專利名稱：烘箱控制mems振蕩器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開通常涉及系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括烘箱控制微機電系統(tǒng)(MEMS)振蕩器。
背景技術(shù)：
已知MEM系統(tǒng)以及尤其MEMS諧振器具有極高的質(zhì)量因子(Q)，并且可用于構(gòu)建振蕩器，這使其可用作頻率基準裝置，如圖I所述。然而傳統(tǒng)地，由于石英晶體具有更好的溫度穩(wěn)定性，因此常用作頻率基準。當需要更高的穩(wěn)定性時，如在廣播發(fā)射機系統(tǒng)中，例如，常常使用烘箱控制晶體振蕩器。然而，這種石英裝置很大且使用石英基準的系統(tǒng)有集成度低的缺點。另一方面MEMS振蕩器很小，并且可集成，從而大大降低了成本。然而，不帶補償?shù)腗EMS諧振器顯示出隨溫度變化而產(chǎn)生頻率漂移的高敏感性(例如，在100°C環(huán)境溫度范圍上有+-5000ppm的頻率漂移)，并從而相比石英晶體具有更不穩(wěn)定的隨溫度變化而變化的 頻率特性，如圖2所述。取決于測量的溫度，通過感測環(huán)境溫度，以及通過補償MEMS諧振器(例如，電力地)，MEMS諧振器可在寬泛的環(huán)境溫度范圍(例如，100攝氏度環(huán)境溫度范圍)上進行更好地穩(wěn)定。圖3描述了這樣一種現(xiàn)有技術(shù)解決方案。環(huán)境溫度由與MEMS裝置良好熱接觸的外部溫度傳感器感測，并且MEMS振蕩器系統(tǒng)基于測量的溫度由頻率控制裝置電氣補償。換句話說，環(huán)境溫度傳感器驅(qū)動諧振器系統(tǒng)的頻率補償旋鈕。這樣，MEMS諧振器典型地可在100°C環(huán)境溫度范圍(例如，從_20°C至+80°C的環(huán)境溫度)上受控達+-IOOppm的精度。然而，這些機構(gòu)的問題是溫度傳感器本身的精度和溫度穩(wěn)定性。它們自身隨溫度變化產(chǎn)生的漂移限制了 MEMS諧振器的可達到的溫度穩(wěn)定性，這是這種系統(tǒng)中常常需要可靠(及昂貴的)溫度基準的原因。另一限制是諧振器與溫度傳感器之間受限制的熱接觸，這限制了可能的可實現(xiàn)的校正。公開號為2009/0243747的美國專利申請使用了在一種振蕩器配置中的兩個諧振器來產(chǎn)生一個穩(wěn)定頻率，如圖4所示。通過使用具有不同的頻率溫度系數(shù)的兩個諧振器，(TCF = Δ f/f. I/Δ T，這是每個溫度變化的頻率變化)，以及通過對由于溫度漂移而產(chǎn)生的諧振器之間的頻率差異進行補償，來實現(xiàn)溫度穩(wěn)定性。預(yù)定的溫度Tsrt存在于兩個頻率相同的地方(如果不施加補償)?？刂骗h(huán)路對溫度變化進行補償并確保對于其它溫度也保持頻率相同。因此，實現(xiàn)了諧振器頻率的穩(wěn)定。然而，這種理念具有不足之處需要帶有不同TCF的兩個諧振器，從而需要大量的設(shè)備面積。而且，兩個諧振器應(yīng)配置為振蕩器，需要額外的電路。而且，為了達到期望的頻率，兩個諧振器條處的溫度應(yīng)該是相同的，通過匹配該設(shè)計，這可能在理論上是容易的，但實際上極難保證。最后，兩個裝置之間的寄生耦合導(dǎo)致不那么公正的時鐘輸出。

發(fā)明內(nèi)容
公開了一種基于MEMS的系統(tǒng)，用于以基本穩(wěn)定的頻率產(chǎn)生輸出信號，利用該基本穩(wěn)定的頻率可達到降低的頻率漂移。
根據(jù)本公開，利用包括第一項權(quán)利要求的技術(shù)特征的系統(tǒng)實現(xiàn)了該目標。特別地，據(jù)發(fā)現(xiàn)，為了最小化系統(tǒng)的頻率漂移，需要比例量測溫度控制環(huán)路，比例量測溫度控制環(huán)路與所述微機械振蕩器相關(guān)聯(lián)并且包括用于利用阻抗感測根據(jù)比例量測原則來探測、評估和適配微機械振蕩器的組件，并且比例量測溫度控制環(huán)路還被提供來將微機械振蕩器的溫度保持在所述預(yù)定的設(shè)置溫度周圍的預(yù)定溫度范圍內(nèi)，所述預(yù)定溫度范圍基于所述微機械振蕩器的所述屬性和所述頻率的所述溫度依賴性來確定。本公開的系統(tǒng)具有自行基準化的優(yōu)點，從而使得沒有溫度或頻率的外部基準源需要用于其操作或者需要限制頻率漂移。由于僅相對的溫度誤差需要進行檢測(即，實際溫度是否大于或小于期望溫度)，因此誤差的振幅的絕對測量不需要進行檢測。因而，不需要放大器或者模-數(shù)轉(zhuǎn)換器，這典型地要求隨溫度變化的高度精確和穩(wěn)定特性。這大大簡化了系統(tǒng)，使其更加可行。檢測溫度誤差中的增益誤差對于達到期望Tset來說是不相關(guān)的，因為相關(guān)測量僅僅是“太高”或者“太低”，而不是太高或者太低多少的測量。本公開的系統(tǒng)具有低功率的優(yōu)點，因為MEMS振蕩器位于烘箱中，因而與環(huán)境屏 蔽，并進一步因為可避免需要烘箱中的基準MEMS振蕩器(像公開號為2009/0243747的美國專利申請中描述的雙諧振器系統(tǒng)中一樣)。在一些實施例中，預(yù)定溫度范圍可最多選擇在O. 10°C，這可利用本公開的比例量測溫度控制環(huán)路實現(xiàn)，并且可將頻率漂移降至僅幾ppm或者更少。微機械振蕩器的振蕩頻率(振蕩器可設(shè)計成按照不同模式或頻率進行振蕩)由微機械振蕩器的屬性來確定，所述的屬性，除其他事項之外，其包括構(gòu)建微機械振蕩器的材料、其布局(例如，形狀和布局)及其尺寸。優(yōu)選材料是硅鍺，其具有_40ppm/°C的TCF(頻率溫度系數(shù))。利用本公開的控制環(huán)路和限制至O. 