專利名稱：縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種聲表面波濾波器，更具體地，涉及通過減小濾波器損耗并 且通過提高濾波器反射特性獲得縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器的有利濾 波器特性的技術。
技術背景聲表面波(SAW)濾波器使用由壓電效應產生的聲表面波。因而，聲表 面波濾波器非?？煽俊⒕o湊并且輕便。由于該原因，這些年來，聲表面波濾波 器廣泛用作移動通訊裝置的收發(fā)濾波器、天線分路濾波器(antenna branching filter)等。該類型的聲表面波濾波器通常包括多個叉指換能器(后文簡稱為 "IDT"),每一個用于激發(fā)聲表面波，所述叉指換能器形成在壓電基底上，并且 彼此電學或聲學連接。梯形結構和縱向耦合諧振器式結構分別為其中IDT彼此連接的已知結構。 在梯形結構中，多個IDT以梯形連接。在多個縱向耦合諧振器結構中，多個 IDT布置在其聲表面波傳播的傳播路徑中，并且彼此聲學耦合。通常在寬頻帶 中，縱向耦合式諧振器結構比梯形結構具有更好的衰減特性，并且具有不僅容 易激發(fā)非平衡信號，而且容易激發(fā)平衡信號的特性?？v向耦合諧振器式聲表面波濾波器在以下專利文件中
公開日本特開專利 申請公開號No.2002-9588 (后文稱為"專利文件1");日本專利翻譯公開號 No.2002-528987 (后文稱為"專利文件2");日本特開專利申請公開號 No.2003-92527 (后文稱為"專利文件3");和日本特開專利申請公開號 No.2003-243965 (后文稱為"專利文件4")。 發(fā)明內容雖然在這些專利文件中所敘述的發(fā)明成功地提高了其各自縱向耦合諧振 器式聲表面波濾波器的濾波器特性，但是仍然具有很大的進一步改進濾波器的 空間。在專利文件1中，縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器在叉指換能器之間保 持其間距連續(xù)性。這通過使鄰近每一個IDT端部設置的一些電極指之間的間距Ml小于IDT中其他電極指之間的間距？J2來實現。這使得可能抑制體輻射 (bulkradiation),因而使帶寬更寬，并且減小插入損耗。在下面的描述中，制 成與其他電極指之間的間距不同的一些電極指之間的間距稱為"次間距"，次間 距中較窄的間距稱為"較窄間距"，并且占據IDT中大部分電極、并且具有恒定 間距的其他電極指之間的間距稱為"主間距"。在專利文件2中，濾波器包括兩個IDT端面部，其每一個具有過渡區(qū)。 而且，電極指之間的間距在過渡區(qū)連續(xù)較小，并且在超過過渡區(qū)邊界制成連續(xù) 較大。以這種方式，體波輻射減小，其帶寬更寬，并且其插入損耗減小。另外， 在專利文件3中，濾波器包括電極指，在每一個IDT端面部附近，其間距較 窄。而且，具有較大量成對電極指的IDT中主間距區(qū)PI中的電極指之間的間 距大于具有較少量成對電極指的IDT中主間距區(qū)P2中的電極指之間的間距。 以這種方式，濾波器的帶寬變得更寬。如在專利文件1到3中敘述的傳統(tǒng)類型濾波器中，電極指之間的間距以各 種方式變化。但是，僅通過使用其次間距區(qū)，很難保持聲表面波的周期性的連 續(xù)性，并且體波輻射僅在一定范圍內減小。因此，這些濾波器不能充分抑制其 插入損耗。這是因為包括在每一個這些濾波器的每一個IDT中的大部分電極 (大于所有成對電極指的70% )中電極指之間的間距設置為恒定值(或者這 是因為每一個這些濾波器的每一個IDT包括主間距區(qū))，從而電極指之間的間 距僅在每一個IDT的每一個端部的一部分中變化。通過比較，專利文件4中，濾波器中兩個相鄰IDT的每一個分為多個區(qū)。 通過逐漸改變每一個區(qū)中電極指之間的間距，由兩個相鄰IDT中的一個產生 的聲表面波的相位與由兩個相鄰IDT中的另一個產生的相應聲表面波的相位 連續(xù)。以這種方式，體波輻射變得更小，并且其帶寬變得更寬，并且其插入損 耗減小。然而，如從專利文件4的示例的說明中清楚示出，根據所述示例的每一個 濾波器還包括主間距區(qū)，其占據大部分IDT(如下面所示具有帶下劃線的成對 電極指區(qū)域)。具體地，三個布置的IDT中的每一個中成對電極指的數量分別為(13對- 2對-1.5對)-(2對-13.5.對-2對)- (1.5對-2對- 13對), 并且這些電極的每一個間距分別為(2.065, - 1.955, - 1.855,) -(1.920|im - 2.040|im - 1.920|im ) - ( 1.855|im- 1.955pm - 2.065)(參見專 利文件4, 0067到0068段)。如專利文件4中敘述的發(fā)明基于與如專利文件1 到3中敘述的發(fā)明相同的技術思想。由于該原因，專利文件4中敘述的發(fā)明可 能產生與專利文件1到3中所敘述的發(fā)明相同類型的問題。另外，如專利文件1到4敘述的發(fā)明中存在共同的問題。每兩個相鄰IDT 中具有較少數量成對電極指的一個中的主間距區(qū)的比例小于兩個相鄰IDT中 具有較大數量成對電極指的另一個中的主間距區(qū)的比例。在該傳統(tǒng)類型的IDT 結構中，小的主間距區(qū)可能使反射特性變差?？紤]到前述問題，本發(fā)明的目的是，通過減小濾波器插入損耗并且提高其 反射特性，獲得更有利的聲表面波濾器特性，具體地，獲得更有利的縱向耦合 諧振器式聲表面波濾波器特性。為了通過解決前述問題實現該目的j艮據本發(fā)明的聲表面波濾波器包括兩 個或多個設置在壓電基底上并且布置在聲表面波傳播方向上的叉指換能器。在 聲表面波濾波器中，包括在至少一個叉指換能器中的幾乎所有電極指的每相鄰 兩個之間的間距互不相同，以使叉指換能器不包括主間距區(qū)。根據本發(fā)明的聲表面波濾波器與傳統(tǒng)類型濾波器不同之處在于，至少 一個 IDT設計為不包括主間距區(qū)。關于這點，"主間距區(qū)"占據大部分IDT (例如， 大于包括在IDT中的所有電極指的50% ),并且在"主間距區(qū)"中，電極指之間 的間距恒定(不改變)。通過使包括在IDT中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的間距互不相 同，實現防止至少一個IDT包括任何主間距區(qū)的特定方式。