專利名稱：聲表面波裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在諧振器和濾波器等中所使用的聲表面波(surface acoustic wave) 裝置，更詳細(xì)地，涉及在IDT電極上層疊有多層絕緣膜的聲表面波裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，在諧振器和頻帶濾波器等中廣泛使用聲表面波裝置。例如，在下述的專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了圖14所示的聲表面波諧振濾波器。該聲表面波諧振濾波器1001具有X切LiTaO3基板1002。在X切LiTaO3基板1002上形成有由IDT 電極1003、1004以及反射器1005、1006構(gòu)成的電極構(gòu)造。按照覆蓋該電極構(gòu)造的方式來(lái)層疊 SiO2 膜 1007。在此，在使用聲表面波的基于基本模式的響應(yīng)，設(shè)聲表面波的波長(zhǎng)為λ時(shí)，SiO2膜 1007的膜厚H被設(shè)為5% < H/λ <15%的范圍。由此，能謀求頻率溫度特性的改善以及機(jī)電耦合系數(shù)的增大。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 JP特開(kāi)平07-254835號(hào)公報(bào)發(fā)明的概要發(fā)明要解決的課題近年來(lái)，在電子設(shè)備中，高頻化更進(jìn)一步推進(jìn)。在聲表面波諧振濾波器1001中，為了謀求高頻化，在IDT電極1003、1004中，需要縮窄電極指間距。但是，若縮窄電極指間距， 則會(huì)導(dǎo)致IDT1003以及1004的加工困難，可能會(huì)降低成品率。另外，會(huì)產(chǎn)生浪涌電壓耐受性降低、可靠性降低的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的現(xiàn)狀，提高一種即使在謀求了高頻化的情況下，也能提高成品率且難以降低浪涌電壓耐受性等的可靠性的聲表面波裝置。用于解決課題的手段根據(jù)本發(fā)明提供一種聲表面波裝置，具備壓電基板；形成于所述壓電基板上的 IDT電極；在所述壓電基板上按照覆蓋所述IDT電極的上表面的方式而形成的第1絕緣膜； 和在所述第1絕緣膜上形成的至少一層的第2絕緣膜，所述聲表面波裝置利用SH波的高階模式，并且，與在所述至少一層的第2絕緣膜中的位于最外表面的絕緣膜中傳播的聲表面波的音速相比，位于較該最外表面的絕緣膜而更接近IDT電極的一側(cè)的至少一層的絕緣膜的聲表面波的音速更快。在本發(fā)明所涉及的聲表面波裝置的某特定的局面下，位于所述最外表面的絕緣膜由氧化硅構(gòu)成，且其膜厚為所述聲表面波的波長(zhǎng)的45 %以上且85 %以下，最外表面的絕緣膜以外的絕緣膜由從氮化硅、氧化鋁以及碳化硅構(gòu)成的組中選擇出的一種絕緣材料構(gòu)成，且膜厚為聲表面波的波長(zhǎng)的5%以上且21%以下。這種情況下，不僅難以產(chǎn)生成品率以及可靠性的降低，還能使所利用的SH波的基于高階模式的響應(yīng)進(jìn)一步增大，且能更加有效地抑制成為寄生的基本模式。在本發(fā)明所涉及的聲表面波裝置的其它的特定的局面下，所述至少一層的第2絕緣膜由一層的第2絕緣膜構(gòu)成，該第2絕緣膜由氧化硅構(gòu)成，第1絕緣膜由從氮化硅、氧化鋁以及碳化硅構(gòu)成的組中選擇出的一種絕緣材料構(gòu)成。