超聲波傳感器陣列的激勵裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種超聲波傳感器陣列的激勵裝置，包括：信號產(chǎn)生器和多個激勵電路，其中，每個激勵電路對應(yīng)于超聲波傳感器陣列中的一個超聲波傳感器，激勵電路包括：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和輸出器，其中，信號產(chǎn)生器從外部接收激勵數(shù)據(jù)，響應(yīng)于激勵數(shù)據(jù)輸出激勵輸入信號到激勵電路，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極接收激勵輸入信號，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極接地，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極輸出激勵內(nèi)部信號，輸出器將激勵內(nèi)部信號進(jìn)行升壓和調(diào)諧，將升壓和調(diào)諧后的激勵內(nèi)部信號作為激勵信號輸出到相應(yīng)的超聲波傳感器。
【專利說明】超聲波傳感器陣列的激勵裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及超聲波傳感器領(lǐng)域，更具體地講，涉及一種超聲波傳感器陣列的激勵
目.0

【背景技術(shù)】
[0002]超聲波傳感器可以利用聲波介質(zhì)對被檢測物體進(jìn)行非接觸式無磨損的檢測，在醫(yī)學(xué)和工業(yè)領(lǐng)域都有非常廣泛的應(yīng)用。超聲波傳感器陣列則可以通過控制超聲波傳感器陣列中各個超聲波傳感器的延遲時間，靈活、便捷而有效地控制聲束形狀和聲壓分布，能夠生成不同指向性的超聲波波束，產(chǎn)生不同形式的聲束效果而被廣泛地應(yīng)用在醫(yī)療、工業(yè)無損檢測、核工業(yè)以及航空等領(lǐng)域。超聲波傳感器陣列的激勵裝置直接影響超聲波傳感器陣列所產(chǎn)生的超聲波波束的質(zhì)量。
[0003]超聲波傳感器陣列的激勵裝置主要通過信號產(chǎn)生器(例如，F(xiàn)PGA(現(xiàn)場可編程門陣列))產(chǎn)生滿足一定延遲時間的信號，并將產(chǎn)生的每個信號分別輸出到與超聲波傳感器陣列中的超聲波傳感器相應(yīng)的激勵電路中，進(jìn)而將信號輸出到相應(yīng)的超聲波傳感器，激勵超聲波傳感器產(chǎn)生超聲波。然而，現(xiàn)有的激勵裝置中的激勵電路通過BJT(雙極結(jié)型晶體管)接收信號產(chǎn)生器輸出的信號，而由于BJT的基極互聯(lián)端有驅(qū)動電流的要求，導(dǎo)致當(dāng)信號產(chǎn)生器輸出的信號電流不能滿足BJT基極的驅(qū)動電流時，激勵電路就不能正常工作，從而無法激勵相應(yīng)的超聲波傳感器產(chǎn)生超聲波。
[0004]因此，現(xiàn)有的超聲波傳感器陣列的激勵裝置的適用性不高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的示例性實(shí)施例在于提供一種超聲波傳感器陣列的激勵裝置。所述激勵裝置的激勵電路沒有驅(qū)動電流的要求，從而提高了超聲波傳感器陣列的激勵裝置的適用性。
[0006]根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例，提供一種超聲波傳感器陣列的激勵裝置，包括:信號產(chǎn)生器和多個激勵電路，其中，每個激勵電路對應(yīng)于超聲波傳感器陣列中的一個超聲波傳感器，激勵電路包括:金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和輸出器，其中，信號產(chǎn)生器從外部接收激勵數(shù)據(jù)，響應(yīng)于激勵數(shù)據(jù)輸出激勵輸入信號到激勵電路，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極接收激勵輸入信號，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極接地，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極輸出激勵內(nèi)部信號，輸出器將激勵內(nèi)部信號進(jìn)行升壓和調(diào)諧，將升壓和調(diào)諧后的激勵內(nèi)部信號作為激勵信號輸出到相應(yīng)的超聲波傳感器。
[0007]可選地，所述輸出器包括:升壓器，將激勵內(nèi)部信號進(jìn)行升壓，將升壓后的激勵內(nèi)部信號作為激勵輸出信號輸出；調(diào)諧器，對激勵輸出信號進(jìn)行調(diào)諧，將調(diào)諧后的激勵輸出信號作為激勵信號輸出到相應(yīng)的超聲波傳感器。
[0008]可選地，所述激勵數(shù)據(jù)包括對應(yīng)于每個超聲波傳感器的延時時間、波形數(shù)據(jù)。
[0009]可選地，所述波形數(shù)據(jù)包括占空比數(shù)據(jù)、預(yù)定周期內(nèi)的波形個數(shù)。