上述"使包括在IDT 中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的間距互不相同"通常意思是使包括在 IDT中的所有電極指的每相鄰兩個之間的間距互不相同，但是不限于該情況。 該描述包括使包括在其中的大部分電極指的每相鄰兩個之間的間距(例如，包 括在其中的60%到70%的電極指；理想地，大于包括在其中的80%的電極指； 并且更理想地，大于包括在其中的90%的電極指)與包括在其中其余電極指 的每相鄰兩個之間的間距不同。另外，該描述還包括逐漸改變電極指之間的間距(例如，從一個到另 一個逐漸地或不規(guī)則地改變每幾個電極指之間的間距， 具體地，每兩個電極指，每三個電極指，每四個電極指或每5到10個電極指)。包括在IDT中的所有電極指的每相鄰兩個之間的間距是否互不相同并不重要。這是因為使包括在其中的大部分電極指的每相鄰兩個之間的間距與包括 在其中的其余電極指的每相鄰兩個之間的間距不同、并且從一個到另 一個逐漸 或不規(guī)則地改變每幾個電極指之間的間距與使包括在其中的所有電極指的每 相鄰兩個之間的間距互不相同實質等同。因此，后面的兩種方案帶來的其效果 與前面的方案帶來的效果相似。另外，在每幾個電極指之間的間距從一個到另一個逐漸改變的情況下，"每幾個電極指，，不包括一個IDT的全部電極指的數 量。 一個IDT可包括多個電極指組在一些組中，每兩個電極指之間的間距 從一個到另一個改變；在其他組中，每三個電極指之間的間距從一個到另一個 改變；并且在另一些組中，每四個電極指之間的間距從一個到另一個改變。而且，如上所述，在每幾個電極指之間的間距從一個到另一個改變的情況 中，包括在一個IDT中的電極指組的數量應例如為三個或更多；理想地，四 個或更多；并且更理想地，五個或更多，但是小于包括在該IDT中的電極指 的總數量。而且，如上所述，在每幾個電極指之間的間距從一個到另一個改變 的該情況下，期望包括在最大數量的電極指組中的成對電極指的數量應例如小 于包括在一個IDT中的全部成對電極指的30% 。與傳統(tǒng)類型的IDT不同，根據本發(fā)明的IDT,其具有不包括主間距區(qū)(其 中大量.電極指中每相鄰兩個之間的間距恒定)的結構，使得不需要使聲表面波 的周期性的連續(xù)性(相位連續(xù))僅由設置在IDT端部中的次間距區(qū)保持。因 此，根據本發(fā)明的IDT可能通過使用整個IDT控制電極指之間的間距來保持 聲表面波的周期性的連續(xù)性，并且因此通過以更有利的方式降低體波輻射來減 小插入損耗。在成對電極指的數量彼此不同的兩個IDT彼此相鄰的情況下，特別是如 果根據本發(fā)明的前述濾波器結構(IDT結構)應用到具有較少數量成對電極指 的IDT，則濾波器結構(IDT結構)更有效防止IDT中的特性變差。具體地， 在根據本發(fā)明的濾波器包括至少一對IDT,所述對IDT ^f皮此相鄰布置以使該對 IDT聲學耦合，并且其成對電極指的數量彼此不同的情況下，包括在具有較少數量成對電極指的IDT中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的間距從一個到另一個不同，以使該IDT不包括主間距區(qū)。而且，除了具有較少數量成對電極指的IDT之外，相似的IDT結構可應 用到具有較大數量的成對電極指的兩個IDT中的另一個。換句話說，包括在 所述對IDT每一個中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的間距從一個到另 一個不同，以^使所述對IDT不包括主間距區(qū)。在根據本發(fā)明的濾波器中，期望具有較少數量成對電極指的IDT中的電 極指之間的最大間距小于具有較多數量成對電極指的IDT中的電極指之間的 最大間距，并且具有較少數量成對電極指的IDT中的電極指之間的最小間距 大于具有較多數量成對電極指的IDT中的電極指之間的最小間距。該結構可 能使具有較少數量成對電極指的IDT中電極指之間的間距的變化較小，并且 因此進一 步提高聲表面波的周期性的連續(xù)性。而且，如上所述，在IDT中電極指之間的間距傾向于從一個到另一個不 相同，以使IDT不包括主間距區(qū)的情況下，期望從一個到另一個的間距不是 單調變化。具體地，期望IDT包括至少一個間距減小區(qū)，其中包括在IDT中 的電極指之間的間距逐漸減小，并且包括至少一個間距增大區(qū)，其中包括在其 中的電極指之間的間距逐漸增大。具體地，期望該非單調變化的間距通過例如這樣的方式實現在布置在聲 表面波傳播方向的多個IDT的每一個端部IDT(最外面的IDT)中，電板指之 間的間距從外部朝向內部逐漸減小，并且在每一個IDT的內端部(內部)中， 依次相對增大，并且其后再次減小。這里，"內部"意思是靠近布置在聲表面波 傳播方向的全部多個IDT的中心的一側，并且"外部"意思是靠近全部多個IDT 的每一個端部的側。另一方面，在布置在聲表面波傳播方向的多個IDT中，介于其兩個相鄰 IDT之間的IDT (兩端與所述兩個相鄰IDT鄰接的IDT)包括這樣的區(qū)域其 中，總體上，電極指之間的間距在其中部較大，并且朝向其兩端逐漸減小，在 其中部的一部分中也減小。根據本發(fā)明的IDT結構期望可應用于縱向(垂直)耦合諧振器多模型聲 表面波濾波器。所述濾波器包括兩個或多個IDT,所述IDT布置在聲表面波傳播方向；和反射器，分別布置在構成兩個或多個IDT的組的兩側。另外， 根據本發(fā)明的濾波器在所述兩個或多個IDT中使用多種諧振模式。而且，在本發(fā)明的基礎上，可能能夠獲得輸出平衡信號的濾波器。具體地， 根據本發(fā)明任一前述方面的聲表面波濾波器可成對用作在輸入端和輸出端之 間并聯電連接的兩個聲表面波濾波器，來自一個濾波器的輸出信號的相位與來自另一個濾波器的相應輸出信號的相位相差基本180度，從連接點延伸出的輸入端為非平衡端，并且輸出端為平衡端。另外， 一個或多個聲表面波諧振器可串聯或并聯連接到每一個前述聲表面波濾波器。但是，多個濾波器可級聯為多級(multiple stages),或者可以任何 其他方式連接。而且，任一平衡端和非平衡端可選擇用于連接到多個濾波器的 輸入和輸出端(可選擇下述任一組合平衡輸入端與平衡輸出端組合，非平衡 輸入端和非平衡輸出端組合，平衡輸入端和非平衡輸出端組合，和非平衡輸入 端和平衡輸出端組合)。而且，根據本發(fā)明任一前述方面的IDT結構可應用于除了聲表面波濾波 器之外的邊界(boundary)聲波濾波器。