專利名稱：開關(guān)電容型d/a變換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種開關(guān)電容型D/A變換器。
背景技術(shù)：
開關(guān)電容型D/A變換器是一種已知的將數(shù)字信號變換為模擬信號的D/A變換器。 開關(guān)電容型D/A變換器接受N位(bit)數(shù)據(jù)，輸出具有與其對應(yīng)的電壓電平的模擬信號。D/A變換器包含與時(shí)鐘信號同步地控制導(dǎo)通、關(guān)斷的開關(guān)，和與數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的各位相對應(yīng)地控制導(dǎo)通、關(guān)斷的開關(guān)。如在專利文獻(xiàn)2中所公開的，在一般的開關(guān)電容型D/A變換器中，使用 N 溝道 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)或利用它構(gòu)成的傳輸門(transfer gate)作為開關(guān)。[專利文獻(xiàn)1]日本特開2003-283337號公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]日本特開2001-111427號公報(bào)

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型申請人研究包含N溝道MOSFET作為開關(guān)的開關(guān)電容型D/A變換器，以至于認(rèn)識到以下問題。圖1是示出開關(guān)電容型D/A變換器的結(jié)構(gòu)的一部分的電路圖。開關(guān)電容型D/A變換器的開關(guān)可以分類為在數(shù)字信號的各位為1時(shí)導(dǎo)通的第一開關(guān)組M11，和為0時(shí)導(dǎo)通的第二開關(guān)組M12。并且，經(jīng)由反相器502、504對第一開關(guān)組Mll 和第二開關(guān)組M12上提供柵極信號Gl、G2。N溝道MOSFET在其柵極上施加高電平電壓時(shí)導(dǎo)通，施加低電平電壓時(shí)關(guān)斷。從反相器502、504輸出的柵極信號Gl、G2的高電平電壓為電源電壓Vdd，低電平電壓為接地電壓Vgnd。因此，各開關(guān)的導(dǎo)通電阻取決于電源電壓Vdd。也就是，當(dāng)電源電壓Vdd上重疊噪音時(shí)，存在開關(guān)的導(dǎo)通電阻變化，D/A變換器的電源電壓抑制比(PSRR=Power Supply Rejection Ratio)惡化的問題。特別地，在使用電荷泵電路和開關(guān)調(diào)節(jié)器等DC/DC變換器的輸出電壓作為電源電壓Vdd的情況下，PSRR的惡化是顯著的。當(dāng)將相關(guān)的D/A變換器用于音頻信號處理時(shí)，還產(chǎn)生音質(zhì)惡化的問題。以上的考慮不是作為本實(shí)用新型領(lǐng)域中的公知常識的范圍所能夠發(fā)現(xiàn)的。進(jìn)一步地說，上述考慮本身是本申請人最先想到的。本實(shí)用新型鑒于上述情況而完成，本實(shí)用新型的一實(shí)施方式的一個(gè)示例性目的是提供一種改善PSRR的開關(guān)電容型D/A變換器。本實(shí)用新型的一實(shí)施方式涉及一種接受m位(m是自然數(shù))的輸入數(shù)據(jù)并輸出與其值相對應(yīng)的模擬信號的開關(guān)電容型D/A變換器。開關(guān)電容型D/A變換器包括分別對輸入數(shù)據(jù)的每一位設(shè)置的m個(gè)開關(guān)電路，其分別包含在輸入數(shù)據(jù)的對應(yīng)位為1時(shí)導(dǎo)通、為0時(shí)關(guān)斷的第一開關(guān)組和在對應(yīng)位為0時(shí)導(dǎo)通、為1時(shí)關(guān)斷的第二開關(guān)組；第一反相器，其將柵極信號輸出到第一開關(guān)組的各開關(guān)；以及第二反相器，其將柵極信號輸出到第二開關(guān)組的各開關(guān)。第一開關(guān)組和第二開關(guān)組的各開關(guān)由P溝道MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)構(gòu)成。