05°C的預(yù)定溫度范圍，頻率漂移可限制至2ppm。另外，該設(shè)計屬性可進行優(yōu)化以達到更好的穩(wěn)定性。因此，利用帶有電阻感測的比例量測控制環(huán)路結(jié)合例如硅鍺振蕩器，可達到Ippm或者更少的頻率漂移。另一種可能的材料是硅，其具有_30ppm/°C的TCF。為了把頻率漂移限制至2ppm，可在控制環(huán)路中設(shè)置O. 067°C的溫度范圍。同樣地，漂移可進一步通過振蕩器的屬性相關(guān)的設(shè)計來降低。注意，MEMS振蕩器亦可用其它適宜的材料來構(gòu)建。在一些實施例中，MEMS振蕩器可以是體聲波諧振器。替代地或者另外地，MEMS振蕩器可以是表面聲波諧振器、彎曲諧振器、或任意其它諧振器。在一些實施例中，微機械振蕩器可借助于兩端固支梁(clamped-clamped beam)而懸掛，例如懸掛在真空密封的封裝中，每個梁包括兩個支撐腿，其具有與MEMS振蕩器的共同連接。將這種梁用作諧振器的支撐錨具有優(yōu)點通過例如使梁的每條腿關(guān)于彎曲波長(作為微機械振蕩器振蕩的結(jié)果，梁以此彎曲波長進行振蕩)在聲學(xué)上是長的，可增強諧振器的熱絕緣(例如，通過使每條腿比彎曲波長的數(shù)倍更長)。作為另一個優(yōu)點，據(jù)發(fā)現(xiàn)，利用這種支撐錨，單個MEMS振蕩器系統(tǒng)的功耗可低于lmW，從而使得整個系統(tǒng)的功耗可降低至IOmW或者更少。作為再一優(yōu)點，腿的長度可進行優(yōu)化，以便避免影響振蕩器的質(zhì)量因子。在一些實施例中，這些梁中的一個或多個梁可用作加熱電阻，用來加熱MEMS振蕩器。按照這種方式，這些梁中的一個或多個可用作控制環(huán)的一部分。在其它實施例中，MEMS振蕩器也可由其它類型的支撐錨懸掛。
振蕩器的加熱，作為控制環(huán)路的一部分，可包括輻射源，用于通過輻射或任意其它加熱機構(gòu)的方式來加熱微機械諧振器。比例量測溫度控制環(huán)路的電阻感測可通過放置兩個感測元件與微機械諧振器足夠良好的熱接觸來提供，從而使得這兩個感測元件經(jīng)受與諧振器基本相同的溫度。由于兩個感測元件具有不同的溫度依賴特征，因此提供了比例量測原則，從而使得測量時測量曲線在與預(yù)定設(shè)置溫度Tsrt對應(yīng)的預(yù)定相交點相交。這樣，可容易地確定MEMS振蕩器的實際溫度是否大于或小于或等于預(yù)定溫度Tset,以及因而可控制該環(huán)路。在一些實施例中，第一感測元件可利用第一感測信號進行感測，第二感測元件可利用第二感測信號進行感測。在一些實施例中，第一和第二感測信號可具有基本相同的振幅。在一些實施例中，第一和第二感測信號不具有相同的符號(正負)或相位或者持續(xù)時間。在一種實施方式中，控制環(huán)路可配置成相減第一和第二感測信號，從而確定差分信號?？刂骗h(huán)路可進一步配置成放大該差分信號，從而產(chǎn)生控制信號。
在一些實施例中，控制電路可連接至后補償電路，該后補償電路配置成移除控制信號中的殘差，從而產(chǎn)生后補償信號。后補償信號可利用例如控制信號的線性、二次方程、或多項式變換來確定。替代地或另外地，后補償信號可利用例如查找表來確定。也可以采用其它示例。后補償信號可提供給控制電路作為偏置信號或偏移信號，以便降低集成電子元件的溫度和預(yù)定溫度之間的差值。通過使用這種后補償電路來移除殘差，可進一步降低偏移導(dǎo)致的不精確、熱延遲、和/或其它不理想的效果。


本公開在附圖和本公開的解釋幾種示例實施例的

中作了進一步闡釋。注意附圖并非按比例繪制。附圖旨在描述本公開的原則。本公開的另外的實施例可結(jié)合不同附圖的不同特征和元件來使用。圖I示出了應(yīng)用于振蕩器和濾波器中的典型MEMS諧振器。圖2示出了隨烘箱控制石英晶體溫度變化以及用于未補償MEMS諧振器的典型頻率漂移的圖表。圖3示出了典型MEMS系統(tǒng)。圖4示出了另一種典型MEMS系統(tǒng)。圖5A-E示出了根據(jù)實施例的典型MEMS振蕩器結(jié)構(gòu)的頂視圖(5A_B)和截面圖(5C-D)，以及包括根據(jù)實施例的MEMS振蕩器的真空封裝視圖(5E)。根據(jù)實施例，圖6示出了示例MEMS系統(tǒng)。根據(jù)實施例，圖7A-B示出了與溫度依賴電阻器值相對應(yīng)的示例測量電壓信號(7A)，示例測量電壓信號之間的差值(7B)，以及示例測量電壓信號之間的比較輸出。圖8示出了根據(jù)實施例的包括加熱器的示例MEMS系統(tǒng)。圖9示出了根據(jù)實施例的第一及第二溫度依賴特征。圖10示出了根據(jù)實施例的包括加熱器和控制環(huán)路的示例MEMS系統(tǒng)。圖11說明了根據(jù)實施例的不帶雙傳感器控制、帶雙傳感器控制、以及帶雙傳感器和后補償控制的烘箱控制MEMS振蕩器的示例輸出信號的穩(wěn)定性。圖12不出了包括加熱器和控制系統(tǒng)的不例MEMS系統(tǒng),其中后補償信號是偏置電壓。圖13示出了包括加熱器和控制系統(tǒng)的示例MEMS系統(tǒng)，其中后補償信號起到鎖相環(huán)的作用。圖14A-C示出了根據(jù)實施例的振蕩MEMS振蕩器的示例的位移。圖15示出了根據(jù)實施例的通過輻射加熱的體聲波縱向振蕩器的示意圖。圖16示出了根據(jù)實施例的IOOXlOOym SiGe振蕩器的測量數(shù)據(jù)，其示出了頻率變化和諧振器上的入射光功率的對應(yīng)關(guān)系。 圖17示出了根據(jù)實施例的示例彎曲諧振器。圖18示出了根據(jù)實施例的另一種示例彎曲諧振器。圖19示出了根據(jù)實施例的經(jīng)由支撐通過焦耳加熱來加熱的示例MEMS振蕩器。圖20示出了根據(jù)實施例的示例MEMS振蕩器，其上布置帶有4點訪問線路的兩個電阻器來測量MEMS振蕩器的頂部的電阻，而不管訪問線路的電阻和溫度如何。