在該情況下，由于僅有一層的第2 絕緣膜，因此能起到簡(jiǎn)化絕緣膜層疊構(gòu)造的作用。在本發(fā)明所涉及的聲表面波裝置的另外的特定的局面下，所述壓電基板由LiNbO3 基板構(gòu)成，該1^他03基板的歐拉角為(0°，62° 165°，0° )的范圍。這種情況下，能進(jìn)一步提高高階模式的機(jī)電耦合系數(shù)，且能進(jìn)一步縮小基本模式的響應(yīng)。更優(yōu)選地，所述LiNbO3 基板的歐拉角為(0°，99° 164°，0° )的范圍，這種情況下，能進(jìn)一步提高高階模式的Q值。發(fā)明的效果本發(fā)明所涉及的聲表面波裝置由于利用了 SH波的高階模式，因此與利用了基本模式的情況相比，能進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高頻化。而且，由于比起在至少一層的第2絕緣膜中的位于最外表面的絕緣膜中傳播的聲表面波的音速，位于較最外表面的絕緣膜而更接近IDT電極的一側(cè)的絕緣膜的聲表面波的音速更快，因此能使基于利用的高階模式的響應(yīng)充分大，且能抑制成為寄生的基本模式的響應(yīng)。因此，即使不太縮窄IDT電極的電極指間距，也能謀求高頻化，而且，能獲得基于該高階模式的良好的特性。因此，即使在提高高頻化的情況下，也難以產(chǎn)生成品率的降低， 且也難以產(chǎn)生可靠性的降低。


圖1(a)以及(b)是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的聲表面波裝置的主要部分的示意性的部分主視截面圖以及俯視圖。圖2是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例所涉及的聲表面波裝置的主要部分的示意性的部分主視截面圖。圖3是用于說(shuō)明為了進(jìn)行比較而準(zhǔn)備的現(xiàn)有的聲表面波裝置的一般構(gòu)造的示意性的部分主視截面圖。圖4是表示現(xiàn)有的一般的聲表面波諧振器的阻抗特性以及相位特性的圖。圖5是示意性地表示現(xiàn)有的一般的聲表面波中的基本模式以及高階模式的能量的移位分布的圖。圖6是表示在將作為第1絕緣膜的SiN的膜厚分別設(shè)為波長(zhǎng)λ的0% (沒(méi)有形成 SiN膜的情況)、10%以及20%的情況下的聲表面波諧振器的阻抗特性以及相位特性的圖。圖7是表示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的聲表面波裝置中，作為第2絕緣膜的Si02 的膜的膜厚、和基本模式以及高階模式的機(jī)電耦合系數(shù)的關(guān)系的圖。圖8是表示SiO2膜的膜厚(％ )與高階模式的聲表面波的音速之間的關(guān)系的圖。圖9是表示在本發(fā)明的第1實(shí)施方式中，作為第1絕緣膜的SiN膜的膜厚、與基本模式以及高階模式的機(jī)電耦合系數(shù)之間的關(guān)系的圖。
圖10是表示SiN膜的膜厚與高階模式的傳播損失的關(guān)系的圖。圖11是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式的聲表面波裝置中，LiNbO3基板的歐拉角(0°， θ，0° )的θ、和基本模式以及高階模式的機(jī)電耦合系數(shù)之間的關(guān)系的圖。圖12是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式的聲表面波裝置中，LiNbO3基板的歐拉角(0°， θ，0° )的θ、和基本模式以及高階模式的傳播喪失之間的關(guān)系的圖。