專利名稱：信號(hào)放大電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明特別涉及一種應(yīng)用于衛(wèi)星接收設(shè)備的切換開關(guān)系統(tǒng)中的信號(hào)放大電路，屬 于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前衛(wèi)星接收機(jī)中通常采用基于DiSEqC協(xié)議的DiSEqC多選一切換開關(guān)系統(tǒng)，其 工作原理是通過頻分復(fù)用一根同軸電纜線，DiSEqC多選一切換開關(guān)從同軸電纜線中接收 經(jīng)22KHz載波調(diào)制的串行信號(hào)(指令)，解碼后選通相應(yīng)的LNB高頻頭(一個(gè)衛(wèi)星接收機(jī)一 般可有多個(gè)LNB高頻頭)與同軸電纜線連接，從而將需要的衛(wèi)星信號(hào)通過同軸電纜傳送到 衛(wèi)星接收機(jī)里去。一般來說，DiSEqC多選一切換開關(guān)系統(tǒng)中放大從接收機(jī)發(fā)出的DiSEqC信 號(hào)的方案通常采用分立器件三極管方案，參閱圖1，即第一電容Cl 一端接待放大信號(hào)，另 一端與第一電阻Rl相連，第一電阻Rl另一端與第二電阻R2、三極管Ql的基極相連，三極管 Ql的集電極與第二電阻R2、第三電阻R3相連，第三電阻R3另一端接VDD ；三極管Ql的發(fā) 射極接地；從接收機(jī)發(fā)出的DiSEqC信號(hào)通過電容Cl藕合后經(jīng)過三極管Ql及電阻Rl、R2、 R3組成的放大電路放大后就得到可以供數(shù)字電路直接處理的信號(hào)，但該種信號(hào)放大電路結(jié) 構(gòu)較為分散，器件總數(shù)多，電路繁復(fù)不易維護(hù)，難以適應(yīng)大規(guī)模生產(chǎn)的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種可使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更為簡潔緊湊，并減少系統(tǒng)器件總數(shù)， 使之易于生產(chǎn)維護(hù)的信號(hào)放大電路，從而克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案一種信號(hào)放大電路，其特征在于，所述信號(hào)放大電路包括第一電流鏡、電流放大模 塊和第二電流鏡，待放大信號(hào)依次經(jīng)第一電流鏡、電流放大模塊和第二電流鏡處理后，得到 放大后的信號(hào)。進(jìn)一步地講，所述待放大信號(hào)是經(jīng)一電容藕合后再輸入該信號(hào)放大電路中的。所述第一電流鏡包括第一、二 NMOS管；第二電流鏡包括第三、四NMOS管；電流放 大模塊為電流鏡結(jié)構(gòu)，其包括第一、二 PMOS管；第一、二、三、四NMOS管的源極接地，第一、二 NMOS管的柵極接第一 NMOS管的漏 極，第二 NMOS管的漏極接第一 PMOS管的漏極、第三、四NMOS管的柵極接第三NMOS管的漏 極，第三NMOS管的漏極接第二 PMOS管的漏極，第一、二 PMOS管的柵極與第一 PMOS管的漏 極連接，第一、二 PMOS管的源極接VDD，第四NMOS管的漏極接第三電阻一端，該第三電阻另 一端接VDD，第一 NMOS管的漏極與第一電阻和一第二電阻連接，第一電阻另一端接電容一 端，電容另一端接入待放大信號(hào)，第二電阻另一端接第四NMOS管的漏極。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的積極效果在于采用了基于CMOS工藝制造的專用集成 電路方案，電路結(jié)構(gòu)簡潔緊湊，器件總數(shù)大大減少，更易于生產(chǎn)維護(hù)，可大大降低成本，適合 進(jìn)行大批量生產(chǎn)。


圖1為現(xiàn)有DiSEqC多選一切換開關(guān)系統(tǒng)中的信號(hào)放大電路圖；圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的信號(hào)放大電路工作原理框圖；圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的信號(hào)放大電路圖。
