專利名稱：一種單信號(hào)源多路觸發(fā)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種單信號(hào)源多路觸發(fā)電路技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種觸發(fā)電路，具體涉及一種單信號(hào)源多路觸發(fā)電路。
背景技術(shù)：
[0002]現(xiàn)有的多路觸發(fā)電路中，由于要實(shí)現(xiàn)多路觸發(fā)，常常需要多路的信號(hào)觸發(fā)源，不僅 其電路較為復(fù)雜，增加成本，且還存在著觸發(fā)不同步導(dǎo)致燒毀元器件，可靠性不高等問題。實(shí)用新型內(nèi)容[0003]為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足及存在的問題，本實(shí)用新型提供一種單信號(hào)源多路觸發(fā)電 路，該電路具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可實(shí)現(xiàn)多路同步觸發(fā)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。[0004]本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種單信號(hào)源多路觸發(fā)電路，包括可控 硅Q1、三極管Q2以及觸發(fā)開關(guān)電路，所述三極管Q2的基極B與信號(hào)源連接，其集電極C通 過電阻Rl與可控硅Ql的控制極Gl連接，所述可控硅Ql的一端Tl與電壓輸入端Vin+連 接，可控硅Ql的另一端T2與負(fù)載R的一端VO+連接，所述的觸發(fā)開關(guān)電路串聯(lián)連接在電 壓輸入端Vin-與負(fù)載R的另一端VO-之間，觸發(fā)開關(guān)電路的觸發(fā)信號(hào)輸入端I與三極管Q2 的發(fā)射極E連接。[0005]進(jìn)一步地，所述觸發(fā)開關(guān)電路包括開關(guān)管Q3與可控硅Q4，所述開關(guān)管Q3的柵極G 作為觸發(fā)開關(guān)電路的觸發(fā)信號(hào)輸入端I與三極管Q2的發(fā)射極E連接，開關(guān)管Q3的源極S 與電壓輸入端Vin-連接，開關(guān)管Q3的漏極D與可控硅Q4的陰極K連接，可控硅Q4的陽極 A與負(fù)載R的一端VO-連接，可控硅Q4的控制極G4通過電阻R3與開關(guān)管的柵極G連接。[0006]進(jìn)一步地，所述的開關(guān)管Q3的源極S與柵極G之間連接有電阻R2。[0007]較佳地，所述的可控硅Ql為雙向可控硅，所述的開關(guān)管Q3為場(chǎng)效應(yīng)管，所述的三 極管Q2為NPN三極管。[0008]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)比較，具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，可實(shí)現(xiàn)單信號(hào)源同步 觸發(fā)多路信號(hào)等優(yōu)點(diǎn)。


[0009]圖1是本實(shí)用新型的實(shí)施例的電路示意圖。
具體實(shí)施方式
[0010]為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn) 一步詳細(xì)描述。[0011]如附圖1所示，一種單信號(hào)源多路觸發(fā)電路，包括可控硅Q1、三極管Q2、開關(guān)管Q3、 可控硅Q4、電阻R1、電阻R2以及電阻R3。開關(guān)管Q3、可控硅Q4、電阻R2、電阻R3以及可控 娃Q4組成一觸發(fā)開關(guān)電路,開關(guān)管Q3的柵極G作為觸發(fā)開關(guān)電路的觸發(fā)信號(hào)輸入端I與 三極管Q2的發(fā)射極E連接。三極管Q2的基極B與信號(hào)源連接，其集電極C通過電阻Rl與可控硅Ql的控制極Gl連接，可控硅Ql的一端Tl與電壓輸入端Vin+連接，可控硅Ql的另 一端T2與負(fù)載R的一端VO+連接。開關(guān)管Q3的柵極G與三極管Q2的發(fā)射極E連接，其源 極S與電壓輸入端Vin-連接，其漏極D與可控硅Q4的陰極K連接，開關(guān)管Q3的源極S與 柵極G之間連接有電阻R2?？煽毓鑁4的陽極A與負(fù)載R的一端VO-連接，可控硅Q4的控 制極G4通過電阻R3與開關(guān)管Q3的柵極G連接。上述的可控硅Ql為雙向可控硅，所述的 開關(guān)管Q3為場(chǎng)效應(yīng)管，所述的三極管Q2為NPN三極管。