在第一反相器和第二反相器的各下側(cè)電源端子上施加接地電壓。根據(jù)該實(shí)施方式，由于在P溝道MOSFET應(yīng)該導(dǎo)通的期間，其柵極上被施加接地電壓，所以開關(guān)的導(dǎo)通電阻難以受到電源電壓變化的影響，從而可以改善PSRR。P溝道MOSFET的背柵極可以被固定在比輸入到第一反相器和第二反相器的上側(cè)電源端子上的電壓低的電位。P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻比N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻高。因此，通過將P溝道 MOSFET的背柵極不是固定在電源電壓，而是固定在比其低的電壓，可以使導(dǎo)通電阻降低，以補(bǔ)償P溝道MOSFET的缺點(diǎn)?？梢栽诘谝?、第二反相器的上側(cè)電源端子上提供DC/DC變換器的輸出電壓。當(dāng)DC/DC變換器的輸出電壓上重疊開關(guān)噪音時(shí)，在使用P溝道MOSFET作為開關(guān)的情況下，可以得到PSRR不受開關(guān)噪音影響的效果。本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式涉及一種開關(guān)電容型D/A變換器。該開關(guān)電容型D/ A變換器包括分別對輸入數(shù)據(jù)的每一位設(shè)置的m個(gè)開關(guān)電路，其分別包含在輸入數(shù)據(jù)的對應(yīng)位為1時(shí)導(dǎo)通、為0時(shí)關(guān)斷的第一開關(guān)組和在對應(yīng)位為0時(shí)導(dǎo)通、為1時(shí)關(guān)斷的第二開關(guān)組；第一反相器，其將柵極信號輸出到第一開關(guān)組的各開關(guān)；第二反相器，其將柵極信號輸出到第二開關(guān)組的各開關(guān)；帶隙基準(zhǔn)(band gap reference)電路，其生成基準(zhǔn)電壓；以及線性調(diào)節(jié)器(Linear Regulator)，其輸出與基準(zhǔn)電壓相對應(yīng)的電壓。第一開關(guān)組和第二開關(guān)組的各開關(guān)由 N 溝道 MOSFET (Metal Oxide SemiconductorFieldEffectTransistor)構(gòu)成，對第一反相器和第二反相器的上側(cè)電源端子提供線性調(diào)節(jié)器的輸出電壓。由于線性調(diào)節(jié)器根據(jù)來自帶隙基準(zhǔn)電路的基準(zhǔn)電壓而生成電壓，所以其輸出電壓具有高PSRR，從第一、第二反相器輸出的柵極信號的高電平電壓也具有高PSRR。因此，即使使用N溝道MOSFET作為開關(guān)，也可以抑制其導(dǎo)通電阻的變化，并且可以抑制D/A變換器的 PSRR的惡化或者改善PSRR。本實(shí)用新型的又一實(shí)施方式涉及一種開關(guān)電容型D/A變換器。該開關(guān)電容型D/ A變換器包括分別對輸入數(shù)據(jù)的每一位設(shè)置的m個(gè)開關(guān)電路，其分別包含在輸入數(shù)據(jù)的對應(yīng)位為1時(shí)導(dǎo)通、為O時(shí)關(guān)斷的第一傳輸門組和在對應(yīng)位為O時(shí)導(dǎo)通、為1時(shí)關(guān)斷的第二傳輸門組；第一反相器，將柵極信號輸出到第一傳輸門組的N溝道MOSFET和第二傳輸門組的 P溝道MOSFET ；第二反相器，其將柵極信號輸出到第一傳輸門組的P溝道MOSFET和第二傳輸門組的N溝道MOSFET ；帶隙基準(zhǔn)電路，其生成基準(zhǔn)電壓；以及線性調(diào)節(jié)器，其接受基準(zhǔn)電壓。在第一反相器和第二反相器的下側(cè)電源端子上施加接地電壓，在第一反相器和第二反相器的上側(cè)電源端子上施加線性調(diào)節(jié)器的輸出電壓。根據(jù)該實(shí)施方式，可以抑制P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻和N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻的變化，并且可以抑制D/A變換器的PSRR的惡化或者改善PSRR。輸入數(shù)據(jù)可以是數(shù)字音頻信號。根據(jù)上述任何一種實(shí)施方式的D/A變換器，可以實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的音頻信號處理。并且，作為本實(shí)用新型的實(shí)施方式，以上的構(gòu)成要素的任意組合或在方法、裝置等之間變換本實(shí)用新型的表現(xiàn)形式而得到的都是有效的。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施方式，可以改善PSRR。

