專利名稱：減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法及其布局結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于向數(shù)字電路提供供應(yīng)電壓(supply voltage)，更具體地，有關(guān)于用 于減少數(shù)字電路供應(yīng)電壓路徑的漏電流(leakage current)的布局結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在數(shù)字電路設(shè)計領(lǐng)域，在數(shù)字電路中排布每個數(shù)字單元的最有效的方法之一為在 數(shù)字電路設(shè)計完畢后，于功能性數(shù)字單元之上實施自動布局和選路(Automatic Placement and Routing, APR)程序。通常，APR程序由軟件工具實施?？蓞⒖紙D1，圖1為根據(jù)現(xiàn)有 技術(shù)在實施APR程序后的數(shù)字電路IO的示意圖。數(shù)字電路IO包括多個功能性數(shù)字單元 1 la 11d、電源導(dǎo)軌(power rail) 12和接地導(dǎo)軌(ground rail) 13，其中電源導(dǎo)軌12耦接 供應(yīng)電壓VDD以向每個功能性數(shù)字單元lla lld供應(yīng)電源，以及接地導(dǎo)軌13向功能性數(shù) 字單元lla lld提供接地電壓GND。然而，在優(yōu)化整個數(shù)字電路10時，APR程序可能在某 兩個功能性數(shù)字單元間產(chǎn)生間隙(gap)，例如在功能性數(shù)字單元llb和11c間的間隙14。如 果這種情況發(fā)生，間隙14將由填充電容15填充以穩(wěn)定功能性數(shù)字單元lib和11c的供應(yīng) 電壓VDD。然而，因為填充電容15由互補金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)晶體管實現(xiàn)，±真充電容15的電荷(electric charge)在CMOS晶體 管的閘極(gate)終端和襯底上累積，電荷可能會從CMOS晶體管的閘極終端泄漏至其襯底。 因此，如果數(shù)字電路10包含大量的填充電容，則有可能引入很大的漏電流。所以，減少數(shù)字 電路的漏電流問題成為數(shù)字電路設(shè)計領(lǐng)域最緊急的問題之一。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決電路設(shè)計中減少數(shù)字電路的漏電流的問題，本發(fā)明提供一種減少數(shù)字電 路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法及其布局結(jié)構(gòu)。 根據(jù)本發(fā)明的實施例，本發(fā)明提供一種減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法，所 述數(shù)字電路區(qū)塊包括第一導(dǎo)電區(qū)段、第二導(dǎo)電區(qū)段和數(shù)字邏輯區(qū)段，其中所述第一導(dǎo)電區(qū) 段具有耦接至第一供應(yīng)電壓的第一端，所述第二導(dǎo)電區(qū)段具有耦接至第二供應(yīng)電壓的第一 端，所述數(shù)字邏輯區(qū)段耦接于所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第二端和所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第二端 間，所述減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法包括設(shè)置第三導(dǎo)電區(qū)段，所述第三導(dǎo)電區(qū)段 具有電性連接至所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第一端和與所述第二導(dǎo)電區(qū)段無電性連接的第二端， 其中所述第三導(dǎo)電區(qū)段經(jīng)由配置具有位于第一導(dǎo)電層的第一部分，介質(zhì)層位于所述第一導(dǎo) 電層和第二導(dǎo)電層間；以及設(shè)置第四導(dǎo)電區(qū)段，所述第四導(dǎo)電區(qū)段具有電性連接至所述第 二導(dǎo)電區(qū)段的第一端和與所述第一導(dǎo)電區(qū)段無電性連接的第二端，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)段 經(jīng)由配置具有位于所述第二導(dǎo)電層的第二部分，第一電容形成于所述第一部分和所述第二 部分間。 根據(jù)本發(fā)明的實施例，本發(fā)明另提供一種減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法， 所述數(shù)字電路區(qū)塊包括第一導(dǎo)電區(qū)段、第二導(dǎo)電區(qū)段和數(shù)字邏輯區(qū)段，其中所述第一導(dǎo)電
