾波器控制裝置抑制誤差速率并減小功率損耗。
本發(fā)明的再一個目的就是要提供一種有源濾波器LSI，通過與上述有源濾波器控制裝置結合使用，這種濾波器可以減小所需的工作電壓。
為了實現上述目的，根據本發(fā)明，提供了一種校正裝置，該校正裝置對一個用于控制所述有源濾波器特性的信號進行校正。定值之間的關系;
圖3簡要示出了在傳統(tǒng)有源濾波器中所述Q和截止頻率之間的關系;
圖4的方框圖示出了本發(fā)明第一實施例之結構;
圖5示出了在圖4所示實施例中所述有源濾波器內的一個寄存器設定表;
圖6示出了圖4所示實施例的電路結構;
圖7示出了圖4所示實施例的Gm放大器的電路結構;
圖8示出了本發(fā)明一個修改實施例結構的方框圖;
圖9簡要示出了圖8所示有源濾波器的組延遲特性;
圖10簡要示出了圖8所示有源濾波器的組延遲特性;
圖11的方框圖簡要地示出了本發(fā)明第二實施例的結構;
圖12的方框圖簡要地示出了本發(fā)明的第三實施例的結構;
圖13示出了使用本發(fā)明的一個系統(tǒng)的結構;
圖14A和14B用于解釋傳統(tǒng)記錄方法;
圖14C和14D用于解釋所述的CDR方法;
圖15是一個在所述有源濾波器中寄存器設定的流程圖。
下面將結合附圖4來描述本發(fā)明的第一實施例。
本系統(tǒng)包括一個微機1和有源濾波器100，所述有源濾波器100包括寄存器2、其工作方式類似于寄存器2的寄存器3和4、DAC5、DAC6、DAC7、Gm控制電流發(fā)生器8、有源濾波器9和一個基準電流源10。所述的寄存器2和DAC5用于設定所述有源濾波器9的截止頻率，所述寄存器3、4和DAC6、7用于校正所述有源濾波器9的特性。
所述有源濾波器9包括Gm放大器11和電容器13、14。
特別是，提供了一種校正裝置，該裝置根據當前校正量來校正一個有源濾波器特性控制信號。
另外，還提供了一個從屬有源濾波器;一個校正信號發(fā)生器裝置，該裝置用于在一個所設定的截止頻率處對所述有源濾波器的輸入和輸出信號的幅值進行比較，并產生對其差值進行校正的一個校正信號;還提供有一個用于響應所述校正信號以控制一個主有源濾波器特性的電流發(fā)生器。
另外，還提供有一個從屬有源濾波器、一個用于在所設定的截止頻率處對所述有源濾波器的輸入和輸出相位進行比較并產生一個用于校正其差值的校正信號的校正信號發(fā)生裝置，和一個響應所述校正信號去控制一個主有源濾波器特性的電流發(fā)生器。
如上所述，不用改變所述Gm放大器本身，就能夠構成一個使用低壓電源的有源濾波器裝置。其結果，利用一個芯片LSI就能夠很容易地實現一個所述磁盤驅動裝置中的信號處理裝置。
另外，只有利用一個使用低壓源和低功率損耗的Gm放大器構成的所述有源濾波器，才能夠保證所述的校正使處于高截止頻帶的有源濾波器特性理想化。其結果是在基于所述CDR方法的高記錄密度磁盤驅動裝置中，能夠保證高速數據傳輸。
由于以上理由，可以構成一個具有低功率損耗和高記錄密度的磁盤驅動裝置。
通過參照附圖所作的下面敘述，可以對本發(fā)明上述和其它的目的和優(yōu)點獲得更全面的理解。
圖1的方框圖示出了一個傳統(tǒng)有源濾波器的結構;
圖2簡要示出了在傳統(tǒng)有源濾波器中所述截止頻率和寄存器設所述微機1根據與所述有源濾波器9相關的一個截止頻率設定表來設定所述寄存器2、3和4中的值。
所述表將結合圖5加以描述。
所述DAC5接收所述基準電流源10的輸出電流iref，并利用由所述寄存器2的一個設定值所確定的放大比例放大所述電流，并將一個截止頻率控制電流ife傳送給有源濾波器9。
所述Gm控制電流發(fā)生器8接收所述截止頻率控制電流ifc，并傳送互導電流igm1和igm2。所述互導電流igm1和igm2中的每一個都正比于所述截止頻率控制電流ifc，并且利用所述有源濾波器9的濾波特性在所述igm1和igm2之間確定一個比值。
所述Gm控制電流發(fā)生器8還傳送其電流值分別與所述互導電流igm1和igm2電流值相同的電流igm3和igm4。
