本技術(shù)涉及電路板，具體的涉及一種優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、印制電路板(printed?circuit?board，pcb板)又稱印刷電路板，印刷線路板，是電子產(chǎn)品的物理支撐以及信號(hào)傳輸?shù)闹匾M成部分，pcb板中的走線起到連接不同芯片引腳的作用。

2、在應(yīng)用比較廣泛的ddr(double?data?rate)顆粒中，最新一代的ddr5顆粒最高速率主流顆粒廠商最高運(yùn)行速率可以達(dá)到6400mbps以上，相對于前一代ddr4最高速率3200mbps，ddr5的傳輸速率提升了一倍以上。ddr5的優(yōu)勢是讀、寫、拷貝都比ddr4要高，這種優(yōu)勢隨著內(nèi)存頻率的升高而升高。時(shí)序的提升有些許的影響，但是沒有頻率明顯。ddr5帶寬翻倍，能滿足更多io密集型的運(yùn)算需求，目前在深度學(xué)習(xí)、科學(xué)計(jì)算方面的優(yōu)勢是比較大的。ddr5未來單片的容量將更大，能滿足對大容量的要求。

3、目前，如圖1所示，常用的ddr5拓?fù)滏溌芬话銜?huì)分成主干走線段m、breakout走線段l0、l1、l2和顆粒扇出走線段l3，主干走線段m的阻抗為40歐姆，breakout走線段l0、l1、l2和顆粒扇出走線段l3的阻抗均為40+/-5歐姆控制，在ddr5里，供電電壓為1.1v。在上述ddr5拓?fù)滏溌分校捎谑艿娇刂破鞯尿?qū)動(dòng)不同，以及設(shè)計(jì)和加工的等因素，有時(shí)候該拓?fù)涞男盘?hào)質(zhì)量裕量不足，導(dǎo)致信號(hào)在傳輸過程中可能出現(xiàn)錯(cuò)誤或丟失。因此，如何在不增加其他器件，設(shè)計(jì)或加工成本的情況優(yōu)化該ddr5拓?fù)滏溌返男盘?hào)質(zhì)量成為業(yè)界急需解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了克服現(xiàn)有技術(shù)中ddr5拓?fù)滏溌反嬖谟懈怕食霈F(xiàn)信號(hào)質(zhì)量裕量不足的問題，本實(shí)用新型提供一種優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)。

2、本實(shí)用新型技術(shù)方案如下所述：

3、一種優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于ddr5拓?fù)滏溌返念w粒扇出走線段l3中，包括：

4、pcb板；

5、信號(hào)走線，設(shè)置在所述pcb板上，包括若干第一信號(hào)走線和若干第二信號(hào)走線，所述第二信號(hào)走線為gnd信號(hào)走線；

6、信號(hào)過孔，設(shè)置在所述pcb板上，包括若干第一信號(hào)過孔和若干第二信號(hào)過孔，所述第二信號(hào)過孔為gnd回流孔，所述第一信號(hào)走線與所述第一信號(hào)過孔電連接，所述gnd信號(hào)走線與所述gnd回流孔電連接；

7、其中，相鄰兩個(gè)所述第一信號(hào)過孔之間的中心間距大于0.8mm，每個(gè)所述第一信號(hào)過孔的0.8mm中心間距以內(nèi)至少存在一個(gè)所述gnd回流孔。

8、作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，相鄰兩個(gè)所述第一信號(hào)過孔之間的中心間距為1.13mm。

9、作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述第一信號(hào)走線包括地址/數(shù)據(jù)信號(hào)走線、dqs和時(shí)鐘信號(hào)走線和vdd電源信號(hào)走線，所述第一信號(hào)過孔包括地址/數(shù)據(jù)信號(hào)過孔、dqs和時(shí)鐘信號(hào)過孔和vdd電源信號(hào)過孔，所述地址/數(shù)據(jù)信號(hào)走線與所述地址/數(shù)據(jù)信號(hào)過孔電連接，所述dqs和時(shí)鐘信號(hào)走線與所述dqs和時(shí)鐘信號(hào)過孔電連接，所述vdd電源信號(hào)走線與所述vdd電源信號(hào)過孔電連接。