圖13是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式中，將1^他03基板的歐拉角分別設(shè)為(0°， 86°，0° )、(0°，131°，0° )、以及(0°，155°，0° )的情況下的聲表面波裝置的阻抗特性以及相位特性的圖。圖14是用于說(shuō)明現(xiàn)有的聲表面波的主視截面圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的具體的實(shí)施方式，由此來(lái)使本發(fā)明明確。圖1(a)以及(b)是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的聲表面波裝置的主要部分的示意性的部分主視截面圖以及俯視圖。聲表面波裝置1具有壓電基板2。在本實(shí)施方式中，壓電基板2由LiNbO3基板構(gòu)成。在壓電基板2上，設(shè)有IDT電極3以及反射器4、5。在IDT電極3的聲表面波傳播方向的兩側(cè)設(shè)有反射器4、5，構(gòu)成單端口型的聲表面波諧振器。按照填滿IDT電極3的電極指間的方式，形成與IDT電極3相同厚度的氧化硅膜 6。同樣地，按照填滿反射器4、5的電極指間的方式，以與反射器4、5相同的膜厚形成上述氧化硅膜6。另一方面，按照覆蓋IDT電極3的上表面的方式，形成由氮化硅膜構(gòu)成的第1絕緣膜7。另外，在第1絕緣膜7上形成由氧化硅構(gòu)成的第2絕緣膜8。本實(shí)施方式的聲表面波裝置1利用SH波的高階模式的響應(yīng)。因此，與利用基于基本模式的響應(yīng)的情況相比，由于高階模式的音速快于基本模式的音速，因此能謀求高頻化。 換言之，能不太縮窄IDT電極3的電極指間距地來(lái)謀求高頻化。因此，即使在謀求高頻化的情況下，由于不用太提高電極加工精度，因此能提高成品率。另外，由于浪涌電壓耐受性也難以降低，因此可靠性也難以降低。此外，在本實(shí)施方式的聲表面波裝置1中，比起位于最外表面的第2絕緣膜8中的聲表面波的音速，位于IDT電極3側(cè)的第1絕緣膜7的聲表面波的音速更快。因此，如后所述，能充分增大基于高階模式的響應(yīng)，且能抑制成為寄生的基本模式的響應(yīng)。因此，能獲得利用了高階模式的良好的諧振特性。在下面對(duì)此進(jìn)行更具體的說(shuō)明。圖3是表示現(xiàn)有的一般的聲表面波裝置的示意性的部分主視截面圖。在聲表面波 1101中，在壓電基板1102上形成IDT電極1103，按照覆蓋IDT電極1103的方式形成氧化硅膜1104。在圖4中示出具有這樣的壓電基板/IDT電極/氧化硅膜的層疊構(gòu)造的聲表面波裝置1101的阻抗特性以及相位特性的一例。圖5是表示圖3所示的現(xiàn)有的一般的聲表面波裝置1101中的基本模式以及高階模式的移位分布的示意圖。如圖5所明示那樣，可知在基本模式中，移位成為最大的是形成有IDT電極1103的部分。與此相對(duì)，基于高階模式的移位成為最大的是移位為-1. 0附近的氧化硅膜1104的最外表面。該高階模式相當(dāng)于所謂的瑞利波的妹澤波(sezawa wave)。其中，在本發(fā)明中舉出的高階模式是SH波(具有與基板平行方向的移位的橫波)，其與通過(guò)P波(在波的傳播方向具有移位的縱波)和SV波(在基板的縱深方向具有移位的橫波)結(jié)合出的妹澤波在波的模式上不同。如圖4所明示明了那樣，在聲表面波裝置1101中，不僅是箭頭A所示的基本模式， 還出現(xiàn)了箭頭B所示的基于高階模式的響應(yīng)。