具體實施例方式本公開將關(guān)于具體實施方式
且參考某些附圖進行描述，但本公開不限于此。描述的附圖僅僅是示意性的而非局限性的。在附圖中，出于說明的目的，一些元件的尺寸可能夸大且不按比例繪制。尺寸和相對尺寸不必與實踐本公開的實際縮小相對應(yīng)。此外，說明書及權(quán)利要求書中的術(shù)語第一、第二、第三等用來在相似元件之間進行區(qū)分并且不必用于描述順序排序或年代排序。在適當?shù)沫h(huán)境下術(shù)語不可互換，本公開的實施例可按照除了這里描述或說明的順序之外的其它順序來操作。此外，說明書及權(quán)利要求書中的術(shù)語頂、底、之上、之下等是用于描述的目的的且不必描述相對位置。這樣使用的術(shù)語在適宜的環(huán)境下可互換，并且這里描述的公開的實施例可按照除了這里描述或說明的取向之外的其它取向進行操作。權(quán)利要求書中使用的術(shù)語“包括”，不應(yīng)解釋為局限于之后列出的手段；其未排除其它元件或步驟。其需要解釋為詳細說明出現(xiàn)的所提及的規(guī)定特征、整數(shù)、步驟或組件，而不排除出現(xiàn)或增加其一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟或組件或分組。因而，表達“設(shè)備包括裝置A和B”的范圍不應(yīng)局限于僅由元件A和B構(gòu)成的設(shè)備。其意味著關(guān)于本公開，僅相關(guān)的設(shè)備組件是A和B。本公開提供了一種用于將微機電(MEMS)振蕩器的溫度穩(wěn)定在預(yù)定溫度Tsrt的系統(tǒng)。圖I示出了應(yīng)用于振蕩器和濾波器中的典型MEMS諧振器。典型MEMS振蕩器11可用于各種各樣的應(yīng)用，在一些情況下作為壓力傳感器、振蕩器和應(yīng)力傳感器。由于MEMS結(jié)構(gòu)往往較小，因此他們可集成到許多設(shè)備中，包括例如互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)芯片。然而，像MEMS振蕩器11 一樣的典型MEMS結(jié)構(gòu)的一個問題是，它們的特性可隨溫度發(fā)生嚴重漂移。例如，在MEMS振蕩器中，頻率可在100°C溫度范圍(例如，從_20°C到+800C )內(nèi)漂移5000ppm。例如，基于硅的MEMS振蕩器關(guān)于其諧振頻率f；es(T)典型地具有對溫度-30ppm/°C的靈敏度。就是說，這種基于硅的MEMS振蕩器的頻率溫度系數(shù)(TCF)是 _30ppm/°C。
存在幾種用于穩(wěn)定MEMS振蕩器的頻率的技術(shù)。在一種技術(shù)中，使用電補償，其中修改振蕩器電路的反饋信號以維持穩(wěn)定的頻率。在另一種技術(shù)中，MEMS振蕩器的溫度Τ_ρ保持在穩(wěn)定的預(yù)定溫度Tsrt。為此，MEMS振蕩器可置于烘箱(oven)中，譬如圖I中示出的烘箱2，并且箱溫T?！た删S持在預(yù)定溫度。然而，這種技術(shù)典型地需要某種方式來確定烘箱內(nèi)的溫度是否高于或低于預(yù)定值Tset。在公開號為2009/0243747的美國專利申請中，該確定是利用具有不同TCF (例如，TCFl和TCF2)的兩個MEMS諧振器做出的，控制信號88基于混頻產(chǎn)生，如圖4所示。圖5A-E示出了根據(jù)實施例的典型MEMS振蕩器結(jié)構(gòu)的視圖，MEMS振蕩器的頂視(5A-B)和截面(5C-D)視圖以及包括根據(jù)實施例的MEMS振蕩器的真空封裝(5E)。如圖5B所不，MEMS振蕩器11包括第一電阻器61,其具有第一電阻rl和第一電阻溫度系數(shù)(TCR)TCR1。MEMS振蕩器11進一步包括第二電阻器r2，其具有第二電阻r2和第二 TCRTCR2。第一電阻器61和第二電阻器62示出為在MEMS振蕩器11的諧振器條的頂部進行處理。第一電阻器61和第二電阻器62與MEMS振蕩器11電絕緣但是與MEMS振蕩器11良好熱接觸，以便具有期望的熱精度。結(jié)合至少第一感測信號81 (Ilin)和第二感測信號82(I2in)，選 擇電阻值。第一感測信號81可包括例如第一直流(DC)信號，該直流信號流過第一電阻器61。類似地，第二感測信號82可包括流過第二電阻器62的第二 DC信號。電阻值可進行選擇，從而使得產(chǎn)生諸如圖7A中示出的電壓曲線83、84之類的電壓曲線，電壓曲線在與預(yù)定溫度Tset相對應(yīng)的相交點85相交。電阻器61、62形成用于根據(jù)本公開的系統(tǒng)的比例量測控制環(huán)路中的電阻感測元件的實施例。在一種實施例中，兩個感測信號81、82可以基本相同。例如，感測信號81、82中的每個可以是由電流鏡產(chǎn)生的DC信號。在另一種實施例中，每個感測信號(例如，第一感測信號81)可利用例如開關(guān)選擇性地應(yīng)用于一個感測元件(例如，第一感測元件62)，測量信號(例如，第一測量信號83)可存儲在存儲裝置中，譬如測量電容器(未示出)。在感測之后，存儲在存儲裝置上的測量信號83、84(例如，電壓)可進行比較或者相減，用來產(chǎn)生控制信號88。這樣，可避免第一和第二感測信號81、82之間的任意差值。除了第一和第二電阻器61、62之外的另外的電阻元件也可使用，只要相交的溫度依賴特征63、64可在工作溫度處獲得，即只要控制環(huán)路保持“比例量測”。相交可通過個別特征的簡單縮放或其它操作來創(chuàng)建。例如，已知二極管的電阻具有對溫度的基本指數(shù)性的依賴，而電阻器的依賴基本上是線性的，因而溫度依賴極其不同。為了簡化，本公開的原則將針對電阻器做進一步地描述，盡管要理解其它元件也是可以的。