專利名稱：一種石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及石英振蕩器，尤其涉及一種可貼裝石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近幾年來，石英產(chǎn)品在全球每年銷售量按15%左右的速度增長，據(jù)資料統(tǒng)計，2000年全球石英產(chǎn)品銷售額約達30億美元以上，伴隨著無繩電話、手機、筆記本電腦及網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用產(chǎn)品市場的飛速發(fā)展，SMD石英晶體頻率器件更向著小型化輕薄化高頻化演進，這樣SMD石英晶體振蕩器因其內(nèi)置1C，不需要外圍電路直接提供頻率，操作方便空間占有率更小的優(yōu)勢越來越受市場歡迎。因此，為適應(yīng)這種小型化趨勢，SMD石英晶體振蕩器型號也由7050型，5032型，3225型發(fā)展到如今的2520型。但隨著小型化高頻化高精度的發(fā)展，對于石英振蕩器的品質(zhì)要求也越來越嚴厲，故石英晶體生產(chǎn)廠家希望通過加強晶片特性測試來提高振蕩器的品質(zhì)，避免客戶端失效的風(fēng)險，而傳統(tǒng)的2520型石英振蕩器只能通過基座兩端側(cè)壁上的電極來測試，而因為產(chǎn)品本身輕薄短小的緣故，這種測試方法不僅對測試設(shè)備，工藝要求較嚴，而且在實際生產(chǎn)過程中操作復(fù)雜，影響生產(chǎn)效率和產(chǎn)品合格率。因此更便于操作的基座開發(fā)設(shè)計就顯得尤為重要，其相對于傳統(tǒng)的SMD石英晶體振蕩器的基座結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，層次更多，層與層之間機械布線也更嚴格，所以加工工藝比較復(fù)雜，且多層疊加后容易造成厚薄不均，封裝后很容易造成漏氣、起泡、鍍層不牢現(xiàn)象，因此對工藝，溫度，設(shè)備等都有很高的要求，更進一步需要設(shè)計出一款電性能優(yōu)良、結(jié)構(gòu)合理、易加工、便使用的基座。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供了一種可有效避免封裝時漏氣現(xiàn)象，結(jié)構(gòu)簡單，加工方便，降低產(chǎn)品厚度的同時可方便測試內(nèi)部晶片特性的石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)。本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:—種石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)，包括有基板，在基板的背面上設(shè)有外電極，在基板正面的最上層設(shè)有可伐圈，在基板內(nèi)部正中間設(shè)有一凹槽，在凹槽內(nèi)由上往下依次疊放有晶片搭載平臺層、IC搭載平臺層和內(nèi)外電極連線輔助層，在晶片搭載平臺層、IC搭載平臺層上分別設(shè)有晶片引腳內(nèi)電極、IC引腳內(nèi)電極，在基板的每一層上通過設(shè)置過孔或在側(cè)壁上開設(shè)導(dǎo)電槽實現(xiàn)電路導(dǎo)通。作為優(yōu)選，在基板、晶片搭載平臺層、IC搭載平臺層及內(nèi)外電極連線輔助層的側(cè)壁上開設(shè)有導(dǎo)電槽，并在導(dǎo)電槽內(nèi)印刷有連通晶片引腳內(nèi)電極、IC引腳內(nèi)電極與外電極的導(dǎo)電線路。作為優(yōu)選，晶片引腳內(nèi)電極設(shè)置在晶片搭載平臺層內(nèi)的一端，晶片搭載平臺層的另一端設(shè)有支撐晶片的支撐部，支撐部的高度與晶片引腳內(nèi)電極的高度相同。作為優(yōu)選，IC搭載平臺層的中間部位設(shè)有IC安裝槽，IC引腳內(nèi)電極分布在IC安裝槽的四周。作為優(yōu)選，在基板背面設(shè)有6個外電極，其中兩個分布在基板背面上下端的中央，另外四個分布在基板背面四個邊角處。