圖1是示出開關(guān)電容型D/A變換器的結(jié)構(gòu)的一部分的電路圖。圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的開關(guān)電容型D/A變換器的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖3是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的D/A變換器的電源部的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖4是示出根據(jù)第三實(shí)施方式的D/A變換器的一部分結(jié)構(gòu)的電路圖。圖5是示出圖2的第一運(yùn)算部和第二運(yùn)算部的變形例的電路圖。標(biāo)號說明100. . . D/A變換器，10...開關(guān)電路，12...第一反相器，14...第二反相器， 20ρ· · ·第一運(yùn)算部，20η. · ·第二運(yùn)算部，22. · ·運(yùn)算放大器，Ci. · ·輸入電容器，SWl. · ·第一開關(guān)，SW2...第二開關(guān)，SW3...第三開關(guān)，SW4...第四開關(guān)，SW5...第五開關(guān)，SW6...第六開關(guān)，SWI...第七開關(guān)，SW8...第八開關(guān)，Cl...第一電容器，C2...第二電容器，12...第一反相器，14...第二反相器，30...帶隙基準(zhǔn)電路，32...啟動(dòng)電路，34...第一線性調(diào)節(jié)器，36...第二線性調(diào)節(jié)器，40. . . DC/DC變換器。
具體實(shí)施方式
在下文中，將參考優(yōu)選實(shí)施方式和附圖說明本實(shí)用新型。在各圖中示出的相同的或相等的構(gòu)成要素、部件、處理賦予相同的符號，并且適當(dāng)?shù)厥÷灾貜?fù)的說明。此外，實(shí)施方式不是限定本實(shí)用新型而是示例性的，在實(shí)施方式中記載的所有特征及其組合不限為一定是本實(shí)用新型的本質(zhì)。在本說明書中，所謂的“部件A與部件B連接的狀態(tài)”除了部件A和部件B物理地直接連接的情況以外，還包含部件A和部件B經(jīng)由對它們的電氣連接狀態(tài)沒有實(shí)質(zhì)影響的、 或不會(huì)損壞由它們的結(jié)合所起的功能和效果的其他部件間接連接的情況。同樣地，所謂的“部件C設(shè)置在部件A和部件B之間的狀態(tài)”除了部件A和部件C 或部件B和部件C直接連接的情況以外，還包含經(jīng)由對它們的電氣連接狀態(tài)沒有實(shí)質(zhì)影響的、或不會(huì)損壞由它們的結(jié)合所起的功能和效果的其他部件間接連接的情況。(第一實(shí)施方式)圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的開關(guān)電容型D/A變換器100的結(jié)構(gòu)的電路圖。D/A變換器100接受m位(m是自然數(shù))的輸入數(shù)據(jù)Vdate1 Vdatem，輸出與其值相對應(yīng)的差動(dòng)模擬信號。輸入數(shù)據(jù)示例為數(shù)字音頻信號。D/A變換器100包括分別對輸入數(shù)據(jù)的各位Vdata1 Vdatem中的每一位設(shè)置的m 個(gè)開關(guān)電路IO1 IOm、對各位Vdate1 Vdatem中的每一位設(shè)置的m個(gè)輸入電容器對(CiH/ CiD1 (CiH/CiL)m、開關(guān)SWl SW4、第一運(yùn)算部20p、第二運(yùn)算部20η。對D/A變換器100的端子IVPm七分別提供上側(cè)基準(zhǔn)電壓VH、中間基準(zhǔn)電壓VM、下側(cè)基準(zhǔn)電壓\。