但是，由于與基于基本模式的響應(yīng)A相比，基于高階模式的響應(yīng)B較小，因此不能利用高階模式來(lái)獲得良好的諧振特性。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式的聲表面波裝置1中，能使基于高階模式的響應(yīng)較大，能抑制基于基本模式的響應(yīng)。參照?qǐng)D6來(lái)對(duì)其進(jìn)行說(shuō)明。用以下的要領(lǐng)來(lái)作成上述實(shí)施方式的聲表面波裝置1。作為壓電基板采用切角為-4°的Y-X LiNbO3基板即歐拉角為(0°，86°，0° )的LiNbO3基板，通過(guò)Cu膜來(lái)形成 IDT電極3以及反射器4、5。Cu膜的膜厚設(shè)為聲表面波的波長(zhǎng)λ的5%。作為氧化硅膜6 的SiO2膜的厚度與IDT電極3 —樣設(shè)為波長(zhǎng)的5%。另外，作為第1絕緣膜7的SiN膜的膜厚設(shè)為波長(zhǎng)λ的0%、10%或20%，將作為第2絕緣膜8的SiO2膜的膜厚設(shè)為波長(zhǎng)λ的 50%。在圖6中示出如此獲得的3種聲表面波裝置的阻抗特性以及相位特性。如圖6所明確那樣，可知與SiN膜的膜厚為0%即不存在第1絕緣膜7的情況相比，通過(guò)使SiN膜的膜厚厚到10%以及20%，能獲得更小的基本模式的響應(yīng)。特別是在將 SiN膜的膜厚設(shè)為20%的情況，與基本模式的峰谷比相比，能使高階模式的響應(yīng)的峰谷比非常大，能進(jìn)一步增大基于高階模式的響應(yīng)，另一方面，能使基于基本模式的響應(yīng)相當(dāng)小。這是由于通過(guò)由在SiO2膜構(gòu)成的第2絕緣膜8和IDT電極之間插入由SiN膜構(gòu)成的第1絕緣膜7，能以更高的強(qiáng)度來(lái)激勵(lì)聲表面波的音速快于基本模式的音速的高階模式。 即認(rèn)為是由于比起位于最外表面的第2絕緣膜8中的聲表面波的音速，靠近IDT電極3側(cè)的第1絕緣膜7中的聲表面波的音速更快，因此能充分地激勵(lì)聲表面波的音速比基本模式更快的高階模式，另一方面，聲表面波的音速較慢的基本模式的激勵(lì)相對(duì)受到了抑制。因此，如上述實(shí)施方式所示那樣，通過(guò)將與聲表面波的音速相對(duì)較慢的第2絕緣膜8相比，聲表面波的音速相對(duì)較快的第1絕緣膜7配置于位于最外表面第2絕緣膜8的內(nèi)側(cè)，能使高階模式的響應(yīng)充分大，且能抑制基本模式的響應(yīng)。另外，在本發(fā)明中，如圖1 (b)所示，覆蓋IDT電極3的第1絕緣膜7是指覆蓋IDT 電極3的上表面的絕緣膜。因此，氧化硅膜6并不相當(dāng)于第1絕緣膜。在圖1 (b)的構(gòu)造中，按照填滿IDT電極3的電極指之間的方式來(lái)形成氧化硅膜6， 在圖2所示的變形例中，省略了絕緣膜6，第1絕緣膜7形成為填滿電極指之間的空隙。本來(lái)，根據(jù)圖1(b)所示的構(gòu)造，由于氧化硅膜6的上表面與IDT電極3的上表面為同一面，因此能通過(guò)堆疊法在上表面形成平坦的第1絕緣膜7。另外，在圖2所示的變形例中，能省略在電極指之間形成氧化硅膜6的工序。因此，能提高生產(chǎn)性。另外，在上述實(shí)施方式中，在第1絕緣膜7上層疊了一層的第2絕緣膜8，但也可以如圖1(b)中作為假想線的一點(diǎn)劃線C所示那樣，第2絕緣膜8具有由多層絕緣膜8a、8b構(gòu)成的層疊構(gòu)造。S卩，假設(shè)第2絕緣膜8具有層疊了第2絕緣膜8a以及第2絕緣膜8b的構(gòu)造，在這種情況下，只要與位于最外表面的第2絕緣膜8a相比，位于IDT電極3側(cè)的絕緣膜中的第 1絕緣膜7以及第2絕緣膜8b中的至少一層的絕緣膜的聲表面波的音速更快即可。