電子器件的制造方法和電子器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供電子器件的制造方法和電子器件。能夠在短時(shí)間內(nèi)制造防止貫通電極發(fā)生腐蝕的電子器件。電子器件（1）的制造方法包括：貫通電極形成工序（S1），在絕緣性的基底基板（2）上形成貫通電極（3）；電子元件安裝工序（S2），在基底基板（2）的一方的表面（US）上安裝電子元件（5）；蓋體設(shè)置工序（S3），將收納電子元件（5）的蓋體（6）與基底基板（2）接合；導(dǎo)電膜形成工序（S4），在基底基板（2）的另一方的表面（LS）上、和從該表面露出的貫通電極（3）的端面（M）上形成導(dǎo)電膜（4）；電極圖案形成工序（S5），在貫通電極（3）的端面（M）上和端面（M）的周?chē)谋砻嫔媳Ａ魧?dǎo)電膜（4），形成電極圖案（15）；以及外部電極形成工序（S6），通過(guò)化學(xué)鍍覆法在電極圖案（15）的表面上堆積化學(xué)鍍覆膜，形成外部電極（13）。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電子器件的制造方法和電子器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在封裝中收納石英振子等電子元件的電子器件的制造方法、電子器件以及使用該電子器件的振蕩器。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在便攜電話或便攜信息終端機(jī)中，多采用表面安裝型的電子器件。其中，針對(duì)石英振子或MEMS、陀螺儀、加速度傳感器等，在封裝的內(nèi)部形成中空的腔室，在該腔室中封入石英振子或MEMS等電子元件。使用玻璃材料作為封裝。例如，在基底基板上安裝電子元件，在其上方通過(guò)陽(yáng)極接合來(lái)接合玻璃蓋，從而將電子元件密封。玻璃之間的陽(yáng)極接合具有氣密性高且價(jià)格便宜的優(yōu)點(diǎn)。
[0003]圖7是這種電子器件的截面圖(專(zhuān)利文獻(xiàn)I的圖1)。電子器件101具有基底110、安裝在基底110上的電子部件140、收納電子部件140并與基底110接合的蓋150。在基底110上形成有在板厚方向上貫通的貫通電極121、與貫通電極121電連接的第一金屬膜122、將貫通電極121和電子部件140電連接的電路圖案130以及第二金屬膜123。在第一金屬膜122的外部形成由金屬膜構(gòu)成的外部電極160。
[0004]這里，貫通電極121使用鐵鎳系合金。使用通過(guò)化學(xué)鍍覆法形成的金作為第一金屬膜122。此外，在貫通電極121與基底110之間使用未圖示的低融點(diǎn)玻璃，通過(guò)熱熔接提高氣密性。如果要使用低融點(diǎn)玻璃進(jìn)行熱熔接，提高貫通電極121和基底110之間的氣密性，則在貫通電極121的端面上會(huì)形成氧化膜，與其他金屬之間的導(dǎo)電性下降。因此，在去除貫通電極121的熱熔接時(shí)形成的氧化膜后，在貫通電極121的端面上形成第一金屬膜122或第二金屬膜123，從而防止貫通電極121的氧化。
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2011-155506號(hào)公報(bào)
