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一種電平轉(zhuǎn)換電路的制作方法

文檔序號:7523611閱讀:158來源:國知局
專利名稱:一種電平轉(zhuǎn)換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種雙向數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娖睫D(zhuǎn)換電路。
背景技術(shù)
在電子電路的設(shè)計中經(jīng)常會用到不同電平接口電路的設(shè)計需求,傳統(tǒng)的方法是采用集成電路或三極管電路進行電平轉(zhuǎn)換,其缺點是成本偏高或無法進行雙向轉(zhuǎn)換。在多組信號需要電平轉(zhuǎn)換的情況下,采用專用集成電路會有較高的元器件成本。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供了一種電平轉(zhuǎn)換電路,采用通用元器件,不僅性能可靠,而且成本低廉,可在大多數(shù)情況下可取代傳統(tǒng)電路,其特點是利用MOS管內(nèi)部的保護二極管實現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸與隔離,從而達到一舉兩得的目的。本實用新型提供的一種電平轉(zhuǎn)換電路,包括一個MOS管Q1,三個電阻R1、R2、R3,一個電容Cl ;所述MOS管Ql的D極通過電阻Rl與電壓端VCCl連接,所述MOS管Ql的D極還連接第一信號端口 ;所述MOS管Ql的G極和S極分別通過電阻R2和R3與電源端VCC2 相連接,MOS管Ql的G極到地線之間串接一個電容Cl,所述MOS管Ql的S極還連接第二信
號端口。進一步,當所述MOS管Ql為N溝道MOS管,電壓端VCCl電壓大于電壓端VCC2 ;當所述MOS管Ql為P溝道MOS管,電壓端VCCl電壓小于電壓端VCC2。本實用新型的電路采用通用元器件,不僅性能可靠,而且成本低廉,可在大多數(shù)情況下取代傳統(tǒng)電路,在雙路或幾路信號需要電平轉(zhuǎn)換且要求雙向傳輸時,就有較高的性價比,如傳輸IIC信號、VGA的H/V信號等,可利用MOS管內(nèi)部的保護二極管實現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸與隔離。當需要多組信號同時雙向傳輸與電平轉(zhuǎn)換時,可采用雙MOS管封裝或多MOS管封裝的器件構(gòu)成多組所述電平轉(zhuǎn)換電路進一步降低成本。

圖1是本實用新型實施例提供的一種電平轉(zhuǎn)換電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本實用新型作進一步地詳細描述。如圖1所示,本實用新型實施例提供一種電平轉(zhuǎn)換電路,包括一個MOS管Ql,三個電阻R1、R2、R3,一個電容Cl ;所述MOS管Ql的D極通過電阻Rl與電壓端VCCl連接,所述 MOS管Ql的D極還連接第一信號端口 A ;所述MOS管Ql的G極和S極分別通過電阻R2和 R3與電源端VCC2相連接,MOS管Ql的G極到地線之間串接一個電容Cl,所述MOS管Ql的
S極還連接第二信號端口 B。[0010]當所述MOS管Ql為N溝道MOS管時,VCCl與第一信號端口 A的電平一致,VCC2與第二信號端口 B的電平一致,電壓端VCCl電壓大于電壓端VCC2。電容Cl用于提高電路可靠性,防止MOS管的柵極-G受到外界干擾而發(fā)生誤動作。第一信號端口 A向第二信號端口 B傳輸數(shù)據(jù)過程為A端口輸入高電平時Ql的D-S 極二極管截止,則B端口輸出VCC2對應(yīng)的高電平;A端口輸入低電平時Ql的D-S極二極管導(dǎo)通,則B端口輸出低電平。 第二信號端口 B向第一信號端口 A傳輸數(shù)據(jù)過程為B端口輸入高電平時Ql的D-S 截止,則A端口輸出VCCl對應(yīng)的高電平;B端口輸入低電平時Ql的D-S極導(dǎo)通,則A端口輸出低電平。因此,該電路不僅能夠轉(zhuǎn)換電平,而且能夠雙向傳輸數(shù)據(jù)。當所述MOS管Ql為P溝道MOS管時,電壓端VCCl電壓小于電壓端VCC2。第一信號端口 A與第二信號端口 B之間傳輸數(shù)據(jù)的原理與上述一致。本實用新型的電路采用通用元器件,不僅性能可靠,而且成本低廉,可在大多數(shù)情況下取代傳統(tǒng)電路,在雙路或幾路信號需要電平轉(zhuǎn)換且要求雙向傳輸時,就有較高的性價比,如傳輸Iic信號、VGA的H/V信號等,可利用MOS管內(nèi)部的保護二極管實現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸與隔離。
權(quán)利要求1.一種電平轉(zhuǎn)換電路,其特征在于,包括一個MOS管Q1,三個電阻R1、R2、R3,一個電容 Cl ;所述MOS管Ql的D極通過電阻Rl與電壓端VCCl連接,所述MOS管Ql的D極還連接第一信號端口 ;所述MOS管Ql的G極和S極分別通過電阻R2和R3與電源端VCC2相連接, MOS管Ql的G極到地線之間串接一個電容Cl,所述MOS管Ql的S極還連接第二信號端口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述電平轉(zhuǎn)換電路,其特征在于,所述MOS管Ql為N溝道MOS管,電壓端VCCl電壓大于電壓端VCC2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述電平轉(zhuǎn)換電路,其特征在于,所述MOS管Ql為P溝道MOS管,電壓端VCCl電壓小于電壓端VCC2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述電平轉(zhuǎn)換電路,其特征在于,多個所述電平轉(zhuǎn)換電路可組合封裝在一起。
專利摘要本實用新型公開了一種電平轉(zhuǎn)換電路,包括一個MOS管Q1,三個電阻R1、R2、R3,一個電容C1;所述MOS管Q1的D極通過電阻R1與電壓端VCC1連接,所述MOS管Q1的D極還連接第一信號端口;所述MOS管Q1的G極和S極分別通過電阻R2和R3與電源端VCC2相連接,MOS管Q1的G極到地線之間串接一個電容C1,所述MOS管Q1的S極還連接第二信號端口。所述MOS管Q1為N溝道MOS管,VCC1電壓大于VCC2。所述MOS管Q1為P溝道MOS管,VCC1電壓小于VCC2。本實用新型電路不僅性能可靠,而且成本低廉,利用MOS管內(nèi)部的保護二極管實現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸與隔離。當需要多組信號同時雙向傳輸與電平轉(zhuǎn)換時,可采用雙MOS管封裝或多MOS管封裝的器件構(gòu)成多組所述電平轉(zhuǎn)換電路進一步降低成本。
文檔編號H03K19/0185GK202068396SQ20112004874
公開日2011年12月7日 申請日期2011年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月28日
發(fā)明者屈朋偉 申請人:廣州視源電子科技有限公司
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