專利名稱：氣密式電子密室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是有關(guān)一種氣密式電子密室，特別是指一種利用熱塑性樹 脂材料所形成的封圍墻來組構(gòu)出低成本的氣密式電子密室，其具有防電磁 波干擾的功能，且可應(yīng)用于石英振蕩器或表面聲波濾波器。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參閱圖1，傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器IO (Quartz Crystal或resonator)
是利用一孔穴內(nèi)部12表面具有金屬電路布線(圖中未示)的矩形陶瓷基 座14為主體，將石英晶體16邊緣固定于矩形陶瓷基座14內(nèi)的支撐層18 上，再置上一上蓋20，進(jìn)行封裝而成。此類的矩形陶瓷基座為內(nèi)含導(dǎo)電金 屬層的絕緣容器，內(nèi)有支撐層，用以架設(shè)石英晶體，下方則布有電路接點(diǎn) 及地線。此類陶瓷基座有各種尺寸可在市面上購(gòu)買，為一般石英晶體振蕩 器制造廠所使用。而封裝于基座內(nèi)的芯片除石英晶體外，也可以是表面聲 波濾波器或?yàn)槭⒕w振蕩器。再者，為防止水氣或灰塵粒子附著于石英 芯片上，破壞晶振頻率的精準(zhǔn)度，所以采用氣密式封裝，這是最大特色。 矩型陶瓷基座與上蓋建構(gòu)形成一電磁波防護(hù)體(electromagnetic Shield)， 以防止電磁干擾。
但矩型陶瓷基座為達(dá)到小型化與兼具電磁波防護(hù)的功效，其制作過程 是相當(dāng)繁瑣的，因此制作此類矩形陶瓷基座的技術(shù)是往往是被特定廠商所 壟斷，并且高居不下的單價(jià)往往是石英晶體振蕩器組件或表面聲波濾波器 中較昂貴的成本花費(fèi)，造成下游石英晶體振蕩器等產(chǎn)品廠商在販賣商品時(shí) 無法壓低售價(jià)，進(jìn)行市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。更者，隨著未來電子產(chǎn)品輕薄短小的趨勢(shì) 需求下，微小化的尺寸將嚴(yán)重挑戰(zhàn)矩形陶瓷基座的尺寸極限。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種成本較低的氣密式電子密室，針對(duì)上述公知技術(shù)的缺失，以供給需要?dú)饷芤苑乐雇獠克畾饣蛘呋覊m粒子影響功 能運(yùn)作的電子組件。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的氣密式電子密室，其包含有一表
面上形成有至少一金屬電路布線的基板； 一位于基板四周的封圍墻，其與 基板構(gòu)成一電子孔穴；至少一對(duì)位于電子孔穴內(nèi)且位于金屬電路布線上的 支撐層，其系用以支撐一電子組件，其中封圍墻與支撐層皆是利用熱塑性 樹脂材料所形成；以及一上蓋，其位于封圍墻頂端上且用以封閉電子孔穴。 本實(shí)用新型的效果是
1) 利用熱塑性樹脂材料成形封圍墻于基板上來組構(gòu)成電子孔穴，而 大幅度降低氣密室電子密室所需的成本。
2) 所形成的封圍墻厚度約為0.3-0.5毫米(mm)，支撐層的高度也僅O.l 毫米，因此相對(duì)于公知的矩形陶瓷基座體積更小，更能符合未來電子產(chǎn)品 輕薄短小的趨勢(shì)需求，可廣泛應(yīng)用于光電或通訊產(chǎn)品中。


圖1是傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器結(jié)構(gòu)分解示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的氣密式電子密室的結(jié)構(gòu)分解示意圖。
