一種ltcc內(nèi)埋置電容的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種LTCC內(nèi)埋置電容，包括相對設(shè)置的、均為圓柱形的第一電極和第二電極，第一電極的中心開設(shè)有圓柱形的第一通孔，第二電極上開設(shè)有第二通孔，與第一電極電互聯(lián)的第一電極引出端從第一通孔引出，與第二電極電互聯(lián)的第二電極引出端從第二通孔引出。本實用新型通過更改電容極板的幾何形狀，改變電極外引線的空間位置，引入對器件工作有益的寄生效應(yīng)。解決常規(guī)結(jié)構(gòu)內(nèi)埋置電容制作精度差，自諧振頻率低的問題。
【專利說明】—種LTCC內(nèi)埋置電容
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于電容元件【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種LTCC內(nèi)埋置電容。
【背景技術(shù)】
[0002]介紹印制板功能
[0003]LTCC內(nèi)埋置電容和電感是LTCC微波電路系統(tǒng)模塊的基礎(chǔ)元件?，F(xiàn)有的LTCC內(nèi)埋置電容，采用的電極形狀是矩形，電極外引線位于電極的任一側(cè)邊，通過導體和通孔構(gòu)建充、放電通路，兩個電極的分布方式是平行正對或平行交叉正對。
[0004]LTCC內(nèi)埋置電容工作于高頻時，要求電容有較高的精度和自諧振頻率。內(nèi)埋置電容較小30pF)時，常規(guī)結(jié)構(gòu)內(nèi)埋置電容的寄生效應(yīng)會對電容的精度和自諧振頻率產(chǎn)生很大的影響，使內(nèi)埋置電容在微波電路的使用受到很大的限制。而且常規(guī)結(jié)構(gòu)形式還存在電容的制作精度差，寄生效應(yīng)嚴重，自諧振頻率低的問題。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型解決的技術(shù)問題在于提供一種LTCC內(nèi)埋置電容，對常規(guī)內(nèi)埋置電容結(jié)構(gòu)進行改進，克服常規(guī)內(nèi)埋置結(jié)構(gòu)電容存在的精度差，自諧振頻率低的問題。
[0006]本實用新型是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0007]—種LTCC內(nèi)埋置電容,包括相對設(shè)置的、均為圓柱形的第一電極和第二電極，第一電極的中心開設(shè)有圓柱形的第一通孔，第二電極上開設(shè)有第二通孔，與第一電極電互聯(lián)的第一電極引出端從第一通孔引出，與第二電極電互聯(lián)的第二電極引出端從第二通孔引出。
[0008]所述的第一電極、第二電極和第一通孔的剖面的圓心在垂直方向的投影重合。
[0009]所述的第一電極、第二電極的半徑一致，在垂直方向的投影重合。
[0010]所述的第二通孔也為圓柱形，第一通孔、第二通孔最近化放置，以產(chǎn)生寄生電容。
[0011]所述的第一電極、第二電極的半徑相等，其半徑在0.4mm?IOmm之間；第一通孔、第二通孔的半徑在0.05mm?0.3mm之間。
[0012]所述的第一通孔、第二通孔間距0.1謹?0.6謹設(shè)置。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下有益的技術(shù)效果:
[0014]本實用新型提供的LTCC內(nèi)埋置電容，通過更改電容極板的幾何形狀，改變電極外引線的空間位置，引入對器件工作有益的寄生效應(yīng)。解決常規(guī)結(jié)構(gòu)內(nèi)埋置電容制作精度差，自諧振頻率低的問題:
[0015]將電極的形狀由矩形改為圓形，減短電極引出端到極板最遠位置的充電路徑，減小電流充、放電的路徑和電阻，提高內(nèi)埋置電容的Q值；使用通孔取代外引線，通孔置于極板的中心，可以使通孔電流到電極外邊緣的距離最短，減小電容極板自身的寄生電感。
[0016]進一步，電極引線由電極側(cè)邊連接的導體改為電極中心位置的通孔，消除了電極側(cè)邊外引線的寄生電容和寄生電感；將兩個電極的連接通孔最近化放置，產(chǎn)生寄生電容，抵消部分寄生電感。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為本實用新型的俯視示意圖；
[0019]其中:1為第一電極；2為第二電極；3為第一通孔；4為第二通孔。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖對本實用新型做進一步詳細描述，所述是對本實用新型的解釋而不是限定。