所述DAC6接收與所述互導控制電流igm1相同的電流igm3，并利用由寄存器3的設定值所確定的放大倍數對該電流進行放大，并傳送一個互導校正電流is1。
同樣，所述DAC7接收與所述互導控制電流igm2相同的電流igm4，并以由寄存器設定值所確定的放大倍數對該電流進行放大，同時傳送一個互導校正電流is2。
在構成所述有源濾波器9的Gm放大器11和12之中，在先放大器的電導是由作為互導控制電流igm1和互導校正電流is1相加結果的和電流igm1+is1加以控制的，而在后放大器的電導是由作為互導控制電流img2和互導校正電流is2相加結果的和電流img2+is2加以控制的。雖然如此，即使是在高截止頻帶，所述有源濾波器9的截止頻率和組延遲特性仍可以理想地加以控制。
通過利用由所述Gm控制電流發(fā)生器8所產生的互導控制電流來控制所述Gm放大器15、16、17和18的電導gm1、gm2、gm3和gm4，可以改變所述二階低通濾波器的Wo和Q。
圖7示出了一個Gm放大器的例子。所述的Gm放大器包括一個緩沖器23、一個電流控制電流源24、一個負載電流源25和一個差動放大器26。所述緩沖器23包括npn雙極晶體管27和28、以及電流源29和30。所述的電流控制電流源24包括npn雙極晶體管31和32以及電阻器33和34。所述電流源25包括npn雙極晶體管35、36和37、電阻器38、38和40以及一個電流源41。差動放大器26包括npn雙極晶體管42和43。
所述的電流控制電流源24接收一個互導控制電流去控制所述Gm放大器的電導。
通過把所述電流控制電流源24中的鏡象比設定為1∶1并將在構成所述差動放大器26的npn雙極晶體管42和43間的射極容量比設定為1∶1，可以利用下式(4)來表示所述Gm放大器的電導gmgm=qxigmkxt……(4)]]>其中K是波爾茲曼常數，T是絕對溫度，q是電子的電荷量。所述雙極晶體管的基射偏壓大約需要0.7-0.8V。由于圖7所示電路具有三種狀態(tài)，所以它可以在3-3.6V的電源電壓下進行工作。
如上所述，通過把符合圖5所示表的所述互導校正電流is1和is2加到由所述Gm控制電流發(fā)生器8所輸出的互導控制電流igm1和igm2上。以校正所述有源濾波器的濾波特性從而使其理想化，那么，即使所述的有源濾波器是由需要低壓電源和低功率損耗的Gm放大器所構成，也可以在高截止頻帶情況下，實現理想的濾波特性。
圖8示出了一個修改后的實施例，在該實施例中，圖4所示之第一實施例被應用到一個七階低通濾波器(此后稱之為LPF)上。一個有源濾波器由二階LPF90、91和92以及一個一階LPF93構成。在所述磁盤中，考慮到影響噪聲截止特性和與讀出信號相關的波形失真的組延遲特性，經常使用一種七階0.05°均等波紋(equiripple)LPF。所述0.05°均等波紋特性是這樣一種特性，在這種特性之下，所述的組延遲特性保持近似兩倍于一個截止頻率的常數。
當所述有源濾波器9具有0.05°均等波紋特性并且所述七階LPF的截止頻率被設定為15MHZ時，所述的Gm控制電流發(fā)生器8產生一個互導控制電流，以允許所述二階LPF90、91、92和所述一階濾波器的極點(截止)頻率被分別設置成17.21MHZ，25.77MHZ、34.76MHZ和12.92MHZ，并允許所述二階濾波器LPF90、91和92的Q被分別設置成0.6810、1.1143和2.0233。由于在所述有源濾波器9中，所述二階LPF的極點頻率是最高的，并且它的特性易于受到損害，所以，為了校正所述二階LPF92的特性，所述的DAC6接收與所述互導控制電流igm1相同的一個電流，以控制所述二階LPF92，并且所述的DAC6還要傳送一個根據寄存器3中所設定的值進行放大的所述互導校正電流。通過利用由所述互導校正電流is1和所述互導控制電流igm1相加而得到的電流對所述二階LPF92進行控制，可以校正所述二階LPF的特性，并借此校正構成所述七階LPF的有源濾波器9的特性。