由于開關(guān)電路IO1-IOm具有相同的結(jié)構(gòu)，所以著眼于第一位的開關(guān)電路101來說明其結(jié)構(gòu)。開關(guān)電路10包括第一輸入端子mH、第二輸入端子I隊(duì)、第一輸出端子ουτρ、第二輸出端子0UTn。開關(guān)電路IOi在數(shù)據(jù)Vdatei為1(高電平)時(shí)，將第一輸出端子OUTp和第一輸入端子INh連接，將第二輸出端子OUTn和第二輸入端子I隊(duì)連接。開關(guān)電路IOi在數(shù)據(jù)Vdatei為1(高電平)時(shí)，將第一輸出端子OUTp和第一輸入端子INh連接，將第二輸出端子OUTn和第二輸入端子I隊(duì)連接。相反地，開關(guān)電路IOi在數(shù)據(jù)Vdatei為0(低電平)時(shí)，將第一輸出端子OUTp和第二輸入端子I隊(duì)連接，將第二輸出端子OUTn和第一輸入端子mH連接。開關(guān)電路IOi包含在輸入數(shù)據(jù)的對應(yīng)位Vdatei為1時(shí)導(dǎo)通、為0時(shí)關(guān)斷的第一開關(guān)組Ml、M4，和在輸入數(shù)據(jù)的對應(yīng)位Vdatei為0時(shí)導(dǎo)通、為1時(shí)關(guān)斷的第二開關(guān)組M2、M4。在本實(shí)施方式中，開關(guān)Ml M4由P溝道MOSFET構(gòu)成。第二反相器14將Vdatei 反向，并作為柵極信號提供給第二開關(guān)組M2、M3。第一反相器12將第二反相器14的輸出信號反向，并作為柵極信號提供給第一開關(guān)組Ml、M4。如圖2的右下部分所示，在第一反相器12和第二反相器14的各下側(cè)電源端子上施加接地電壓(OV)。此外，在第一反相器12和第二反相器14的各上側(cè)電源端子上施加電源電壓Vdd。電源電壓Vdd通過DC/DC變換器40生成。P溝道MOSFET的背柵極被固定在比輸入到第一反相器12和第二反相器14的上側(cè)電源端子上的電壓Vdd低的電位Vh。輸入電容器CiH1 CiHm的第一端子之間共同連接。此外，輸入電容器CiHi的第二端子與開關(guān)電路IOi的第一輸入端子mH連接。輸入電容器CiL1 CiLm的第一端子之間共同連接。此外，輸入電容器CiLi的第二端子與開關(guān)電路IOi的第二輸入端子I隊(duì)連接。D/A變換器100與時(shí)鐘信號同步地交替重復(fù)第一狀態(tài)Φ 1和第二狀態(tài)Φ 2。圖2 的各開關(guān)的導(dǎo)通、關(guān)斷狀態(tài)與第一狀態(tài)Φ 1相對應(yīng)，在圖2中關(guān)斷的開關(guān)在第二狀態(tài)Φ 2中導(dǎo)通。第一開關(guān)SWl設(shè)置在輸入電容器CiH1 CiHm共同連接的第一端子和施加上側(cè)基準(zhǔn)電壓Vh的端子之間。第三開關(guān)SW3設(shè)置在輸入電容器CiH1 CiHm共同連接的第一端子和施加中間基準(zhǔn)電壓\的端子Pm之間。第二開關(guān)SW2設(shè)置在輸入電容器CiL1 CiLm共同連接的第一端子和施加下側(cè)基準(zhǔn)電壓\的端子&之間。第四開關(guān)SW4設(shè)置在輸入電容器CiL1 CiLm共同連接的第一端子和施加中間基準(zhǔn)電壓\的端子Pm之間。第一運(yùn)算部20p的輸入端子Pi與開關(guān)電路IO1 IOm的各第一輸出端子OUTp共同連接。第一運(yùn)算部20p包括運(yùn)算放大器22、第一電容器Cl、第二電容器C2、和第五開關(guān) SW5 第八開關(guān)SW8。在運(yùn)算放大器22的同相輸入端子上輸入基準(zhǔn)電壓。第五開關(guān)SW5設(shè)置在輸入端子Pi和基準(zhǔn)電壓端子之間，第六開關(guān)SW6設(shè)置在運(yùn)算放大器22的同相輸入端子和輸入端子Pi之間。第一電容器Cl設(shè)置在運(yùn)算放大器22的同相輸入端子和輸出端子之間。第七開關(guān)SW7和第二電容器C2依次串聯(lián)地設(shè)置在運(yùn)算放大器22的輸出端子和輸入端子Pi之間。第八開關(guān)SW8設(shè)置在第七開關(guān)SW7與第二電容器C2的連接點(diǎn)和基準(zhǔn)電壓端子之間。第二運(yùn)算部20η與第一運(yùn)算部20ρ具有相同的結(jié)構(gòu)，在其輸入端子Pi上共同地連接開關(guān)電路IO1 IOm的各第二輸出端子OUTn。