另外，在上述實(shí)施方式中，用氧化硅來(lái)形成最外表面的絕緣膜即第2絕緣膜8，并用氮化硅膜來(lái)形成位于內(nèi)側(cè)的第1絕緣膜7，但構(gòu)成絕緣膜的材料的組合并不限于此。例如，位于最外表面的絕緣膜也可以不僅由可以氧化硅形成，還可以用氮化硅、氧化鋁或碳化硅來(lái)形成。另外，只要位于最外表面的絕緣膜8的內(nèi)側(cè)的至少一層的絕緣膜比最外表面的絕緣膜的聲表面波的音速要快，就能用氮化硅、氧化鋁、碳化硅等適宜的絕緣性材料來(lái)形成。優(yōu)選地，最外表面8的絕緣膜8如上述實(shí)施方式那樣由氧化硅構(gòu)成，位于IDT電極 3側(cè)的第1絕緣膜7由從氮化硅、氧化鋁以及碳化硅構(gòu)成的組中選擇出的一種絕緣性材料構(gòu)成。這種情況下，第1絕緣膜7的音速相對(duì)于第2絕緣膜8的音速之間的音速比充分地快到1. 1 1. 5。因此，能有效地激勵(lì)高階模式，能抑制基本模式，進(jìn)而，能抑制高階模式的向最外表面的第2絕緣膜8側(cè)的泄漏。另外，作為壓電基板2，并不限于LiNbO3基板，也可以使用LiTaO3基板或水晶基板。在壓電基板2如LiNbO3基板或LiTaO3基板這樣具有負(fù)的頻率溫度系數(shù)的情況下， 優(yōu)選第1、第2絕緣膜7、8中的至少一個(gè)絕緣膜由具有正的頻率溫度系數(shù)的氧化硅膜構(gòu)成。 由此，能抑制聲表面波裝置1的溫度變化引起的頻率特性變化，因而能改善溫度特性。另外，關(guān)于構(gòu)成IDT電極3以及反射器4、5的電極材料，并不限定于Cu，能使用Au、 Pt、Ta、W等的金屬或以這些金屬為主體的合金。另外，也可以通過(guò)層疊多層金屬膜而成的層疊金屬膜來(lái)形成IDT電極3以及反射器4、5。優(yōu)選地，IDT電極3的密度比Al大，IDT電極3的密度為第2絕緣膜8的1. 5倍以上。由此，能使反射系數(shù)充分大。假如不足1. 5倍， 則反射會(huì)不足，在形成諧振器時(shí)，在反諧振點(diǎn)附近產(chǎn)生較大的波動(dòng)。圖7是在圖6所示的SiN膜的膜厚為聲表面波的波長(zhǎng)的20%的聲表面波裝置中， 使作為第2絕緣膜8的SiO2膜的膜厚變化的情況下的基本模式以及高階模式的機(jī)電耦合的變化的圖。一般，為了獲得充分大的響應(yīng)，期望機(jī)電耦合系數(shù)Ksaw2為7. 5%以上。如圖7所明確那樣，若使3102膜的膜厚為波長(zhǎng)λ的45%以上，則能使高階模式的機(jī)電耦合系數(shù)Ksaw2 為7.5%以上。因此，期望SiO2膜的膜厚為波長(zhǎng)λ的45%以上。另外可知，隨著SiO2膜的膜厚變厚，基本模式的機(jī)電耦合系數(shù)Ksaw2變小。因此，雖然SiO2膜的膜厚只要是波長(zhǎng)λ的 45%以上，就越大越為優(yōu)選，但若過(guò)大的話，就會(huì)像圖8所示那樣，音速降低，有可能不再能高頻化。因而，為了充分發(fā)揮高階模式的最大的特征即高音速性，優(yōu)選高階模式的聲表面波的音速為4000m/秒以上，即成為基波的1. 1倍以上的條件，因而期望SiO2膜的膜厚為85% 以下。因而，優(yōu)選SiO2膜的膜厚為波長(zhǎng)λ的45%以上、且85%以下。另一方面，圖9是表示不僅將SiN膜的膜厚設(shè)為圖6所示的0、10%或20%，而是更細(xì)微的變化情況下的基本模式以及高階模式的機(jī)電耦合系數(shù)的變化的圖。