[0010]可選地，信號產(chǎn)生器包括:寄存器組，存儲從外部接收到的延遲時間，其中，寄存器組中的每個寄存器對應(yīng)一個超聲波傳感器，每個寄存器中存儲相應(yīng)的超聲波傳感器的激勵數(shù)據(jù)；計數(shù)器，進(jìn)行計時，當(dāng)計時的時間達(dá)到存儲的任一超聲波傳感器的延遲時間時，產(chǎn)生與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的使能信號；波形發(fā)生器，響應(yīng)于所述使能信號，根據(jù)與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的波形數(shù)據(jù)產(chǎn)生與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的激勵輸入信號，并將產(chǎn)生的激勵輸入信號輸出到與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的激勵電路。
[0011]可選地，激勵電路還包括:分壓器，接收激勵輸入信號，將接收的激勵輸入信號進(jìn)行分壓，并將分壓后的激勵輸入信號輸出到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極。
[0012]可選地，所述升壓器包括:變壓器、第一電阻器，其中，變壓器的第一輸入端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極，變壓器的第二輸入端連接到第一電阻器的第一連接端，變壓器的第一輸出端連接到相應(yīng)的超聲波傳感器的第一輸入端，變壓器的第二輸出端連接到相應(yīng)的超聲波傳感器的第二輸入端，并且，變壓器的第二輸出端接地，第一電阻器的第二連接端連接到外部的上拉電壓，其中，所述調(diào)諧器并聯(lián)在變壓器的第一輸出端和第二輸出端之間。
[0013]可選地，所述調(diào)諧器為電阻器。
[0014]可選地，所述分壓器包括:第二電阻器、第三電阻器，其中，第二電阻器的第一連接端連接到信號產(chǎn)生器的輸出端，第二電阻器的第二連接端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極，第三電阻器的第一連接端連接到第二電阻器的第二連接端，第三電阻器的第二連接端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源級。
[0015]在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置中，激勵裝置的激勵電路沒有驅(qū)動電流的要求，從而提高了超聲波傳感器陣列的激勵裝置的適用性。此外，通過對信號進(jìn)行調(diào)諧，提高了超聲波傳感器陣列的激勵裝置的能量的利用率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]通過下面結(jié)合示例性地示出實(shí)施例的附圖進(jìn)行的描述，本發(fā)明示例性實(shí)施例的上述和其他目的和特點(diǎn)將會變得更加清楚，其中:
[0017]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置的框圖；
[0018]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置的信號產(chǎn)生器的框圖；
[0019]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置中激勵電路的電路圖；
[0020]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置中激勵電路的電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]現(xiàn)在，將參照附圖更充分地描述不同的示例實(shí)施例，其中，一些示例性實(shí)施例在附圖中示出，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的部件。
[0022]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置的框圖。
[0023]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置包括:信號產(chǎn)生器100和多個激勵電路200。這里，信號產(chǎn)生器100可通過FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)來實(shí)現(xiàn)。多個激勵電路200中的每個激勵電路可對應(yīng)于超聲波傳感器陣列300中的一個超聲波傳感器。例如，當(dāng)超聲波傳感器陣列包括η個超聲波傳感器:超聲波傳感器300-1、超聲波傳感器300-2、超聲波傳感器300-3、……、超聲波傳感器300-η時，超聲波傳感器陣列的激勵裝置中可相應(yīng)地包括η個激勵電路:激勵電路200-1、激勵電路200-2、激勵電路200-3、……、激勵電路200-η。這里，可使激勵電路200-1對應(yīng)于超聲波傳感器300-1，激勵電路200-2對應(yīng)于超聲波傳感器300-2，激勵電路200-3對應(yīng)于超聲波傳感器300-3，同樣地，激勵電路200-η對應(yīng)于超聲波傳感器300-η，這里的η為正整數(shù)。
[0024]信號產(chǎn)生器100用于從外部接收激勵數(shù)據(jù)DA，響應(yīng)于激勵數(shù)據(jù)DA輸出激勵輸入信號SS_IN到激勵電路。