4區(qū)段具有耦接至第一供應(yīng)電壓的第一端，所述第二導(dǎo)電區(qū)段具有耦接至第二供應(yīng)電壓的第一端，所述數(shù)字邏輯區(qū)段耦接于所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第二端和所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第二端間，所述減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法包括設(shè)置第三導(dǎo)電區(qū)段，所述第三導(dǎo)電區(qū)段具有電性連接至所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第一端和與所述第二導(dǎo)電區(qū)段無電性連接的第二端，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)段經(jīng)由配置具有位于導(dǎo)電層的第一部分；以及設(shè)置第四導(dǎo)電區(qū)段，所述第四導(dǎo)電區(qū)段具有電性連接至所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第一端和與所述第一導(dǎo)電區(qū)段無電性連接的第二端，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)段經(jīng)由配置具有位于所述導(dǎo)電層的第二部分，電容組件形成于所述第一部分和所述第二部分間。 根據(jù)本發(fā)明的實施例，本發(fā)明另提供一種減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)，所述數(shù)字電路區(qū)塊包括第一導(dǎo)電區(qū)段、第二導(dǎo)電區(qū)段和數(shù)字邏輯區(qū)段，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)段具有耦接至第一供應(yīng)電壓的第一端，所述第二導(dǎo)電區(qū)段具有耦接至第二供應(yīng)電壓的第一端，所述數(shù)字邏輯區(qū)段耦接于所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第二端和所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第二端間，所述減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)包括第三導(dǎo)電區(qū)段，具有電性連接至所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第一端和與所述第二導(dǎo)電區(qū)段無電性連接的第二端，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)段經(jīng)由配置具有位于第一導(dǎo)電層的第一部分，介質(zhì)層位于所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層間；以及第四導(dǎo)電區(qū)段，具有電性連接至所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第一端和與所述第一導(dǎo)電區(qū)段無電性連接的第二端，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)段經(jīng)由配置具有位于所述第二導(dǎo)電層的第二部分，第一電容組件形成于所述第一部分和所述第二部分間。 根據(jù)本發(fā)明的實施例，本發(fā)明另提供一種減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)，所述數(shù)字電路區(qū)塊包括第一導(dǎo)電區(qū)段、第二導(dǎo)電區(qū)段和數(shù)字邏輯區(qū)段，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)段具有耦接至第一供應(yīng)電壓的第一端，所述第二導(dǎo)電區(qū)段具有耦接至第二供應(yīng)電壓的第一端，所述數(shù)字邏輯區(qū)段耦接于所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第二端和所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第二端間，所述減