如圖9所明確那樣，可知若設(shè)由SiN構(gòu)成的第1絕緣膜7的厚度為波長(zhǎng)λ的5% 以上，則能使基本模式的機(jī)電耦合系數(shù)Ksaw2小到7. 5%以下。因此，可知為了抑制基于基本模式的響應(yīng)，SiN膜的膜厚期望為波長(zhǎng)λ的5%以上。另外可知，在由SiN膜構(gòu)成的第1絕緣膜7的厚度為波長(zhǎng)λ的20%以下的范圍中，能使基于高階模式的響應(yīng)為7. 5%以上。因此，由SiN膜構(gòu)成的第1絕緣膜7的厚度若在波長(zhǎng)λ的0%以上且20%以下的范圍中，則能使機(jī)電耦合系數(shù)Ksaw2為7.5%以上，因此， SiN膜的膜厚只要能使基于高階模式的響應(yīng)充分大則沒(méi)有特別的限定。本來(lái)，如圖10所示， 若SiN膜的膜厚過(guò)厚，則泄漏分量會(huì)變大。圖10是表示SiN膜的膜厚與高階模式的傳播損失的關(guān)系的圖，由于在這種聲表面波裝置中期望傳播損失為0. 25dB/A以下，因此，期望 SiN膜的膜厚為波長(zhǎng)λ的21%以下。因此，期望SiN膜的膜厚的上限設(shè)為21%以下。在上述實(shí)施方式的聲表面波裝置1中，除了使作為第1絕緣膜7的SiN膜的膜厚為波長(zhǎng)的10%、作為第2絕緣膜8的SiO2膜的膜厚為60%、以及LiNbO3基板的歐拉角以夕卜，與圖6所示的實(shí)驗(yàn)中的聲表面波裝置同樣，求取進(jìn)一步使LiNbO3基板的歐拉角θ變化的情況下的基本模式以及高階模式的機(jī)電耦合系數(shù)Ksaw2的變化。在圖11中示出結(jié)果。如圖11所明確那樣，只要?dú)W拉角(0°，θ，0° )的θ在62° 165°的范圍內(nèi)， 就能使高階模式的機(jī)電耦合系數(shù)Ksaw2為7. 5%以上。另一方面，可知在該范圍內(nèi)，基于基本模式的響應(yīng)的機(jī)電耦合系數(shù)Ksaw2小到4%以下。接下來(lái)，與圖11所示的情況相同地來(lái)求取使歐拉角的θ不同的情況下的高階模式的傳播損失的變化。在圖12中示出結(jié)果。說(shuō)過(guò)在這種聲表面波裝置中，期望傳播損失為0.25dB/λ以下。如圖12所明確那樣，可知只要使歐拉角的θ在99° 164°的范圍內(nèi)，傳播損失就會(huì)成為0.25(1Β/λ以下， 能充分縮小傳播損失，由此能進(jìn)一步提高高階模式的Q值。為了參照?qǐng)D6 圖12來(lái)確認(rèn)結(jié)果，以以下的條件制作作為單端口型的聲表面波諧振器的上述聲表面波裝置1，并評(píng)價(jià)阻抗特性以及相位特性。壓電基板準(zhǔn)備歐拉角為(0°，86°，0°)、(0°，131°，0° )、或(0°，155°， 0° )這3種類的LiNbO3基板。IDT電極3 =Cu膜，厚度為波長(zhǎng)的5%第1絕緣膜SiN膜，厚度為波長(zhǎng)的10%第2絕緣膜=SiO2氧化硅膜，厚度為波長(zhǎng)的60%在圖13中示出結(jié)果。如圖13所明確那樣，確認(rèn)了在使用歐拉角的θ為86°、131°以及155°的任一者的LiNbO3基板的情況下，按照本發(fā)明都能使高階模式的響應(yīng)充分大，與此相對(duì)，能充分抑制基本模式的響應(yīng)?？芍貏e是，與θ為86°的情況相比，在131°以及155°的情況下， 能使基于高階模式的響應(yīng)更大，另一方面能使基于基本模式的響應(yīng)更小，能較高地獲得高階模式的Q值。