[0006]在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中，使用鐵鎳系合金作為貫通電極121，使用金薄膜作為用于防止貫通電極121的氧化的第一金屬膜122。此外，外部電極160是通過(guò)基于濺射膜或蒸鍍膜的金屬薄膜或者銀漿等導(dǎo)電粘接劑而形成的。但是，外部電極160需要形成為幾μ m的厚度，濺射法和蒸鍍法的成膜速度較慢，形成外部電極160需要較長(zhǎng)時(shí)間。此外，當(dāng)通過(guò)銀漿等導(dǎo)電粘接劑形成外部電極160時(shí)，由于針孔等的影響，難以完全遮蔽水分。由于鐵鎳系合金與金之間的離子化傾向的差別大，因此，當(dāng)在貫通電極121與第一金屬膜122之間附著有水分等時(shí)，由于電池效應(yīng)而導(dǎo)致貫通電極121發(fā)生腐蝕，導(dǎo)電性下降。此外，在貫通電極121與基底110之間使用了低融點(diǎn)玻璃，通過(guò)化學(xué)鍍覆法在貫通電極121的端面上形成有作為第一金膜122的金屬膜。由于在低融點(diǎn)玻璃上難以形成基于化學(xué)鍍覆法的金屬膜，因此，貫通電極121與第一金屬膜122之間的邊界部露出，容易發(fā)生腐蝕。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的電子器件的制造方法包括:貫通電極形成工序，在絕緣性的基底基板上形成貫通電極；電子元件安裝工序，在所述基底基板的一方的表面上安裝電子元件；蓋體設(shè)置工序，將收納所述電子元件的蓋體與所述基底基板接合；導(dǎo)電膜形成工序，在所述基底基板的另一方的表面上、和從另一方的所述表面露出的所述貫通電極的端面上形成導(dǎo)電膜；電極圖案形成工序，在所述貫通電極的端面和所述端面的周?chē)乃霰砻嫔媳Ａ羲鰧?dǎo)電膜，形成電極圖案；以及外部電極形成工序，通過(guò)化學(xué)鍍覆法在所述電極圖案的表面堆積化學(xué)鍍覆膜，形成外部電極。
[0008]此外，在所述電子元件安裝工序和蓋體設(shè)置工序之后，進(jìn)行所述外部電極形成工序。
[0009]此外，在所述外部電極形成工序之后，具有在所述化學(xué)鍍覆膜的表面上形成金屬膜的金屬膜形成工序。
[0010]此外，所述貫通電極是鐵鎳系合金。
[0011]此外，所述化學(xué)鍍覆膜是鎳膜或銅膜。
[0012]此外，所述金屬膜為金薄膜。
[0013]此外，所述化學(xué)鍍覆膜的厚度為I μ m?10 μ m。
[0014]此外，所述電子元件為石英振動(dòng)片。
[0015]本發(fā)明的電子器件具有:絕緣性的基底基板，其形成有多個(gè)貫通電極；電子元件，其安裝在所述基底基板的一方的表面上；以及蓋體，其收納所述電子元件，并與所述基底基板接合，在從所述基底基板的另一方的表面露出的所述貫通電極的端面上、和所述端面的周?chē)牧硪环降乃霰砻嫔闲纬捎型獠侩姌O，所述外部電極具有導(dǎo)電膜和通過(guò)化學(xué)鍍覆法在所述導(dǎo)電膜的表面上形成的化學(xué)鍍覆膜。
[0016]此外，所述貫通電極由鐵鎳系合金構(gòu)成，所述導(dǎo)電膜由金屬膜構(gòu)成，所述化學(xué)鍍覆膜由鎳或銅構(gòu)成。
[0017]本發(fā)明的振蕩器具有上述的電子器件和向所述電子器件提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路。
[0018]本發(fā)明的電子器件的制造方法包括:貫通電極形成工序，在絕緣性的基底基板上形成貫通電極；電子元件安裝工序，在基底基板的一方的表面上安裝電子元件；蓋體設(shè)置工序，將收納電子元件的蓋體與基底基板接合；導(dǎo)電膜形成工序，在基底基板的另一方的表面上、和從表面露出的貫通電極的端面上形成導(dǎo)電膜；電極圖案形成工序，在貫通電極的端面和端面的周?chē)谋砻嫔媳Ａ魧?dǎo)電膜，形成電極圖案；以及外部電極形成工序，通過(guò)化學(xué)鍍覆法在電極圖案的表面堆積化學(xué)鍍覆膜，形成外部電極。由此，能夠以短時(shí)間制造防止了貫通電極發(fā)生腐蝕的電子器件。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子器件的截面示意圖。