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)包括第三導(dǎo)電區(qū)段，具有電性連接至所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第一端和與所述第二導(dǎo)電區(qū)段無電性連接的第二端，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)段經(jīng)由配置具有位于導(dǎo)電層的第一部分；以及第四導(dǎo)電區(qū)段，具有電性連接至所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第一端和與所述第一導(dǎo)電區(qū)段無電性連接的第二端，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)段經(jīng)由配置具有位于所述導(dǎo)電層的第二部分，電容組件形成于所述第一部分和所述第二部分間。 利用本發(fā)明能夠使數(shù)字電路區(qū)塊的布局結(jié)構(gòu)的漏電流遠遠小于現(xiàn)有技術(shù)中的漏電流。 以下為根據(jù)多個圖式對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀后應(yīng)可明確了解本發(fā)明的目的。


圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在實施APR程序后的數(shù)字電路的示意圖。 圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例在數(shù)字電路區(qū)塊中用于減少供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)的
俯視示意圖。 圖3為圖2所示的數(shù)字電路區(qū)塊的布局結(jié)構(gòu)的空間圖。 圖4為圖2所示的數(shù)字電路區(qū)塊的金屬_介質(zhì)_金屬電容沿著線條I-I'的側(cè)視
5示意圖。 圖5為如圖2所示實施例的數(shù)字電路區(qū)塊中用于減少供應(yīng)電壓降的方法的流程 圖。
具體實施例方式
在說明書及權(quán)利要求書當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的組件。所屬領(lǐng)域中普通 技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個組件。本說明書及權(quán)利 要求書并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分 的準(zhǔn)則。在通篇說明書及前述的權(quán)利要求項當(dāng)中所提及的"包含"為開放式的用語，故應(yīng)解 釋成"包含但不限定于"。以外，"耦接"一詞在此為包含任何直接及間接的電性連接手段。 因此，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接于該第二 裝置，或透過其它裝置或連接手段間接地電性連接至該第二裝置。 請參考圖2以及圖3。圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例在數(shù)字電路區(qū)塊200中用于減少供 應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)202的俯視示意圖。數(shù)字電路區(qū)塊200包括第一導(dǎo)電路徑(conducting path)2022、第二導(dǎo)電路徑2024以及數(shù)字邏輯區(qū)段2026，其中第一導(dǎo)電路徑2022具有耦接 于第一供應(yīng)電壓(例如Vdd)的第一端，第二導(dǎo)電路徑2024具有一個第一端耦接于第二供 應(yīng)電壓(例如接地電壓Vgnd)，數(shù)字邏輯區(qū)段2026耦接于第一導(dǎo)電路徑2022的第二端和第 二導(dǎo)電路徑2024的第二端之間。圖3為圖2所示的數(shù)字電路區(qū)塊200的布局結(jié)構(gòu)202的 空間圖。請注意，根據(jù)本發(fā)明的實施例，布局結(jié)構(gòu)202在第一導(dǎo)電路徑2022和第二導(dǎo)電路 徑2024間提供一個電容區(qū)塊以降低至數(shù)字邏輯區(qū)段2026的供應(yīng)電壓Vdd的電壓降(例如 動態(tài)電壓降)。布局結(jié)構(gòu)202包括導(dǎo)電區(qū)段202a 202f、過孔202g 202j以及金屬-介 質(zhì)-金屬(metal-dielectric-metal)電容202k。