具體地，邊界聲波濾波器包括壓電基底；非壓電材料(例如，非壓電基 底或非壓電薄膜)，與所述壓電基底接觸布置；兩個或多個IDT,以這樣的方 式設置在所述壓電基底和所述非壓電材料之間的邊界表面中所述兩個或多個 IDT沿邊界聲波傳播方向布置。為了使IDT不包括主間距區(qū)，在所述邊界聲波 濾波器中，包括在至少一個IDT中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的間 距從一個到另一個不相同。而且，以與聲表面波濾波器相同的方式，邊界聲波濾波器可包括至少一對 IDT，其彼此相鄰布置，以使所述對IDT聲學耦合，并且其成對電極指的數量 彼此不同。而且，在邊界聲波濾波器中，包括在所述對IDT中具有較少數量 成對電極指的 一 個的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的間距從一 個到另一 個不相同，以使IDT不包括主間距區(qū)。另外，包括在所述對IDT的每一個中 的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的間距從一個到另一個不相同，以使該成 對的IDT不包括主間距區(qū)。更期望包括在所述對IDT中具有較少數量成對電 極指的第一個中的電極指之間的最大間距小于所述對IDT中具有較多數量成對電極指的第二個中的電極指之間的最大間距，并且包括在所述對IDT的第
一個中的電極指之間的最小間距大于包括在所述對IDT的第二個中的電極指
之間的最小間距。
在本發(fā)明的基礎上，可能制造一種縱向耦合諧振器多模型邊界聲波濾波
器，其包括三個或多個IDT,用作沿邊界聲波傳播方向布置的IDT;和反射器， 分別布置在構成所述三個或多個IDT的組的兩側，并且其在所述三個或多個 IDT中使用多種諧振模式。而且，以與聲表面波濾波器相同的方式，可能制成 一種能夠獲得從其輸出平tf信號的濾波器，當邊界聲波濾波器成對用作兩個并 聯電連接的邊界聲波濾波器時，來自所述兩個邊界聲波濾波器之一的輸出信號 的相位與來自所述兩個邊界聲波濾波器的另一個的相應的輸出信號的相位基 本相差180度。另外， 一個或多個邊界聲波諧振器可串聯或并聯連接到每一個 前述邊界聲波濾波器。而且，多個濾波器可級聯為多級，或者可以任何其他方 式連接。而且，可選擇平衡端和非平衡端的任一個用于每一個連接到多個濾波 器的輸入和輸出端。
本發(fā)明可能減小聲表面波或邊界聲波濾波器的插入損耗，并且提高其反射 特性，并且由此進一步增強濾波器特性。
本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點將從下面結合附圖的本發(fā)明實施例的描述 變得顯而易見。在附圖中，相同的參考標記在所有視圖中表示相同的部件。


圖1是示意性顯示根據本發(fā)明第一實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波 濾波器的概念圖。
圖2是顯示在根據第一實施例的聲表面波濾波器中每一個IDT中電極指
之間間距的示圖。
圖3是顯示根據第一實施例的聲表面波濾波器帶通特性的曲線圖。
圖4是顯示根據第一實施例的聲表面波濾波器反射特性的曲線圖。
圖5是顯示根據第 一 實施例的聲表面波濾波器帶通特性的另 一個曲線圖。
圖6是顯示根據本發(fā)明第二實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器
中每一個IDT中的電極指之間間距的示圖。
圖7是顯示根據第二實施例的聲表面波濾波器帶通特性的曲線圖。圖8是顯示根據第二實施例的聲表面波濾波器反射特性的曲線圖。 圖9是示意性顯示根據本發(fā)明第三實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波 濾波器的概念圖。
圖10是顯示在根據第三實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器中每
一個IDT中電極指之間間距的示圖。
圖11是顯示根據第三實施例的聲表面波濾波器帶通特性的曲線圖。
圖12是顯示根據第三實施例的聲表面波濾波器反射特性的曲線圖。
圖13是顯示根據本發(fā)明第四實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器
中每一個IDT中電極之間間距的示圖。
圖14是蠱示根據第四實施例的聲表面波濾波器帶通特性的曲線圖。 圖15是顯示根據第四實施例的聲表面波濾波器反射特性的曲線圖。 圖16是示意性顯示根據本發(fā)明第五實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波
濾波器的概念圖。
圖17是顯示根據第五實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器中每一
個IDT中電極指之間間距的示圖。
圖18是顯示根據第五實施例的聲表面波濾波器帶通特性的曲線圖。 圖19是顯示根據第五實施例的聲表面波濾波器反射特性的曲線圖。 圖20是示意性顯示根據本發(fā)明第六實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波
濾波器的概念圖。
圖21是顯示根據第六實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器中每一 個IDT中電極指之間間距的示圖。
圖22是示意性顯示傳統(tǒng)式縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器的第一示例 的概念圖。
圖23是顯示在傳統(tǒng)式縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器第一示例中的每 一個IDT中電極指之間間距的示圖。
圖24是顯示在傳統(tǒng)式縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器第二示例中的每 一個IDT中電極指之間間距的示圖。
圖25是顯示可應用本發(fā)明的邊界聲波濾波器的概念圖。
圖26A是顯示IDT中常見的電極指之間間距的示意圖。圖26B是顯示反射器中常見的電極指之間間距的示意圖。
具體實施例方式
下面將進行本發(fā)明實施例的描述。首先，將進行傳統(tǒng)式縱向耦合諧振器式 聲表面波濾波器的描述。其次，將通過將本發(fā)明濾波器與傳統(tǒng)式濾波器比較， 進行根據本發(fā)明各實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器的描述。