[0020]圖2是示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電子器件的制造方法的工序圖。
[0021]圖3是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電子器件的制造工序的說(shuō)明圖。
[0022]圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電子器件的制造工序的說(shuō)明圖。
[0023]圖5是示出本發(fā)明的第三實(shí)施方式的電子器件的制造方法的工序圖。
[0024]圖6是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的振蕩器的俯視示意圖。
[0025]圖7是以往公知的電子器件的截面圖。[0026]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0027]I:電子器件
[0028]2:基底基板
[0029]3:貫通電極
[0030]4:導(dǎo)電膜
[0031]5:電子元件
[0032]6:蓋體
[0033]8:配線電極
[0034]9:接合材料
[0035]10:金屬凸塊
[0036]11:化學(xué)鍍覆 膜
[0037]12:金屬膜
[0038]13:外部電極
[0039]15:電極圖案
[0040]US: 一方的表面，LS --另一方的表面，M:端面
[0041]具體實(shí)施例方式
[0042](第一實(shí)施方式)
[0043]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子器件I的截面示意圖。電子器件I具有基底基板2、在基底基板2上接合的蓋體6、以及收納在內(nèi)部的電子元件5?；谆?具有絕緣性，具有多個(gè)從一方的表面US貫通至另一方的表面LS的貫通電極3。在基底基板2的一方的表面US上以覆蓋貫通電極3的端面的方式形成有配線電極8，在配線電極8上隔著金屬凸塊10安裝有電子元件5。蓋體6在中央具有凹部，在該凹部中收納電子元件5，蓋體6借助接合材料9接合于基底基板2的一方的表面US?；谆?還具有外部電極13，該外部電極13形成在從基底基板2的另一方的表面LS露出的貫通電極3的端面M上、和該端面M的周?chē)牧硪环降谋砻鍸S上。外部電極13具有層疊了導(dǎo)電膜4和通過(guò)化學(xué)鍍覆法在導(dǎo)電膜4的表面上形成的化學(xué)鍍覆膜11的層疊結(jié)構(gòu)。
[0044]這樣，在基底基板2上形成的貫通電極3的從另一方的表面LS露出的端面M、和其周?chē)浇牧硪环降谋砻鍸S被導(dǎo)電膜4完全覆蓋，并且導(dǎo)電膜4的包含上表面和側(cè)面在內(nèi)的表面被化學(xué)鍍覆膜11覆蓋。因此，貫通電極3不會(huì)與水分等接觸，能夠防止腐蝕。此外，能夠在化學(xué)鍍覆膜11的表面上形成用于防止氧化的金屬膜，能夠以覆蓋化學(xué)鍍覆膜11的表面的方式形成金屬膜。
[0045]可以使用玻璃、陶瓷、塑料、玻璃環(huán)氧樹(shù)脂等作為基底基板2?？梢允褂脡弘娬駝?dòng)片、MEMS、加速度傳感器、發(fā)光元件、受光元件以及其他半導(dǎo)體元件作為電子元件5?？梢允褂每煞ズ辖稹⒁蛲吆辖?、坡莫合金、42合金、不銹鋼等鐵鎳系合金以及其他金屬材料作為貫通電極3?？梢允褂面嚹?、銅膜以及其他金屬膜作為化學(xué)鍍覆膜11。