回到圖5B,在實施例中，第一和第二感測信號81、82由電氣設(shè)備7產(chǎn)生。在一些實施例中，第一和第二感測信號81、82可在同一芯片中產(chǎn)生,該芯片包括MEMS設(shè)備11。在另一種實施例中，感測信號81、82可從電氣設(shè)備7外部供電，譬如從烘箱2之外供電。期望相交點65(如圖7A所示)和對應(yīng)的期望溫度Tsrt可為固定的或者可變的。在一些實施例中，期望相交點65和對應(yīng)的期望溫度Tset可通過改變感測信號81、82調(diào)節(jié)。允許供給外部感測信號81、82也可允許校正和/或校準。通過放置兩個電阻器61、62與MEMS結(jié)構(gòu)11熱接觸，尤其與諧振器條熱接觸，可確保在操作電氣設(shè)備7 (例如芯片)期間，諧振器條的溫度Tramp盡可能接近匹配預(yù)定溫度Tsrt,從而盡可能穩(wěn)定該MEMS結(jié)構(gòu)11的諧振器頻率，因為諧振器頻率對諧振器條的局部溫度最敏感。注意，在操作電氣設(shè)備7期間，在烘箱內(nèi)部的溫度T_與MEMS結(jié)構(gòu)11的溫度之間存在溫度差值。因此，可期望將感測元件61、62放置于接近MEMS結(jié)構(gòu)11之處。圖5C示出了圖5Β的結(jié)構(gòu)的截面，其中感測電阻器61、62位于電絕緣器之上，該電絕緣器放置于諧振器的頂部。這樣，實現(xiàn)了不帶電絕緣的熱接觸。圖示出了根據(jù)本公開的另一種實施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚，可使用許多其它布局。在實施例中，烘箱是真空封裝22，其包含MEMS振蕩器11和加熱裝置21。封裝22提供MEMS設(shè)備11與真空封裝外部的環(huán)境溫度之間的熱隔離，并與加熱裝置21 —起形成烘箱2或烘式系統(tǒng)I。在優(yōu)選實施例中，MEMS元件11可通過引導(dǎo)電流通過其支撐腿、通過焦耳加熱來加熱MEMS設(shè)備11來進行加熱(參見圖19)?？墒褂萌我馄渌愋偷募訜嵫b置21，直到MEMS元件11和溫度感測裝置61、62良好熱接觸，也就是說，具有基本相同的溫度。一種其它示例是輻射加熱，參見圖15和16。在這種實施例中，加熱裝置包括可調(diào)的熱輻射源100，且提供MEM諧振元件101來吸收由該可調(diào)熱輻射源產(chǎn)生的熱輻射。換句話說，MEM諧振元件101布置成接收由該可調(diào)熱輻射源100放射的熱輻射，而控制電路布置 于此以借助于電阻感測元件(未示出)監(jiān)控MEM諧振元件的溫度變化，例如在諧振元件的頂部，像這里描述的其它實施例中一樣。溫度平移由控制電路監(jiān)控，該控制電路使其輸出信號適配于該可調(diào)熱輻射源，用于相關(guān)于所監(jiān)控的參數(shù)值平移改變所放射的熱輻射量。這可通過改變所放射的熱輻射的強度、通過間斷地切換該源開/關(guān)、或以其它方式來進行。通過以熱輻射形式提供熱能，熱能可朝MEM諧振元件101集中，從而降低甚或避免直接加熱MEM諧振元件的周圍。因為熱能可由MEM諧振元件更直接地吸收，可實現(xiàn)本公開的設(shè)備對溫度變化的更高的反應(yīng)速度。光源100可例如是集成LED，其強度可通過控制供應(yīng)給LED的LED電流來調(diào)整。優(yōu)選地，電阻感測元件61、62在MEMS元件11上方、下方、或接近MEMS元件11之處，被放置成彼此相接近、或者彼此疊加，電阻感測元件和MEMS元件由電絕緣但導(dǎo)熱的層分隔。亦可使用任意其它提供良好熱接觸且不嚴重損壞MEMS元件性能11的實現(xiàn)方式。比例量測原則可通過使用不同的TCR值來實現(xiàn)，而不同的TCR值又可通過使用雙傳感器環(huán)路所需的電阻器61、62的兩種不同材料來實現(xiàn)。圖7A示出了第一及第二電阻器61、62的相對電阻r = Λ R/R和溫度T的相對關(guān)系示例，或者概括來說是第一及第二感測元件61、62的溫度依賴特征63、64。具有預(yù)定TCR值的電阻器的存在及生產(chǎn)在現(xiàn)有技術(shù)中是熟知的。例如，根據(jù)已知的公式，η-或ρ-型娃的電阻溫度系數(shù)TCR依賴于摻雜濃度。A. Razborsek和F Schwager在“用于低RCR電阻器的薄膜系統(tǒng)(Thin film systems for low RCR resistors) ”中描述了如何生產(chǎn)一種電阻器，這種電阻器包括覆蓋有用Nipad的TaN，其具有在-150ppm/°C和+500ppm/°C之間的可調(diào)整TCR。專利號為7659176的美國專利描述了可調(diào)電阻溫度系數(shù)的電阻器及其制造方法。電阻器的TCR值可通過使用不同材料變化，而包含相同材料但具有不同的晶體結(jié)構(gòu)或晶體取向、或者不同摻雜級別或者雜質(zhì)級別的電阻器亦可具有不同TCR值。在圍繞Tset的小的、預(yù)定溫度范圍內(nèi)，溫度依賴特征63、64的曲線可通過公式求近似R(T) = R0(l+a Δ T)(I)