圖22是示意性顯示傳統(tǒng)式縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器(后文成為 "第一傳統(tǒng)示例")的示意圖。如圖22中所示，第一傳統(tǒng)示例中的聲表面波濾 波器包括兩個縱向耦合的多模型的3-IDT聲表面波濾波器，其級聯為兩級。 兩個縱向耦合多模型3 - IDT聲表面波濾波器中的一個包括 一個IDT 12和兩 個IDT 13，以所述三個IDT沿聲表面波傳播方向布置的方式設置在壓電基底 上；和反射器10,分別設置在構成三個IDT的組的兩端。所述兩個縱向耦合 多模型聲表面波濾波器中的另一個包括 一個IDT22和兩個IDT23,以所述 三個IDT沿聲表面波傳播方向布置的方式設置在壓電基底上；和反射器10， 分別設置在由三個IDT構成的組的兩端。設置在第一濾波器11中部的IDT12 連接到輸入端1,設置在第二濾波器21中部的IDT 22連接到輸出端2。每一 個IDT 12和22在后文中稱為"中間IDT"。布置在在第一濾波器11中的中間 IDT 12兩側的IDT 13分別電連接到布置在第二濾波器21中的中間IDT 22兩 側的IDT23。每一個IDT 13和23在后文中成為"外部IDT"。
圖23為顯示第一傳統(tǒng)示例中第一濾波器11中每一個IDT 12和13中的電 極指之間間距和第一傳統(tǒng)示例中第二濾波器21中每一個IDT 22和23中的電 極指之間間距的示圖。如圖23中所示，每一個中間IDT 12、 22和外部IDT 13、 23具有其自身的其中電極指之間間距恒定的主間距區(qū)Pll、 P21，并且在其與 其他IDT相鄰側的每一個端部中(每一個中心IDT12、 22的兩個端部；外部 IDT 13中與中間IDT 12相鄰側的端部；外部IDT 23中與中間IDT 22相鄰側 的端部)具有較窄的間距區(qū)P12 (四個電極指對)、P22 (兩個電極指對)。在 每一個較窄間距區(qū)P12、 P22中，電極指之間的每一個間距分別比每一個主間 距區(qū)Pll、 P21中的間距窄。另外，假設該縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器 用作具有頻帶為800MHz (中心頻率為881.5MHz)的CDMA接收濾波器。該 縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器在每一個中間IDT 12和22中具有32對電極指，并且在每一個外部IDT 13和23中具有9對電極指。
如圖26A中所示，每一個IDT包括成對的彼此相對的梳狀電極8a和8b。 在本說明中，IDT中電極指之間的間距意思是叉指式梳狀電極8a和8b的每一 個成對電極指中心之間的距離L,。在本發(fā)明中，該距離L,以不同的方式改變， 以使IDT不具有主間距區(qū)。另一方面，每兩個相鄰IDT之間的距離和每一個 IDT中叉指的寬度(換句話說，重疊長度(電極區(qū)重疊的長度))使用X作為 參數限定，其中人(人為常數)是如圖26B中所示的每一個反射器10中每兩 個相鄰電極指中心之間的距離的兩倍大。
圖24是顯示傳統(tǒng)式縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器另一個示例(后文 稱為"第二傳統(tǒng)示例，，)中電極指之間間距的示圖。以與第一傳統(tǒng)示例的縱向耦 合多模型聲表面波濾波器相同的方式(參見圖22),第二傳統(tǒng)示例中的縱向耦 合諧振器式聲表面波濾波器包括每一個IDT 12、 13、 22、 23中的主間距區(qū) Pll、 P21;和IDT12、 13、 22、 23每一個端部中較窄的間距區(qū)P12、 P22 (分 別為兩個電極指對)。但是，第二傳統(tǒng)示例中的濾波器在每一個中間IDT12和 22中具有31對電才及指，并且在每一個外部IDT 13和23中具有12.5對電極指。 順便提及，假設在第二傳統(tǒng)示例中的濾波器用作用于PCS的SAW濾波器。 (第一實施例)
圖1是示意性顯示根據本發(fā)明第一實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波 濾波器的示意圖。以與第一和第二傳統(tǒng)示例的聲表面波濾波器相同的方式，根 據本發(fā)明第 一 實施例的聲表面波濾波器包括兩個彼此連接的縱向耦合多模型 3 - IDT聲表面波濾波器。兩個縱向耦合多模型3 - IDT聲表面波濾波器中的一 個包括介于兩個反射器10之間的一個IDT 32和兩個IDT 33,并且IDT 32和 33沿聲表面波傳播方向布置。兩個縱向耦合多模型3-IDT聲表面波濾波器中 的另一個包括介于兩個反射器10之間的一個IDT42和兩個IDT43,并且IDT 42和43沿聲表面波的傳播方向布置。第一濾波器31在中間IDT 32中具有其 主間距區(qū)Pll,并且第二濾波器41在中間IDT 42中具有其主間距區(qū)Pll。第 一濾波器31分別在中間IDT32兩端中具有其較窄的間距區(qū)P12。第二濾波器 41分別在中間IDT 42的兩端中具有其較窄間距區(qū)P12。每一個較窄間距區(qū)P12 中的電極指之間的間距小于每一個主間距區(qū)Pll中的電極指之間的間距。但是，在該濾波器中，如圖2中所示，從外部(靠近反射器側)到內部(靠近中間IDT側)幾乎貫穿每一個外部IDT 33和43中整個寬度，電極指之間的 間距逐漸變小(即，幾乎所有電^^指之間的間距在每一個IDT33和43中逐漸 變小)。這使得每一個外部IDT 33和43不具有主間距區(qū)(恒定的間距區(qū))。另 外，如從圖2清楚看出，在每一個外部IDT 33和43最外部中的電極指之間的 間距，其為每一個IDT 33和43中電極指之間的最大間距，小于每一個中間IDT 32和42中電極指之間的最大間3巨(或主間距區(qū)Pll中的間距)。每一個外部 IDT33和43的最里面間距區(qū)P32中的電極指之間的間距，其為每一個IDT33 和43中電極指之間的最小間距，大于每一個中間IDT 32和42的兩個端部每 一個中的4交窄間距區(qū)P12中電4及指之間的間距，所述間距為中間IDT 32和42 中電極指之間的最小間距(最窄間距)。