當圖8所示七階均等波紋LPF的截止頻率被設定為15MHZ時，可以獲得如圖9所示的所述二階LPF90、91和92的理想值以及實際電路特性的理想值。從圖9可以看出，以實際電路形式存在的二階LPF92的特性被降低，從而極大地偏移了所述的理想特性。在頻率為30MHZ時，其差值為4毫微秒，這是由于下述這樣一個事實所引起的即所述二階LPF92在極點內減少而在相位旋轉過程中增加。其結果使得Q增加。通過對所述二階LPF92極點頻率及Q的校正，可以改善所述的組延遲特性。
圖10示出了當所述七階均等波紋LPF(示于圖8)的截止頻率被設定為15MHZ時所獲得的組延遲特性。圖10所示之特性曲線之一利用所述的互導校正電流進行了校正，而另一個特性曲線未進行所述的校正。通過利用圖8所示之DAC產生等于8%igm1的互導校正電流is1，可以改善所述特性曲線，以使所述的組延遲變化在所述截止頻率0.2-1.75倍的頻率范圍內從5%降到1%。
圖11的方框圖簡要地示出了本發(fā)明第二實施例，它示出了一個用于對所述有源濾波器的截止頻率進行自動校正的控制裝置。在圖11中，一個有源濾波器控制裝置包括微機1、寄存器101、合成器60和一個有源濾波器裝置100，所述有源濾波器裝置100包括一個Gm控制電流發(fā)生器8，有源濾波器9和62、分壓器61、檢相器63和環(huán)路濾波器64。
所述的有源濾波器9包括Gm放大器11和12以及電容器13和14。有源濾波器62包括Gm放大器66和67以及電容器68和69。
微機1根據輸出信號頻率設定表或用于所述合成器60的一個設定公式在所述寄存器101中寫入一個設定值。所述合成器60在符合所述寄存器101中所設定值的頻率處提供一個信號。在所述合成器60也利用于其它目的的情況下，所述分壓器61對所述合成器的輸出信號進行分壓，以提供一個等于所述有源濾波器62截止頻率的頻率信號。當只使用合成器60時，可以省掉所述分壓器61。所述有源濾波器62接收分壓器61的輸出信號并提供一個相對于所述輸入信號在相位上被延遲了的信號。所述檢相器63接收分壓器61和有源濾波器62的輸出信號，并提供一個校正信號，用于使兩個信號的相位差成90°。環(huán)路濾波器64接收檢相器63的輸出信號，并根據一個環(huán)路特性對所述信號進行處理，并將所產生的信號加給所述的Gm控制電流發(fā)生器8。所述的Gm控制電流發(fā)生器8接收環(huán)路濾波器64的輸出信號，并提供互導控制信號igm1和igm2，用于控制構成所述有源濾波器64的Gm放大器66和67的電導。通過這種操作，所述有源濾波器62的截止頻率被控制得等于所述分壓器61的輸出信號頻率。
同時，所述的Gm控制電流發(fā)生器8也將所述互導控制信號igm1和igm2提供給構成所述有源濾波器9的Gm放大器11和12，以控制這兩個Gm放大器的電導。
通過這些，所述有源濾波器9的截止頻率也被控制得等于所述分壓器61的輸出信號頻率。
因此，即使是在設定一個高截止頻率的情況下，所述有源濾波器的截止頻率也能被精確地設定成一個予置值，而不會受所述Gm放大器極點的影響。
圖12的方框圖簡要地示出了依據本發(fā)明的第三實施例，它示出了一個用于自動校正Q的一個控制裝置。
一個有源濾波器控制裝置包括一個微機1、一個寄存器101、一個合成器60和一個有源濾波裝置100，所述的有源濾波器裝置100包括一個寄存器3、一個DAC5、Gm控制電流發(fā)生器8和65，有源濾波器9和62、一個基準電流源10、一個分出器61，一個環(huán)路濾波器64和一個幅值檢測器70。
所述的有源濾波器9包括Gm放大器11和12以及電容器13和14。所述有源濾波器62包括Gm放大器66和67以及電容器68和69。
所述微機1根據一個輸出信號頻率設定表或一個用于所述合成器60的設定式式在所述寄存器101中寫入一個設定值。合成器60在符合寄存器101中設定值的頻率處提供一個信號。分壓器61對所述合成器60的輸出信號進行分壓并提供一個其頻率等于所述有源濾波器62截止頻率的信號。所述有源濾波器62接收所述分壓器61的輸出信號。所述幅值檢測器70接收分壓器61和有源濾波器62的輸出信號，并對這兩個信號的幅值進行比較，以產生一個樣正信號，該校正信號用于提供由Q所確定的所希望的幅值比。
