本申請(qǐng)涉及集成電路，特別是涉及一種叉指換能器結(jié)構(gòu)、聲表面波換能器結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著移動(dòng)通信技術(shù)水平的日益提高，通信頻帶數(shù)量也急劇增加。伴隨5g通訊技術(shù)的發(fā)展，移動(dòng)終端必須要對(duì)2g、3g和4g的多個(gè)頻段無(wú)線(xiàn)接入，同時(shí)還要對(duì)wifi、藍(lán)牙和gps接收器等信號(hào)進(jìn)行處理，這使得移動(dòng)終端中聲表面波濾波器的數(shù)量多達(dá)70只。為此，如何使得移動(dòng)通信用中聲表面波濾波器小型化是急需解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的聲表面波濾波器以及叉指換能器結(jié)構(gòu)體積較大的問(wèn)題提供一種叉指換能器結(jié)構(gòu)、聲表面波濾波器及其制備方法。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明提供了一種叉指換能器結(jié)構(gòu)，包括：

3、叉指層，包括第一指條部和第二指條部，所述第一指條部包括沿第一方向排列且間隔設(shè)置的多個(gè)第一指條，所述第二指條部包括沿所述第一方向排列且間隔設(shè)置的多個(gè)第二指條，所述多個(gè)第一指條和所述多個(gè)第二指條相互間隔且交錯(cuò)設(shè)置；所述叉指層具有交疊區(qū)、第一延伸區(qū)以及第二延伸區(qū)，所述第一延伸區(qū)和所述第二延伸區(qū)分別沿第二方向設(shè)置于所述交疊區(qū)的兩側(cè)，所述交疊區(qū)內(nèi)所述第一指條部和所述第二指條部交疊，所述第一延伸區(qū)包括在所述第二方向上延伸出所述交疊區(qū)的部分所述第一指條部，所述第二延伸區(qū)包括在所述第二方向上延伸出所述交疊區(qū)的部分所述第二指條部，所述第二方向與所述第一方向垂直；

4、絕緣介質(zhì)層，包括沿所述第二方向排布的第一介質(zhì)部與第二介質(zhì)部，所述第一介質(zhì)部覆蓋所述第一延伸區(qū)靠近所述交疊區(qū)的部分所述第一指條，所述第二介質(zhì)部覆蓋所述第二延伸區(qū)靠近所述交疊區(qū)的部分所述第二指條；

5、電極層，包括沿所述第二方向排布的第一電極與第二電極，所述第一電極至少覆蓋位于所述第一延伸區(qū)的部分所述第一指條以及所述第一介質(zhì)部的部分區(qū)域，所述第二電極至少覆蓋所述第二延伸區(qū)的部分所述第二指條以及所述第二介質(zhì)部的部分區(qū)域。

6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一介質(zhì)部暴露相鄰兩根指條的指條間隙，和/或所述第二介質(zhì)部暴露相鄰兩根指條的指條間隙。

7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一介質(zhì)部還覆蓋靠近所述第一延伸區(qū)的所述第二指條的端部，和/或，所述第二介質(zhì)部還覆蓋靠近所述第二延伸區(qū)的所述第一指條的端部。

8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電極覆蓋所述第一介質(zhì)部的頂部區(qū)域并暴露所述第一介質(zhì)部面對(duì)所述第二介質(zhì)部的側(cè)壁，和/或所述第二電極覆蓋所述第二介質(zhì)部的頂部區(qū)域并暴露所述第二介質(zhì)部面對(duì)所述第一介質(zhì)部的側(cè)壁。

9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述第二方向上，所述第一電極還暴露所述第一介質(zhì)部靠近所述第二介質(zhì)部的部分頂面，所述第二電極還暴露所述第二介質(zhì)部靠近所述第一介質(zhì)部的部分頂面。

10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電極層包括第一凸塊，所述第一凸塊連接所述第一電極，所述第一凸塊相對(duì)于所述第一電極向遠(yuǎn)離所述第二電極的一側(cè)凸出；

11、和/或，

12、所述電極層包括第二凸塊，所述第二凸塊連接所述第二電極，所述第二凸塊相對(duì)于所述第二電極向遠(yuǎn)離所述第一電極的一側(cè)凸出，

13、或者，所述第一電極內(nèi)和/或所述第二電極內(nèi)設(shè)有孔洞。

14、另一方面，本發(fā)明提供了一種聲表面波換能器結(jié)構(gòu)，所述聲表面波換能器結(jié)構(gòu)包括基底和前述的叉指換能器結(jié)構(gòu)。