而且，假設，以與第一傳統(tǒng)示例中的濾波器相同的方式，根據本實施例的 濾波器用作具有800MHz頻帶(具有881.5MHz中心頻率)的CDMA接收濾 波器。第一濾波器31在其中間IDT32中具有40對電極指，第二濾波器41在 其中間IDT42中具有40對電^f及指。第一濾波器31在每一個其外部IDT33中 具有11對電極指，第二濾波器41在每一個其外部IDT43中具有11對電極指。 而且，每一個反射器10中電極指的數量為50,并且是每一個反射器10中電 極之間間距兩倍大的X為4.56|im (每一個反射器中的電極指之間的間距X/2 =2.28{im)。另外，每一個IDT32、 33、 42和43中的重疊長度(電極指叉指 寬度)為30A/, IDT 32和每一個IDT 33之間的距離及IDT 42和每一個IDT 43 之間的距離為0.467X;并且每一個IDT 33和其相應的反射器10之間的距離為 0.5人。IDT32、33、42、43和反射器IO通過例如在39度Y切割X傳播方向(Y-cut X-propagation )的LiTa03基底頂部表面上形成厚度為4nm的TiN基薄膜，并 且隨后例如在合成基底上形成厚度為330nm的單晶Al薄膜，由此形成每一個 IDT和反射器的電極圖案來制成。事實上，這些電極圖案一次大量形成在前述 類型的壓電基底上，并且隨后通過切成分離的濾波器芯片而分開。每一個片狀 濾波器通過倒裝芯片焊接安裝到陶瓷基基底上，并且使用樹脂密封。另外，輸 入和輸出端1和2為非平衡端，并且輸入/輸出阻抗為50Q。根據本實施例的聲表面波濾波器樣本以前述方式形成，并且第 一傳統(tǒng)示例 中的濾波器使用與制備所述樣本相同的材料形成。然后，分別測量根據本實施 例濾波器樣本和第一傳統(tǒng)示例中的濾波器的傳播和反射的頻率特性。測量結果
顯示在圖3到5中。在圖3到5中，實線表示根據本實施例濾波器樣本的測量
結果，虛線表示第一傳統(tǒng)示例中濾波器的測量結果(這是描述其他實施例時將
使用的圖7、 8、 11、 12、 14、 15、 18和19的情況)。如從圖中清楚示出，本 實施例可能減小聲表面波濾波器通帶中的插入損耗(參見圖3),并且使其反 射特性等于或優(yōu)于第一傳統(tǒng)示例中濾波器的反射特性(參見圖4)。
本實施例消除了來自每一個外部IDT33和43的主間距區(qū)。因此，與第一 傳統(tǒng)示例中的濾波器不同，不需要僅通過使用較窄的間距區(qū)P22來保持中間 IDT32和每一個外部IDT 33之間的間距連續(xù)性及中間IDT 42和每一個外部 IDT 43之間的間距連續(xù)性。因而，可認為根據本實施例的聲表面波濾波器能 夠抑制由于體波輻射造成的插入損耗的增加。這里，體波輻射由于中間IDT32 和每一個外部IDT 33之間的間距不連續(xù)性和中間IDT 42和每一個外部IDT 43 之間的不連續(xù)性產生。而且，根據本實施例的濾波器和第一傳統(tǒng)示例中的濾波 器在通帶的兩個肩部Sl和S2 (參見圖5 )的每一個中具有相似的帶通特性。 與第一傳統(tǒng)示例中的濾波器比較可知，使用根據本實施例的間距結構的濾波器 不會使帶通特性變差。 (第二實施例)
圖6是顯示根據本發(fā)明第二實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器 中每一個IDT中電極指之間間距的示圖。以與根據第一實施例的濾波器相同 的方式(參見圖1),根據第二實施例的濾波器包括兩個連接在非平衡輸入端1 和非平衡輸出端2之間的縱向耦合多模型3 - IDT聲表面波濾波器。兩個縱向 耦合多模型3-IDT聲表面波濾波器中的一個包括布置在一對反射器10之間 的一個中間IDT 32和兩個外部IDT 33。兩個縱向耦合多模型3-IDT聲表面 波濾波器中的另 一個包括布置在一對反射器10之間的一個中間IDT 42和兩個 外部IDT43。但是，與根據不包括主間距區(qū)(參見圖2)的第一實施例的濾波 器中每一個外部IDT33和43中電極指之間的間距不同，根據第二實施例的濾 波器中的每一個外部IDT33和43中的電極指之間的間距不以單調方式改變。在根據第一實施例的濾波器中(參見圖2)，每一個外部IDT33中電極指 之間的間距從外部(鄰近相應的一個反射器10的一側)到內部(鄰近中間IDT 32的另一側)以間距不包括主間距區(qū)的方式筒單變小，并且每一個外部IDT 43 中的電極指之間的間距從外部(鄰近相應的一個反射器10的一側)到內部(鄰 近中間IDT 32的另一側)以間距不包括主間距區(qū)的方式簡單變小。與根據第 一實施例的濾波器中每一個外部IDT 33和43不同，根據第二實施例的濾波器 中的每一個外部IDT 33和43具有這樣的電極指之間的間距在間距區(qū)P31中， 從外部到內部逐漸減小，并且在鄰近相應的一個中間IDT 32和42的內部區(qū)域 中稍微反過來增加(參見圖6中參考標記P33)，然后再次變小(參見圖6中 參考標記P32)。順便提及，根據第二實施例的濾波器與根據第一實施例的濾 波器的相同之處在于，每一個外部IDT33和43中電極指之間的最大間距小于 每一個中間IDT32和42中電極指之間的最大間距，還在于，每一個外部IDT 33和43中電極指之間的最小間距P32大于每一個中間IDT32和42中電極指 之間的最小間距P12。本實施例中電極指之間的間距中非單調變化(不僅僅是增加或減小變化) 是本發(fā)明人以各種方式測試本發(fā)明時發(fā)現的型式。本發(fā)明人發(fā)現，每一個設計 為不具有主間距區(qū)的IDT中電極指之間的間距中的非單調變化(不僅僅是增 加或減小變化)使得不僅能夠減小聲表面波濾波器的插入損耗，而且提高其反 射特性。以與根據第一實施例的濾波器的帶通和反射特性與第一傳統(tǒng)示例中的 濾波器的帶通和反射特性相比較的相同方式，圖7和8通過與根據第一實施例 的濾波器的帶通和反射特性相比較，分別顯示了根據本實施例的濾波器的帶通 和反射特性測量結果。如從這些測量結果中清楚示出，第二實施例進一步減小 了聲表面波濾波器的插入損耗，并且進一步提高了其反射特性。 (第三實施例)圖9為顯示根據本發(fā)明第三實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器 的示意圖。圖10為顯示根據第三實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器 中每一個IDT中電極指之間間距的示圖。