圖3是本實(shí)用新型的氣密式電子密室的剖面示意圖。
圖4是本實(shí)用新型的另一實(shí)施例示意圖。
附圖中主要符號(hào)說明
IO石英晶體振蕩器
12孔穴內(nèi)部
14矩形陶瓷基座
16石英晶體
18支撐層
20上蓋
30氣密式電子密室 32基板
34、 34'金屬電路布線 36封圍墻
438支撐層
40電子孔穴 42上蓋 44導(dǎo)電金屬層 46石英芯片 48、 48，芯片 50導(dǎo)通電路
具體實(shí)施方式
為能對(duì)本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效更有進(jìn)一步的了解與 認(rèn)識(shí)，以較佳的實(shí)施例配合附圖作詳細(xì)說明。
請(qǐng)一并參閱圖2與圖3，其各為本實(shí)用新型的氣密式電子密室的組件 分解示意圖與剖面示意圖。如圖所示，本實(shí)用新型的氣密式電子密室30 包含有一基板32，如印刷電路板，基板32上具有金屬電路布線34 、 34，； 一位于基板32上的封圍墻36;至少一對(duì)位于封圍墻36底側(cè)且位于金屬電 路布線34上的支撐層38，其中封圍墻36與支撐層38是利用熱固型樹脂 材料形成的，封圍墻36與基板32定義出電子孔穴40的大小、形狀；以 及一支撐于封圍墻36頂端上且用以封閉電子孔穴40的上蓋42，其可以為
金屬上蓋o
支撐層38與封圍墻36的熱固型樹脂內(nèi)可混有導(dǎo)電粒子，以使支撐層 38與封圍墻36成為導(dǎo)體，而在上蓋42內(nèi)同樣也具有導(dǎo)體層的情況下，將 可建構(gòu)形成防電磁波干擾的氣密室電子密室。此外，上蓋42可利用導(dǎo)電 金屬層44，如導(dǎo)電膠，來黏著或焊接固定于封圍墻頂端上，形成氣密式封 裝。
而本實(shí)用新型的電子孔穴40內(nèi)的支撐層38上可設(shè)置石英芯片46或 者表面聲波濾波器(SAW filter)，經(jīng)與電路基板連結(jié)后以形成石英振蕩 器或者濾波器。
再者，本實(shí)用新型所使用的基板32可以為一般的玻璃纖維板(FR4) 或者是高溫的BT材質(zhì)，且可以是多層板組成的單一個(gè)體或復(fù)合體。而熱 固型樹脂是選自酚醛樹脂、尿素樹脂、美耐皿樹脂或環(huán)氧樹脂等?；?2內(nèi)可形成穿孔，并填入金屬導(dǎo)體，以形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通電路50。
本實(shí)用新型的技術(shù)重點(diǎn)在利用熱塑性樹脂材料形成封圍墻牢固立于
基板上，以組構(gòu)成電子孔穴，而所形成的封圍墻厚度約為0.3-0.5毫米(mm)， 支撐層的高度也僅O.l毫米，因此相對(duì)于公知的矩形陶瓷基座體積更小， 更能符合未來電子產(chǎn)品輕薄短小的趨勢(shì)需求，可廣泛應(yīng)用于光電或通訊產(chǎn) 品中。本實(shí)用新型的封圍墻與支撐層具類陶瓷的特性可以忍受后續(xù)高達(dá) 270。C爐溫的SMT生產(chǎn)工藝，也可以承受400。C短暫基板上維修的熱風(fēng)槍 換取過程，也就是說本實(shí)用新型的電子密室結(jié)構(gòu)可以兼容于一般半導(dǎo)體組 件加工制程，也兼容于其后的電子組合拆卸工藝。
請(qǐng)參閱圖4，其是本實(shí)用新型的另一實(shí)施例示意圖。如圖所示，本實(shí) 用新型的封圍墻36與支撐層38的高度可以隨著氣密式電子密室的功能需 求來適當(dāng)調(diào)整，以將如石英芯片46架高，因此可在石英芯片46下方放置 其它芯片48、 48'，例如系統(tǒng)芯片，并將芯片48、 48，與金屬電路布線34 打線接合，以架構(gòu)出一組合結(jié)構(gòu)，如石英晶體振蕩器(XCO)結(jié)構(gòu)。