[0046](第二實(shí)施方式)
[0047]圖2是示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電子器件的制造方法的工序圖。圖3和圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的電子器件的制造方法中的各工序的說(shuō)明圖。對(duì)于相同部分或者具有相同功能的部分賦予相同的標(biāo)號(hào)。[0048]如圖2所示，本發(fā)明的電子器件的制造方法具有貫通電極形成工序S1、電子元件安裝工序S2、蓋體設(shè)置工序S3、導(dǎo)電膜形成工序S4、電極圖案形成工序S5以及外部電極形成工序S6。在貫通電極形成工序SI中，在絕緣性的基底基板上，在板厚方向上形成貫通電極。在電子元件安裝工序S2中，在基底基板的一方的表面上安裝電子元件。在蓋體設(shè)置工序S3中，將收納電子元件的蓋體與基底基板接合。在導(dǎo)電膜形成工序S4中，在基底基板的另一方的表面上、和從該另一方的表面露出的貫通電極的端面上形成導(dǎo)電膜。在電極圖案形成工序S5中，在貫通電極的端面和其周?chē)谋砻嫔媳Ａ魧?dǎo)電膜，從其他區(qū)域去除導(dǎo)電膜，形成電極圖案。在外部電極形成工序S6中，通過(guò)化學(xué)鍍覆法在電極圖案的表面堆積化學(xué)鍍覆膜，形成外部電極。
[0049]此外，也可以是，在本發(fā)明的制造方法中，在上述貫通電極形成工序SI之后且在電子元件安裝工序S2之前，通過(guò)導(dǎo)電膜形成工序S4在基底基板的另一方的表面上形成導(dǎo)電膜，然后實(shí)施電極圖案形成工序S5，然后實(shí)施外部電極形成工序S6，然后在電子元件安裝工序S2中將電子元件安裝到基底基板的一方的表面上，最后，實(shí)施蓋體設(shè)置工序S3。此夕卜，也可以在蓋體設(shè)置工序S3之后且在導(dǎo)電膜形成工序S4之前，附加磨削工序，在該磨削工序中，對(duì)基底基板2的另一方的表面進(jìn)行磨削或研磨，將貫通電極的端面與基底基板的另一方的表面形成為同一個(gè)面，并且去除形成在端面上的氧化膜。
[0050]由此，能夠防止導(dǎo)電膜和貫通電極之間的導(dǎo)電性下降。此外，在外部電極形成工序S6之后，也可以具有在化學(xué)鍍覆膜的表面上形成金屬膜的金屬膜形成工序S7。以下，進(jìn)行具體的說(shuō)明。
[0051]圖3 (SI)是示出在貫通電極形成工序SI中，在絕緣性的基底基板2上形成了貫通電極3后的狀態(tài)的截面示意圖。例如可以使用玻璃基板、塑料基板、玻璃環(huán)氧樹(shù)脂基板等絕緣性基板作為基底基板2?？梢允褂每煞ズ辖?、因瓦合金、坡莫合金、42合金、不銹鋼等鐵鎳系合金以及其他金屬材料作為貫通電極3。如果使用玻璃基板作為基底基板2，使用可伐合金作為貫通電極3，則熱膨脹系數(shù)近似，能夠構(gòu)成可靠性高的封裝。以下，對(duì)使用玻璃基板作為基底基板2，使用鐵鎳系合金作為貫通電極3的例子進(jìn)行說(shuō)明。
[0052]使由玻璃構(gòu)成的基底基板2軟化或熔化，通過(guò)模具成型來(lái)形成貫通孔。在貫通孔中填充鐵鎳系合金的線材，使線材加熱/軟化，將線材與玻璃熔接。在玻璃冷卻后，對(duì)兩面進(jìn)行研磨使其平坦化，使貫通電極3的端面M露出，去除氧化膜，并且將端面M和玻璃基板2的表面形成為同一個(gè)面。平坦化后的基底基板2例如厚度為0.2mm?1_。此外，也可以通過(guò)噴砂法或蝕刻法形成基底基板2的貫通孔。