[0021]本實用新型針對常規(guī)結(jié)構(gòu)電容存在的精度差，自諧振頻率低的問題，對常規(guī)電容結(jié)構(gòu)進行改進，改進的內(nèi)容主要有以下幾點:
[0022](I)將電極的形狀由矩形改為圓形；
[0023]將電容電極由矩形改為圓形，減短電極引出端到極板最遠位置的充電路徑，減小電流充、放電的路徑和電阻，提高內(nèi)埋置電容的Q值；同時減小電容極板自身的寄生電感，提聞電容的自諧振頻率；
[0024](2)使用通孔取代外引線，通孔置于極板的中心；
[0025]通過這樣的改進能夠消除電容電極側(cè)邊到通孔的外引線，該結(jié)構(gòu)形式的外引線是內(nèi)埋置電容寄生電容和寄生電感的主要來源。通孔置于極板的中心，可以使通孔電流到電極外邊緣的距離最短，減小電容極板自身的寄生電感。
[0026]以及以下進一步的改進:
[0027](3)兩個外引電極通孔最近化放置；
[0028]外引電極的尺寸確定后，其寄生效應(yīng)也就確定，兩個通孔最近化放置，可以增大兩個電極間的有效寄生電容，進一步提聞自諧振頻率。
[0029]( 4 )增大通孔孔徑；
[0030]增大通孔孔徑，能夠減小通孔的寄生電感，同時增大通孔的寄生電容，可以減小通孔寄生效應(yīng)對于電容性能的影響。
[0031]參見圖1、圖2，本實用新型提供的一種LTCC內(nèi)埋置電容，包括相對設(shè)置的、均為圓柱形的第一電極I和第二電極2,第一電極I的中心開設(shè)有圓柱形的第一通孔3,第二電極2上開設(shè)有第二通孔4,與第一電極I電互聯(lián)的第一電極引出端從第一通孔引出3,與第二電極電2互聯(lián)的第二電極引出端從第二通孔引出4。
[0032]具體的，所述的第一電極、第二電極的半徑一致，在垂直方向的投影重合。
[0033]所述的第二通孔也為圓柱形，第一通孔、第二通孔最近化放置，以產(chǎn)生寄生電容。
[0034]所述的第一電極、第二電極的半徑相等，其半徑在0.4mm?IOmm之間；第一通孔、第二通孔的半徑在0.05mm?0.3mm之間。
[0035]所述的第一通孔、第二通孔間距0.1謹?0.6謹設(shè)置。
[0036]減小內(nèi)埋置電容的寄生效應(yīng)是提高內(nèi)埋置電容性能的關(guān)鍵，本實用新型改進后的內(nèi)埋置電容寄生效應(yīng)得到極大的減小，自諧振頻率較常規(guī)結(jié)構(gòu)的自諧振頻率提高I倍以上，內(nèi)埋置電容的制作精度由±30%提高到±10%。[0037]四種不同內(nèi)埋置電容的電性能如下表所示:
[0038]表1常規(guī)結(jié)構(gòu)電容與新型結(jié)構(gòu)電容典型參數(shù)對比。
[0039]
【權(quán)利要求】
1.一種LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，包括相對設(shè)置的、均為圓柱形的第一電極和第二電極，第一電極的中心開設(shè)有圓柱形的第一通孔，第二電極上開設(shè)有第二通孔，與第一電極電互聯(lián)的第一電極引出端從第一通孔引出，與第二電極電互聯(lián)的第二電極引出端從第二通孔引出。
2.如權(quán)利要求1所述的LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，所述的第一電極、第二電極和第一通孔的剖面的圓心在垂直方向的投影重合。
3.如權(quán)利要求1所述的LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，所述的第一電極、第二電極的半徑一致，在垂直方向的投影重合。
4.如權(quán)利要求1所述的LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，所述的第二通孔也為圓柱形，第一通孔、第二通孔最近化放置，以產(chǎn)生寄生電容。
5.如權(quán)利要求1?4任何一項所述的LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，所述的第一電極、第二電極的半徑相等，其半徑在0.4mm?IOmm之間；第一通孔、第二通孔的半徑在0.05mm ?0.3mm 之間。
6.如權(quán)利要求1?4任何一項所述的LTCC內(nèi)埋置電容，其特征在于，所述的第一通孔、第二通孔間距0.1謹?0.6謹設(shè)置。
【文檔編號】H03H1/00GK203775153SQ201420176703
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年4月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月11日
【發(fā)明者】石偉, 呂博 申請人:中國航天科技集團公司第九研究院第七七一研究所