采用了上述技術(shù)方案的本實用新型的有益效果是:由于貼裝石英晶片和IC的凹槽是直接開設(shè)在基板上，所以降低了產(chǎn)品的整體厚度，簡化了基座結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品更加小型化；同時避免了多層疊加，防止封裝時漏氣，起泡現(xiàn)象的產(chǎn)生。此外，在凹槽內(nèi)還設(shè)有支撐部，所述的支撐部的高度與內(nèi)電極的高度相同，從而可使得石英晶片安裝在凹槽內(nèi)時，不會產(chǎn)生高低不平的現(xiàn)象，從而保證了其穩(wěn)定性；在凹槽內(nèi)晶片搭載平臺層的下面設(shè)計了 IC搭載平臺層，該IC搭載平臺層的底板特性設(shè)計為接地型，并嚴格簡化各布線布局的形狀，力求最大限度的配合IC各引腳布局；在基板的背面設(shè)有石英晶片外電極，可實現(xiàn)方便快捷的測試內(nèi)部晶片特性。

圖1為本實用新型基座正面內(nèi)部的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為基座最上層的平面結(jié)構(gòu)不意圖；圖3為晶片搭載平臺層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為IC搭載平臺層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為內(nèi)外電極連線輔助層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為基座背面外電極的分布示意圖。
具體實施方式
本實用新型的具體實施方式
如下:實施例:如圖1 圖6所不,本實用新型一種石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)，包括有基板，在基板的背面上設(shè)有外電極，基板的最上層有可伐圈9,基板內(nèi)部有凹槽I，在凹槽I內(nèi)由上往下依次疊放有晶片搭載平臺層I1、IC搭載平臺層III和內(nèi)外電極連線輔助層。晶片搭載平臺層II設(shè)計有石英晶片引腳內(nèi)電極7，支撐部14 ;IC搭載平臺層III，在IC安裝槽周圍引出電氣功能的IC引腳內(nèi)電極1，2，3，4，5，6。各層垂直位置的導(dǎo)電槽通過相應(yīng)側(cè)棱邊上鍍膜實現(xiàn)導(dǎo)通。如圖2所示，在基板正面的最上層設(shè)有可伐圈9，其通過過孔Ilg穿越晶片搭載平臺層II到達IC搭載平臺層III的的IC引腳內(nèi)電極I。如圖3所示的晶片搭載平臺層，晶片引腳內(nèi)電極7含正電極A和負電極B，側(cè)電極13a和13b，并在導(dǎo)電槽10a、10b內(nèi)印刷有連通內(nèi)電極A、B和側(cè)電極13a、13b的導(dǎo)電線路12a、12b ;并通過過孔IlaUlb將內(nèi)電極A、B與下一層的IC搭載平臺層的IC引腳內(nèi)電極
2、3導(dǎo)通。如圖4所示，IC搭載平臺層設(shè)有導(dǎo)電槽10a、10b、10c、IOcU 10e、10f和相對應(yīng)的IC引腳內(nèi)電極3、2、4、1、6、5 ;在上述導(dǎo)電槽內(nèi)分別印刷有連通兩者的導(dǎo)電線路12a、12b、12c、12d、12e、12f ;其中不能直接連通的IC引腳內(nèi)電極4、6分別通過過孔IlcUld到達下一層，如圖5所示，它們再通過導(dǎo)電線路12g、12h與導(dǎo)電槽10c、10e相導(dǎo)通。如圖3所示，IC引腳內(nèi)電極3、2通過過孔IlaUlb到達上一層再與導(dǎo)電槽10a、10b導(dǎo)通。如圖5所示，內(nèi)外電極連線輔助層，主要設(shè)導(dǎo)電槽10a、10b、10c、10d、10e、10f，導(dǎo)電線路12g、12h，以及過孔lie、I If。而過孔IleUlf到達基座背面分別與外電極8a、8b導(dǎo)通。