專利名稱：：Sf24k400型窄帶低插損聲表面波濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本實(shí)用新型涉及一種聲表面波濾波器，尤其涉及一種SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器。
背景技術(shù)：
：當(dāng)具有壓電效應(yīng)的晶體受到機(jī)械作用時(shí)，將產(chǎn)生與壓力成正比的電場(chǎng)的現(xiàn)象；具有壓電效應(yīng)的晶體，在受到電信號(hào)的作用時(shí)，也會(huì)產(chǎn)生彈性形變而發(fā)出機(jī)械波(聲波)，即可把電信號(hào)轉(zhuǎn)為聲信號(hào)。由于這種聲波只在晶體表面?zhèn)鞑?，故稱為聲表面波。聲表面波濾波器(SAWF)具有體積小、重量輕、性能可靠、不需要復(fù)雜調(diào)整的優(yōu)點(diǎn)，是無線通信中信號(hào)接收處理的關(guān)鍵器件?，F(xiàn)有技術(shù)中的聲表面波器件至少存在以下缺點(diǎn)濾波器的插損大。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種濾波器的插損低的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器。本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，包括基片，所述基片上設(shè)有左換能器、右換能器，所述左換能器和右換能器分別為單相單向換能器；所述左換能器或右換能單元為REMEZ切指加權(quán)優(yōu)化單元。由上述本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型所述的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，由于基片上設(shè)有左換能器、右換能器，左換能器和右換能器分別為單相單向換能器；左換能器或右換能單元為REMEZ切指加權(quán)優(yōu)化單元，可以減小雙向損耗，使整個(gè)濾波器的插損降低。圖1為本實(shí)用新型SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)原理圖；圖2為本實(shí)用新型SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器的優(yōu)化原理圖；圖3為本實(shí)用新型SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式本實(shí)用新型的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，其較佳的具體實(shí)施方式如圖l所示，包括基片8，基片8上設(shè)有左換能器9、右換能器IO，左換能器9和右換能器10可以分別為SPUDT(單相單向換能器)。換能器采用單向結(jié)構(gòu)，可以減小雙向損耗，損耗低。具體左換能器9可以包括正向諧振式單相單向單元11;右換能器10可以包括反向單相單向單元12。如圖2所示，左換能器9或右換能器10可以為REMEZ切指加權(quán)優(yōu)化單元。REMEZ切指加權(quán)優(yōu)化單元可以為經(jīng)衍射補(bǔ)償處理的單元?；?可以為112鉭酸鋰基片。即基片8用112°鉭酸鋰(112。LT)為材料制作，其溫度系數(shù)為18ppm/'C，SPUDT與112。LT的耦合系數(shù)較大，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗。根據(jù)需要也可以選用其它的材料。如圖2所示，本實(shí)用新型包括封裝結(jié)構(gòu)，封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有輸入引腳3和輸出引腳4，還可以設(shè)有多個(gè)接地引腳l、2、5、6。參見圖l，輸入引腳3和輸出引腳4可以分別與左換能器9和右換能器10連接；也可以互換，輸入引腳3和輸出引腳4分別與右換能器10和左換能器9連接。左換能器9和右換能器10還分別與至少一個(gè)接地引腳連接。本實(shí)用新型的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，可以為中心頻率為24.3624.39MHz的濾波器；也可以為一ldB帶寬為300400KHz的濾波器。窄帶、低損耗、高帶外抑制、高矩形度，可以滿足電臺(tái)或其它場(chǎng)合應(yīng)用的要求。一個(gè)具體實(shí)施例的電氣參數(shù)，如表l所示表l、具體實(shí)施例的電氣參數(shù)<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1、一種SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，包括基片，其特征在于，所述基片上設(shè)有左換能器、右換能器，所述左換能器和右換能器分別為單相單向換能器；所述左換能器或右換能單元為REMEZ切指加權(quán)優(yōu)化單元。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，其特征在于，所述左換能器包括正向諧振式單相單向單元；所述右換能器包括反向單相單向單元。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，其特征在于，所述基片為112°鉭酸鋰基片。4、根據(jù)權(quán)利要求l、2或3所述的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，其特征在于，該濾波器為中心頻率為24.3624.39MHz的濾波器。5、根據(jù)權(quán)利要求l、2或3所述的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，其特征在于，該濾波器為一ldB帶寬為300400KHz的濾波器。6、根據(jù)權(quán)利要求l、2或3所述的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，其特征在于，包括封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有輸入引腳和輸出引腳，所述輸入引腳和輸出引腳分別與所述左換能器和右換能器連接；或者，所述輸入引腳和輸出引腳分別與所述右換能器和左換能器連接。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有多個(gè)接地引腳，所述左換能器和右換能器分別與至少一個(gè)接地引腳連接。專利摘要本實(shí)用新型公開了一種SF24K400型窄帶低插損聲表面波濾波器，包括112°鉭酸鋰基片，基片上設(shè)有左換能器、右換能器，左換能器包括正向諧振式單相單向單元；右換能器包括反向單相單向單元，左換能器或右換能單元為REMEZ切指加權(quán)優(yōu)化單元。濾波器的中心頻率為24.36～24.39MHz、-1dB帶寬為300～400KHz，窄帶、低插損、高帶外抑制、高矩形度，可以滿足電臺(tái)等場(chǎng)合應(yīng)用的要求。文檔編號(hào)H03H9/64GK201312289SQ20082023376公開日2009年9月16日申請(qǐng)日期2008年12月23日優(yōu)先權(quán)日2008年12月23日發(fā)明者張敬鈞申請(qǐng)人:北京中訊四方科技有限公司