導(dǎo)電區(qū)段202a和202b具有電性連接至 第一導(dǎo)電路徑2022的第一端和與第二導(dǎo)電路徑2024無電性連接的第二端，導(dǎo)電區(qū)段202c 和202d具有電性連接至第二導(dǎo)電路徑2024的第一端和與第一導(dǎo)電路徑2022無電性連接 的第二端。 根據(jù)本發(fā)明實施例，導(dǎo)電區(qū)段202e分別經(jīng)由過孔202g和202i耦接至導(dǎo)電區(qū)段 202a和202b，導(dǎo)電區(qū)段202f分別經(jīng)由過孔202h和202j耦接至導(dǎo)電區(qū)段202c和202d。并 且，金屬-介質(zhì)_金屬電容2021^構(gòu)造于導(dǎo)電區(qū)段202￡1和202c間的區(qū)域下。因此，在本實 施例中，如圖3所示，第一導(dǎo)電路徑2022、第二導(dǎo)電路徑2024、導(dǎo)電區(qū)段202a、202b、202c和 202d位于相同的導(dǎo)電層L6，例如半導(dǎo)體加工工藝的上層導(dǎo)電層(如層6);導(dǎo)電區(qū)段202e、 202f位于另一導(dǎo)電層L5，例如半導(dǎo)體加工工藝的層5。換句話說，導(dǎo)電層L6與導(dǎo)電層L5 相鄰。然而，兩個導(dǎo)電層也可不相鄰。也即，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可知金屬-介質(zhì)-金屬電容 202k可在任何兩個導(dǎo)電層間實現(xiàn)。進一步，介質(zhì)層LIN可位于導(dǎo)電層L6和導(dǎo)電層L5間， 其中，介質(zhì)層LIN可由氧化層(oxide layer)實現(xiàn)。請注意，布局結(jié)構(gòu)202僅僅是數(shù)字電路 區(qū)塊200實施例的一個例子，本發(fā)明并不僅限于此。也就是說，導(dǎo)電區(qū)段、過孔和金屬_介 質(zhì)_金屬電容的數(shù)目以及導(dǎo)電區(qū)段、過孔和金屬_介質(zhì)_金屬電容之間的排布可根據(jù)實際 條件進行調(diào)整，例如實現(xiàn)數(shù)字電路區(qū)塊200的布局結(jié)構(gòu)202所需求的面積。
再參考圖2。由于導(dǎo)電區(qū)段202b和202d位于導(dǎo)電層L6，導(dǎo)電區(qū)段202e和202f 位于導(dǎo)電層L5，則可能于導(dǎo)電區(qū)段202d和202e的重迭區(qū)域(斜線部分202d')間形成電容Cl，可能于導(dǎo)電區(qū)段202b和202f的重迭區(qū)域(斜線部分202b')間形成電容C2。并且， 由于導(dǎo)電區(qū)段202b和202d相互間并無電性連接，電容C3可形成于導(dǎo)電區(qū)段202b和202d 間。相似的，電容C4可形成于導(dǎo)電區(qū)段202e和202f間。 可參考圖4。圖4為圖2所示的數(shù)字電路區(qū)塊200的金屬-介質(zhì)-金屬電容202k 沿著線條I-I'的側(cè)視示意圖。請注意，過孔202h和電容C2為說明目的在側(cè)視示意4 中刪除，以虛線表示的過孔202h'和202i代表過孔202h'和202i位于線條I-I'的背部，過 孔202g'位于線條I-I'的前部。金屬-介質(zhì)-金屬電容202k包括導(dǎo)電區(qū)段202a、導(dǎo)電區(qū) 段202c、頂板402、底板404和介質(zhì)板406，其中介質(zhì)板406可由氧化層406實現(xiàn)。并且，導(dǎo)電 區(qū)段202a經(jīng)由過孔202g'與頂板402電性連接，導(dǎo)電區(qū)段202c經(jīng)由過孔202h'與底板404 電性連接。請注意，為了更清楚的顯示金屬_介質(zhì)_金屬電容202k的布局，圖4進一步顯示 了布局結(jié)構(gòu)202的導(dǎo)電區(qū)段202b、過孔202i和導(dǎo)電區(qū)段202e。并且，絕緣層(insulating layer)可在介質(zhì)層LIN中設(shè)置于底層404和導(dǎo)電區(qū)段202e間。因此，根據(jù)本發(fā)明實施例， 金屬_介質(zhì)_金屬電容202k在第一導(dǎo)電路徑2022和第二導(dǎo)電路徑2024間提供另一個電 容組件。請注意，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可了解金屬_介質(zhì)_金屬電容可在任何兩個導(dǎo)電層間 實現(xiàn)，例如上述實施例的導(dǎo)電層L6和L5，并且可依據(jù)第一導(dǎo)電路徑2022和第二導(dǎo)電路徑 2024間的配置被布局成任何合適的形狀。此外，兩個導(dǎo)電層相互間并非一定相鄰。由于金 屬_介質(zhì)_金屬電容已為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知，此處不再贅述。 