專利名稱：壓控振蕩器電路以及包括該壓控振蕩器電路的半導(dǎo)體設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備，更具體地涉及一種壓控振蕩器(VCO) 電路以及包括該VCO電路的半導(dǎo)體設(shè)備，所述VCO電路通過對輸入電壓執(zhí) 行電平移動(level shifting)操作，即使對于低輸入電壓也可以產(chǎn)生輸出頻率， 并且可以防止由高輸入電壓導(dǎo)致的分頻器(divider)的故障。
背景技術(shù)：
當使用數(shù)字時鐘來發(fā)送數(shù)字信號時，必須預(yù)先精確地定義用于確定邏輯 值0和1的范圍，以便清楚地確定輸入信號具有值0還是1。也就是說，必 須清楚地確定一個時鐘的起點和終點。然而，當在有線或無線環(huán)境中發(fā)送信 號時，根據(jù)信號的路徑而出現(xiàn)信號的延遲，因而信號的相位必然改變。這樣， 用于由接收終端區(qū)分值0和1的起點和終點可能變得不清楚。
因此，需要一種用于將接收終端接收的時鐘的起點和終點與發(fā)送終端發(fā) 送的時鐘的起點和終點同步的電路。鎖相環(huán)(PLL)電路用來匹配時鐘的周期的 起始(O。)和結(jié)束(360。)。不管如何輸入信號，PLL電路都用來鎖定該信號， 好像該信號是從某個相位點輸入的一樣。
PLL電路也用于諸如射頻(RF)電路的模擬電路以及數(shù)字電路。在模擬電 路中，使用PLL電路來防止被用作源的頻率振蕩。VCO產(chǎn)生的頻率主要受其 環(huán)境影響。因此，在很多情況中，輸出頻率是輕微振蕩的并且被更改為具有 與輸出頻率的范圍不同的范圍的頻率。
在此情況下，系統(tǒng)可能不正常操作。具體地，在必須精細地分割和使用 頻率的現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)中，頻率穩(wěn)定性非常重要。
此外，PLL電^^用來調(diào)諧頻率。更詳細地:說，通過更改PLL電^^的預(yù)定部分，輸出頻率可以改變?yōu)槠谕l率。
圖1是PLL電路100的示意框圖。圖2是示出圖1所示的VCO 110的 輸入電壓Vctrl與輸出頻率Fout之間的相互關(guān)系的圖。圖3A和圖3B是圖示 圖1所示的分頻器112的操作的圖。
參照圖1， PLL電路100包括經(jīng)溫度補償?shù)木w振蕩器(TCXO)102、相 位^r測器(P/D)104、電荷泵106、環(huán)路濾波器108、 VCO 110以及分頻器112。
TCXO 102產(chǎn)生參考頻率fref。 P/D 104將參考頻率fref的相位與從分頻 器112輸出的分頻后的頻率fdiv的相位進行比較，如果參考頻率fref的相位 領(lǐng)先于分頻后的頻率fdiv的相位則輸出向上脈沖信號(up pulse signal)UP，而 如果參考頻率fref的相位落后于分頻后的頻率fdiv的相位則輸出向下脈沖信 號(down pulse signal)DN。電荷泵106用來將從P/D 104輸出的向上脈沖信號 UP或向下脈沖信號DN轉(zhuǎn)換為電壓電平。環(huán)路濾波器108通常具有低通濾波 器(LPF)的結(jié)構(gòu)，并且用來累積然后發(fā)射來自電荷泵106的電荷，并且去除包 括不希望有的輸出分量的噪聲頻率。
VCO IIO輸出與輸入電壓Vctrl相對應(yīng)的輸出頻率Fout。例如，如果輸 入1.9V的電壓，則可以輸出790兆赫茲(MHz)的頻率，如果^T入2.0V的電壓， 則可以輸出800MHz的頻率，以及如果輸入2.1V的電壓，則可以輸出81 OMHz 的頻率。也就是說，VCO 110輸出與輸入電壓Vctrl相對應(yīng)的輸出頻率Fout, 如圖2所示。
以便輸出分頻后的頻率fdiv。如果分頻比為1/M，則fdiv=Fout/M?？梢匀鐖D 3A和圖3B所示的那樣表示分頻器112的操作。更詳細地說，分頻器112將 如圖3A所示的相對高的頻率轉(zhuǎn)換為如圖3B所示的相對低的頻率。 現(xiàn)在將描述鎖定頻率的功能。