7[0056]以上是D/A變換器100的結(jié)構(gòu)。接下來，說明其動(dòng)作。作為P溝道MOSFET的開關(guān)組Ml M4在來自反相器12、14的柵極信號為低電平即接地電壓OV時(shí)導(dǎo)通。接地電壓OV在即使電源電壓Vdd變化時(shí)也不受其影響，或者即使受到影響，其影響也是非常小的。也就是，開關(guān)組Ml M4的導(dǎo)通電阻即使在電源電壓Vdd 變化時(shí)，也幾乎不改變。因此，根據(jù)圖1的D/A變換器100，與將N溝道MOSFET用于開關(guān)Ml M4的情況相比，可以改善PSRR特性。具體地，相對于在使用N溝道MOSFET的情況下PSRR是60dB左右，通過使用P溝道M0SFET，可以改善到90dB左右。這是非常顯著的效果。根據(jù)以上內(nèi)容，可以優(yōu)選地將D/A變換器100用于要求PSRR特別高的音頻信號處理中。此外，P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻由于比相同尺寸的N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻大， 所以當(dāng)要得到與采用N溝道MOSFET時(shí)相同的導(dǎo)通電阻時(shí)，需要增大P溝道MOSFET的面積。雖然一般更在P溝道MOSFET的背柵極上包加電源電壓Vdd，但是在圖2的D/A變換器100中，在開關(guān)Ml M4的背柵極上施加的是比電源電壓Vdd低的電壓，具體地是上側(cè)基準(zhǔn)電壓VH。由此，可以使P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻降低，并且不需要那樣地增大P溝道 MOSFET的尺寸，可以抑制電路面積的增加。如上所述，晶體管Ml M4的導(dǎo)通電阻不受電源電壓Vdd的影響。因此，作為電源電壓Vdd，可以使用變化量大的DC/DC變換器的輸出電壓。由于DC/DC變換器的變換效率比線性調(diào)節(jié)器的更好，所以通過采用D/A變換器100，可以降低系統(tǒng)整體的消耗功率。(第二實(shí)施方式)第二實(shí)施方式說明通過與第一實(shí)施方式不同的方法改善PSRR的技術(shù)。圖3是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的D/A變換器IOOa的電源部的結(jié)構(gòu)的電路圖。在第二實(shí)施方式中，構(gòu)成D/A變換器100的開關(guān)電路10的開關(guān)Ml M4由N溝道MOSFET構(gòu)成。D/A變換器IOOa的電源部包括DC/DC變換器40、帶隙基準(zhǔn)電路30、啟動(dòng)電路32、 第一線性調(diào)節(jié)器34、第二線性調(diào)節(jié)器36。DC/DC變換器40接受3V左右的輸入電壓，并將其變換為1.8V左右的電源電壓 Vdd0輸入電壓例如也可以是電池電壓。帶隙基準(zhǔn)電路30生成1. 2V左右的基準(zhǔn)電壓VBeK。啟動(dòng)電路32設(shè)置用于啟動(dòng)帶隙基準(zhǔn)電路30。帶隙基準(zhǔn)電路30和啟動(dòng)電路32采用公知的技術(shù)構(gòu)成即可。在帶隙基準(zhǔn)電路 30的輸出端子連接電容器CBeK。并且，在帶隙基準(zhǔn)電路30的誤差放大器EA的電源端子上可以提供電源電壓Vdd，也可以提供由后級的第一線性調(diào)節(jié)器34生成的第二電源電壓Vdd‘。第一線性調(diào)節(jié)器34包含接受基準(zhǔn)電壓Vbct的電壓跟隨器，并生成1. 2V左右的第二電源電壓Vdd'。第二電源電壓Vdd'被提供到第一反相器12和第二反相器14的上側(cè)電源端子上。此外，第一線性調(diào)節(jié)器34將第二電源電壓Vdd'分壓，并生成共模(common) 電壓Vcom0第二線性調(diào)節(jié)器36接受公共電壓Vcom，生成上側(cè)基準(zhǔn)電壓Vh、中間基準(zhǔn)電壓VM、下側(cè)基準(zhǔn)電壓\。在第二線性調(diào)節(jié)器36的產(chǎn)生上側(cè)基準(zhǔn)電壓Vh的端子上，外接平滑用的電容器C10。