[0025]這里，激勵數(shù)據(jù)DA是根據(jù)超聲波傳感器陣列需要產(chǎn)生的超聲波波束的特點(diǎn)，而計算出的與超聲波傳感器陣列中的每個超聲波傳感器相關(guān)的數(shù)據(jù)。作為示例，激勵數(shù)據(jù)DA可包括對應(yīng)于每個超聲波傳感器的延時時間、波形數(shù)據(jù)。這里，波形數(shù)據(jù)指與信號產(chǎn)生器100將要產(chǎn)生的信號的形狀、信號的持續(xù)時間相關(guān)的數(shù)據(jù)，例如，波形數(shù)據(jù)可包括占空比數(shù)據(jù)、預(yù)定周期內(nèi)的波形個數(shù)。
[0026]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置的信號產(chǎn)生器100的框圖。
[0027]如圖2所示，信號產(chǎn)生器100包括:寄存器組110、計數(shù)器120、波形發(fā)生器130。
[0028]寄存器組110用于存儲從外部接收到的延遲時間，其中，寄存器組中的每個寄存器對應(yīng)一個超聲波傳感器，每個寄存器中存儲相應(yīng)的超聲波傳感器的激勵數(shù)據(jù)。例如，在上述示例中，當(dāng)超聲波傳感器陣列包括η個超聲波傳感器時，寄存器組110可包括η個寄存器，并且，每個寄存器對應(yīng)一個超聲波傳感器。例如，寄存器組110中的第I個寄存器對應(yīng)超聲波傳感器300-1，寄存器組110中的第2個寄存器對應(yīng)超聲波傳感器300-2，寄存器組110中的第3個寄存器對應(yīng)超聲波傳感器300-3，同樣地，寄存器組110中的第η個寄存器對應(yīng)超聲波傳感器300-η。
[0029]計數(shù)器120進(jìn)行計時，當(dāng)計時的時間達(dá)到存儲的任一超聲波傳感器的延遲時間時，產(chǎn)生與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的使能信號。例如，當(dāng)計數(shù)器120計時的時間達(dá)到超聲波傳感器300-1的延遲時間時，計數(shù)器120產(chǎn)生與超聲波傳感器300-1相應(yīng)的使能信號，i大于等于I且小于等于η。
[0030]波形發(fā)生器130響應(yīng)于所述使能信號，根據(jù)與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的波形數(shù)據(jù)產(chǎn)生與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的激勵輸入信號SS_IN，并將產(chǎn)生的激勵輸入信號SS_IN輸出到與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的激勵電路。例如，在上述示例中，當(dāng)計數(shù)器120產(chǎn)生與超聲波傳感器300-1相應(yīng)的使能信號時，波形發(fā)生器130可響應(yīng)于與超聲波傳感器300-1相應(yīng)的使能信號，根據(jù)與超聲波傳感器300-1相應(yīng)的波形數(shù)據(jù)產(chǎn)生與超聲波傳感器300-1相應(yīng)的激勵輸入信號SS_IN，并將產(chǎn)生的激勵輸入信號SS_IN輸出到與超聲波傳感器300-1相應(yīng)的激勵電路200-1。
[0031]再次參照圖1，激勵電路200可包括:金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和輸出器。
[0032]具體地說，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極接收激勵輸入信號SS_IN，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極接地，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極輸出激勵內(nèi)部信號。這里，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管可將信號產(chǎn)生器100輸出的激勵輸入信號SS_IN放大，將放大的激勵輸入信號SS_IN作為激勵內(nèi)部信號從漏極輸出。
[0033]輸出器用于將激勵內(nèi)部信號進(jìn)行升壓和調(diào)諧，將升壓和調(diào)諧后的激勵內(nèi)部信號作為激勵信號SS輸出到相應(yīng)的超聲波傳感器。
[0034]這里，輸出器可將金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極輸出的激勵內(nèi)部信號進(jìn)行升壓，并通過與相應(yīng)的超聲波傳感器進(jìn)行阻抗匹配來對實(shí)現(xiàn)對升壓后的激勵內(nèi)部信號的調(diào)諧。
[0035]作為示例，輸出器可包括:升壓器、調(diào)諧器。
[0036]具體地說，升壓器用于將激勵內(nèi)部信號進(jìn)行升壓，將升壓后的激勵內(nèi)部信號作為激勵輸出信號輸出。
[0037]作為示例，升壓器可包括:變壓器、第一電阻器。這里，可將變壓器的第一輸入端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極，變壓器的第二輸入端連接到第一電阻器的第一連接端，變壓器的第一輸出端連接到相應(yīng)的超聲波傳感器的第一輸入端，變壓器的第二輸出端連接到相應(yīng)的超聲波傳感器的第二輸入端，并且，使變壓器的第二輸出端接地?？蓪⒌谝浑娮杵鞯牡诙B接端連接到外部的上拉電壓
