專利名稱：一種帶抗飽和網(wǎng)絡(luò)的高反壓晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體晶體管的技術(shù)領(lǐng)域，特別是通過改進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化電路驅(qū)動(dòng)的三極管。
背景技術(shù)：
高反壓晶體管的極性是NPN的，具有耐壓高、開關(guān)速度快損耗低、可靠性高、高溫特性好、反向漏電流小、電流特性好、飽和壓降低等特點(diǎn)，廣泛用于節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器、充電器、適配器以及計(jì)算機(jī)電源等功率開關(guān)電路，是該類電子產(chǎn)品的核心部件。無(wú)論是節(jié)能燈、鎮(zhèn)流器、充電器還是開關(guān)電源，其中的高反壓晶體管都是工作于開關(guān)狀態(tài)，即飽和或者截止。正常狀況下晶體管上的功耗很少，晶體管溫升不大。但是，由于制造廠家技術(shù)力量有限，比如調(diào)試示波器設(shè)備欠佳，調(diào)試時(shí)干擾嚴(yán)重，一些重要電壓、電流波形沒有調(diào)好；或者在設(shè)計(jì)時(shí)調(diào)試好的，大量生產(chǎn)時(shí)由于元器件的變化而變化，所以實(shí)際電路中晶體管常常工作于深飽和狀態(tài)，基區(qū)少數(shù)載流子存儲(chǔ)嚴(yán)重，晶體管損耗增加，溫升太大，嚴(yán)重威脅元器件的工作壽命，甚至燒毀失效。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型旨在提出一種帶抗飽和網(wǎng)絡(luò)的高反壓晶體管，改善晶體管的開關(guān)特性，降低工作溫升，減少晶體管的損耗，從而提高大批量生產(chǎn)時(shí)的工藝寬容度。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用了下述技術(shù)方案—種帶抗飽和網(wǎng)絡(luò)的聞反壓晶體管，其晶片上以NPN晶體管VTl為主晶體管，其特征在于所述晶片上還集成有由PNP晶體管VT2和二極管VD構(gòu)成的有源抗飽和電路，其中，PNP晶體管VT2的發(fā)射極與NPN晶體管VTl的基極連接，PNP晶體管VT2的集電極與NPN晶體管VTl的發(fā)射極連接，PNP晶體管VT2的基極與NPN晶體管VTl的集電極連接。進(jìn)一步地，PNP晶體管VT2的發(fā)射極與NPN晶體管VTl的基極連接作為高反壓晶體管的基極b，PNP晶體管VT2的集電極與NPN晶體管VTl的發(fā)射極及二極管VD的陽(yáng)極連接作為高反壓晶體管的發(fā)射極e，PNP晶體管VT2的基極與NPN晶體管VTl的集電極及二極管VD的陰極連接作為高反壓晶體管的集電極C。本實(shí)用新型具有以下有益效果采用這種抗飽和三極管，允許把基極的激勵(lì)適當(dāng)加強(qiáng)，避免電壓低或者低溫時(shí)三極管驅(qū)動(dòng)不足，進(jìn)入放大區(qū)而加劇功耗；又能防止因過驅(qū)動(dòng)、過分飽和造成管子發(fā)熱甚至燒毀。在三極管工作條件變化較大的電路如逐流電路、雙泵電路中采用這類管子，將有利于電路的調(diào)整，達(dá)到滿意的工作狀態(tài)。

圖1為本實(shí)用新型的示意圖；圖2為本實(shí)用新型的電路原理示意圖。[0009]標(biāo)號(hào)說明VT1—NPN晶體管VT2—PNP晶體管VD—二極管b-高反壓晶體管的基極C-高反壓晶體管的集電極e—高反壓晶體管的發(fā)射極
具體實(shí)施方式