以與根據第一和第二實施例的濾波 器相同的方式，如圖9中所示，根據第三實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波 濾波器包括兩個縱向耦合多模型3 -IDT濾波器51和61，其以在非平衡輸入端1和非平衡輸出端2之間級聯為兩級。濾波器51包括布置在一對反射器10 之間的一個IDT 52 (中間IDT)和兩個IDT 53 (外部IDT )。濾波器61包括 布置在一對反射器10之間的一個IDT 62(中間IDT )和兩個IDT 63(外部IDT )。 但是，如圖10中所示，根據第三實施例的濾波器中的中間IDT 52或62沒有 設置主間距區(qū)(恒定間距區(qū))。具體地，每一個中間IDT 52和62具有間距區(qū)P41 ，其中，電極指之間的 間距在中間IDT的中心部中最大，并且朝向其兩端部逐漸變小。因此，表示 間距分布的曲線形狀象山。每一個外部IDT53和63中的最大間距P21小于每 一個中間IDT 52和62中的最大間距。每一個外部IDT 53和63中的最小間距 P22大于每一個中間IDT 52和62中的最小間距P42。另外，每一個外部IDT 53 和63包括主間距區(qū)P21,并且在其鄰近相應的一個中間IDT 52和62的端部 中具有較窄的間距區(qū)P22。圖11和12為分別顯示根據本實施例的濾波器的帶通和反射特性測量結果 的曲線圖。從這些測量結果可清楚示出，根據本實施例的濾波器結構也可能減 小聲表面波濾波器的插入損耗，并且提高其反射特性。 (第四實施例)圖14是顯示根據本發(fā)明第四實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器 中每一個IDT中電極指之間間距的曲線圖。以與根據第三實施例的聲表面波 濾波器相同的方式，根據第四實施例的聲表面波濾波器包括兩個彼此連接的縱 向耦合多模型3-IDT濾波器。但是，以與根據第二實施例(參見圖6)的聲 表面波濾波器中每一個外部IDT相同的方式，構成根據第四實施例的聲表面 波濾波器的兩個縱向耦合多模型3 - IDT濾波器的每一個中的兩個外部IDT的 每一個沒有任何主間距區(qū)，并且具有間距區(qū)P31、 P32和P33，經由所述間距 區(qū)的電極指之間的間距以非單調形式改變。而且，以與根據第三實施例的濾波 器(參見圖10)中每一個中間IDT相同的方式，根據第四實施例的濾波器中 的每一個中間IDT具有間距區(qū)P41,其中電極指之間的間距在中間IDT的中 心部最大，并且朝向其兩個端部逐漸變小。結果，表示間距分布的曲線形狀象 山。這些使得第一濾波器51中的一個中間IDT 52和兩個外部IDT 53中的每 一個不具有主間距區(qū)，并且使第二濾波器61中的一個中間IDT62和兩個外部IDT 63的每一個不具有主間距區(qū)。另外，在根據第四實施例的濾波器中，每 一個外部IDT中的最大間距小于每一個中間IDT中的最大間距，并且每一個 外部IDT中的最小間距大于每一個中間IDT中的最小間距。圖14和15為分別顯示根據第四實施例的濾波器帶通和反射特性測量結果 的曲線圖。如從這些測量結果中清楚示出，根據第四實施例的濾波器結構比第 一傳統(tǒng)示例和第 一到第三實施例的各濾波器結構可將聲表面波濾波器的插入 損耗減小得更低，并且所述濾波器結構將其反射特性提高得更多。 (第五實施例)圖16是顯示根據本發(fā)明第五實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器 的示意圖。圖17是顯示根據第五實施例的濾波器中每一個IDT中電極指之間 間距的示圖。如圖16中所示，根據第五實施例的聲表面波濾波器包括兩個縱 向耦合多模型濾波器71和聲表面波諧振器101。從兩個縱向耦合多模型濾波 器71中輸出的一個信號的相位從由兩個濾波器71中另一個輸出的信號的相位 移動約180度。兩個濾波器71彼此并聯電連接。聲表面波諧振器101插入(或 串聯連接)在輸入端1和從兩個濾波器71 4皮此并聯電連接處的連接點3延伸 出的非平衡端之間。彼此并聯連接的多模型濾波器71的每一個包括布置在一對反射器IO之間 的一個IDT 72和兩個IDT 73。如圖17中所示，每一個外部IDT 73具有主間 距區(qū)P21,并且在其鄰近中間IDT72的相應的一個的內部中具有較窄間距區(qū) P22。相反，通過逐漸改變整個中間IDT的每兩個到7個電極指之間的間距， 使每一個中間IDT72設計為不具有主間距區(qū)。另夕卜，在每一個中間IDT72中， 兩到七個電極指之間的每一個間距以非單調方式變化(不僅僅以增加或減小變 化)。具體地，在每一個中間IDT中，兩個到七個電極指之間的每一個間距從 IDT的一個端部朝向IDT中間逐漸(逐步)增加，并且在IDT的中部減小(圖 17中參考標記P52所示)。其后，間距再次增加，并且朝向IDT的另一個端部 減小。結果，表示間距分部的曲線成波浪型。換句話說，與根據第三實施例的 濾波器不同，所述第三實施例的濾波器具有電極指之間變化的間距，以使間距 在每一個中間IDT的中部最大，并且間距朝向中間IDT兩個端部以表示間距分布的曲線為相對簡單象山的方式逐漸變小，而根據第五實施例的濾波器具有 兩個到七個電極指之間的每一個間距，其貫穿每一個中間IDT以表示間距分布的曲線幾乎象山的方式變化，同時具有間距區(qū)P52,其中兩個到7個電極指 之間的每一個間距以表示間距分布的曲線為凹形的方式減小。另外，在根據第 五濾波器的濾波器中，每一個外部IDT 73中的最大間距P21小于每一個中間 IDT72中的最大間距，并且每一個外部IDT73中的最小間距P22大于每一個 中間IDT 72中的最小間距P53。假設根據第五實施例的濾波器用作PCS接收濾波器(具有中心頻率為 1960MHz )。彼此并聯連接的每一個濾波器71在其中間IDT 72中具有39.0對 電極指，在每一個其外部IDT73中具有14.5對電極指，并且在每一個反射器 10中具有65個電極。于是，是每一個反射器10中電極指之間間距的兩倍大 的人為2.01pm。另外，在每一個IDT 72和73中的重疊長度為IDT 72 和每一個IDT73之間的距離為0.468人；并且每一個IDT73及其相應的反射器 IO之間的距離為0.5X。而且，IDT 72 、 IDT 73和反射器10通過在46度Y切割X傳播方向的LiTa03 基底頂部表面上以例如4nm的厚度形成TiN基薄膜，隨后在合成基底上以例 如170nm的厚度形成單晶Al薄膜，并且由此形成用于每一個IDT和反射器的 電極圖案而制成。