具體實(shí)施例方式參閱圖2，該信號(hào)放大電路應(yīng)用于DiSEqC多選一切換開關(guān)系統(tǒng)中，包括一電流鏡 1、一電流放大模塊以及一電流鏡2，其工作原理大致為從衛(wèi)星接收機(jī)發(fā)出的DiSEqC信號(hào) 到多選一切換開關(guān)系統(tǒng)中做為待放大信號(hào)，通過電流鏡1、電流放大、通過電流鏡2處理后 就可以得到放大后的信號(hào)，該信號(hào)可供數(shù)字電路直接處理。參閱圖3，虛線框內(nèi)電阻R1、R2、R3及PMOS管P1、P2，NMOS管Ni、N2、N3、N4是做 在集成電路內(nèi)部的信號(hào)放大電路，外接一個(gè)電容Cl。NMOS管Nl、N2組成電流鏡1作為輸入 模塊和電流放大，該電流鏡1的輸入模塊從結(jié)點(diǎn)B看進(jìn)去等效為幾乎不隨電流變化的一個(gè) 固定電壓點(diǎn)。N3、N4組成電流鏡2為輸出模塊和電流放大，該電流鏡2的輸出模塊從結(jié)點(diǎn)Y 看進(jìn)去等效為幾乎不隨電壓變化的一個(gè)固定電流點(diǎn)。PMOS管PI、P2組成電流鏡作為電流 放大。這樣節(jié)點(diǎn)B就可以近視等效圖1中三極管Ql的基極，而節(jié)點(diǎn)Y就可以近視等效圖1 中三極管Ql的集電極，電流鏡1、電流放大、電流鏡2這三個(gè)模塊共同形成的電流放大倍數(shù) 就等效圖1中三極管Ql的電流放大倍數(shù)。從接收機(jī)發(fā)出的DiSEqC信號(hào)通過電容Cl藕合 后經(jīng)過虛線框內(nèi)的集成電路內(nèi)部信號(hào)放大電路后就得到可以供數(shù)字電路直接處理的信號(hào)。 圖1中5個(gè)器件就被圖3中2個(gè)器件完全替代，大大減小系統(tǒng)成本、系統(tǒng)電路更簡潔易于維 修、器件總數(shù)大大減少適合大批量生產(chǎn)。以上僅是本發(fā)明的具體應(yīng)用范例，對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不能構(gòu)成任何限制。凡 本領(lǐng)域技術(shù)人員經(jīng)由本發(fā)明技術(shù)方案之啟示而采用等同變換或者等效替換形成的技術(shù)方 案，均應(yīng)落在本發(fā)明權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種信號(hào)放大電路，其特征在于，所述信號(hào)放大電路包括第一電流鏡、電流放大模塊 和第二電流鏡，待放大信號(hào)依次經(jīng)第一電流鏡、電流放大模塊和第二電流鏡處理后，得到放 大后的信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)放大電路，其特征在于，所述待放大信號(hào)是經(jīng)一電容藕 合后再輸入該信號(hào)放大電路中的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)放大電路，其特征在于，所述第一電流鏡包括第一、二 NMOS管；第二電流鏡包括第三、四NMOS管；電流放大模塊為電流鏡結(jié)構(gòu)，其包括第一、二 PMOS 管；第一、二、三、四NMOS管的源極接地，第一、二 NMOS管的柵極接第一 NMOS管的漏極，第 二 NMOS管的漏極接第一 PMOS管的漏極、第三、四NMOS管的柵極接第三NMOS管的漏極，第 三NMOS管的漏極接第二 PMOS管的漏極，第一、二 PMOS管的柵極與第一 PMOS管的漏極連 接，第一、二 PMOS管的源極接VDD，第四NMOS管的漏極接第三電阻一端，該第三電阻另一端 接VDD，第一 NMOS管的漏極與第一電阻和一第二電阻連接，第一電阻另一端接電容一端，電 容另一端接入待放大信號(hào)，第二電阻另一端接第四NMOS管的漏極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種信號(hào)放大電路，其包括第一電流鏡、電流放大模塊和第二電流鏡，待放大信號(hào)依次經(jīng)第一電流鏡、電流放大模塊和第二電流鏡處理后，得到放大后的信號(hào)。進(jìn)一步地講，所述待放大信號(hào)是經(jīng)一電容藕合后再輸入該信號(hào)放大電路中的。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于采用了基于用CMOS工藝制造的專用集成電路方案，電路結(jié)構(gòu)簡潔緊湊，器件總數(shù)大大減少，更易于生產(chǎn)維護(hù)，可大大降低成本，適合進(jìn)行大批量生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H03F3/21GK102006020SQ20101058664
公開日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2010年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月14日
發(fā)明者張周平, 杜坦, 江石根, 石萬文, 陳志明 申請(qǐng)人:蘇州華芯微電子股份有限公司