另外，在上述的實(shí)施方式中，說(shuō)明了單端口型聲表面波諧振器，本發(fā)明并不限于單端口型聲表面波諧振器，例如也能應(yīng)用在下述這樣的聲表面波裝置，即具有在壓電基板上層疊了第1、第2絕緣膜的構(gòu)造的縱耦合諧振器型聲表面波濾波器等各種聲表面波裝置中。 這種情況下，也能利用高階模式來(lái)謀求高頻化，因而也不用太提高電極形成精度，因此能提高成品率。另外，難以產(chǎn)生浪涌電壓耐受性等的可靠性降低。此外，如上所述，能使基于高階模式的響應(yīng)充分大，能抑制基于基本模式的響應(yīng)，因而能獲得良好的濾波特性。標(biāo)號(hào)說(shuō)明1聲表面波裝置2壓電基板
3IDT 電極4、5反射器6氧化硅膜7、8第1、第2絕緣膜8a、8b第2絕緣膜
權(quán)利要求
1.一種聲表面波裝置，具備壓電基板；形成于所述壓電基板上的IDT電極；在所述壓電基板上按照覆蓋所述IDT電極的上表面的方式而形成的第1絕緣膜；和在所述第1絕緣膜上形成的至少一層的第2絕緣膜，所述聲表面波裝置利用SH波的高階模式，并且，與在所述至少一層的第2絕緣膜中的位于最外表面的絕緣膜中傳播的聲表面波的音速相比，位于較該最外表面的絕緣膜而更接近IDT電極的一側(cè)的至少一層的絕緣膜的聲表面波的音速更快。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于，位于所述最外表面的絕緣膜由氧化硅構(gòu)成，且其膜厚為所述聲表面波的波長(zhǎng)的45%以上且85%以下，最外表面的絕緣膜以外的絕緣膜由從氮化硅、氧化鋁以及碳化硅構(gòu)成的組中選擇出的一種絕緣材料構(gòu)成，且膜厚為聲表面波的波長(zhǎng)的5%以上且21 %以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲表面波裝置，其特征在于，所述至少一層的第2絕緣膜由一層的第2絕緣膜構(gòu)成，該第2絕緣膜由氧化硅構(gòu)成，第 1絕緣膜由從氮化硅、氧化鋁以及碳化硅構(gòu)成的組中選擇出的一種絕緣材料構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的聲表面波裝置，其特征在于，所述壓電基板由LiNbO3基板構(gòu)成，該LiNbO3基板的歐拉角為(0°，62° 165°， 0° )0
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聲表面波裝置，其特征在于，所述LiNbO3基板的歐拉角為(0°，99° 164°，0° )。
全文摘要
本發(fā)明提供一種聲表面波裝置，即使謀求高頻化也難以產(chǎn)生成品率變差和浪涌電壓耐受性等可靠性變差，而且能獲得良好的頻率特性。聲表面波裝置(1)中，在壓電基板(2)上形成IDT電極(3)，在IDT電極(3)上層疊第1絕緣膜(7)、和至少1層的第2絕緣膜(8)，利用SH波的高階模式，且比起位于最外表面的第2絕緣膜(8)的聲表面波的音速，位于較最外表面的絕緣膜(8)更接近IDT電極(3)的一側(cè)的第1絕緣膜(7)的聲表面波的音速更快。
文檔編號(hào)H03H9/25GK102474238SQ201080032018
公開(kāi)日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2010年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月17日
發(fā)明者中尾武志, 西山健次, 門田道雄 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所