以用于根據第一實施例的濾波器的電極圖案相同的方式，這 些用于根據第五實施例的濾波器的電極圖案一次在前述類型的壓電基底上大 量形成，并且隨后通過切成離散濾波器芯片進行分割。每一個片狀濾波器通過 倒裝芯片焊接安裝在陶瓷基的基底上，并且使用樹脂密封。另外，輸入端1 為非平衡端，具有50Q的輸入阻抗。輸出端2為輸出阻抗為的平衡端 2a和2b。阻抗匹配感應器(未示出)設置在平衡的輸出端2a和2b之間。而且，串聯連接到這些多模型濾波器71上的聲表面波諧振器101包括介 于一對反射器llO之間的IDTlll。 IDT111中的電極指之間的間距以及是每一 個反射器110中電極之間間距兩倍大的X為1.972|iim。IDTlll具有169.0對電 極指，并且IDT 111中的重疊長度為30入。每一個反射器110中的電極指的數 量為80。 IDT111和每一個反射器IIO之間的距離為0.5入。圖18和19分別為顯示根據第五實施例的濾波器帶通和反射特性測量結果的曲線圖。從這些測量結果清楚示出，第五實施例可能以非常有利的方式減小 聲表面波濾波器的插入損耗，并且獲得其非常有利的反射特性。應注意的是，諧振器101可以任何其他方式連接到多模型濾波器，并且任 意數量的諧振器101可連接到多模型濾波器。例如，諧振器可并聯連接到多模 型濾波器。另外，根據第五實施例的聲表面波濾波器可包括多個彼此串聯連接 的諧振器，或多個彼此并聯連接的諧振器。 (第六實施例)圖20為顯示根據第六實施例的縱向耦合諧振器式聲表面波濾波器的示意 圖。圖21是顯示根據第六實施例的濾波器中每一個IDT中電極指之間間距的 示圖。如圖20中所示，根據第六實施例的聲表面波濾波器為縱向耦合多模型 濾波器，其在一對反射器10之間包括五個IDT 81到85。五個IDT 81到85 沿聲表面波的傳播方向布置，并且從一個反射器到另 一個依次命名為第一 IDT、第二IDT、第三IDT、第四IDT和第五IDT。第一到第五IDT 81到85的每一個中的電極指之間的間距以第一到第五 IDT 81到85中沒有一個具有任何主間距區(qū)的方式變化。具體地，如圖21中 所示，與各反射器IO相鄰的最端部IDT的第一IDT 81和第五IDT 85的每一 個中的電極指之間的間距以與根據第二實施例的濾波器(參見圖6)中每一個 外部IDT中電極指之間的間3巨相同的方式變化。另夕卜，第二 IDT 82和第四IDT 84的每一個中電極指之間的間距以與根據第三實施例的濾波器(參見圖10) 中的每一個中間IDT中電極指之間間距相同的方式變化。而且，與根據第一到第五實施例的每一個濾波器中每一個IDT中逐漸變 化的電極指之間的間距不同，在根據第六實施例的濾波器中，與相應的一個相 鄰IDT鄰接的任何IDT的每一個端部區(qū)域中電極指之間的間距連續(xù)變化，。然 而，根據第一到第六實施例的每一個濾波器中任何IDT的每一個端部區(qū)域中 的電極指之間的間距可逐漸或連續(xù)變化。而且，貫穿設置在濾波器中部的第三IDT 83的電極指之間的間距以表示 間距分布的曲線象山狀的方式變化，而在第三IDT 83左右端部的每一個中電 極指之間的間距略微增加，如分別在第一IDT81和第五IDT85的每一個端部 中的情況。IDT以這樣的方式設計任兩個相鄰IDT之間、具有較少數量成對電極指的一個IDT中的電極指之間的最大間距小于兩個相鄰IDT之間具有較 多數量成對電極指的另一個IDT中的電極指之間的最大間距。同時，IDT以這 樣的方式設計IDT以這樣的方式設計具有較少數量成對電極指的前述IDT 中電極指之間的最小間距大于具有較多數量成對電極指的后述IDT中電極指 之間的最小間距。根據第六實施例的濾波器在第一IDT81中具有例如14.5對電極指，在第 三IDT 83中具有25.0對電極指，在第五IDT 85中具有14.5對電極指，在第 二 IDT 82和第四IDT 84的每一個中具有38.0對電極指，并且在分別設置在兩 端的每一個反射器10中具有65對電極。另外，是每一個反射器10中電極指 之間間距兩倍大的人例如為2.01pm。 IDT81到85中每一個的重疊長度例如為 40入。每兩個相鄰IDT之間的距離例如為0.468人。每一個末端IDT和對應的一 個反射器之間的距離為例如0.5 u本發(fā)明不限于根據附圖描述的實施例。本發(fā)明可進行各種方式的改變而不 偏離權利要求的范圍。中變化，以使IDT不具有任何主間距區(qū)。另外，電極指之間間距一個接一個 的逐漸變化和電極指之間間距一個接一個的連續(xù)變化可根據需要組合使用在 一個IDT或整個一個濾波器中。而且，本發(fā)明中的輸入端和輸出端可以是以 下組合平衡輸入端和平衡輸出端組合、非平衡輸入端和非平衡輸出端組合、 平衡輸入端和非平衡輸出端組合、或非平衡輸入端和平衡輸出端組合。而且，代替LiTa03，壓電基底可由例如LiNb03和石英等壓電單晶或例如 鋯鈦酸鉛陶瓷等壓電陶瓷形成。另外，通過在絕緣基底上形成例如ZnO薄膜 等壓電薄膜獲得的基底可用作壓電基底。另外，代替Al,構成IDT的電極和 反射器可由鋁合金或例如Cu和Au等材料形成。另外，電極可通過層壓多個 導電材料形成。而且，本發(fā)明不僅可應用于聲表面波濾波器，而且可應用于如圖25中所 示在壓電基底5 (例如，LiTa03基底和LiNb03基底)和非壓電材料6 (例如， Si02和Si)之間具有IDT和反射器電極7的邊界聲波濾波器。
權利要求
1.一種聲表面波濾波器，包括兩個或多個叉指換能器，設置在壓電基底上，并且沿聲表面波的傳播方向布置，其中，所述兩個或多個叉指換能器包括至少一對彼此相鄰布置的叉指換能器，以能夠彼此聲學耦合，并且具有不同數量的成對電極指，并且包括在所述對叉指換能器當中的一個叉指換能器中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的間距從一個到另一個不相同，以使所述叉指換能器不包括主間距區(qū)，其中，所述叉指換能器當中的一個叉指換能器具有較少數量成對電極指。
2. —種邊界聲波濾波器，包括 壓電基底；非壓電材料，與所述壓電基底接觸布置；和兩個或多個叉指換能器，其設置在所述壓電基底和所述非壓電材料之間的 界面上，并且沿邊界聲波的傳播方向布置，其中，所述兩個或多個叉指換能器包括至少一對彼此相鄰布置的叉指換能 器，以能夠彼此聲學耦合，并且具有不同數量的成對電極指，并且包括在所述對叉指換能器當中的 一個叉指換能器中的幾乎所有電極指的 每相鄰兩個之間的間距從一個到另 一個不相同，以使所述叉指換能器不包括主 間距區(qū)，其中，所述叉指換能器當中的一個叉指換能器具有較少數量成對電極 指。