綜上所述，本實(shí)用新型提供的一種氣密式電子密室，是利用一具有金 屬電路布線的基板與一由熱固型樹脂所成形的類陶瓷特性封圍墻來組構(gòu) 成一電子模穴，來大幅度降低公知矩形陶瓷基座的成本。再者，本實(shí)用新 型所使用的熱固型樹脂內(nèi)添加有導(dǎo)電粒子，并于電子模穴上封蓋一內(nèi)部具 有導(dǎo)電層的上蓋，由此形成具有防電磁波干擾的氣密式電子密室。而電子 模穴內(nèi)可放置石英芯片或表面聲波濾波器(SAW filter)，以形成石英振 蕩器或者濾波器。再者，本實(shí)用新型所形成的封圍墻厚度與支撐層的高度 相對(duì)于公知的矩形陶瓷基座體積更小，更能符合未來電子產(chǎn)品輕薄短小的 趨勢(shì)需求，可廣泛應(yīng)用于光電或通訊產(chǎn)品中。
以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本實(shí)用 新型實(shí)施的范圍。故即凡依本實(shí)用新型的特征及精神所為的均等變化或修 飾，均應(yīng)包括于本實(shí)用新型申請(qǐng)的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種氣密式電子密室，其特征在于，包含有一基板，其上形成有至少一金屬電路布線；一塑性樹脂封圍墻，其位于該基板的四周，與該基板構(gòu)成一電子孔穴；以及一上蓋，其位于該封圍墻頂端上且封閉該電子孔穴。
2、 如權(quán)利要求1所述的氣密式電子密室，其特征在于，其中該電子 孔穴內(nèi)包含有至少一對(duì)支撐層，其位于該金屬電路布線上，支撐一電子組 件。
3、 如權(quán)利要求2所述的氣密式電子密室，其特征在于，其中該封圍 墻與該支撐層為一體成形。
4、 如權(quán)利要求2所述的氣密式電子密室，其特征在于，其中該電子 組件是石英芯片或表面聲波濾波器。
5、 如權(quán)利要求2所述的氣密式電子密室，其特征在于，其中該封圍墻 與該支撐層具有類陶瓷特性。
6、 如權(quán)利要求1所述的氣密式電子密室，其特征在于，其中該上蓋 為金屬上蓋。
7、 如權(quán)利要求1所述的氣密式電子密室，其特征在于，其中該封圍 墻厚度為0.3-0.5毫米
8、 如權(quán)利要求3所述的氣密式電子密室，其特征在于，其中該支撐 層的高度為0.i毫米。
9、 如權(quán)利要求1所述的氣密式電子密室，其特征在于，其中該電子 孔穴內(nèi)設(shè)有系統(tǒng)芯片，打線接合至該金屬電路布線。
10、 如權(quán)利要求1所述的氣密式電子密室，其特征在于，其中該基板 為印刷電路板。
11、如權(quán)利要求1所述的氣密式電子密室，其特征在于，其中該上蓋 焊接固定于該封圍墻上。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種氣密式電子密室，其包含有一表面上形成有至少一金屬電路布線的基板；一位于基板四周的封圍墻，與基板構(gòu)成一電子孔穴；至少一對(duì)位于電子孔穴內(nèi)且位于金屬電路布在線的支撐層，其中封圍墻與支撐層皆是利用熱塑性樹脂材料所形成；以及一具有導(dǎo)電性的上蓋，位于封圍墻頂端上且用以封閉電子孔穴。熱塑性樹脂材料內(nèi)添加有導(dǎo)電粒子，以此使電子模穴成為具有防電磁波干擾的氣密式電子密室。此外，電子模穴內(nèi)可放置石英芯片或表面聲波濾波器并與基板電路連結(jié)，以形成石英振蕩器或者濾波器。
文檔編號(hào)H03H9/10GK201341117SQ20082013715
公開日2009年11月4日 申請(qǐng)日期2008年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月7日
發(fā)明者王金賢 申請(qǐng)人:晶揚(yáng)科技股份有限公司