專利名稱：：運(yùn)算放大器的制作方法運(yùn)算放大器本發(fā)明涉及一種運(yùn)算放大器，它尤其用于電池供電的無(wú)線電系統(tǒng)。在許多應(yīng)用場(chǎng)合需要使用放大器。因此,用于濾波電路的放大器或用于放大測(cè)量信號(hào)的放大器例如在傳感器系統(tǒng)中被使用。一種公知的放大電路例如為運(yùn)算放大器。對(duì)于其它的應(yīng)用領(lǐng)域，放大器可有利地放大一個(gè)寬頻帶。對(duì)于一些應(yīng)用而言，放大器作為選擇放大器僅放大一個(gè)工作頻率范圍中的窄頻帶即可滿足。一個(gè)運(yùn)算放大器可具有一個(gè)輸入差分放大器及一個(gè)輸出級(jí)。例如在Seifart著的"模擬電路"-1994年，柏林技術(shù)出版社，第4版-第276至286頁(yè)中公開(kāi)了一種運(yùn)算放大器。一個(gè)運(yùn)算放大器的輸入級(jí)例如是一個(gè)差分放大器。例如在Seifart著的"模擬電路"-1994年，柏林技術(shù)出版社，第4版-第107頁(yè)中公開(kāi)了一種差分運(yùn)算放大器。差分放大器的輸出電壓正比于兩個(gè)輸入端子之間的電壓差。以相同的振幅及相位作用在兩個(gè)輸入端上的共模電壓不能由理想的差分放大器放大。差分放大器通過(guò)其在很大程度上對(duì)稱的結(jié)構(gòu)得到其有利的特性。兩個(gè)輸入晶體管的發(fā)射極可相互連接及與一個(gè)輸入恒流源連接。由IEEE之"固體電路"雜志，2003年2月第38巻第二期，第176頁(yè)上公開(kāi)了具有一個(gè)差分放大器的2.4GHz低功率發(fā)射器/接收器CMOSIC。由IEEE之"固體電路"雜志，2003年4月第38巻第四期公開(kāi)了使用0.35pmCMOS技術(shù)的具有一個(gè)差分放大器的5.2GHz低噪聲放大器。在IEEE的國(guó)際固體電路會(huì)議1994年論文集14.1節(jié)中公開(kāi)了一種用于超大規(guī)模集成電路單元程序庫(kù)的3VCMOS軌對(duì)軌輸入/輸出運(yùn)算放大器。在IEEE之"固體電路"雜志，2000年4月第35巻第四期公開(kāi)了一種具有動(dòng)態(tài)偏置的輸出級(jí)的1.2VCMOS運(yùn)算放大器。由WO01/73943Al公開(kāi)了一種應(yīng)用在模擬及數(shù)字高頻電路中的用于CMOS-LVDS電平(LVDS-低壓差分信號(hào))的電子輸出級(jí)。該輸出級(jí)具有一個(gè)第一及一個(gè)第二晶體管，它們用一個(gè)第一端子連接在一個(gè)電流源上及用一個(gè)控制端子連接在輸入端子上。第三及第四晶體管用一個(gè)第一端子連接在電源電位上及用一個(gè)第二端子連接在第一及第二晶體管的第二端子上及連接在一輸出端子上，及用一個(gè)控制端子連接在變換的輸入信號(hào)上。為了變換輸入信號(hào)設(shè)有一個(gè)差分放大器，它與第三及第四晶體管的控制端子連接。差分放大器用于放大輸入信號(hào)，使輸入信號(hào)反相及設(shè)置一個(gè)電壓偏置。并且也可以通過(guò)差分放大器的高電平及低電平來(lái)調(diào)節(jié)出輸出級(jí)的輸出端上的所需輸出電壓。本發(fā)明的任務(wù)在于，開(kāi)發(fā)一種具有盡可能高的電流驅(qū)動(dòng)能力的盡可能簡(jiǎn)單的運(yùn)算放大器。該任務(wù)將通過(guò)具有權(quán)利要求1的特征的運(yùn)算放大器來(lái)解決。本發(fā)明有利的進(jìn)一步構(gòu)型是從屬權(quán)利要求的技術(shù)方案。因此,提出了一種運(yùn)算放大器，它具有至少一個(gè)輸入差分放大器及至少一個(gè)輸出級(jí)。輸入差分放大器與一個(gè)第一輸入端及與一個(gè)第二輸入端相連接。輸出級(jí)被構(gòu)造成差動(dòng)的，使得它與運(yùn)算放大器的第一輸出端及第二輸出端連接。在此，通過(guò)該運(yùn)算放大器放大的有效信號(hào)在第一輸出端及第二輸出端上是反相的。輸出級(jí)可與輸入差分放大器間接地通過(guò)一個(gè)另外的級(jí)來(lái)連接。但優(yōu)選該輸出級(jí)與輸入差分放大器直接地連接。輸出級(jí)具有雙極性晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管。差動(dòng)輸出級(jí)具有包括兩個(gè)第一晶體管的第一支路，它們的漏極或集電極相互連接及與第一輸出端相連接。