因此，當(dāng)數(shù)字邏輯區(qū)段2026從第一導(dǎo)電路徑2022的供應(yīng)電壓Vdd加載電流時，存 儲于電容Cl、 C2、 C3和C4的能量可瞬時(instantaneously)向數(shù)字邏輯區(qū)段2026提供所 需電流。因此，數(shù)字邏輯區(qū)段2026的供應(yīng)電壓Vdd的電壓降(例如動態(tài)電壓降)可最小 化。并且，由于電容C1、C2、C3和C4在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層的區(qū)域存儲能量(例如電荷)， 而并不是像在現(xiàn)有技術(shù)中利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的襯底來存儲能量，數(shù)字電路區(qū)塊200的布局結(jié) 構(gòu)202的漏電流遠遠小于現(xiàn)有技術(shù)中的漏電流。 可參考圖5，圖5為如圖2所示實施例的數(shù)字電路區(qū)塊202中用于減少供應(yīng)電壓降 的方法500的流程圖。在可提供實質(zhì)上相同結(jié)果的情況下，圖5所示的流程步驟可不按如 圖所示的順序、可以是非連續(xù)的，也即，其它步驟可以位于中間且可不完全執(zhí)行。方法500 包括 步驟502 :實施供應(yīng)電壓路徑選路，例如依據(jù)數(shù)字邏輯區(qū)段2026上執(zhí)行的ARP程 序，以產(chǎn)生第一導(dǎo)電路徑2022和第二導(dǎo)電路徑2024 ; 步驟504 :在第一導(dǎo)電路徑2022和第二導(dǎo)電路徑2024間決定用于布局結(jié)構(gòu)202的 區(qū)域； 步驟506 :設(shè)置導(dǎo)電區(qū)段202a和202b，導(dǎo)電區(qū)段202a和202b具有電性連接至第一 導(dǎo)電路徑2022的第一端和與第二導(dǎo)電路徑2024無電性連接的第二端，其中導(dǎo)電區(qū)段202a 和202b位于導(dǎo)電層L6 ; 步驟508 :設(shè)置導(dǎo)電區(qū)段202c和202d，導(dǎo)電區(qū)段202c和202d具有電性連接至第二 導(dǎo)電路徑2024的第一端和與第一導(dǎo)電路徑2022無電性連接的第二端，其中導(dǎo)電區(qū)段202c 和202d位于導(dǎo)電層L6 ; 步驟510 :在導(dǎo)電層L5設(shè)置導(dǎo)電區(qū)段202e和202f ; 步驟512 :利用過孔202h和202j將導(dǎo)電區(qū)段202c和202d分別與導(dǎo)電區(qū)段202f耦接，以及利用過孔202g和202i將導(dǎo)電區(qū)段202a和202b分別與導(dǎo)電區(qū)段202e耦接；以及 步驟514 :在位于導(dǎo)電區(qū)段202a和202c間的區(qū)域下設(shè)置金屬_介質(zhì)_金屬電容202k。 第一導(dǎo)電路徑2022可耦接供應(yīng)電壓Vdd以及第二導(dǎo)電路徑2024可耦接接地電壓Vgnd(步驟502) 。 ARP程序后，本發(fā)明的一個實施例可在第一導(dǎo)電路徑2022和第二導(dǎo)電路徑2024間的區(qū)域具有填充電容單元，且有必要在方法500中首先移除填充電容單元。然后，第一導(dǎo)電路徑2022和第二導(dǎo)電路徑2024間的區(qū)域可用于設(shè)置布局結(jié)構(gòu)202 (步驟504)。請注意，這僅是本實施例的可選步驟，本發(fā)明并不僅限于此。換句話說，在對數(shù)字電路區(qū)塊200實施ARP程序后，ARP程序可自動提供用于布局結(jié)構(gòu)202的區(qū)域。 請參考圖2和圖3。在步驟506 512中，電容Cl形成于導(dǎo)電區(qū)段202d和202e的重迭區(qū)域間，由斜線部分202d'形成。電容C2形成于導(dǎo)電區(qū)段202b和202f的重迭區(qū)域間，由斜線部分202b'形成。并且，電容C3形成于導(dǎo)電區(qū)段202b和202d間。相似的，電容C4形成于導(dǎo)電區(qū)段202e和202f間。在步驟514中，金屬-介質(zhì)-金屬電容202k設(shè)置于導(dǎo)電區(qū)段202a和202c間的區(qū)域下，并且如圖4所示金屬_介質(zhì)_金屬電容202k包括導(dǎo)電區(qū)段202a、導(dǎo)電區(qū)段202c、頂板402、底板404和介質(zhì)板406。此外，方法500利用過孔202g，使導(dǎo)電區(qū)段202a與頂板402電性連接，以及利用過孔202h'使導(dǎo)電區(qū)段202c與底板404電性連接。因此，金屬_介質(zhì)_金屬電容202k在第一導(dǎo)電路徑2022和第二導(dǎo)電路徑2024間提供另一個電容組件。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可了解金屬_介質(zhì)_金屬電容可在任何兩個導(dǎo)電層間實現(xiàn)，例如上述實施例的導(dǎo)電層L6和L5，并且可依據(jù)第一導(dǎo)電路徑2022和第二導(dǎo)電路徑2024間的配置被布局成任何合適的形狀。此外，兩個導(dǎo)電層相互間并非一定相鄰。由于金屬_介質(zhì)_金屬電容已為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知，此處不再贅述。