則P/D 104通過反饋而將輸出頻率Fout的相位與參考頻率fref的相位進行比 較。如果參考頻率fref的相位領(lǐng)先于反饋的分頻后的頻率fdiv的相位，則P/D 104輸出向上脈沖信號UP，如果參考頻率fref的相位落后于反^f的分頻后的 頻率fdiv的相位，貝']P/D 104輸出向下脈沖信號DN。在此情況中，當相位差 大時，向上脈沖信號UP或向下脈沖信號DN的大小是恒定的，然而，向上 脈沖信號UP或向下脈沖信號DN的寬度與相位差的大小成比例地變化。由于VCO 110的輸入電壓Vctrl具有預(yù)定電壓電平，因此需要通過電荷泵106 將從P/D 104輸出的向上脈沖信號UP或向下脈沖信號DN轉(zhuǎn)換為VCO 110 的豐命入電壓Vctrl 。
然而，如果TCXO 102產(chǎn)生的參考頻率fref是高頻，則即使輕微的影響 也可能改變輸出頻率Fout。因此，需要將相位差與可以被相對容易地比較的 低頻進行比較。也就是說，分頻器112通過將輸出頻率Fout按照預(yù)定比率精 確地降低來提供VCO 110的輸出頻率Fout。
作為示例，如果VCO 110的輸出頻率Fout為800MHz并且分頻器112 使用1/100分頻比，則8MHz的信號被輸入到P/D 104。因此，可以使用8MHz 的參考頻率fref。由于TCXO受外部溫度的影響不明顯使得能夠穩(wěn)定地輸出 頻率，因此TCXO 102產(chǎn)生參考頻率fref。
PLL電路100可以使用分頻器112來改變輸出頻率Fout。如果輸入到P/D 104的分頻后的頻率fdiv被輕樣i地更改，則輸出頻率Fout可以穩(wěn)定在另一個 頻率上。
例如，如果使用8MHz的參考頻率fref產(chǎn)生800MHz的輸出頻率Fout， 則分頻器112 <吏用1/100的分頻比。如果分頻器112 4吏用1/99的分頻比，則 分頻后的頻率fdiv是8.08MHz，并且P/D 104產(chǎn)生具有80千赫茲(kHz)的差 的脈沖信號。
如果上述情況繼續(xù)下去，則最終從VCO 110輸出的輸出頻率Fout被鎖 定為792MHz，并且/人使用1/99的分頻比的分頻器112輸出的分頻后的頻率 fdiv被鎖定為792/99=8MHz。
然而，如果輸入電壓Vctrl低于預(yù)定電壓電平，貝'j根據(jù)傳統(tǒng)方法的VCO 可能不操作。更詳細地說，VCO 110不能在以下區(qū)域中操作該區(qū)域由圖2 的"c，，指示，并且在該區(qū)域中，輸入電壓Vctrl低于接收并使用輸入電壓Vctrl 作為柵極電壓的晶體管的閾值電壓Vth 。
此外，如圖2的"a"、 "b"和"c"所指示的那樣，根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的VCO 110產(chǎn)生與輸入電壓Vctrl成比例的輸出頻率Fout，而不考慮該輸入電壓Vctrl 的電壓電平，因此，可能輸入大于預(yù)定電壓電平的電壓以至于產(chǎn)生過高的頻 率。在這種情況下，分頻器112不能執(zhí)行如圖3A和圖3B所示的正常分頻操 作，并且可能由于頻率速度的限制而引起分頻器112的故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思提供一種壓控振蕩器(vco)電路，其可以即使對于低輸入電
壓也產(chǎn)生輸出頻率，并且可以防止由高輸入電壓引起的分頻器的故障。
本發(fā)明構(gòu)思還提供一種包括vco電路的半導(dǎo)體設(shè)備，該vco電路可以 即使對于低輸入電壓也產(chǎn)生輸出頻率，并且可以防止由高輸入電壓引起的分 頻器的故障。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的 一個方面，提供了 一種壓控振蕩器(vco)電路，該vco
電路包括輸入電壓接收器，其接收輸入到該VCO電路的第一電壓以便產(chǎn)生 第一電流；電流反射鏡，其復(fù)制所述第一電流以便產(chǎn)生第二電流；以及頻率 振蕩器，其響應(yīng)于第二電流而振蕩，其中，輸入電壓接收器包括電平移動 器，其將第一電壓的電壓電平移動到第二電壓的電壓電平；以及第一電流產(chǎn)