3. 根據權利要求1所述的聲表面波濾波器，其中，包括在所述對叉指換能器的兩個中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個 之間的間距從一個到另 一個不相同，以使所述叉指換能器不包括主間距區(qū)。
4. 根據權利要求2所述的邊界聲波濾波器，其中，包括在所述對叉指換能器的兩個中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個 之間的間距從一個到另 一個不相同，以使所述叉指換能器不包括主間距區(qū)。
5. 根據權利要求1所述的聲表面波濾波器，其中，所述對叉指換能器當中的第一個叉指換能器中的電極指之間的最大 間距小于所述對叉指換能器當中的第二個叉指換能器中的電極指之間的最大 間距，其中，所述對叉指換能器當中的第一個叉指換能器具有較少數量成對電 極指，所述對叉指換能器當中的第二個叉指換能器具有較多數量成對電極指， 并且所述對叉指換能器當中的第 一個叉指換能器中的電極指之間的最小間距 大于所述對叉指換能器當中的第二個叉指換能器中的電極指之間的最小間距， 其中，所述對叉指換能器當中的第一個叉指換能器具有較少數量成對電極指， 所述對叉指換能器當中的第二個叉指換能器具有較多數量成對電極指。
6. 根據權利要求2所述的邊界聲波濾波器，其中，所述對叉指換能器當中的第一個叉指換能器中的電極指之間的最大 間距小于所述對叉指換能器當中的第二個叉指換能器中的電極指之間的最大 間距，其中，所述對叉指換能器當中的第一個叉指換能器具有較少數量成對電 極指，所述對叉指換能器當中的第二個叉指換能器具有較多數量成對電極指， 并且所述對叉指換能器當中的第 一 個叉指換能器中的電極指之間的最小間距 大于所述對叉指換能器當中的第二個叉指換能器中的電極指之間的最小間距， 其中，所述對叉指換能器當中的第一個叉指換能器具有較少數量成對電極指， 所述對叉指換能器當中的第二個叉指換能器具有較多數量成對電極指。
7. 根據權利要求1所述的聲表面波濾波器，其中，在包括在所述叉指換能器中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的 間距從一個到另一個不相同，以使所述叉指換能器不包括主間距區(qū)的情況下， 所述叉指換能器包括至少一個間距減小區(qū)和至少一個間距增大區(qū)，其中，在該 間距減小區(qū)中，所述電極指之間的間距逐漸減小，在該間距增大區(qū)中，所述電 極指之間的間距逐漸增大。
8. 根據權利要求2所述的邊界聲波濾波器，其中，在包括在所述叉指換能器中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的 間距從一個到另 一個不相同，以使所述叉指換能器不包括主間距區(qū)的情況下， 所述叉指換能器包括至少一個間距減小區(qū)和至少一個間距增大區(qū)，其中，在該間距減小區(qū)中，所述電極指之間的間距逐漸減小，在該間距增大區(qū)中，所述電 極指之間的間距逐漸增大。
9. 根據權利要求7所述的聲表面波濾波器，其中，在沿聲表面波傳播方向布置的多個叉指換能器中的每一個末端叉指 換能器中，所述電極指之間的間距從其外部到其內部逐漸減小，此后反過來增 加，并且隨后在其內端部中再次減小。
10. 根據權利要求8所述的邊界聲波濾波器，其中，在沿聲表面波傳播方向布置的多個叉指換能器中的每一個末端叉指 換能器中，所述電極指之間的間距從其外部到其內部逐漸減小，其后反過來增 加，并且隨后在其內端部中再次減小。
11. 根據權利要求7所述的聲表面波濾波器，其中，在沿聲表面波傳播方向布置的多個叉指換能器中，介于其兩個相鄰 叉指換能器之間的叉指換能器具有其中所述電極指之間的間距在其中部較大， 朝向其兩端逐漸減小的總體間距變化，并且具有這樣的區(qū)域該區(qū)域中所述電 極指之間的間距在其中部的 一部分中減小。
12. 根據權利要求8所述的邊界聲波濾波器，其中，在沿聲表面波傳播方向布置的多個叉指換能器中，介于其兩個相鄰 叉指換能器之間的叉指換能器具有其中所述電極指之間的間距在其中部較大， 朝向其兩端逐漸減小的總體間距變化，并且具有這樣的區(qū)域該區(qū)域中所述電 極指之間的間距在其中部的 一部分中減小。
13. 根據權利要求1所述的縱向耦合諧振器多模型聲表面波濾波器， 其中，沿聲表面波傳播方向布置的所述叉指換能器包括三個或多個叉指換能器，反射器分別布置在由所述三個或多個叉指換能器構成的組的兩側，并且 多種諧振模式使用在所述三個或多個叉指換能器中。
14. 根據權利要求2所述的縱向耦合諧振器多模型邊界聲波濾波器， 其中，沿聲表面波傳播方向布置的所述叉指換能器包括三個或多個叉指換能器，反射器分別布置在由所述三個或多個叉指換能器構成的組的兩側，并且多種諧振模式使用在所述三個或多個叉指換能器中。
15. —種聲表面波濾波器，包括一對聲表面波濾波器，其輸出信號的相位彼此相差約180度，并且同時并 聯地電連接在輸出端和從所述連接點延伸出的輸入端之間，所述輸入端為非平 衡端，并且每一個輸出端為平衡端，其中，根據權利要求1的聲表面波濾波器用于所述對聲表面波濾波器中的 每一個。
16. —種縱向耦合諧振器多模型聲表面波濾波器，其中，至少一個聲表面波諧振器串聯連接到根據權利要求13所述的聲表 面波濾波器。
17. —種縱向耦合諧振器多模型聲表面波濾波器，其中，至少一個聲表面波諧振器串聯連接到根據權利要求15所述的聲表 面波濾波器。
18. —種縱向耦合諧振器多模型聲表面波濾波器，其中，至少一個聲表面波諧振器并聯連接到根據權利要求13所述的聲表 面波濾:皮器。
19. 一種縱向耦合諧振器多模型聲表面波濾波器，其中，至少一個聲表面波諧振器并聯連接到根據權利要求15所述的聲表 面波濾波器。
全文摘要
公開了一種聲表面波濾波器，其包括沿聲表面波傳播方向布置的兩個或多個IDT，其中，所述兩個或多個IDT包括至少一對彼此相鄰布置的IDT，以彼此聲學耦合，并且具有不同數量的成對電極指，并且包括在所述對IDT的具有較少數量成對電極指的一個中的幾乎所有電極指的每相鄰兩個之間的間距從一個到另一個不相同，以使所述IDT不包括主間距區(qū)。
文檔編號H03H9/64GK101277100SQ20081008690
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月28日 優(yōu)先權日2007年3月30日
發(fā)明者中澤道幸, 持塚誠亮, 高橋正樹 申請人:Tdk株式會社