在本發(fā)明實施例中，第一導(dǎo)電路徑2022為第一導(dǎo)電區(qū)段，第二導(dǎo)電路徑2024為第二導(dǎo)電區(qū)段，第一供應(yīng)電壓為Vdd，第二供應(yīng)電壓為接地電壓Vgnd，導(dǎo)電區(qū)段202a、202b、202e稱為第三導(dǎo)電區(qū)段，導(dǎo)電區(qū)段202c、202d、202f稱為第四導(dǎo)電區(qū)段。導(dǎo)電區(qū)段202a、202b為第三導(dǎo)電區(qū)段202a、202b、202e位于導(dǎo)電層L6的部分，導(dǎo)電區(qū)段202e為第三導(dǎo)電區(qū)段202a、202b、202e位于導(dǎo)電層L5的部分，導(dǎo)電區(qū)段202f為第四導(dǎo)電區(qū)段202c、202d、202f位于導(dǎo)電層L5的部分，導(dǎo)電區(qū)段202c、202d為第四導(dǎo)電區(qū)段202c、202d、202f位于導(dǎo)電層L6的部分，其中導(dǎo)電層L6為第一導(dǎo)電層，導(dǎo)電層L5為第二導(dǎo)電層，電容202k、C2為第一電容，電容C4為第二電容；或者導(dǎo)電層L5為第一導(dǎo)電層，導(dǎo)電層L6為第二導(dǎo)電層，電容202k、 Cl為第一電容，電容C3為第二電容。 本說明書及前述的權(quán)利要求書并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。舉例來說，在本發(fā)明實施例中，也可以是第二導(dǎo)電路徑2024為第一導(dǎo)電區(qū)段，第一導(dǎo)電路徑2022為第二導(dǎo)電區(qū)段，第一供應(yīng)電壓為接地電壓Vgnd，第二供應(yīng)電壓為Vdd，導(dǎo)電區(qū)段202c、202d、202f稱為第三導(dǎo)電區(qū)段，導(dǎo)電區(qū)段202a、202b、202e稱為第四導(dǎo)電區(qū)段。其它組件名稱的變換也與此類似，此處不再贅述。
請注意，依據(jù)方法500產(chǎn)生的布局結(jié)構(gòu)202僅僅是本發(fā)明的一個例子，本發(fā)明并不僅限于此。也就是說，導(dǎo)電區(qū)段、過孔和金屬-介質(zhì)-金屬電容的數(shù)目以及導(dǎo)電區(qū)段、過孔和金屬_介質(zhì)_金屬電容之間的排布可根據(jù)實際條件進行調(diào)整，例如實現(xiàn)數(shù)字電路區(qū)塊200的布局結(jié)構(gòu)202的可用面積。 各種變形、修改和所述實施例的各種特征的組合均屬于本發(fā)明所主張范圍，本發(fā)明的權(quán)利范圍應(yīng)以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法，所述數(shù)字電路區(qū)塊包括第一導(dǎo)電區(qū)段、第二導(dǎo)電區(qū)段和數(shù)字邏輯區(qū)段，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第一端耦接至第一供應(yīng)電壓，所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第一端耦接至第二供應(yīng)電壓，所述數(shù)字邏輯區(qū)段耦接于所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第二端和所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第二端間，其特征在于，所述減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法包括設(shè)置第三導(dǎo)電區(qū)段，所述第三導(dǎo)電區(qū)段的第一端與所述第一導(dǎo)電區(qū)段電性連接以及所述第三導(dǎo)電區(qū)段的第二端與所述第二導(dǎo)電區(qū)段無電性連接，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)段具有位于第一導(dǎo)電層的第一部分，以及介質(zhì)層位于所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層間；以及設(shè)置第四導(dǎo)電區(qū)段，所述第四導(dǎo)電區(qū)段的第一端與所述第二導(dǎo)電區(qū)段電性連接以及所述第四導(dǎo)電區(qū)段的第二端與所述第一導(dǎo)電區(qū)段無電性連接，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)段具有位于所述第二導(dǎo)電層的第二部分，以及第一電容形成于所述第一部分和所述第二部分間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法，其特征在于，所述第 