15、基于同樣的發(fā)明創(chuàng)造，本發(fā)明還提供了一種聲表面波換能器結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

16、提供基底；

17、于所述基底上形成叉指層，所述叉指層包括第一指條部和第二指條部，所述第一指條部包括沿第一方向排列且間隔設(shè)置的多個(gè)第一指條，所述第二指條部包括沿所述第一方向排列且間隔設(shè)置的多個(gè)第二指條，所述多個(gè)第一指條和所述多個(gè)第二指條相互間隔且交錯(cuò)設(shè)置；所述叉指層具有交疊區(qū)、第一延伸區(qū)以及第二延伸區(qū)，所述第一延伸區(qū)和所述第二延伸區(qū)分別沿第二方向設(shè)置于所述交疊區(qū)的兩側(cè)，所述交疊區(qū)內(nèi)所述第一指條部和所述第二指條部交疊，所述第一延伸區(qū)包括在所述第二方向上延伸出所述交疊區(qū)的部分所述第一指條部，所述第二延伸區(qū)包括在所述第二方向上延伸出所述交疊區(qū)的部分所述第二指條部，所述第二方向與所述第一方向垂直；

18、于所述叉指層上形成絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層包括沿所述第二方向排布的第一介質(zhì)部與第二介質(zhì)部，所述第一介質(zhì)部覆蓋所述第一延伸區(qū)靠近所述交疊區(qū)的部分所述第一指條，所述第二介質(zhì)部覆蓋所述第二延伸區(qū)靠近所述交疊區(qū)的部分區(qū)域所述第二指條；

19、于所述絕緣介質(zhì)層上形成電極層，所述電極層包括沿所述第二方向排布的第一電極與第二電極，所述第一電極至少覆蓋位于所述第一延伸區(qū)的部分所述第一指條以及所述第一介質(zhì)部的部分區(qū)域，所述第二電極至少覆蓋所述第二延伸區(qū)的部分所述第二指條以及所述第二介質(zhì)部的部分區(qū)域。

20、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述于所述叉指層上形成絕緣介質(zhì)層，包括：

21、于所述叉指層上形成絕緣材料層；

22、于所述絕緣材料層上形成第一圖形化光刻膠層；

23、基于所述第一圖形化光刻膠層，刻蝕所述絕緣材料層，形成沿所述第二方向排布的所述第一介質(zhì)部與所述第二介質(zhì)部，所述第一介質(zhì)部還覆蓋所述第二指條的第一端，所述第二介質(zhì)部還覆蓋所述第一指條的第二端；

24、所述于所述絕緣介質(zhì)層上形成電極層，包括：

25、于所述絕緣介質(zhì)層上形成電極材料層；

26、于所述電極材料層上形成第二圖形化光刻膠層；

27、基于所述第二圖形化光刻膠層，刻蝕所述電極材料層，形成所述第一電極和所述第二電極，所述第一電極還暴露所述第一介質(zhì)部面對(duì)所述第二介質(zhì)部的側(cè)壁，所述第二電極還暴露所述第二介質(zhì)部面對(duì)所述第一介質(zhì)部的側(cè)壁。

28、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電極層還包括第一凸塊和/或第二凸塊，所述第一凸塊連接所述第一電極，所述第二凸塊連接所述第二電極，所述基于所述第二圖形化光刻膠層，刻蝕所述電極材料層，形成所述第一電極和所述第二電極的同時(shí)，還形成所述第一凸塊和/或第二凸塊，所述第一凸塊相對(duì)于所述第一電極向遠(yuǎn)離所述第二電極的一側(cè)凸出，或者所述第二凸塊相對(duì)于所述第二電極向遠(yuǎn)離所述第一電極的一側(cè)凸出；

29、或者，所述電極層還包括孔洞，所述基于所述第二圖形化光刻膠層，刻蝕所述電極材料層，形成所述第一電極和所述第二電極的同時(shí)，還于所述第一電極和所述第二電極內(nèi)形成孔洞。