其中α是材料特征，稱作電阻溫度系數(shù)，公知為TCR。當使用術(shù)語“電阻器”時，要理解也可使用兩個或多個單獨電阻器的并聯(lián)或串聯(lián)組合，以獲得具有組合電阻值rl和組合TCRl值的組合電阻器。在使用電阻器作為感測元件的本公開實施例中，TCR-值的其中之一基本上是0，而另一 TCR值為正。在另一種實施例中，TCR-值的其中之一基本上是0，而另一 TCR值為負。在又一種實施例中，TCR值的其中之一為負，而另一 TCR值為正。在再一種實施例中，兩個TCR-值均為負但具有不同的值。在又一種實施例中，兩個TCR-值均為正但具有不同的值。其它TCR值也是可以的。在本公開的實施例中，第一感測信號81是AC電流，第二感測信號82是AC電流，第一測量信號83是AC電壓且第二測量信號84是AC電壓。在另一種實施例中，第一感測信號81是DC電流，第二感測信號82是DC電流，第一測量信號83是DC電壓且第二測量信號84是DC電壓。在再一種實施例中，第一感測信號81是AC電壓，第二感測信號82是AC電壓，第一測量信號83是AC電流且第二測量信號84是AC電流。在又一種實施例中，第一感測信號81是DC電壓，第二感測信號82是DC電壓，第一測量信號83是DC電流以及第二 測量信號84是DC電流。感測信號81、82可以是連續(xù)的信號或者間斷的信號。感測及測量信號也可以采用其它形式。在控制電路71的實施例中，由感測兀件61、62(例如電阻器)產(chǎn)生的測量信號83、84 (例如電壓)被相減及可選地放大,產(chǎn)生例如圖7B所示的差分信號85 (或者相反,取決于第一測量信號是否從第二測量信號中減去，反之亦然)。任選地，測量信號83、84的其中之一可在相減之前進行縮放。當差分信號85為正時，MEMS振蕩器11的溫度Tramp高于Tsrt,并且烘箱2應(yīng)進行冷卻，在被動冷卻的情況下可通過不給加熱器21供電來實現(xiàn)。當差分信號85為負時，MEMS設(shè)備11的溫度Iramp低于Tsrt,并且烘箱2需要進行加熱。實際中，Tsrt可選擇為至少高于環(huán)境溫度10°C，因而可采用被動冷卻。在一些實施例中，供電給加熱器21的實際加熱功率可與差分信號85的振幅成比例，或者可以是二次方程的、指數(shù)的、或另一種關(guān)系。換句話說，控制環(huán)路可，例如，通過比較一個溫度傳感器61的溫度特征(例如，電阻)和第二溫度傳感器62的溫度特征(例如電阻)來評估MEMS振蕩器11的溫度Τ_ρ。經(jīng)由溫度控制環(huán)路，箱溫Τ_η驅(qū)至溫度Tsrt，其中特征相交(比較結(jié)果的差值為O)，從而使得MEMS振蕩器11的輸出被調(diào)節(jié)成產(chǎn)生基本穩(wěn)定的輸出信號。溫度Τ?！け豢刂圃赥srt附近的預(yù)定溫度范圍確定了輸出信號的可能頻率漂移。通過使用帶有電阻感測的比例量測環(huán)路，溫度范圍可例如限制在Tsrt附近O. 10°C，導(dǎo)致幾ppm或更少的漂移。溫度范圍可通過考慮MEMS振蕩器11的屬性以及工作頻率的溫度依賴，朝著例如2或Ippm的目標最大頻率漂移進行優(yōu)化(限制)。在另一種實施例中，測量信號83、84利用例如比較器(未示出)來彼此進行比較，產(chǎn)生例如如圖7C所示的比較信號86。當圖7C的信號86為正時，MEMS設(shè)備11的溫度T低于Tsrt,并且烘箱2應(yīng)進行加熱。取決于比較器配置，可產(chǎn)生其它比較信號86，譬如裁剪至正或負電壓，本領(lǐng)域技術(shù)人員可容易地如加熱裝置21、100所需地適配這種信號。圖6示出了根據(jù)實施例的示例MEMS系統(tǒng)。箱溫T?！さ目刂剖腔趦蓚€元件61、62之間的特性比率或差值的。系統(tǒng)I包括烘箱2，其中放置了包含MEMS設(shè)備的電氣設(shè)備，電氣設(shè)備7包含MEMS結(jié)構(gòu)11和兩個溫度傳感器61、62，該溫度傳感器具有如上所述的不同溫度依賴特征63、64，譬如分別具有TCRl和TCR2的兩個電阻器Rl和R2。系統(tǒng)進一步包括控制電路71，該控制電路實現(xiàn)控制環(huán)路，用來將MEMS結(jié)構(gòu)11、尤其是其元件11的溫度Tcomp控制或設(shè)置成固定或期望溫度Tsrt?？刂齐娐?1可以是電氣設(shè)備7的一部分或者烘箱2的一部分。系統(tǒng)如下運轉(zhuǎn)。每個電阻器R1、R2的電阻r的變化在圖7A中描述并記作函數(shù)rUT)和r2 (T)。兩個電阻均是溫度T的函數(shù)。在所考慮的溫度范圍內(nèi)，存在一個(并且僅一個)點，其中rl (T)和r2⑴相等。該點由預(yù)定溫度Tsrt來定義。對于該溫度rl (Tsrt) = r2 (TsJ。該等式僅在目標箱溫Tsrt處有效?？刂骗h(huán)路控制箱溫，從而使得rl (Tsrt) =r2 (Tset)0當 實現(xiàn)這一點時，箱溫是Tset并保持在Tset。事實上，Tset位于測量曲線83、84的相交處，該相交處與感測信號61、62相等時特征曲線的相交處相同，另外曲線是平移的因子m，m是感測信號61、62的振幅的比率。在穩(wěn)態(tài)操作中，MEMS設(shè)備11的溫度保持在Tset,并且實質(zhì)上移除了溫度漂移。如果控制環(huán)路在DC處具有無限增益(積分電路)，則該控制環(huán)路可在沒有其他電路不理想事項(譬如感測電路中的溫度依賴偏移)的情況下實質(zhì)上獲得絕對平均溫度精度利用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任意算法，控制環(huán)路71可按照模擬或數(shù)字形式來實現(xiàn)。另外地，控制環(huán)路71可提供一種電路，用于控制及監(jiān)控烘箱2中的MEMS結(jié)構(gòu)11?？刂骗h(huán)路可通常包含有效操作系統(tǒng)7或根據(jù)需要調(diào)節(jié)輸出信號87 (例如，圖6中的MEMS結(jié)構(gòu)的諧振器的頻率)所需的任意元件或機構(gòu)。尤其是，控制環(huán)路將確保MEMS結(jié)構(gòu)11的溫度保持在Tset。MEMS結(jié)構(gòu)11的信號質(zhì)量因子和參數(shù)亦可由控制環(huán)路來記錄和/或監(jiān)控。諸如熱變化、噪聲、彈性、應(yīng)力、壓力、外加應(yīng)變和包括電壓、電場和電流的電偏置以及諧振器材料、屬性和結(jié)構(gòu)之類的因素可影響MEMS結(jié)構(gòu)11的輸出。