高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器,包括高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器[HVIC]、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器[LVIC]、高壓側(cè)MOSFET[Q1]，低壓側(cè)MOSFET[Q2]、二極管[Dboot]、電容[Cboot]、高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器[HVIC]和低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器[LVIC]供電端口VCC、輸入脈沖信號(hào)TTL、高壓側(cè)MOSFET[HVIC]漏極加電信號(hào)VDD。該調(diào)制器可驅(qū)動(dòng)高電壓工作的GaN功放，脈沖前后沿較好，后沿?zé)o拖尾，效率高特別適用在GaN脈沖功率放大器中。
【專利說明】高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及脈沖調(diào)制器，更為具體地說，是涉及一種高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器。
【背景技術(shù)】
[0002]在微波、毫米波電路中，脈沖調(diào)制器被廣泛應(yīng)用于微波功率放大電路中。從六七十年代到現(xiàn)今階段，已經(jīng)涌現(xiàn)了關(guān)于脈沖調(diào)制器的大量研究成果，并且這些成果已經(jīng)光廣泛應(yīng)用于微波工程【技術(shù)領(lǐng)域】。傳統(tǒng)的微波功率放大器脈沖調(diào)制器脈沖后沿存在拖尾現(xiàn)象，微波功率放大器工作電壓較低時(shí)后沿拖尾不明顯，對(duì)效率影響不明顯，當(dāng)微波功率放大器工作電壓較高時(shí)(如GaN功率放大器)，拖尾現(xiàn)象非常明顯，大大降低微波功率放大器工作效率。因而，更高效率的平面高功率合成器在業(yè)界備受關(guān)注。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，發(fā)明一種高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器。此脈沖調(diào)制器不僅效率高，且電路簡單成本低廉，可應(yīng)用于微波功率放大器中。
[0004]本發(fā)明通過如下技術(shù)手段加以實(shí)現(xiàn):一種新型高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器，包括高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高壓側(cè)MOSFET、低壓側(cè)MOSFET、二極管、電容、供電端口 VCC、輸入脈沖信號(hào)TTL、漏極加電信號(hào)VDD，
高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸出端分別連接高壓側(cè)MOSFET與低壓側(cè)MOSFET的柵極，輸入脈沖信號(hào)TTL連接高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸入端，供電接口 VCC連接高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的VCC端，漏極加電信號(hào)VDD連接高壓側(cè)MOSFET的漏極，高壓側(cè)MOSFET源極與低壓側(cè)MOSFET漏極相連，高壓側(cè)MOSFET源極同時(shí)與負(fù)載連接，在供電接口 VCC與高壓側(cè)MOSFET源極之間并聯(lián)二極管及電容，在電容兩端并聯(lián)高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的VB端及Vs端。
[0005]高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器HVIC輸出與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器LVIC輸出相位相反。
[0006]本發(fā)明具有以下有益效果:本文與現(xiàn)有技術(shù)相比，該調(diào)制器可驅(qū)動(dòng)高電壓工作的GaN功放，脈沖前后沿較好，后沿?zé)o拖尾，效率高，特別適用在GaN脈沖功率放大器中。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明所述高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器原理圖。
[0008]圖2是本發(fā)明所述高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器測(cè)試結(jié)果示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]本實(shí)施例為高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器。其結(jié)構(gòu)如圖1所示，一種新型高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器，包括高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高壓側(cè)M0SFET、低壓側(cè)M0SFET、二極管、電容、供電端口 VCC、輸入脈沖信號(hào)TTL、漏極加電信號(hào)VDD ；
高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸出端分別連接高壓側(cè)MOSFET與低壓側(cè)MOSFET的柵極，輸入脈沖信號(hào)TTL連接高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸入端，供電接口 VCC連接高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的VCC端，漏極加電信號(hào)VDD連接高壓側(cè)MOSFET的漏極，高壓側(cè)MOSFET源極與低壓側(cè)MOSFET漏極相連，高壓側(cè)MOSFET源極同時(shí)與負(fù)載連接，在供電接口 VCC與高壓側(cè)MOSFET源極之間并聯(lián)二極管及電容，在電容兩端并聯(lián)高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的VB端及Vs端。且高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器HVIC輸出與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器LVIC輸出相位相反。
[0010]本實(shí)施例所述高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器測(cè)試結(jié)果如圖2所示。由于本實(shí)施例的主要特點(diǎn)是脈沖后沿好，所以圖2只提供了脈沖波形后沿的示波器照片。從圖2可以看出:脈沖后沿為 41ns。
【權(quán)利要求】
1.一種新型高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器，其特征在于:包括高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高壓側(cè)M0SFET、低壓側(cè)M0SFET、二極管、電容、供電端口 VCC、輸入脈沖信號(hào)TTL、漏極加電信號(hào)VDD ； 高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器、低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸出端分別連接高壓側(cè)MOSFET與低壓側(cè)MOSFET的柵極，輸入脈沖信號(hào)TTL連接高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸入端，供電接口 VCC連接高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的VCC端，漏極加電信號(hào)VDD連接高壓側(cè)MOSFET的漏極，高壓側(cè)MOSFET源極與低壓側(cè)MOSFET漏極相連，高壓側(cè)MOSFET源極同時(shí)與負(fù)載連接，在供電接口 VCC與高壓側(cè)MOSFET源極之間并聯(lián)二極管及電容，在電容兩端并聯(lián)高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器的VB端及Vs端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率微波功率放大器脈沖調(diào)制器，其特征在于，高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器HVIC輸出與低壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器LVIC輸出相位相反。
【文檔編號(hào)】H03K19/0185GK103746685SQ201310673941
【公開日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2013年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月11日
【發(fā)明者】韓煦, 成海峰, 徐建華, 周昊 申請(qǐng)人:中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所