[0012]以下對(duì)本實(shí)施例的工作原理作簡(jiǎn)要描述當(dāng)信號(hào)源加到三極管Q2的基極B的觸發(fā) 信號(hào)為高電平時(shí)，三極管Q2導(dǎo)通，觸發(fā)信號(hào)一方面經(jīng)三極管Q2的集電極C再經(jīng)電阻Rl到 可控硅Ql的控制極G1，首先觸發(fā)可控硅Ql導(dǎo)通；觸發(fā)信號(hào)另一方面通過三極管Q2的發(fā)射 極E到達(dá)開關(guān)管Q3的柵極G以及經(jīng)限流電阻R3到達(dá)可控硅Q4的控制極G4，從而觸發(fā)開關(guān) 管Q3與可控硅Q4的導(dǎo)通。當(dāng)信號(hào)源加到三極管Q2的基極B的觸發(fā)信號(hào)為低電平時(shí)，三極 管Q2截止，則開關(guān)管Q3也關(guān)斷，同時(shí)由于可控硅Ql也可控硅Q4得不到足夠的維持電流而 關(guān)斷。本實(shí)用新型中，還可以在三極管Q2的發(fā)射極上并聯(lián)多個(gè)上述所說的觸發(fā)開關(guān)電路， 以實(shí)現(xiàn)更多組電路的觸發(fā)。[0013]上述實(shí)施例為本實(shí)用新型的較佳的實(shí)現(xiàn)方式，并非是對(duì)本實(shí)用新型的限定，在不 脫離本實(shí)用新型的發(fā)明構(gòu)思的前提下，任何顯而易見的替換均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之 內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種單信號(hào)源多路觸發(fā)電路，其特征在于包括可控硅Q1、三極管Q2以及觸發(fā)開關(guān)電路，所述三極管Q2的基極B與信號(hào)源連接，其集電極C通過電阻Rl與可控硅Ql的控制極Gl連接，所述可控硅Ql的一端Tl與電壓輸入端Vin+連接，可控硅Ql的另一端T2與負(fù)載R的一端VO+連接，所述的觸發(fā)開關(guān)電路串聯(lián)連接在電壓輸入端Vin-與負(fù)載R的另一端VO-之間，觸發(fā)開關(guān)電路的觸發(fā)信號(hào)輸入端I與三極管Q2的發(fā)射極E連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單信號(hào)源多路觸發(fā)電路，其特征在于所述觸發(fā)開關(guān)電路包括開關(guān)管Q3與可控硅Q4，所述開關(guān)管Q3的柵極G作為觸發(fā)開關(guān)電路的觸發(fā)信號(hào)輸入端I與三極管Q2的發(fā)射極E連接，開關(guān)管Q3的源極S與電壓輸入端Vin-連接，開關(guān)管Q3的漏極D與可控硅Q4的陰極K連接，可控硅Q4的陽極A與負(fù)載R的一端VO-連接，可控硅Q4的控制極G4通過電阻R3與開關(guān)管的柵極G連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單信號(hào)源多路觸發(fā)電路，其特征在于所述的開關(guān)管Q3的源極S與柵極G之間連接有電阻R2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的單信號(hào)源多路觸發(fā)電路，其特征在于所述的可控硅Ql為雙向可控硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的單信號(hào)源多路觸發(fā)電路，其特征在于所述的開關(guān)管Q3為場(chǎng)效應(yīng)管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的單信號(hào)源多路觸發(fā)電路，其特征在于所述的三極管Q2為NPN三極管。
專利摘要一種單信號(hào)源多路觸發(fā)電路，包括可控硅Q1、三極管Q2、開關(guān)管Q3、可控硅Q4、電阻R1、電阻R2以及電阻R3。三極管Q2的基極B與信號(hào)源連接，其集電極C與可控硅Q1的控制極G1連接，其發(fā)射極E與開關(guān)管Q3的柵極G以及通過限流電阻R3與可控硅Q4的控制極G4連接；開關(guān)管Q3、可控硅Q4、電阻R2、電阻R3以及可控硅Q4組成一觸發(fā)開關(guān)電路。本實(shí)用新型具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，可實(shí)現(xiàn)單信號(hào)源同步觸發(fā)多路信號(hào)等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03K17/72GK202841085SQ20122057299
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月2日
發(fā)明者王會(huì)民, 陳幗英, 李書燦 申請(qǐng)人:東莞市神牛電子科技有限公司