[0053]圖3 (S2)是示出在電子元件安裝工序S2中，在基底基板2上安裝了電子元件5后的狀態(tài)的截面示意圖。通過(guò)蒸鍍法或?yàn)R射法等在一方的表面US上形成金屬膜，通過(guò)光刻和蝕刻法進(jìn)行金屬膜的構(gòu)圖，形成配線電極8。除了蒸鍍法和濺射法以外，也可以通過(guò)印刷法形成配線電極8。接著，隔著金屬凸塊10通過(guò)表面安裝將電子元件5設(shè)置在基底基板2上。也可以并非表面安裝，取而代之，通過(guò)粘接劑等將電子元件5粘接在基底基板2的表面上，通過(guò)引線接合將配線電極8和電子元件5電連接。在電子元件5為壓電振動(dòng)片的情況下，可以以懸臂狀將壓電振動(dòng)片安裝在基底基板2的一方的表面US上。
[0054]圖3 (S3)是示出在蓋體設(shè)置工序S3中，在基底基板2的一方的表面US上接合了蓋體6后的狀態(tài)的截面示意圖?？梢允褂门c基底基板2相同的材料例如玻璃材料作為蓋體6。蓋體6在中央具有凹部，在凹部的上端面預(yù)先形成有接合材料9。例如可以通過(guò)蒸鍍法或?yàn)R射法等形成鋁膜、鉻膜、硅膜等導(dǎo)電性膜或者這些膜的復(fù)合層來(lái)作為接合材料9。接著，將電子元件5收納到中央的凹部，通過(guò)陽(yáng)極接合將基底基板2和蓋體6接合。如果接合時(shí)使周?chē)蔀檎婵?，則能夠使收納電子元件5的封裝內(nèi)部成為真空。例如，在使用石英振動(dòng)片作為電子元件5的情況下，如果將封裝內(nèi)部維持成真空，則能夠消除對(duì)石英振動(dòng)片的物理振動(dòng)的空氣阻力。另外，除了陽(yáng)極接合以外，還可以根據(jù)用途，通過(guò)金屬間接合或粘接劑，在基底基板2和蓋體6之間進(jìn)行接合。
[0055]圖3 (S4)是示出在導(dǎo)電膜形成工序S4中，在基底基板2的另一方的表面LS上形成了導(dǎo)電膜4后的狀態(tài)的截面示意圖。對(duì)基底基板2的另一方的表面LS進(jìn)行研磨或洗浄，去除端面M的氧化膜。然后，通過(guò)蒸鍍法或?yàn)R射法在另一方的表面LS上堆積厚度為
0.05 μ m?0.5 μ m的金屬的導(dǎo)電膜4?？缰鄠€(gè)貫通電極3的端面M堆積導(dǎo)電膜4?？缰鄠€(gè)端面M形成導(dǎo)電膜4。除了鈦膜以外還可以使用鎳膜或銅膜等金屬膜作為導(dǎo)電膜4。在使用金屬膜作為導(dǎo)電膜4的情況下，選擇與端面M和基底基板2緊貼性好的材料。此外，優(yōu)選的是，針對(duì)形成在導(dǎo)電膜4的上部的金屬膜，選擇離子化傾向差別小的材料。
[0056]圖3 (S5)是示出在電極圖案形成工序S5中，在貫通電極3的端面M和其周?chē)谋砻嫔媳Ａ魧?dǎo)電膜4，從其他區(qū)域去除導(dǎo)電膜4而形成電極圖案15后的狀態(tài)的截面示意圖。在導(dǎo)電膜4的表面以涂布或粘貼的方式設(shè)置由抗蝕劑構(gòu)成的感光性樹(shù)脂膜，進(jìn)行曝光/顯影，在保留導(dǎo)電膜4的區(qū)域形成掩模。也可以取代由感光性樹(shù)脂膜形成掩模，而通過(guò)印刷法形成掩模。通過(guò)使用了酸或堿溶液的濕蝕刻法、或者使用了反應(yīng)性氣體的干蝕刻法，從掩模的圖案以外的區(qū)域去除導(dǎo)電膜4。此后，去除掩模，在貫通電極的端面和其周?chē)谋砻嫔闲纬捎蓪?dǎo)電膜4構(gòu)成的電極圖案15。
[0057]圖4 (S6)是示出在外部電極形成工序S6中，在電極圖案15 (導(dǎo)電膜4)的表面上堆積了化學(xué)鍍覆膜11后的狀態(tài)的截面示意圖。通過(guò)化學(xué)鍍覆法在電極圖案15的表面上堆積化學(xué)鍍覆膜11，形成外部電極13。將另一方的表面LS浸入化學(xué)鍍覆液中，以覆蓋導(dǎo)電膜4從另一方的表面LS側(cè)露出的整個(gè)露出面的方式形成化學(xué)鍍覆膜11。即，除了在電極圖案15的上表面形成化學(xué)鍍覆膜11以外，還在電極圖案15的側(cè)面形成化學(xué)鍍覆膜11。將化學(xué)鍍覆膜11的厚度設(shè)為Iym?10 μ m,優(yōu)選為I μ m?5 μ m。此外，除了鎳膜以外,還可以形成銅膜以及其他金屬膜作為化學(xué)鍍覆膜11。