生器，其產(chǎn)生與第二電壓相對應(yīng)的所述第一電流。
所述電平移動器可以包括第一輸入晶體管，該第一輸入晶體管響應(yīng)于第 一電壓而導(dǎo)通并且為第一類型。在此情況下，第一輸入晶體管可以是P溝道 金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管，第一電壓通過該PMOS晶體管的柵極而施 加到該PMOS晶體管。
第 一電流產(chǎn)生器可以包括第二輸入晶體管，該第二輸入晶體管響應(yīng)于作 為第一輸入晶體管的一端的電壓的第二電壓而導(dǎo)通，連接到電流反射鏡，是 與所述第一類型不同的第二類型，并且具有與第一輸入晶體管相同的大小。 在此情況下，第二輸入晶體管可以是N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體 管，第二電壓通過該NMOS晶體管的柵極而施加到該NMOS晶體管。
所述VCO電路還可以包括第二電壓偏置單元，其在第二電壓增大為高 于參考電壓電平時將第二電壓偏置為低于該參考電壓電平。所述頻率振蕩器 可以包括多個反相器，其響應(yīng)于第二電流而反相并且彼此串聯(lián)連接。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另 一方面，提供了 一種壓控振蕩器(VCO)電路，該VCO 電路包括輸入電壓接收器，其接收輸入到VCO電路的第一電壓以便產(chǎn)生第一 電流，其中該輸入電壓接收器包括第一輸入晶體管，其響應(yīng)于第一電壓而 導(dǎo)通，并且為第一類型；以及第二輸入晶體管，其響應(yīng)于作為第一輸入晶體 管的一端的電壓的第二電壓而導(dǎo)通，以便產(chǎn)生第一電流，連接到電流反射鏡， 是與第一類型不同的第二類型，并且具有與第一輸入晶體管相同的大小。該 VCO還包括電流反射鏡，其復(fù)制所述第一電流以便產(chǎn)生第二電流；以及頻率振蕩器，其響應(yīng)于所述第二電流而振蕩。
第一輸入晶體管可以是P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管，第一電 壓通過該PMOS晶體管的4冊極而施加到該PMOS晶體管。在此情況下，第二 輸入晶體管可以是N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管，第二電壓通過 該NMOS晶體管的柵極而施加到該NMOS晶體管。
所述VCO電^各還可以包括第二電壓偏置單元，其在第二電壓增大為高 于參考電壓電平時將第二電壓偏置為低于該參考電壓電平。在此情況下，第 二電壓偏置單元可以包括晶體管，該晶體管為第一類型且與所述電流反射鏡 并聯(lián)連接，并且所述晶體管的一端連接到第一輸入晶體管的所述一端。
所述頻率振蕩器包括多個反相器，其響應(yīng)于第二電流而反相，并且彼此 串聯(lián)連接。


根據(jù)對如附圖所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體的描述，本發(fā)明的前 述和其它特征和優(yōu)點將變得清楚，在附圖中，相似的參考標號在不同的視圖
中自始至終指代相同的部分。這些圖不一定是按比例的，相反，將重點置于 說明本發(fā)明的原理上。
圖1是鎖相環(huán)(PLL)電路的示意框圖。
圖2是示出圖1所示的壓控振蕩器(VCO)的輸入電壓和輸出頻率之間的
相互關(guān)系的圖。
圖3A和圖3B是圖示圖1所示的分頻器的#:作的圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的VCO電路的電路圖。
圖5是圖示圖4所示的第二電壓偏置單元的功能的圖。
圖6是示出圖4所示的VCO電路的輸入電壓和輸出頻率之間的相互關(guān)
系的圖。
具體實施例方式
在下文中，將通過參照附圖描述本發(fā)明構(gòu)思的實施例來詳細描述本發(fā)明 構(gòu)思。
圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的壓控振蕩器(VCO)電路100的電路圖。 圖5是圖示圖4所示的第二電壓偏置單元M5的功能的圖。參照圖4， VCO電路100包括輸入電壓接收器120、電流反射鏡(current mirror)140和頻率4展蕩器160。
輸入電壓接收器120接收輸入到VCO電路100的第一電壓Vctrl以便產(chǎn) 生第一電流Il。電流反射鏡140復(fù)制第一電流I1以便產(chǎn)生第二電流I2。頻率 振蕩器160響應(yīng)于第二電流I2而振蕩。
輸入電壓接收器120可以包括第一輸入晶體管M4和第二輸入晶體管 Ml。在此情況下，第一輸入晶體管M4的一端可以通過第一節(jié)點Nl連接到 第二輸入晶體管Ml的柵極。具體地，在圖4中，第一輸入晶體管M4是P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管，第二輸入晶體管Ml是N溝道金屬氧 化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。
VCO電路100的輸入電壓被施加到第一輸入晶體管M4的柵極。在下文 中，為便于描述，將施加到第一輸入晶體管M4的柵極的電壓稱為第一電壓 Vctrl，將施加到第一輸入晶體管M4的所述一端的電壓稱為第二電壓Vctrl一l。
如上所述，第二電壓Vctrl—l被施加到第二輸入晶體管Ml的柵極，因此 通過第二電壓Vctrl—1來選通第二輸入晶體管Ml,以便產(chǎn)生與第二電壓 Vctrl—1相對應(yīng)的第 一 電流11 。
第一輸入晶體管M4的另一端連接到地電壓，因此第二電壓Vctrl—1可由 />式1表示。
<formula>formula see original document page 9</formula>
這里，Vtm4是第一輸入晶體管M4的閾值電壓。在此情況下，流過第二
輸入晶體管Ml的第一電流Il可以由公式2表示。 II =卩/2 * (Vctrl—1 - Vtml)2
<formula>formula see original document page 9</formula>
這里，卩是(l/2)Vc^Cox(W/L)并且Vtml是第二輸入晶體管Ml的閾值
電壓。如上所述，第一輸入晶體管M4是PMOS晶體管并且第二輸入晶體管
Ml是NMOS晶體管，因此，如果兩個晶體管具有相同的大小，則^^式2的
"Vtml+Vtm4"具有值0。
因此，即使VCO電路100的輸入電壓低于第二輸入晶體管Ml的閾值電
壓Vtml，但是第二輸入晶體管Ml可以產(chǎn)生與輸入電壓相對應(yīng)的第二電流I2。
如上所述由第二輸入晶體管Ml產(chǎn)生的第一電流II最終激活頻率振蕩器160,使得VCO電路100可以輸出與作為第一電壓Vctrl的輸入電壓相對應(yīng)的 輸出頻率Fout,現(xiàn)在將對其進行詳細描述。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的VCO電路IOO使用第一輸入晶體管M4來移動輸入電 壓的電壓電平。因此，即使在由圖2的"c"指示并且其中輸入電壓低于閾值 電壓Vth的區(qū)域中也可以產(chǎn)生輸出頻率Fout。更詳細地說，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思， 通過對輸入電壓執(zhí)行電平移動操作，可以產(chǎn)生關(guān)于甚至低輸入電壓的輸出電 壓。
不管第一電壓Vctrl的電壓電平是多少，只要第二輸入晶體管Ml導(dǎo)通， 就產(chǎn)生第一電流II。連接到第二輸入晶體管Ml的一端的電流反射鏡140復(fù) 制該第一電流Il,,人而產(chǎn)生具有與第一電流Il相同大小的第二電流I2。頻率 振蕩器160通過第二電流I2來操作。