該差動(dòng)輸出級(jí)還具有包括兩個(gè)第二晶體管的第二支路，它們的漏極或集電極相互連接及與第二輸出端相連接。第一支路及第二支路優(yōu)選被構(gòu)造成對(duì)稱的。優(yōu)選第一支路及第二支路最好具有相同的晶體管。這里對(duì)于"相同的晶體管"應(yīng)理解為這樣的晶體管，即它們彼此可具有由制造過(guò)程的公差引起的很小差別。第一支路中的兩個(gè)第一晶體管的這些第一柵極或這些第一基極相互連接及與輸入差分放大器的第一輸出端相連接。第二支路中的兩個(gè)第二晶體管的這些第二柵極或這些第二基極相互連接及與輸入差分放大器的第二輸出端相連接。這樣連接的兩個(gè)第一晶體管及兩個(gè)第二晶體管在以下被稱為全橋。因此，在一個(gè)支路的晶體管的兩個(gè)柵極端子或兩個(gè)基極端子上總是施加同一電壓。不設(shè)置用于調(diào)節(jié)對(duì)于一個(gè)支路的兩個(gè)柵極或兩個(gè)基極不同的偏壓的級(jí)。一個(gè)支路的兩個(gè)晶體管優(yōu)選被連接成所謂的推挽級(jí)。每個(gè)支路優(yōu)選具有一個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOS，N-JFET)及一個(gè)P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PMOS，P-JFET)。在此，優(yōu)選在該推挽級(jí)中N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極與地或一個(gè)負(fù)電源電壓端子連接。作為替換方案，優(yōu)選P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極與一個(gè)正電源電壓端子連接。作為替換方案，每個(gè)支路具有一個(gè)npn雙極性晶體管及一個(gè)p叩雙極性晶體管。在此，在推挽級(jí)中優(yōu)選叩n晶體管的發(fā)射極與地或一個(gè)負(fù)電源電壓端子連接。作為替換方案地，優(yōu)選pnp晶體管的發(fā)射極與一正電源電壓端子連接。因此該全橋優(yōu)選由兩個(gè)推挽級(jí)(推換放大器)構(gòu)成。這兩個(gè)支路有利地在制造公差的范圍上構(gòu)造成相同的。一個(gè)支路的每個(gè)晶體管的源極或集電極與該運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端連接。因此，負(fù)載端子被構(gòu)造在全橋的橋?qū)蔷€上。此外，差動(dòng)輸出級(jí)具有一個(gè)恒流源。該恒流源與每個(gè)支路連接以供給電流。為此，恒流源與第一支路的第一晶體管中的一個(gè)晶體管的源極或發(fā)射極連接及與第二支路的第二晶體管中的一個(gè)晶體管的源極或發(fā)射極連接。第一支路的第一晶體管中的另一晶體管的源極或發(fā)射極優(yōu)選與一個(gè)電源電壓端子連接。此外，第二支路的第二晶體管中的另一晶體管的源極或發(fā)射極優(yōu)選與該電源電壓端子連接。因此，通過(guò)這些晶體管構(gòu)成的推挽級(jí)與該恒流源連接，或該恒流源與全橋連接以供給流過(guò)全橋的電流。如果在差動(dòng)輸出級(jí)中例如使用了場(chǎng)效應(yīng)晶體管，則通過(guò)恒流源的供電，恒定電流將流過(guò)晶體管的漏極-源極區(qū)段。此外在高頻時(shí)一個(gè)小的分量作為位移電流通過(guò)柵極電容及柵極端子流出或流入。如果例如在差動(dòng)輸出級(jí)中使用雙極性晶體管，則通過(guò)恒流源的供電，恒定電流將流過(guò)晶體管的集電極-發(fā)射極區(qū)段。此外一個(gè)小的分量作為基極電流通過(guò)雙極性晶體管的基極端子流出或流入。這里，對(duì)于恒流源將視電流的流動(dòng)方向而定被理解為電流源或電流漏。根據(jù)一個(gè)第一構(gòu)型方案，兩個(gè)第一晶體管為互補(bǔ)的雙極性晶體管及兩個(gè)第二晶體管為互補(bǔ)的雙極性晶體管。根據(jù)第二構(gòu)型方案，兩個(gè)第一晶體管為互補(bǔ)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管及兩個(gè)第二晶體管為互補(bǔ)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的進(jìn)一步構(gòu)型中提出，輸出級(jí)的工作點(diǎn)被這樣地調(diào)節(jié)，以致在工作點(diǎn)中恒流源的恒定電流的一半流過(guò)第一支路的兩個(gè)第一晶體管及另一半流過(guò)第二支路的兩個(gè)第二晶體管。