[0058]此外，如圖4 (S7)所示，可以在外部電極形成工序S6之后，附加在化學(xué)鍍覆膜11的表面上形成金屬膜12的金屬膜形成工序。為了防止化學(xué)鍍覆膜11的表面的氧化并確保導(dǎo)電性，可以通過(guò)化學(xué)鍍覆法形成由金、銀、鉬金等離子化傾向較小的薄膜構(gòu)成的金屬膜12。金屬膜12可以形成為覆蓋化學(xué)鍍覆膜11的整個(gè)露出面。此外，也可以取代化學(xué)鍍覆法，而通過(guò)蒸鍍法或者濺射法來(lái)形成金屬膜12。此外，也可以將電極圖案15、化學(xué)鍍覆膜11以及金屬膜12的層疊電極作為外部電極13。
[0059]這樣，在貫通電極3的端面M和其周?chē)谋砻嫔闲纬呻姌O圖案15，此后，通過(guò)化學(xué)鍍覆法在電極圖案15的表面上形成化學(xué)鍍覆膜11，因此，貫通電極3的端面M被電極圖案15完全封閉，并且電極圖案15的露出表面被化學(xué)鍍覆膜11完全覆蓋。其結(jié)果是能夠防止貫通電極3的腐蝕。而且，相比濺射法和蒸鍍法，化學(xué)鍍覆膜11能夠以比較短的時(shí)間制膜，能夠在短時(shí)間內(nèi)制造可靠性高的電子器件I。[0060](第三實(shí)施方式)
[0061]圖5是示出本發(fā)明的第三實(shí)施方式的電子器件的制造方法的工序圖。這是制造由安裝了壓電振動(dòng)片作為電子元件的壓電振子構(gòu)成的電子器件的具體例。此外，本實(shí)施方式是將形成有多個(gè)凹部的玻璃晶片和安裝有多個(gè)電子元件的玻璃晶片重合地接合，同時(shí)形成多個(gè)電子器件I的制造方法。對(duì)相同的工序賦予相同的標(biāo)號(hào)。
[0062]安裝在基底基板上的電子元件是由石英振子等構(gòu)成的壓電振動(dòng)片。對(duì)蓋體形成工序S20進(jìn)行說(shuō)明。準(zhǔn)備由鈉鈣玻璃構(gòu)成的板狀的玻璃晶片。首先，在研磨、洗浄、蝕刻工序S21中，將玻璃晶片研磨到預(yù)定厚度，在洗浄后進(jìn)行蝕刻處理來(lái)去除最表面的加工變質(zhì)層。然后，在凹部形成工序S22中，在用于形成各電子器件的區(qū)域的中央部，通過(guò)熱壓的模具成型來(lái)形成凹部。然后，在研磨工序S23中，將凹部的周?chē)纳隙嗣嫜心ゼ庸こ善教沟溺R面。然后，在接合材料堆積工序S24中，通過(guò)濺射法或蒸鍍法在形成有凹部的表面上以50nm?150nm的厚度堆積例如由鋁構(gòu)成的接合材料。然后，在圖案形成工序S25中，通過(guò)光刻和蝕刻法，從凹部周?chē)纳隙嗣嬉酝獾谋砻嫒コ雍喜牧?。這樣，形成由玻璃晶片構(gòu)成的蓋體。
[0063]對(duì)壓電振動(dòng)片制作工序S30進(jìn)行說(shuō)明。以規(guī)定角度對(duì)石英原石進(jìn)行切割，形成石英晶片，然后，對(duì)石英晶片進(jìn)行磨削和研磨加工，使其成為一定的厚度。然后，進(jìn)行蝕刻處理來(lái)去除石英晶片的加工變質(zhì)層。然后，在石英晶片的兩表面上堆積金屬膜，通過(guò)光刻和蝕刻法對(duì)金屬膜進(jìn)行構(gòu)圖，加工成預(yù)定形狀的激勵(lì)電極、配線電極以及安裝電極。然后，通過(guò)光刻和蝕刻法或者切割，將石英晶片加工成壓電振動(dòng)片的外形形狀。