在圖4中，頻率振蕩器160包括第一到第三反相器INT1到INT3,它們 響應(yīng)于第二電流I2而反相，并且彼此串聯(lián)連接。例如，如果輸入到第一反相 器INT1的邏輯電平LOG1是邏輯高H,則將邏輯電平LOG2輸入到第二反 相器INT2，該邏輯電平LOG2為邏輯低L。這樣，第三反相器INT3將邏輯 電平LOG3反相以輸出邏輯電平LOG4，所述邏輯電平LOG3為邏輯高H， 所述邏輯電平LOG4為邏輯低L。第三反相器INT3輸出的邏輯電平LOG4 被用作輸入到第一反相器INT1的邏輯電平LOGl。
也就是說，頻率振蕩器160響應(yīng)于與作為第一電壓Vctrl的輸入電壓相對 應(yīng)的第 一電流II或第二電流12而振蕩，以便產(chǎn)生與該輸入電壓相對應(yīng)的輸出 頻率Fout。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的VCO電路100還可以包括第二電壓偏置單元M5。如 果第二電壓Vctrl—1增大為高于參考電壓電平，則第二電壓偏置單元M5將該 第二電壓Vctrl一l偏置為低于該參考電壓電平。在此情況下，第二電壓偏置單 元M5可以是PMOS晶體管，其一端連接到第一輸入晶體管M4的一端，并 且與電流反射鏡140并聯(lián)連接。在下文中，為了便于描述，將作為第二電壓 偏置單元M5的PMOS晶體管稱為偏置晶體管M5。
現(xiàn)在將描述第二電壓偏置單元M5的操作。
如公式2所示，第一電流II與第一電壓Vctrl或第二電壓Vctrl—1成比例 地增大。與增大的第一電流Il相對應(yīng)，第二電流I2和流過偏置晶體管M5的 電流15也增大。然而，如圖5所示，如果第一電壓Vctrl增大到高于預(yù)定電壓電平Vsat, 則第二電流12和流過偏置晶體管M5的電流15也增大，因此，第二電壓 Vctrl—1,即第一節(jié)點N1的電壓不會進一步增大。
因此，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思，可以將高于預(yù)定電壓電平的高輸入電壓偏置為 低于該預(yù)定電壓電平，從而可以防止由高輸入電壓引起的分頻器的故障。
圖6是示出圖4所示的VCO電路100的輸入電壓Vctrl和輸出頻率Fout 之間的相互關(guān)系的圖。
參照圖6,與圖2所示的相關(guān)技術(shù)不同，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的VCO電路 100即使對于低輸入電壓也可以產(chǎn)生輸出頻率Fout。此夕卜，如果輸入電壓Vctrl 高于預(yù)定電壓電平Vsat，則根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的VCO電路100可以將該輸入電 壓Vctrl偏置為低于參考電壓電平以便防止由高輸入電壓引起的分頻器的故 障。
盡管參照本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例具體示出和描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是 在這里用來描述本發(fā)明構(gòu)思的術(shù)語僅僅是出于描述的目的，并且意圖不是限 制本發(fā)明構(gòu)思的范圍。
因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以在其中做出各種形式和細節(jié)上的改 變，而不背離后面的權(quán)利要求的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種壓控振蕩器VCO電路，包括輸入電壓接收器，其接收輸入到VCO電路的第一電壓以便產(chǎn)生第一電流；電流反射鏡，其復(fù)制第一電流以產(chǎn)生第二電流；以及頻率振蕩器，其響應(yīng)于第二電流而振蕩，其中，輸入電壓接收器包括電平移動器，其將第一電壓的電壓電平移動到第二電壓的電壓電平；和第一電流產(chǎn)生器，其產(chǎn)生與第二電壓相對應(yīng)的所述第一電流。
2. 如權(quán)利要求1所述的VCO電路，其中，電平移動器包括第一輸入晶 體管，該第一輸入晶體管響應(yīng)于第一電壓而導(dǎo)通，并且是第一類型。