如圖6所不,在基板背面設(shè)有外電極,夕卜電極共有6個,其中兩個分布在基板背面上下端的中央，另外四個分布在基板背面4個邊角處，其中外電極8a通過過孔lie，側(cè)棱邊的導(dǎo)電槽IOa與IC引腳內(nèi)電極2相連；其中外電極8b通過過孔Ilf,側(cè)棱邊的導(dǎo)電槽IOb與IC引腳內(nèi)電極3相連；外電極8c通過其側(cè)棱邊的導(dǎo)電槽IOc與IC引腳內(nèi)電極4相連；外電極8d通過其側(cè)棱邊的導(dǎo)電槽IOd與IC引腳內(nèi)電極I相連；外電極8e通過其側(cè)棱邊的導(dǎo)電槽IOe與IC引腳內(nèi)電極6相連；外電極8f通過其側(cè)棱邊的導(dǎo)電槽IOf與IC引腳內(nèi)電極5相連。另外要特別說明一下，晶片搭載平臺層內(nèi)部的正負電極如何與基板背面的外電極相連的。在晶片搭載平臺層中搭載晶片的電極A通過導(dǎo)電槽10a，過孔lie最終與外電極8a相連；在晶片搭載平臺層中搭載晶片的電極B通過導(dǎo)電槽10b，過孔Ilf最終與外電極Sb相連。
權(quán)利要求1.一種石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)，其特征是:包括有基板，在基板的背面上設(shè)有外電極，在基板正面的最上層設(shè)有可伐圈，在基板內(nèi)部正中間設(shè)有一凹槽，在凹槽內(nèi)由上往下依次疊放有晶片搭載平臺層、IC搭載平臺層和內(nèi)外電極連線輔助層，在晶片搭載平臺層、IC搭載平臺層上分別設(shè)有晶片引腳內(nèi)電極、IC引腳內(nèi)電極，在基板的每一層上通過設(shè)置過孔或在側(cè)壁上開設(shè)導(dǎo)電槽實現(xiàn)電路導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)，其特征在于:在基板、晶片搭載平臺層、IC搭載平臺層及內(nèi)外電極連線輔助層的側(cè)壁上開設(shè)有導(dǎo)電槽，并在導(dǎo)電槽內(nèi)印刷有連通晶片引腳內(nèi)電極、IC引腳內(nèi)電極與外電極的導(dǎo)電線路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)，其特征在于:晶片引腳內(nèi)電極設(shè)置在晶片搭載平臺層內(nèi)的一端，晶片搭載平臺層的另一端設(shè)有支撐晶片的支撐部，支撐部的高度與晶片引腳內(nèi)電極的高度相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)，其特征在于:IC搭載平臺層的中間部位設(shè)有IC安裝槽，IC引腳內(nèi)電極分布在IC安裝槽的四周。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)，其特征在于:在基板背面設(shè)有6個外電極，其中兩個分布在基板背面上下端的中央，另外四個分布在基板背面四個邊角處。
專利摘要本實用新型公開了一種石英振蕩器的基座結(jié)構(gòu)，包括有基板，在基板的背面上設(shè)有外電極，在基板正面的最上層設(shè)有可伐圈，在基板內(nèi)部正中間設(shè)有一凹槽，在凹槽內(nèi)由上往下依次疊放有晶片搭載平臺層、IC搭載平臺層和內(nèi)外電極連線輔助層，在晶片搭載平臺層、IC搭載平臺層上分別設(shè)有晶片引腳內(nèi)電極、IC引腳內(nèi)電極，在基板的每一層上通過設(shè)置過孔或在側(cè)壁上開設(shè)導(dǎo)電槽實現(xiàn)電路導(dǎo)通。由于貼裝石英晶片和IC的凹槽是直接開設(shè)在基板上，所以降低了產(chǎn)品的整體厚度，簡化了基座結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品更加小型化；同時避免了多層疊加，防止封裝時漏氣，起泡現(xiàn)象的產(chǎn)生。
文檔編號H03H9/05GK202931262SQ201220653258
公開日2013年5月8日 申請日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月29日
發(fā)明者辜達元, 林錦柏 申請人:杭州鴻星電子有限公司