監(jiān)控這些因子可用于推導(dǎo)出諧振器的輸出信號的貢獻因子和諧振器的輸出信號特征之間的關(guān)系。理解這些關(guān)系允許人們對所產(chǎn)生的輸出信號87進行更多的控制。圖8示出了根據(jù)實施例的包括加熱器的示例MEMS系統(tǒng)。第一及第二感測元件61、62以及控制電路71的目的是要保持烘箱2內(nèi)的溫度穩(wěn)定，等于Tsrt，而不管環(huán)境溫度。因此，組件參數(shù)變化將極小。兩個溫度傳感器61、62感測MEMS組件11的溫度。傳感器61、62具有不同的溫度依賴。他們輸出兩個溫度依賴值SI和S2，例如上述的測量電壓Vl和V2?？刂骗h(huán)路71驅(qū)動加熱器21，該加熱器控制MEMS組件11的溫度Tcomp?？刂骗h(huán)路控制箱溫，從而使得m*S2 = SI，其中m是預(yù)定的恒定實數(shù)。該等式僅在一個單獨的溫度Tset處成立。因此，當環(huán)路穩(wěn)定時，組件11的溫度是Tset，并且因而其溫度依賴參數(shù)是穩(wěn)定的。這在圖9中示出，圖9示出了根據(jù)實施例的第一和第二溫度依賴特征?？捎^察到，加熱器控制信號88可以是環(huán)境溫度Tamb的函數(shù)。當然，假設(shè)環(huán)境溫度下降，則由于烘箱2周圍的環(huán)境溫度，則微烘箱2中的組件溫度也下降。因此，SI和m.S2 二者也將改變(它們可增大或減少，取決于溫度依賴的符號)。這將觸發(fā)控制環(huán)路以補償加熱器控制信號88來再次加熱烘箱2至目標溫度Tsrt。當然，該環(huán)路將迫使m. S2回到等于SI。從該示例中可以看出，控制信號74是環(huán)境溫度Tamb的函數(shù)。因而，雙傳感器溫度穩(wěn)定環(huán)路71可用作溫度傳感器。盡管圖8示出的雙傳感器控制環(huán)路71是理想的，現(xiàn)實應(yīng)用中雙傳感器控制環(huán)路71可能碰到非理想狀況。這可能造成受熱組件參數(shù)(例如，頻率)的殘留溫度依賴。換句話說，雖然Tsrt本應(yīng)隨著環(huán)境溫度變化是固定，Tset可能隨環(huán)境溫度變化而具有輕微的殘余變化，如圖11所示，其示出了根據(jù)實施例的不帶雙傳感器控制、帶雙傳感器控制、以及帶雙傳感器和后補償控制的烘箱控制MEMS振蕩器的示例輸出信號的穩(wěn)定性(由“僅雙傳感器控制”所指示的曲線)。如所示，組件參數(shù)仍可能隨溫度而改變，這并非期望的。根據(jù)本公開的另一個方面，殘留溫度依賴可進一步通過后補償?shù)姆绞浇档?，如圖10說明，其示出了根據(jù)實施例的包括加熱器和控制環(huán)路的示例MEMS系統(tǒng)。在這種方法中，環(huán)境溫度Tamb需要進行感測。Tamb的測量接著引導(dǎo)補償方案，其校正該環(huán)路的非理想組件。由于非理想情況造成的原始殘留溫度漂移較小，因此 Tamb的測量不必非常精確。后補償方案可以是任意獨立種類的，其影響感興趣的參數(shù)(例如，諧振器頻率)而不是溫度。例如，表示環(huán)境溫度Tamb的控制信號88，可引導(dǎo)MEMS組件11的偏置電壓，如圖12所示，其示出了一種包括加熱器和控制系統(tǒng)的示例MEMS系統(tǒng)，其中后補償信號是偏置電壓。圖13示出了包括加熱器和控制系統(tǒng)的示例MEMS系統(tǒng)，其中后補償信號起到鎖相環(huán)的作用。圖13中示出的實施例調(diào)節(jié)后續(xù)PLL，該PLL采用MEMS振蕩器作為輸入并提供經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出頻率。該另外的補償90可以是任意數(shù)學(xué)種類的，譬如線性的、二次方程的或多項式的，或者基于查找表，或者基于本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任意其它補償。后補償90的操作以及對組件參數(shù)或輸出參數(shù)92(例如，頻率)的影響在圖11中說明，圖11說明了根據(jù)實施例的不帶雙傳感器控制、帶雙傳感器控制、和帶雙傳感器及后補償控制的烘箱控制MEMS振蕩器的示例輸出信號的穩(wěn)定性。如所示，雙傳感器控制及后補償曲線92比對應(yīng)于不帶后補償90的系統(tǒng)的曲線87更平。如前文提到的，雙傳感器環(huán)路71可實施為模擬環(huán)路或數(shù)字環(huán)路。因此，環(huán)境溫度輸出Tamb可以是模擬或數(shù)字的，并且后補償方案90也可以是模擬或數(shù)字的。盡管后補償90可控制獨立控制信號(例如，MEMS組件11的偏置電壓)，其亦可對溫度環(huán)路組件產(chǎn)生作用。后補償方案90亦可對不是該系統(tǒng)的一部分的外部參數(shù)產(chǎn)生作用。例如，環(huán)境溫度測量可利用組件參數(shù)起到外部系統(tǒng)中的后補償?shù)淖饔谩＠?，后補償可在外部PLL中進行，該外部PLL使用烘式基于MEMS的振蕩器。下面，用于根據(jù)本公開的系統(tǒng)的MEMS諧振器設(shè)備的實施例與用于提供頻率和電機械穩(wěn)定性以及高Q-因子的最佳支撐錨一起描述。圖5，15和19中示出的MEMS諧振器設(shè)備均包括矩形主諧振器本體，但其它形狀也是可以的(例如，方形、圓形、平行六面體、立方體等)。激勵借助于放置于近程的(即在至主諧振器本體101的換能間隙處)電極111、112來達到。本體借助于T-型支撐121、122懸掛在基片之上，該支撐用于將主諧振器本體錨接至基片。T-型支撐或T-支撐包括兩端固支梁(clamped-clamped beam),該兩端固支梁包括借助于錨附接至基片的兩條腿，以及公共的、且在一些情況下位于中心的、至主諧振本體101的連接。