30、本發(fā)明的叉指換能器結(jié)構(gòu)、及其制備方法具有如下有益效果：通過(guò)在叉指層與電極層之間設(shè)置絕緣介質(zhì)層，使得電極層可以層疊設(shè)置于叉指層上。而且，電極層覆蓋絕緣介質(zhì)層的頂部和側(cè)壁，構(gòu)成立體的叉指換能器結(jié)構(gòu)，節(jié)省了叉指換能器結(jié)構(gòu)所占據(jù)的芯片面積。將叉指換能器結(jié)構(gòu)應(yīng)用于聲表面波換能器結(jié)構(gòu)中，從而縮小聲表面波換能器結(jié)構(gòu)的體積，滿(mǎn)足了聲表面波濾波器小型化的需求。而且，當(dāng)本發(fā)明的叉指換能器結(jié)構(gòu)應(yīng)用于絕緣體上壓電單晶薄膜等襯底中，還可以實(shí)現(xiàn)橫模抑制。

技術(shù)特征：

1.一種叉指換能器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的叉指換能器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)部暴露相鄰兩根指條的指條間隙，和/或所述第二介質(zhì)部暴露相鄰兩根指條的指條間隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的叉指換能器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)部還覆蓋靠近所述第一延伸區(qū)的所述第二指條的端部，和/或，所述第二介質(zhì)部還覆蓋靠近所述第二延伸區(qū)的所述第一指條的端部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的叉指換能器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極覆蓋所述第一介質(zhì)部的頂部區(qū)域并暴露所述第一介質(zhì)部面對(duì)所述第二介質(zhì)部的側(cè)壁，和/或所述第二電極覆蓋所述第二介質(zhì)部的頂部區(qū)域并暴露所述第二介質(zhì)部面對(duì)所述第一介質(zhì)部的側(cè)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的叉指換能器結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一電極還暴露所述第一介質(zhì)部靠近所述第二介質(zhì)部的部分頂面，所述第二電極還暴露所述第二介質(zhì)部靠近所述第一介質(zhì)部的部分頂面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的叉指換能器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極層還包括第一凸塊，所述第一凸塊連接所述第一電極，且所述第一凸塊相對(duì)于所述第一電極向遠(yuǎn)離所述第二電極的一側(cè)凸出；

7.一種聲表面波換能器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述聲表面波換能器結(jié)構(gòu)包括基底和如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的叉指換能器結(jié)構(gòu)。

8.一種聲表面波換能器結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聲表面波換能器結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述于所述叉指層上形成絕緣介質(zhì)層，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的聲表面波換能器結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述電極層還包括第一凸塊和/或第二凸塊，所述第一凸塊連接所述第一電極，所述第二凸塊連接所述第二電極，所述基于所述第二圖形化光刻膠層，刻蝕所述電極材料層，形成所述第一電極和所述第二電極的同時(shí)，還形成所述第一凸塊和/或第二凸塊，所述第一凸塊相對(duì)于所述第一電極向遠(yuǎn)離所述第二電極的一側(cè)凸出，或者所述第二凸塊相對(duì)于所述第二電極向遠(yuǎn)離所述第一電極的一側(cè)凸出；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種叉指換能器結(jié)構(gòu)、聲表面波換能器結(jié)構(gòu)及其制備方法。叉指換能器結(jié)構(gòu)包括：叉指層、絕緣介質(zhì)層以及電極層。叉指層包括第一指條部和第二指條部，第一指條部包括沿第一方向排列且間隔設(shè)置的多個(gè)第一指條，第二指條部包括沿第一方向排列且間隔設(shè)置的多個(gè)第二指條；絕緣介質(zhì)層包括沿第二方向排布的第一介質(zhì)部和第二介質(zhì)部，第一介質(zhì)部覆蓋第一延伸區(qū)靠近交疊區(qū)的部分第一指條，第二介質(zhì)部覆蓋第二延伸區(qū)靠近交疊區(qū)的部分區(qū)域第二指條；電極層包括沿第二方向排布的第一電極與第二電極，第一電極至少覆蓋位于第一延伸區(qū)的部分第一指條以及第一介質(zhì)部的部分區(qū)域，第二電極至少覆蓋第二延伸區(qū)的部分第二指條以及第二介質(zhì)部的部分區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：曹亮,程一民,唐壯,姚遠(yuǎn),宋崇希
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇卓勝微電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26