[0064]對(duì)基底基板形成工序S40進(jìn)行說(shuō)明。準(zhǔn)備由鈉鈣玻璃構(gòu)成的板狀的玻璃晶片。首先，進(jìn)行研磨、洗浄，在蝕刻工序S41中，將玻璃晶片研磨到預(yù)定厚度，在洗浄后進(jìn)行蝕刻處理來(lái)去除最表面的加工變質(zhì)層。然后，在貫通電極形成工序SI中，通過(guò)熱壓的模具成型，或者在表面設(shè)置了掩模后通過(guò)蝕刻處理或噴砂進(jìn)行磨削，在玻璃晶片的板厚方向上形成貫通孔。然后，在該貫通孔中埋入由鐵鎳系合金構(gòu)成的貫通電極。然后，在磨削工序S42中，對(duì)貫通電極的兩端部和玻璃晶片的兩面進(jìn)行研磨使之平坦化，使貫通電極的端面露出，形成基底基板。然后，在配線電極形成工序S43中，通過(guò)濺射法或蒸鍍法，在基底基板一方的表面上堆積金屬膜，通過(guò)光刻和蝕刻法進(jìn)行構(gòu)圖，形成配線電極。
[0065]然后，在電子元件安裝工序S2中，在基底基板的一方的表面上安裝壓電振動(dòng)片。安裝時(shí)，在基底基板的配線電極上設(shè)置導(dǎo)電性粘接劑或者金屬凸塊，在其上接合壓電振動(dòng)片的安裝電極，將壓電振動(dòng)片以懸臂狀固定在基底基板上。由此，將貫通電極與壓電振動(dòng)片的激勵(lì)電極電連接。這樣，形成由安裝有多個(gè)壓電振動(dòng)片的玻璃晶片構(gòu)成的基底基板。
[0066]然后，在重合工序Sll中，以在蓋體的各凹部中收納壓電振動(dòng)片的方式，將蓋體載置于基底基板上，從上下方向進(jìn)行按壓。然后，在蓋體設(shè)置工序S3中，將基底基板和蓋體加熱到200°C以上的溫度，將蓋體的接合材料作為陽(yáng)極、將基底基板作為陰極，施加幾百伏(V)的電壓，通過(guò)接合材料將基底基板和蓋體接合。在接合時(shí)將周?chē)３终婵铡?br> [0067]然后，在導(dǎo)電膜形成工序S4中，通過(guò)蒸鍍法或?yàn)R射法在基底基板的另一方的表面上堆積由鎳構(gòu)成的導(dǎo)電膜。然后，通過(guò)電極圖案形成工序S5，在要形成電極圖案的導(dǎo)電膜上由感光性樹(shù)脂膜形成掩模，通過(guò)濕蝕刻法或干蝕刻法，從掩模的圖案以外的區(qū)域去除導(dǎo)電膜。此外，也可以通過(guò)印刷法形成掩模。此后，去除掩模，在貫通電極的端面和其周?chē)谋砻嫔闲纬捎蓪?dǎo)電膜構(gòu)成的電極圖案。[0068]然后，在外部電極形成工序S6中，通過(guò)化學(xué)鍍覆法在電極圖案的表面堆積化學(xué)鍍覆膜，形成外部電極。此外，為了防止化學(xué)鍍覆膜的表面的氧化，確保導(dǎo)電性，也可以在外部電極形成工序S6之后，通過(guò)化學(xué)鍍覆法在化學(xué)鍍覆膜的表面形成金薄膜等金屬膜。
[0069]然后，在切斷工序S12中，在接合體的表面設(shè)置刻劃線，按壓切斷刀進(jìn)行割斷，或者使用切割刀片或切割鋸進(jìn)行分割，得到各個(gè)電子器件I。然后，在電氣特性檢查工序S13中，測(cè)定電子器件I的諧振頻率和諧振電阻值等來(lái)進(jìn)行檢查。
[0070](第四實(shí)施方式)