MEMS諧振器結(jié)構(gòu)11配置成至少以預(yù)定模式諧振，例如呼吸模式。主諧振器本體以相關(guān)于其自然響應(yīng)的諧振頻率(U進行諧振。選擇兩端固支梁或支撐的長度以與彎曲波長(波長類型取決于要支持的最重要應(yīng)力組件)相關(guān)，用來提供頻率穩(wěn)定性和高Q因子。使用剛性兩端固支梁支撐的T-支撐設(shè)計提供了沿傳動方向的電機械穩(wěn)定性。更尤其是，每個梁的長度Ltsup選擇為彎曲波長的一半的倍數(shù)加上偏移項。在這些實施例中，每個梁被適配用于，作為所述諧振器本體的所述振動的結(jié)果，以給定彎曲波長按照彎曲模式以所述工作頻率(fMS)進行振蕩。這意味著選擇梁的屬性，從而使梁作為諧振器本體的目標振動的結(jié)果按照彎曲模式(即，對于該振蕩展示出低硬度)振蕩。據(jù)發(fā)現(xiàn)，該梁以彎曲模式進行振蕩的能力可增強或至少保持諧振器的電機械穩(wěn)定性，同時應(yīng)理解彎曲模式可用來優(yōu)化其它參數(shù)的梁設(shè)計。此外，每條腿關(guān)于所述梁振動的所述彎曲波長是“聲學(xué)上長的”，意味著該腿關(guān)于現(xiàn)有技術(shù)設(shè)備具有相對長的長度，這增強了諧振器本體的熱絕緣。因此，諧振器可加熱至工作溫度，以保持工作頻率基本穩(wěn)定，而沒有面朝基片的重大熱損失。從電機械的穩(wěn)定性考慮，公共中心連接優(yōu)選地選擇或設(shè)計成具有最小長度。最小長度由設(shè)計參數(shù)和制造過程確定。優(yōu)選地，每條腿具有長度(LTsup, _)，其等于所述彎曲波長除以2之后的預(yù)定倍數(shù)，加上預(yù)定偏移，考慮到優(yōu)化該腿的熱電阻來選擇所述預(yù)定倍數(shù)，并考慮到優(yōu)化該諧振器的質(zhì)量因子來選擇所述預(yù)定偏移。通過選擇該支撐腿的這些長度的其中之一，諧振器的連接點處的阻抗和錨處的阻抗加以匹配。因而，經(jīng)由錨對襯底的能量損耗可最小化，并且可提供帶有經(jīng)優(yōu)化的Q-因子的諧振器設(shè)備。優(yōu)選地，預(yù)定偏移基本等于帶有第一彎曲諧振頻率的兩端固支梁的長度(L+n)的一半，所述第一彎曲諧振頻率等于工作頻率(fMS)。據(jù)發(fā) 現(xiàn)，Q-因子是諧振器的支撐腿長度的周期函數(shù)，并且該預(yù)定偏移基本對應(yīng)于周期函數(shù)的最大值。在優(yōu)選實施例中，諧振器本體適用于按照呼吸模式進行諧振，其具有對稱軸，其中位移是最小的并且其中兩端固支梁的公共連接位于所述對稱軸處。這意味著所述梁在最小位移的點處與諧振器本體連接，這可增強諧振器的電機械穩(wěn)定性。圖14A-C示出了適用于根據(jù)本公開的實施例中的振蕩MEMS諧振器的位移。諧振器按照呼吸模式振蕩，即本體擴張及收縮。圖14A示出了以其初始的、扁平的形狀的主體，即沒有位移。圖14B示出了在主體的振蕩的最大擴展的點處的位移在本體的縱(中心)軸、并且沿本體的縱邊緣的最大位移處基本不存在位移。圖14C示出了在主體的振蕩的最大收縮的點處的位移在本體的縱軸處、并且沿本體的縱邊緣的最大位移處，同樣基本不存在位移。這示出了該縱軸是按照該呼吸模式連接用于該振蕩器的支撐的最佳位置。可根據(jù)本公開達到的電機械穩(wěn)定性的高級別進一步允許施加大電壓，而沒有引入(pull-in)的危險，因而達到了 MEMS諧振器的更低的運動阻抗，這導(dǎo)致更易于集成。在優(yōu)選實施例中，兩端固支梁是T-型的，中心連接至諧振器本體。在替代實施例中，兩端固支梁亦可例如是傾斜的梁。在優(yōu)選實施例中，兩端固支梁具有剛性方向，所述激勵裝置定位成沿所述梁的剛性方向激勵諧振器本體。例如，在T-型梁的情況下，剛性方向是支撐腿的縱向并且所述梁沿與其呈直角的任意方向具有低硬度。然而本公開不限制于設(shè)計成按照呼吸模式進行振蕩的微機械振蕩器。其它工作模式也是可以的。圖17示出了可用于根據(jù)本公開的實施例的彎曲諧振器的示例。諧振器包括在兩個激勵電極之間延伸、并適用于按照彎曲模式諧振的兩端固支梁130。支撐131、132則也可是帶有如這里所述的聲學(xué)上長的腿的兩端固支梁。在諧振器頂部，兩個電阻感測元件以與上面結(jié)合圖5進行描述的相同方式提供。圖18示出了可用于根據(jù)本公開的實施例的彎曲諧振器的另一種示例。諧振器包括懸臂梁140，其在兩個激勵電極之間延伸并被適配用于以彎曲模式諧振。支撐140則亦可是帶有這里所述的聲學(xué)上長的腿的兩端固支梁。在諧振器的頂部，兩個電阻感測元件以與參考圖5所描述的相同的方式來提供。在另一優(yōu)選實施例中，圖20所示，由帶有不同TCR的材料組成的兩個電阻器是感測元件。與電阻器的Kelvin(4-點)連接允許測量設(shè)備上的電阻。在可能的安裝中，電流 A被引導(dǎo)通過電阻器，而電壓V受到監(jiān)控。則電阻為V/A，不管訪問線路的電阻和溫度如何。亦可應(yīng)用其它感測配置。
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)，包括 烘箱； 微機械振蕩器，其位于所述烘箱中且配置成在預(yù)定溫度下以預(yù)定頻率振蕩，其中所述預(yù)定頻率至少部分基于溫度依賴以及至少一個預(yù)定屬性； 激勵機構(gòu)，其配置成激勵所述微機械振蕩器來以所述預(yù)定頻率進行振蕩； 溫度控制環(huán)路，其配置成 利用電阻感測來檢測所述微機械振蕩器的溫度； 確定所述微機械振蕩器的溫度是否在預(yù)定溫度的預(yù)定范圍之內(nèi)，其中所述預(yù)定范圍至少部分基于溫度依賴和所述至少一個預(yù)定屬性，以最小化頻率漂移；以及適配所述微機械振蕩器的溫度以保持在所述預(yù)定范圍之內(nèi)； 頻率輸出，其配置成輸出所述微機械振蕩器的預(yù)定頻率。