3. 如權(quán)利要求2所述的VCO電路，其中，第一輸入晶體管是P溝道金 屬氧化物半導(dǎo)體PMOS晶體管，第一電壓通過該PMOS晶體管的4冊極而施加 到該PMOS晶體管。
4. 如權(quán)利要求2所述的VCO電路，其中，第一電流產(chǎn)生器包括第二輸 入晶體管，該第二輸入晶體管響應(yīng)于作為第 一輸入晶體管的 一端的電壓的第 二電壓而導(dǎo)通，連接到電流反射鏡，是與第一類型不同的第二類型，并且具 有與第 一輸入晶體管相同的大小。
5. 如權(quán)利要求3所述的VCO電路，其中，第二輸入晶體管是N溝道金 屬氧化物半導(dǎo)體NMOS晶體管，第二電壓通過該NMOS晶體管的柵極而施 加到該NMOS晶體管。
6. 如權(quán)利要求1所述的VCO電路，還包括第二電壓偏置單元，其在第 二電壓增大為高于參考電壓電平時，將第二電壓偏置為低于該參考電壓電平。
7. 如權(quán)利要求1所述的VCO電路，其中，頻率振蕩器包括多個反相器， 它們響應(yīng)于第二電流而反相，并且彼此串聯(lián)連接。
8. —種鎖相環(huán)PLL設(shè)備，包括如權(quán)利要求1所述的VCO電路。
9. 一種壓控振蕩器VCO電路，包括輸入電壓接收器，其接收輸入到VCO電路的第一電壓以便產(chǎn)生第一電流;電流反射鏡，其復(fù)制第一電流以便產(chǎn)生第二電流；以及頻率振蕩器，其響應(yīng)于第二電流而振蕩，其中，輸入電壓接收器包括第一輸入晶體管，其響應(yīng)于第一電壓而導(dǎo)通，并且是第一類型；和 第二輸入晶體管，其響應(yīng)于作為第一輸入晶體管的一端的電壓的第二電壓而導(dǎo)通以便產(chǎn)生所述第一電流，連接到電流反射鏡，是與第一類型不同的第二類型，并且具有與第一輸入晶體管相同的大小。
10. 如權(quán)利要求9所述的VCO電路，其中，第一輸入晶體管是P溝道 金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS晶體管，第一電壓通過該PMOS晶體管的柵極而施 加到該PMOS晶體管。
11. 如權(quán)利要求IO所述的VCO電路，其中，第二輸入晶體管是N溝道 金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS晶體管，第二電壓通過該NMOS晶體管的柵極而 施加到該NMOS晶體管。
12. 如權(quán)利要求9所述的VCO電路，還包括第二電壓偏置單元，其在 第二電壓增大為高于參考電壓電平時，將第二電壓偏置為低于該參考電壓電平。
13. 如權(quán)利要求12所述的VCO電路，其中，第二電壓偏置單元包括晶 體管，該晶體管是第一類型且與電流反射鏡并聯(lián)連接，并且該晶體管的一端 連接到第 一輸入晶體管的所述一端。
14. 如權(quán)利要求9所述的VCO電路，其中，頻率振蕩器包括多個反相 器，它們響應(yīng)于第二電流而反相，并且彼此串聯(lián)連接。
15. —種鎖相環(huán)PLL設(shè)備，包括如權(quán)利要求9所述的VCO電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種包括電平移動器的壓控振蕩器(VCO)電路以及一種包括該VCO電路的半導(dǎo)體設(shè)備。該VCO電路包括輸入電壓接收器、電流反射鏡和頻率振蕩器。輸入電壓接收器接收輸入到該VCO電路的第一電壓以便產(chǎn)生第一電流。電流反射鏡復(fù)制第一電流以產(chǎn)生第二電流。頻率振蕩器響應(yīng)于第二電流而振蕩。輸入電壓接收器包括電平移動器和第一電流產(chǎn)生器。電平移動器將第一電壓的電壓電平移動到第二電壓的電壓電平。第一電流產(chǎn)生器產(chǎn)生與第二電壓相對應(yīng)的第一電流。
文檔編號H03L7/099GK101630958SQ200910160719
公開日2010年1月20日 申請日期2009年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月17日
發(fā)明者金志炫, 金重鉉 申請人:三星電子株式會社