上側(cè)基準(zhǔn)電壓Vh被提供到第一反相器12和第二反相器14的上側(cè)電源端子上。[0071]以上是D/A變換器IOOa的結(jié)構(gòu)。由于上側(cè)基準(zhǔn)電壓Vh是基于基準(zhǔn)電壓Vbct由第一線性調(diào)節(jié)器34和第二線性調(diào)節(jié)器36生成的，所以不受電源電壓Vdd變化的影響，具有穩(wěn)定的電壓電平。因此，作為N溝道MOSFET的晶體管Ml M4的導(dǎo)通電阻難以受到電源電壓 Vdd變化的影響。根據(jù)圖3的D/A變換器100a，可以將N溝道MOSFET用于開關(guān)Ml M4，并且改善 PSRR0并且，在第一實(shí)施方式中，可以對第一反相器12和第二反相器14的上側(cè)電源端子上提供由圖3的第一線性調(diào)節(jié)器34生成的第二電源電壓Vdd'。(第三實(shí)施方式)第三實(shí)施方式可以理解為第一和第二實(shí)施方式的組合。圖4是示出根據(jù)第三實(shí)施方式的D/A變換器IOOb的一部分結(jié)構(gòu)的電路圖。由于D/A變換器IOOb的電源部與圖3的電源部同樣地構(gòu)成即可，所以省略。在D/A變換器IOOb中，構(gòu)成開關(guān)電路IOb的開關(guān)由傳輸門TG構(gòu)成。傳輸門TG包含P溝道MOSFET和N溝道M0SFET。對第一反相器12和第二反相器14的上側(cè)電源端子提供第二電源電壓Vdd’，并且對它們的下側(cè)電源端子提供接地電壓0V。通過第三實(shí)施方式，可以降低構(gòu)成開關(guān)電路10的開關(guān)的導(dǎo)通電阻，并且得到高的 PSRR0以上基于實(shí)施方式說明了本實(shí)用新型。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，該實(shí)施方式是示例性的，它們的各構(gòu)成要素和各處理工藝可以組合為各種各樣的變形例，并且這些變形例也在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。下面，將說明這些變形例。在圖2中示出的電容器和開關(guān)是拓?fù)涞囊粋€(gè)例子，本實(shí)用新型可以適用于已知的、或?qū)砜墒褂玫母鞣N拓?fù)涞拈_關(guān)電容型D/A變換器。圖5是示出圖2的第一運(yùn)算部20p 和第二運(yùn)算部20η的變形例的電路圖。在圖5中，第一運(yùn)算部20ρ和第二運(yùn)算部20η構(gòu)成為共用單個(gè)差動(dòng)放大器23，來代替兩個(gè)運(yùn)算放大器22。電容器和開關(guān)的拓?fù)渑c圖2的相同。雖然在實(shí)施方式中說明了差動(dòng)輸出的D/A變換器，但是本實(shí)用新型也可以適用于單端形式的D/A變換器。雖然根據(jù)實(shí)施方式采用具體的用語說明了本實(shí)用新型，但是實(shí)施方式只不過示出本實(shí)用新型的原理、應(yīng)用，在不脫離權(quán)利要求的范圍所規(guī)定的本實(shí)用新型的思想的范圍內(nèi)， 可以對實(shí)施方式進(jìn)行多個(gè)變形例和配置的改變。
權(quán)利要求1.一種開關(guān)電容型D/A變換器，接受m位的輸入數(shù)據(jù)，并輸出與其值相對應(yīng)的模擬信號，其中m是自然數(shù)，其特征在于，包括分別對所述輸入數(shù)據(jù)的每一位設(shè)置的m個(gè)開關(guān)電路，其分別包含在所述輸入數(shù)據(jù)的對應(yīng)位為1時(shí)導(dǎo)通、為0時(shí)關(guān)斷的第一開關(guān)組和在所述對應(yīng)位為0時(shí)導(dǎo)通、為1時(shí)關(guān)斷的第二開關(guān)組；第一反相器，其將柵極信號輸出到所述第一開關(guān)組的各開關(guān)；以及第二反相器，其將柵極信號輸出到所述第二開關(guān)組的各開關(guān)， 所述第一開關(guān)組和所述第二開關(guān)組的各開關(guān)由P溝道MOSFET構(gòu)成， 在所述第一反相器和所述第二反相器的各下側(cè)電源端子上施加接地電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電容型D/A變換器，其特征在于，所述P溝道MOSFET的背柵極被固定在比輸入到所述第一反相器和所述第二反相器的上側(cè)電源端子上的電壓低的電位。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的開關(guān)電容型D/A變換器，其特征在于，對所述第一反相器、第二反相器的上側(cè)電源端子上提供DC/DC變換器的輸出電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的開關(guān)電容型D/A變換器，其特征在于，所述輸入數(shù)據(jù)是數(shù)字音頻信號。