10、作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述gnd回流孔包括第一gnd回流孔和第二gnd回流孔，所述第一gnd回流孔與所述gnd信號(hào)走線電連接。

11、作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為8-16mil。

12、作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為6-16mil。

13、作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為8-14mil。

14、作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為9-16mil。

15、作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為9-18mil。

16、作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為7-14mil。

17、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于：

18、本實(shí)用新型提供的一種優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，通過優(yōu)化采用錯(cuò)開打孔方式，加大第一信號(hào)過孔之間的中心間距，同時(shí)增加更多的gnd回流孔，保證每個(gè)第一信號(hào)過孔的0.8mm中心間距以內(nèi)至少存在一個(gè)gnd回流孔，以達(dá)到減小信號(hào)之間的串?dāng)_和減小其回流路徑的效果；在ddr5運(yùn)行更高速率就能明顯的優(yōu)化扇出的信號(hào)質(zhì)量，不需要增加其他的器件和設(shè)計(jì)或加工成本，優(yōu)勢非常明顯，具有廣泛的應(yīng)用前景。

技術(shù)特征：

1.一種優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于ddr5拓?fù)滏溌返念w粒扇出走線段l3中，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述第一信號(hào)過孔之間的中心間距為1.13mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一信號(hào)走線包括地址/數(shù)據(jù)信號(hào)走線、dqs和時(shí)鐘信號(hào)走線和vdd電源信號(hào)走線，所述第一信號(hào)過孔包括地址/數(shù)據(jù)信號(hào)過孔、dqs和時(shí)鐘信號(hào)過孔和vdd電源信號(hào)過孔，所述地址/數(shù)據(jù)信號(hào)走線與所述地址/數(shù)據(jù)信號(hào)過孔電連接，所述dqs和時(shí)鐘信號(hào)走線與所述dqs和時(shí)鐘信號(hào)過孔電連接，所述vdd電源信號(hào)走線與所述vdd電源信號(hào)過孔電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述gnd回流孔包括第一gnd回流孔和第二gnd回流孔，所述第一gnd回流孔與所述gnd信號(hào)走線電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，其特征在于，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為8-16mil。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，其特征在于，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為6-16mil。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，其特征在于，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為8-14mil。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，其特征在于，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為9-16mil。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，其特征在于，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為9-18mil。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化ddr5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的pcb結(jié)構(gòu)，其特征在于，所有所述信號(hào)過孔的直徑均為7-14mil。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種優(yōu)化DDR5顆粒扇出信號(hào)質(zhì)量的PCB結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于DDR5拓?fù)滏溌返念w粒扇出走線段L3中，包括：PCB板；信號(hào)走線，設(shè)置在PCB板上，包括若干第一信號(hào)走線和若干第二信號(hào)走線，第二信號(hào)走線為GND信號(hào)走線；信號(hào)過孔，設(shè)置在PCB板上，包括若干第一信號(hào)過孔和若干第二信號(hào)過孔，第二信號(hào)過孔為GND回流孔，第一信號(hào)走線與第一信號(hào)過孔電連接，GND信號(hào)走線與GND回流孔電連接；其中，相鄰兩個(gè)第一信號(hào)過孔之間的中心間距大于0.8mm，每個(gè)第一信號(hào)過孔的0.8mm中心間距以內(nèi)至少存在一個(gè)GND回流孔。本技術(shù)不需要增加其他的器件和設(shè)計(jì)或加工成本，優(yōu)勢非常明顯，具有廣泛的應(yīng)用前景。

技術(shù)研發(fā)人員：肖勇超,吳均
受保護(hù)的技術(shù)使用者：珠海市一博科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240226
技術(shù)公布日：2024/12/12