所述環(huán)路濾波器64接收所述幅值檢測器70的輸出信號，并根據一個環(huán)路特性對所述信號進行處理，同時將所產生的信號施加給Gm控制電流發(fā)生器65。所述Gm控制電流發(fā)生器65接收環(huán)路濾波器64的輸出，并提供所述的互導控制信號igm2，以控制構成所述有源濾波器62的Gm放大器67的電導。
通過這種操作，所述有源濾波器62的Q被控制得具有由設定所述幅值檢測器70所確定的值。
同時，所述Gm控制電流發(fā)生器65還將所述互導控制信號igm2加到構成所述有源濾波器9的Gm放大器12上以控制所述Gm放大器的電感。這樣，使得所述有源濾波器9的Q被控制得具有通過設定所述幅值檢測器70所確定的值。
因此，即使是在設定一個高截止頻率時，所述有源濾波器的Q也能被精確地設置成一個予置值而不會受Gm放大器極點的影響。
下面參看圖13，14A-14D和15，將描述一個實施例，在該實施例中，本發(fā)明被應用于以CDR方法為基礎的磁盤驅動裝置中。
圖14C和14D用于解釋CDR方法。在圖14A所示之傳統(tǒng)的方法中，以在內外磁跡同樣的傳輸速率在一個盤上進行記錄。其結果是在超前于較外磁跡進行記錄時，其線性記錄密度變得較低且增加容量的效能下降。在如圖14所示的CDR方法中，一個磁盤上的磁跡被分成某些區(qū)域，并且使用于靠外區(qū)域的傳輸速度高于用于靠內區(qū)域的傳輸速度，以便使所述磁盤上的線性記錄密度基本上相同，從而增加記錄容量。由于在所述CDR方法中正在被記錄數據的頻率對于靠內磁跡和靠外磁跡而言是變化的，所以，在根據讀出數據對所述信號進行處理的裝置中，所述濾波器的截止頻率需要加以改變，如圖14D所示使在靠外磁跡處的值高于靠內磁跡的值，并需要高效地去除噪聲。另一方面，在所述的傳統(tǒng)方法中，所述的截止頻率是一個常數(圖14B)。在所述CDR方法中，在靠外磁跡處的信號頻率是高的，因此，為了抑制在靠外一個磁跡處讀出的波形中存在的波形失真，所述濾波器截止頻率的設定精度被限制在10%或更少，且組延遲變化必須被限制在2-3%或更少。通過這些，從整個磁盤驅動裝置角度來看的誤差速率可以得到改善。
圖13的方框圖示出了一種系統(tǒng)結構，在該結構中，本發(fā)明應用于以所述CDR方法為基礎的一個磁盤驅動裝置中。圖13所示的系統(tǒng)包括一個盤48，在該盤上，根據所述CDR方法記錄了一些數據;一個讀/寫放大器49，用于放大一個信號;一個用于執(zhí)行信號處理的信號處理裝置50，一個用于執(zhí)行數據控制的硬盤控制器(此后稱之為HDC)51;一個接口(此后稱之為I/F)52;一個用于記錄例如圖5所示寄存器設定表內容的存貯器53;一個用于對HDC51和I/F52執(zhí)行控制的微機1;一個音圈馬達(此后簡稱之為VCM)54;和一個VCM控制器55和一個用于執(zhí)行數據處理的主機56。所述的信號處理裝置50包括一個用于使所述信號幅值恒定的自動增益控制(此后簡稱之為AGC)放大器57，一個用于執(zhí)行讀出數據噪聲去除和波形均衡的有源濾波器裝置100。一個用于產生與數據同步的時鐘的數據分離器58和一個用于執(zhí)行對所記錄代碼執(zhí)行編碼和譯碼的編碼器/譯碼器(此后簡稱之為ENDEC)59。所述有源濾波器裝置100包括代表由本發(fā)明所控制目標的一個有源濾波器9和一個寄存器2。
在所述盤48上記錄的數據由所述讀/寫放大器49進行放大，并提供給所述信號處理裝置50。輸入給所述信號處理裝置50的一個信號由AGC放大器57放大成一個恒定值，并利用所述有源濾波器9進行波形均衡，然后借助于所述的數據分離器58將其分離成數據和時鐘，從而利用ENDEC59對所述數據進行譯碼，并送往HDC51。同時，所述微機1決定一個區(qū)域，在該區(qū)域上記錄正在被讀出的數據，建立所述有源濾波器的截止頻率，并設定用于控制Q的寄存器2的值。