2.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述至少一個預(yù)定屬性包括所述微機械振蕩器的材料、所述微機械振蕩器的拓撲結(jié)構(gòu)、以及所述微機械振蕩器的至少一個尺寸。
3.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述預(yù)定溫度范圍包括在所述預(yù)定溫度的最多0.10°C之內(nèi)的溫度。
4.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述微機械振蕩器包括硅鍺。
5.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述微機械振蕩器包括體聲波諧振器。
6.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述微機械振蕩器包括彎曲諧振器。
7.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述微機械振蕩器包括表面聲波諧振器。
8.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述微機械振蕩器利用兩端固支梁來懸掛，其中每個梁包括兩個支撐腿，該兩個支持腿具有至所述微機械振蕩器的共同連接。
9.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其中 每個梁配置成以彎曲波長按照彎曲模式進行振蕩，所述彎曲波長至少部分基于所述預(yù)定頻率；以及 每條腿關(guān)于所述彎曲波長在聲學(xué)上是長的。
10.權(quán)利要求9的系統(tǒng)，其中每條腿關(guān)于彎曲波長在聲學(xué)上是長的包括每條腿比彎曲波長的倍數(shù)更長。
11.權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其中至少一個梁形成所述控制環(huán)路的加熱電阻組件，所述加熱電阻組件配置成加熱所述微機械振蕩器。
12.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述控制環(huán)路包括輻射源，所述輻射源配置成加熱所述微機械振蕩器。
13.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述預(yù)定溫度是正常使用期間系統(tǒng)的環(huán)境溫度之上至少10。。。
14.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述激勵機構(gòu)包括在所述烘箱之內(nèi)的偏置電極，所述偏置電極在所述微機械振蕩器近程并連接至偏置電壓源。
15.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述頻率輸出包括在所述烘箱之內(nèi)的感測電極，所述感測電極在所述微機械振蕩器近程。
16.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述控制環(huán)路包括 第一電阻感測元件，與所述微機械振蕩器熱接觸并具有第一電阻溫度依賴；以及第二電阻感測元件，與所述微機械振蕩器熱接觸并具有第二電阻溫度依賴，第二電阻溫度依賴不同于第一電阻溫度依賴，其中第一電阻元件和第二電阻元件中的每一個經(jīng)受與微機械振蕩器基本相同的溫度。
17.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中 所述微機械振蕩器的拓撲結(jié)構(gòu)具有振蕩期間最小運動的軸；以及 所述第一和第二電阻感測元件沿所述軸提供。
18.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，進一步包括 用于移除殘差的后補償電路，所述后補償電路配置成 從所述控制環(huán)路接收控制信號；以及 轉(zhuǎn)換所述控制信號以產(chǎn)生后補償信號。
19.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，進一步包括 輸出信號發(fā)生器，其連接至所述頻率輸出且配置成基于所述預(yù)定頻率產(chǎn)生輸出信號。
20.權(quán)利要求I的系統(tǒng)，其中所述烘箱包括真空密封的封裝，所述封裝僅包含所述微機械振蕩器。
全文摘要
公開了烘箱控制MEMS振蕩器裝置。根據(jù)本發(fā)明的一種系統(tǒng)，包括烘箱和烘箱之內(nèi)的微機械振蕩器，該微機械振蕩器配置成在預(yù)定溫度以預(yù)定頻率進行振蕩，其中預(yù)定頻率是基于溫度依賴以及至少一個預(yù)定屬性的。系統(tǒng)進一步包括激勵機構(gòu)，其配置成激勵微機械振蕩器來以預(yù)定頻率振蕩；以及溫度控制環(huán)路，其配置成利用電阻感測來檢測微機械振蕩器的溫度，基于溫度依賴和該至少一個預(yù)定屬性來確定微機械振蕩器的溫度是否在預(yù)定溫度的預(yù)定范圍內(nèi)，以便最小化頻率漂移，并且適配所述微機械振蕩器的溫度以保持在預(yù)定范圍內(nèi)。該系統(tǒng)進一步包括頻率輸出，其配置成輸出該微機械振蕩器的預(yù)定頻率。
文檔編號H03B5/04GK102811022SQ20121026393
公開日2012年12月5日 申請日期2012年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者S·唐奈, M·佩爾蒂斯, X·羅滕伯格, J·波瑞曼斯, H·提爾曼斯, G·范德普拉絲 申請人:Imec公司