[0038]調(diào)諧器用于對激勵輸出信號進(jìn)行調(diào)諧，將調(diào)諧后的激勵輸出信號作為激勵信號輸出到相應(yīng)的超聲波傳感器。例如，可將調(diào)諧器并聯(lián)在上述示例中的變壓器的第一輸出端和第二輸出端之間。優(yōu)選地，調(diào)諧器可為電阻器。
[0039]以下將參照圖3以金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOS)為例，來說明根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置中激勵電路200的電路結(jié)構(gòu)。
[0040]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置中激勵電路200的電路圖。
[0041]如圖3所示，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Vl的柵極g接收激勵輸入信號SS_IN，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Vl的源極s接地，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Vl的漏極d輸出激勵內(nèi)部信號。這里，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Vl的漏極d輸出激勵內(nèi)部信號為放大的激勵輸入信號SS_IN。
[0042]升壓器可包括變壓器Tl和第一電阻器Rl。變壓器Tl的第一輸入端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Vl的漏極d，變壓器Tl的第二輸入端連接到第一電阻器Rl的第一連接端，變壓器Tl的第一輸出端連接到相應(yīng)的超聲波傳感器SI的第一輸入端，變壓器Tl的第二輸出端連接到相應(yīng)的超聲波傳感器Si的第二輸入端，并且，變壓器Tl的第二輸出端接地。第一電阻器Rl的第二連接端連接到外部的上拉電壓PW。
[0043]具體地說，由于變壓器Tl通過第一電阻器Rl連接到外部的上拉電壓PW，因此，可通過調(diào)整外部的上拉電壓PW使激勵電路200激勵不同的超聲波傳感器SI。例如，當(dāng)超聲波傳感器SI需要較高的激勵電壓時，可適當(dāng)增大外部的上拉電壓PW，使變壓器Tl輸出的電壓滿足較高的超聲波傳感器SI的激勵電壓的要求；當(dāng)超聲波傳感器SI需要較低的激勵電壓時，可適當(dāng)降低外部的上拉電壓PW，使變壓器Tl的輸出電壓滿足較低的超聲波傳感器SI的激勵電壓的要求。
[0044]調(diào)諧器可為電阻器R4，電阻器R4并聯(lián)在變壓器Tl的第一輸出端和第二輸出端之間。通過調(diào)整電阻器R4的阻值，可使激勵電路200與不同的超聲波傳感器SI進(jìn)行阻抗匹配，從而實(shí)現(xiàn)對變壓器R4輸出的激勵輸出信號的調(diào)諧，以減少激勵電路200的能量損失。
[0045]再次參照圖1，由于信號產(chǎn)生器100的輸出引腳的電壓可能會比較高，當(dāng)信號產(chǎn)生器100的輸出引腳的電壓高于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的工作電壓時，可為激勵電路添加分壓器進(jìn)行分壓。
[0046]具體地說，分壓器用于接收激勵輸入信號SS_IN，將接收的激勵輸入信號SS_IN進(jìn)行分壓，并將分壓后的激勵輸入信號輸出到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極。
[0047]作為示例，分壓器可包括第二電阻器、第三電阻器。可將第二電阻器的第一連接端連接到信號產(chǎn)生器100的輸出端，第二電阻器的第二連接端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極?？蓪⒌谌娮杵鞯牡谝贿B接端連接到第二電阻器的第二連接端，第三電阻器的第二連接端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源級。從而實(shí)現(xiàn)對激勵輸入信號SS_IN的分壓。
[0048]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置中激勵電路200的電路圖。
[0049]如圖4所示，除了圖3所示的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管V1、變壓器Tl、第一電阻器R1、電阻器R4之外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激勵電路200還包括:第二電阻器R2、第三電阻器R3。
[0050]這里，第二電阻器R2的第一連接端連接到信號產(chǎn)生器100的輸出端，第二電阻器R2的第二連接端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Vl的柵極g。第三電阻器R3的第一連接端連接到第二電阻器R2的第二連接端，第三電阻器R3的第二連接端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Vl的源級S。
[0051]通過調(diào)整第二電阻器R2和第三電阻器R3的阻值，可調(diào)整輸入到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Vl的柵極g的電壓，保證金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Vl能夠正常工作。