三導(dǎo)電區(qū)段的第三部分位于所述第二導(dǎo)電層，以及第二電容組件形成于所述第二部分和所 述第三部分間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法，其特征在于，所述第 一供應(yīng)電壓和所述第二供應(yīng)電壓其中之一為電源供應(yīng)電壓，另一個為接地電壓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法，其特征在于，所述第 二導(dǎo)電層和所述第一導(dǎo)電層相鄰。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法，其特征在于，所述介 質(zhì)層為氧化層。
6. —種減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法，所述數(shù)字電路區(qū)塊包括第一導(dǎo)電區(qū)段、 第二導(dǎo)電區(qū)段和數(shù)字邏輯區(qū)段，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第一端耦接至第一供應(yīng)電壓，所 述第二導(dǎo)電區(qū)段的第一端耦接至第二供應(yīng)電壓，所述數(shù)字邏輯區(qū)段耦接于所述第一導(dǎo)電區(qū) 段的第二端和所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第二端間，其特征在于，所述減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電 壓降的方法包括設(shè)置第三導(dǎo)電區(qū)段，所述第三導(dǎo)電區(qū)段的第一端與所述第一導(dǎo)電區(qū)段電性連接以及所 述第三導(dǎo)電區(qū)段的第二端與所述第二導(dǎo)電區(qū)段無電性連接，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)段具有位 于導(dǎo)電層的第一部分；以及設(shè)置第四導(dǎo)電區(qū)段，所述第四導(dǎo)電區(qū)段的第一端與所述第二導(dǎo)電區(qū)段電性連接以及所 述第四導(dǎo)電區(qū)段的第二端與所述第一導(dǎo)電區(qū)段無電性連接，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)段具有位 于所述導(dǎo)電層的第二部分，以及電容組件形成于所述第一部分和所述第二部分間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法，其特征在于，所述第 一供應(yīng)電壓和所述第二供應(yīng)電壓其中之一為電源供應(yīng)電壓，另一個為接地電壓。
8. —種減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)，所述數(shù)字電路區(qū)塊包括第一導(dǎo)電區(qū) 段、第二導(dǎo)電區(qū)段和數(shù)字邏輯區(qū)段，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第一端耦接至第一供應(yīng)電壓， 所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第一端耦接至第二供應(yīng)電壓，所述數(shù)字邏輯區(qū)段耦接于所述第一導(dǎo)電 區(qū)段的第二端和所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第二端間，其特征在于，所述減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng) 