[0071]圖6是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的振蕩器40的俯視示意圖。裝入有在上述第一實(shí)施方式中說(shuō)明的電子器件1、或者通過(guò)在第二或第三實(shí)施方式中說(shuō)明的制造方法制造出的電子器件I。如圖6所示，振蕩器40具有基板43、設(shè)置在該基板上的電子器件1、集成電路41以及電子部件42。電子器件I根據(jù)提供到外部電極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)生成一定頻率的信號(hào)，集成電路41和電子部件42對(duì)從電子器件I提供的一定頻率的信號(hào)進(jìn)行處理，生成時(shí)鐘信號(hào)等基準(zhǔn)信號(hào)。本發(fā)明的電子器件I具有高可靠性且能形成為小型，因此能夠緊湊地構(gòu)成振蕩器40的整體。
【權(quán)利要求】
1.一種電子器件的制造方法，其包括: 貫通電極形成工序，在絕緣性的基底基板上形成貫通電極； 電子元件安裝工序，在所述基底基板的一方的表面上安裝電子元件； 蓋體設(shè)置工序，將收納所述電子元件的蓋體與所述基底基板接合； 導(dǎo)電膜形成工序，在所述基底基板的另一方的表面上、和從另一方的所述表面露出的所述貫通電極的端面上形成導(dǎo)電膜； 電極圖案形成工序，在所述貫通電極的端面和所述端面的周?chē)乃霰砻嫔媳Ａ羲鰧?dǎo)電膜，形成電極圖案；以及 外部電極形成工序，通過(guò)化學(xué)鍍覆法在所述電極圖案的表面堆積化學(xué)鍍覆膜，形成外部電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制造方法，其中， 在所述電子元件安裝工序和蓋體設(shè)置工序之后，進(jìn)行所述外部電極形成工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子器件的制造方法，其中， 在所述外部電極形成工序之后，具有在所述化學(xué)鍍覆膜的表面上形成金屬膜的金屬膜形成工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的電子器件的制造方法，其中， 所述貫通電極是鐵鎳系合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述的電子器件的制造方法，其中， 所述化學(xué)鍍覆膜是鎳膜或銅膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子器件的制造方法，其中， 所述金屬膜為金薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項(xiàng)所述的電子器件的制造方法，其中， 所述化學(xué)鍍覆膜的厚度為I μ m?10 μ m。
8.一種電子器件，其具有: 絕緣性的基底基板，其形成有多個(gè)貫通電極； 電子元件，其安裝在所述基底基板的一方的表面上；以及 蓋體，其收納所述電子元件，并與所述基底基板接合， 在從所述基底基板的另一方的表面露出的所述貫通電極的端面上、和所述端面的周?chē)牧硪环降乃霰砻嫔闲纬捎型獠侩姌O， 所述外部電極具有導(dǎo)電膜和通過(guò)化學(xué)鍍覆法在所述導(dǎo)電膜的表面上形成的化學(xué)鍍覆膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件，其中， 所述貫通電極由鐵鎳系合金構(gòu)成，所述導(dǎo)電膜由金屬膜構(gòu)成，所述化學(xué)鍍覆膜由鎳或銅構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】H03H9/15GK103944530SQ201410027343
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年1月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月23日
【發(fā)明者】上月敦詞 申請(qǐng)人:精工電子有限公司