圖15是一個流程圖，用于當本發(fā)明被用在所述磁盤驅動系統(tǒng)中時，根據讀出的數據來設定寄存器。下面將結合圖13所示之系統(tǒng)結構來描述圖15所示之流程。首先，主機56通過I/F52指出一個待被讀到微機1中的數據的邏輯地址(步驟80)。所述微機1對所指定的邏輯地址進行處理，以將其轉換成一個實際地址(步驟81)。根據所述的實際地址，確定磁盤48上的磁跡號和區(qū)域號(步驟82)。若所述的當前區(qū)域不同于在前存取的區(qū)域(步驟83)，那么，所述微機1借助于存貯在存貯器53中的圖5所示之寄存器設定表讀出相應于所述區(qū)域號的寄存器設定值(步驟84)。微機1把從所述存貯器53中讀出的寄存器值寫入到包括在所述有源濾波器裝置100中的寄存器2(步驟85)。若在步驟83中，所述當前區(qū)域與所述在前存取區(qū)域相重疊，所述的寄存器值將不被寫入，并保持為在前設定值。
盡管所述的操作和結構如上所述，但是可以依照與所述磁盤上每個區(qū)域相關的數據傳輸速率對所述有源濾波器的截止頻率和Q加以控制，也可以對所述組延遲特性加以控制。利用這種方式，可以保證在所述信號處理LSI中工作電壓的減小，并允許在所述磁盤驅動裝置中功率損耗的減少。
其優(yōu)點是可以構成一個工作于3-3.6V低壓狀態(tài)下的有源濾波器裝置100，并可以利用一塊芯片LSI很容易地實現一個信號處理裝置50。
權利要求
1.一種有源濾波器控制裝置，其特征在于一個截止頻率可變的有源濾波器；一個用于控制所述有源濾波器截止頻率的裝置；一個用于產生一個校正信號的特性校正裝置，用于根據所設定的截止頻率來校正所述有源濾波器的組延遲時性。
2.根據權利要求1所述的有源濾波器控制裝置，其中，所述的特性校正裝置包括一個用于根據所設定的校正量產生一個校正信號的校正信號產生裝置，且所述的截止頻率控制裝置利用所述的校正信號來控制所述有源濾波器的特性。
3.根據權利要求1所述的有源濾波器控制裝置，其中，所述的特性校正裝置包括與所述有源濾波器具有相同特性的一個從屬有源濾波器;和校正信號發(fā)生器裝置，用于在所述設定的截止頻率處對所述從屬有源濾波器的輸入和輸出的幅值進行比較，并產生一個用于校正所設定幅值比一差值的校正信號，且其中所述截止頻率控制裝置利用所述的校正信號控制所述有源濾波器的特性。
4.根據權利要求1所述的有源濾波器控制裝置，其中所述的特性校正裝置包括一個與所述有源濾波器具有相同特性的從屬有源濾波器;和一個校正信號發(fā)生器裝置，用于在所設定的截止頻率處對所述從屬有源濾波器的輸入和輸出相位進行比較，并產生一個用于校正相位差的校正信號，和其中所述的截止頻率控制裝置利用所述的校正信號來控制所述有源濾波器的特性。
5.根據權利要求1所述的有源濾波器控制裝置，其中所述的裝置工作于3-3.6V電源電壓之下。
6.根據權利要求1所述的有源濾波器控制裝置，其中所述的裝置是集成于一個芯片上的單片LSI形成的。
7.一種可變記錄/重現速度的記錄/重現裝置使用了如權利要求1中所列舉的有源濾波控制裝置。
8.一種對于一記錄介質上多個區(qū)域具有不同數據重現速率的重現裝置，其特征在于一個濾波器，其截止頻率可變并用于處理讀出信號;用于校正所述濾波器的組延遲特性的表，該表是根據讀出數據的一個區(qū)域來設定的;和，一微機，利用所述的組延遲特性校正表，所述微機控制所述截止頻率可變?yōu)V波器的所述截止頻率，從而控制所述濾波器的所述組延遲特性。
9.根據權利要求8所述的重現裝置，其中所述裝置具有一個用于校正所述濾波器組延遲的寄存器。
10.根據權利要求8所述的重現裝置，其中所述的裝置具有一個用于儲存一個表的存貯器，所述表用于校正所述濾波器的組延遲。
全文摘要
一有源濾波器裝置，具有一個校正單元對控制其特性的信號進行校正。校正單元根據一預置校正量校正特性控制信號。所述裝置還有一從屬有源濾波器，一在設定截止頻率對主濾波器的輸入/輸出幅值(和相位)比較并產生校正差值的校正信號的校正信號發(fā)生單元，和響應校正信號以控制主濾波器特性的電流發(fā)生器。
文檔編號H03H11/04GK1111793SQ94120489
公開日1995年11月15日 申請日期1994年12月28日 優(yōu)先權日1993年12月28日
發(fā)明者木村博, 堀田龍?zhí)? 長谷健一, 渡辺國夫, 奈良孝 申請人:株式會社日立制作所