參見圖1-圖2，本實(shí)施例的帶抗飽和網(wǎng)絡(luò)的高反壓晶體管，在其主體晶片上以NPN晶體管VTl作為主晶體管，該晶片上還集成有由PNP晶體管VT2和二極管VD構(gòu)成的有源抗飽和電路。其中，PNP晶體管VT2的發(fā)射極與NPN晶體管VTl的基極連接作為高反壓晶體管的基極b，PNP晶體管VT2的集電極與NPN晶體管VTl的發(fā)射極及二極管VD的陽(yáng)極連接作為高反壓晶體管的發(fā)射極e，PNP晶體管VT2的基極與NPN晶體管VTl的集電極及二極管VD的陰極連接作為高反壓晶體管的集電極C。工作原理如圖2，VTl是NPN管，作為主晶體管，VT2是PNP管，作為有源抗飽和之用。當(dāng)NPN晶體管VTl進(jìn)入臨界飽和狀態(tài)時(shí)，其自身的發(fā)射結(jié)及集電結(jié)均處于正向偏置，使得集電極c的電位比基極b的電位更低，此狀態(tài)下，PNP晶體管VT2導(dǎo)通，它將流入NPN晶體管VTl的基極電流分流一部分，不使NPN晶體管VTl的基極電流過大，避免NPN晶體管VTl過分飽和。NPN晶體管VTI的飽和程度越深，會(huì)使得集電極c的電位越低，則PNP晶體管VT2的分流作用越明顯；反之，一旦NPN晶體管VTl脫離飽和，進(jìn)入放大區(qū)，其集電極c的電位上升，當(dāng)集電極c的電位高于基極b的電位，則PNP晶體管VT2自動(dòng)關(guān)閉，不起作用。二極管VD連接于集電極c和發(fā)射極e之間，起阻尼作用，防止反峰電壓過高，避免晶體管擊穿。由于PNP晶體管VT2的存在，大大減少了 NPN晶體管VTl的存儲(chǔ)電荷及存儲(chǔ)時(shí)間，從而減少了晶體管的開關(guān)損耗和溫升，提高了元器件的可靠性。上述實(shí)施例只是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型說明書公開的內(nèi)容能夠認(rèn)識(shí)到本實(shí)用新型在實(shí)施的過程中有多種變型。總之，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種帶抗飽和網(wǎng)絡(luò)的聞反壓晶體管，其晶片上以NPN晶體管(VTl)為主晶體管,其特征在于所述晶片上還集成有由PNP晶體管(VT2)和二極管(VD)構(gòu)成的有源抗飽和電路， 其中，PNP晶體管(VT2)的發(fā)射極與NPN晶體管(VTl)的基極連接，PNP晶體管(VT2)的集電極與NPN晶體管(VTl)的發(fā)射極連接，PNP晶體管(VT2)的基極與NPN晶體管(VTl)的集電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高反壓晶體管，其特征在于PNP晶體管(VT2)的發(fā)射極與 NPN晶體管(VTl)的基極連接作為高反壓晶體管的基極(b)，PNP晶體管(VT2)的集電極與 NPN晶體管(VTl)的發(fā)射極及二極管(VD)的陽(yáng)極連接作為高反壓晶體管的發(fā)射極(e)，PNP 晶體管(VT2 )的基極與NPN晶體管(VTI)的集電極及二極管(VD )的陰極連接作為高反壓晶體管的集電極(C)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種帶抗飽和網(wǎng)絡(luò)的高反壓晶體管，其晶片上以NPN晶體管為主晶體管，其特征在于晶片上還集成有由PNP晶體管和二極管構(gòu)成的有源抗飽和電路，其中，PNP晶體管的發(fā)射極與NPN晶體管的基極連接，PNP晶體管的集電極與NPN晶體管的發(fā)射極連接，PNP晶體管的基極與NPN晶體管的集電極連接，這樣的設(shè)計(jì)，改善高反壓晶體管的開關(guān)特性，降低工作溫升，減少晶體管的損耗，提高大批量生產(chǎn)時(shí)的工藝寬容度，具有結(jié)構(gòu)精巧簡(jiǎn)單，可靠性高，高溫特性好等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03K17/56GK202856705SQ20122053505
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月18日
發(fā)明者楊林, 嚴(yán)向陽(yáng), 張國(guó)光, 龐學(xué)景, 徐慶文, 劉曉榮 申請(qǐng)人:佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司