5.一種開關(guān)電容型D/A變換器，接受m位的輸入數(shù)據(jù)，并輸出與其值相對應(yīng)的模擬信號，其中m是自然數(shù)，其特征在于，包括分別對所述輸入數(shù)據(jù)的每一位設(shè)置的m個(gè)開關(guān)電路，其分別包含在所述輸入數(shù)據(jù)的對應(yīng)位為1時(shí)導(dǎo)通、為0時(shí)關(guān)斷的第一開關(guān)組和在所述對應(yīng)位為0時(shí)導(dǎo)通、為1時(shí)關(guān)斷的第二開關(guān)組；第一反相器，其將柵極信號輸出到所述第一開關(guān)組的各開關(guān)； 第二反相器，其將柵極信號輸出到所述第二開關(guān)組的各開關(guān)； 帶隙基準(zhǔn)電路，其生成基準(zhǔn)電壓；以及線性調(diào)節(jié)器，其輸出與所述基準(zhǔn)電壓相對應(yīng)的電壓， 所述第一開關(guān)組和所述第二開關(guān)組的各開關(guān)由N溝道MOSFET構(gòu)成， 對所述第一反相器和所述第二反相器的上側(cè)電源端子上提供所述線性調(diào)節(jié)器的輸出電壓。
6.一種開關(guān)電容型D/A變換器，接受m位的輸入數(shù)據(jù)，并輸出與其值相對應(yīng)的模擬信號，其中m是自然數(shù)，其特征在于，包括分別對所述輸入數(shù)據(jù)的每一位設(shè)置的m個(gè)開關(guān)電路，其分別包含在所述輸入數(shù)據(jù)的對應(yīng)位為1時(shí)導(dǎo)通、為0時(shí)關(guān)斷的第一傳輸門組和在所述對應(yīng)位為0時(shí)導(dǎo)通、為1時(shí)關(guān)斷的第二傳輸門組；第一反相器，其將柵極信號輸出到所述第一傳輸門組的N溝道MOSFET和所述第二傳輸門組的P溝道MOSFET ；第二反相器，其將柵極信號輸出到所述第一傳輸門組的P溝道MOSFET和所述第二傳輸門組的N溝道MOSFET ；帶隙基準(zhǔn)電路，其生成基準(zhǔn)電壓；以及線性調(diào)節(jié)器，其接受所述基準(zhǔn)電壓，在所述第一反相器和所述第二反相器的下側(cè)電源端子上施加接地電壓， 在所述第一反相器和所述第二反相器的上側(cè)電源端子上施加所述線性調(diào)節(jié)器的輸出電壓。
專利摘要本實(shí)用新型提供開關(guān)電容型D/A變換器，改善開關(guān)電容型D/A變換器的PSRR。開關(guān)電容型D/A變換器(100)，接受m位(m是自然數(shù))的輸入數(shù)據(jù)，并輸出與其值相對應(yīng)的模擬信號。開關(guān)電路(10)分別對輸入數(shù)據(jù)的每一位設(shè)置，并且分別包含在輸入數(shù)據(jù)的對應(yīng)位為1時(shí)導(dǎo)通、為0時(shí)關(guān)斷的第一開關(guān)組(M1、M4)和在對應(yīng)位為0時(shí)導(dǎo)通、為1時(shí)關(guān)斷的第二開關(guān)組(M2、M3)。第一開關(guān)組和第二開關(guān)組的各開關(guān)(M1～M4)由P溝道MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)構(gòu)成。在將柵極信號(G1、G2)提供給開關(guān)(M1～M4)的第一反相器(12)和第二反相器(14)的各下側(cè)電源端子上施加接地電壓0V。
文檔編號H03M1/66GK202340220SQ20112032727
公開日2012年7月18日 申請日期2011年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月15日
發(fā)明者中村圭 申請人:羅姆股份有限公司