電壓降的布局結(jié)構(gòu)包括第三導(dǎo)電區(qū)段，所述第三導(dǎo)電區(qū)段的第一端與所述第一導(dǎo)電區(qū)段電性連接以及所述第三導(dǎo)電區(qū)段的第二端與所述第二導(dǎo)電區(qū)段無電性連接，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)段具有位于第一導(dǎo)電層的第一部分，以及介質(zhì)層位于所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層間；以及第四導(dǎo)電區(qū)段，所述第四導(dǎo)電區(qū)段的第一端與所述第二導(dǎo)電區(qū)段電性連接以及所述第四導(dǎo)電區(qū)段的第二端與所述第一導(dǎo)電區(qū)段無電性連接，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)段具有位于所述第二導(dǎo)電層的第二部分，以及第一電容組件形成于所述第一部分和所述第二部分間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三導(dǎo)電區(qū)段進一步具有位于所述第二導(dǎo)電層的第三部分，以及第二電容組件形成于所述第二部分和所述第三部分間。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一供應(yīng)電壓和所述第二供應(yīng)電壓其中之一為電源供應(yīng)電壓，另一個為接地電壓。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和所述第一導(dǎo)電層相鄰。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層為氧化層。
13. —種減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)，所述數(shù)字電路區(qū)塊包括第一導(dǎo)電區(qū)段、第二導(dǎo)電區(qū)段和數(shù)字邏輯區(qū)段，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第一端耦接至第一供應(yīng)電壓，所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第一端耦接至第二供應(yīng)電壓，所述數(shù)字邏輯區(qū)段耦接于所述第一導(dǎo)電區(qū)段的第二端和所述第二導(dǎo)電區(qū)段的第二端間，所述減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)包括第三導(dǎo)電區(qū)段，所述第三導(dǎo)電區(qū)段的第一端與所述第一導(dǎo)電區(qū)段電性連接以及所述第三導(dǎo)電區(qū)段的第二端與所述第二導(dǎo)電區(qū)段無電性連接，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)段具有位于導(dǎo)電層的第一部分；以及第四導(dǎo)電區(qū)段，所述第四導(dǎo)電區(qū)段的第一端與所述第二導(dǎo)電區(qū)段電性連接以及所述第四導(dǎo)電區(qū)段的第二端與所述第一導(dǎo)電區(qū)段無電性連接，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)段具有位于所述導(dǎo)電層的第二部分，以及電容組件形成于所述第一部分和所述第二部分間。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一供應(yīng)電壓和所述第二供應(yīng)電壓其中之一為電源供應(yīng)電壓，另一個為接地電壓。
全文摘要
一種減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法及布局結(jié)構(gòu)，數(shù)字電路區(qū)塊包括第一端耦接第一供應(yīng)電壓的第一導(dǎo)電區(qū)段、第一端耦接第二供應(yīng)電壓的第二導(dǎo)電區(qū)段和耦接于第一導(dǎo)電區(qū)段第二端和第二導(dǎo)電區(qū)段第二端間的數(shù)字邏輯區(qū)段，減少數(shù)字電路區(qū)塊供應(yīng)電壓降的方法包括設(shè)置第三導(dǎo)電區(qū)段，其第一端與第一導(dǎo)電區(qū)段電性連接，其第二端與第二導(dǎo)電區(qū)段無電性連接，經(jīng)由配置其第一部分位于第一導(dǎo)電層；設(shè)置第四導(dǎo)電區(qū)段，其第一端與第二導(dǎo)電區(qū)段電性連接，其第二端與第一導(dǎo)電區(qū)段無電性連接，經(jīng)由配置其第二部分位于第二導(dǎo)電層，電容形成于第一部分和第二部分間。利用本發(fā)明能夠使數(shù)字電路區(qū)塊的布局結(jié)構(gòu)的漏電流遠遠小于現(xiàn)有技術(shù)中的漏電流。
文檔編號H03K19/003GK101789779SQ20091013751
公開日2010年7月28日 申請日期2009年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月22日
發(fā)明者林志青, 黃升佑 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司