[0052]在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的超聲波傳感器陣列的激勵裝置中，激勵裝置的激勵電路沒有驅(qū)動電流的要求，從而提高了超聲波傳感器陣列的激勵裝置的適用性。此外，通過對信號進(jìn)行調(diào)諧，提高了超聲波傳感器陣列的激勵裝置的能量的利用率。
[0053]盡管已經(jīng)參照其示例性實(shí)施例具體顯示和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種超聲波傳感器陣列的激勵裝置，包括:信號產(chǎn)生器和多個激勵電路， 其中，每個激勵電路對應(yīng)于超聲波傳感器陣列中的一個超聲波傳感器， 激勵電路包括:金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和輸出器， 其中，信號產(chǎn)生器從外部接收激勵數(shù)據(jù)，響應(yīng)于激勵數(shù)據(jù)輸出激勵輸入信號到激勵電路， 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極接收激勵輸入信號，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極接地，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極輸出激勵內(nèi)部信號， 輸出器將激勵內(nèi)部信號進(jìn)行升壓和調(diào)諧，將升壓和調(diào)諧后的激勵內(nèi)部信號作為激勵信號輸出到相應(yīng)的超聲波傳感器。
2.如權(quán)利要求1所述的激勵裝置，其中，所述輸出器包括: 升壓器，將激勵內(nèi)部信號進(jìn)行升壓，將升壓后的激勵內(nèi)部信號作為激勵輸出信號輸出； 調(diào)諧器，對激勵輸出信號進(jìn)行調(diào)諧，將調(diào)諧后的激勵輸出信號作為激勵信號輸出到相應(yīng)的超聲波傳感器。
3.如權(quán)利要求1所述的激勵裝置，其中，所述激勵數(shù)據(jù)包括對應(yīng)于每個超聲波傳感器的延時時間、波形數(shù)據(jù)。
4.如權(quán)利要求3所述的激勵裝置，其中，所述波形數(shù)據(jù)包括占空比數(shù)據(jù)、預(yù)定周期內(nèi)的波形個數(shù)。
5.如權(quán)利要求3所述的激勵裝置，其中，信號產(chǎn)生器包括: 寄存器組，存儲從外部接收到的延遲時間，其中，寄存器組中的每個寄存器對應(yīng)一個超聲波傳感器，每個寄存器中存儲相應(yīng)的超聲波傳感器的激勵數(shù)據(jù)； 計數(shù)器，進(jìn)行計時，當(dāng)計時的時間達(dá)到存儲的任一超聲波傳感器的延遲時間時，產(chǎn)生與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的使能信號； 波形發(fā)生器，響應(yīng)于所述使能信號，根據(jù)與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的波形數(shù)據(jù)產(chǎn)生與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的激勵輸入信號，并將產(chǎn)生的激勵輸入信號輸出到與所述任一超聲波傳感器相應(yīng)的激勵電路。
6.如權(quán)利要求1所述的激勵裝置，其中，激勵電路還包括: 分壓器，接收激勵輸入信號，將接收的激勵輸入信號進(jìn)行分壓，并將分壓后的激勵輸入信號輸出到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極。
7.如權(quán)利要求2所述的激勵裝置，其中，所述升壓器包括:變壓器、第一電阻器， 其中，變壓器的第一輸入端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極，變壓器的第二輸入端連接到第一電阻器的第一連接端，變壓器的第一輸出端連接到相應(yīng)的超聲波傳感器的第一輸入端，變壓器的第二輸出端連接到相應(yīng)的超聲波傳感器的第二輸入端，并且，變壓器的第二輸出端接地， 第一電阻器的第二連接端連接到外部的上拉電壓， 其中，所述調(diào)諧器并聯(lián)在變壓器的第一輸出端和第二輸出端之間。
8.如權(quán)利要求7所述的激勵裝置，其中，所述調(diào)諧器為電阻器。
9.如權(quán)利要求6所述的激勵裝置，其中，所述分壓器包括:第二電阻器、第三電阻器， 其中，第二電阻器的第一連接端連接到信號產(chǎn)生器的輸出端，第二電阻器的第二連接端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極， 第三電阻器的第一連接端連接到第二電阻器的第二連接端，第三電阻器的第二連接端連接到金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源級。
【文檔編號】H03K3/02GK104485927SQ201410855458
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月31日
【發(fā)明者】鄭海榮, 邱維寶, 周娟, 史志謙 申請人:深圳先進(jìn)技術(shù)研究院