這里，對(duì)于電流的一半不被理解為數(shù)學(xué)上的一半，而被理解為在運(yùn)算放大器制造公差范圍中電流以半地分配。由于該制造公差，運(yùn)算放大器的輸出電流或輸出電壓通常具有小的偏移。優(yōu)選輸入差分放大器具有一個(gè)第一輸入晶體管及一個(gè)第二輸入晶體管。此外，優(yōu)選第一輸入晶體管的第一源極端子或第一發(fā)射極端子及第二輸入晶體管的第二源極端子或第二發(fā)射極端子與一個(gè)輸入恒流源相連接。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)有利的進(jìn)一步構(gòu)型，差動(dòng)輸出級(jí)的恒流源及輸入差分放大器的輸入恒流源連接在該運(yùn)算放大器的同一電源電壓端子上。本發(fā)明的另一方案是運(yùn)算放大器在電池供電的無(wú)線電系統(tǒng)中的應(yīng)用。在此，運(yùn)算放大器具有一個(gè)輸入差分放大器及一個(gè)差動(dòng)輸出級(jí)，該差動(dòng)輸出級(jí)與輸入差分放大器連接。差動(dòng)輸出級(jí)具有包括兩個(gè)第一晶體管的一個(gè)推挽級(jí)的第一支路及具有包括兩個(gè)第二晶體管的一個(gè)推挽級(jí)的第二支路。差動(dòng)輸出級(jí)還具有一個(gè)恒流源，它與每個(gè)推挽級(jí)連接以供給流過(guò)推挽級(jí)的電流。以上所述的這些進(jìn)一步構(gòu)型方案不僅單獨(dú)地是有利的而且其組合也是特別有利的。在此情況下，所有的進(jìn)一步構(gòu)型方案可不同地組合。一些可能的組合在結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中已說(shuō)明。但那里所述的進(jìn)一步構(gòu)型方案的組合的可能性并未窮盡，還可進(jìn)行其它的組合。以下借助附圖通過(guò)實(shí)施例來(lái)詳細(xì)地描述本發(fā)明。附圖中表示圖h運(yùn)算放大器的第一實(shí)施例的一第一概要電路圖2:運(yùn)算放大器的第二實(shí)施例的一第二概要電路圖；圖3:運(yùn)算放大器的第三實(shí)施例的一第三概要電路圖；圖4:運(yùn)算放大器的第四實(shí)施例的一第四概要電路圖。圖1示出一個(gè)運(yùn)算放大器的優(yōu)選實(shí)施例。該運(yùn)算放大器的該實(shí)施例的目的在于，達(dá)到盡可能小的電流消耗或在給定工作電流時(shí)達(dá)到盡可能高的電流驅(qū)動(dòng)能力。該運(yùn)算放大器具有一個(gè)輸入差分放大器A1，它與運(yùn)算放大器的第一輸入端Inu及第二輸入端Ii^相連接。此外，該運(yùn)算放大器具有一個(gè)差動(dòng)輸出級(jí)D1，它與該輸入差分放大器A1及一第一輸出端Ou以及一第二輸出端021相連接。在圖1實(shí)施例中的電源電壓V+的值為1.8V。差動(dòng)輸出級(jí)Dl具有兩個(gè)NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MP211，MN211及兩個(gè)PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管Mp2n及M麗2。在圖1的實(shí)施例中，作為晶體管Mp2n，MN211，Mpm及Mn2,2使用CMOS技術(shù)的MOSFETs。替換地也可使用阻擋層場(chǎng)效應(yīng)晶體管。作為輸出級(jí)可使用兩個(gè)推挽級(jí)。每個(gè)推挽級(jí)的兩個(gè)晶體管之一、在圖1的實(shí)施例中它是一個(gè)支路的PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、在此用其源極端子不是連接在工作電壓V+上，而是連接在一個(gè)恒流源CSn上。差動(dòng)輸出級(jí)Dl的第一支路具有一個(gè)PMOS晶體管MP211及一個(gè)NMOS晶體管MN211，它們優(yōu)選為互補(bǔ)。兩個(gè)晶體管Mp2n及MN211的柵極端子直接地相互連接。此外，兩個(gè)晶體管Mp2n及M^u的柵極端子與輸入差分放大器Al的一個(gè)輸出端0D11相連接。同樣地，兩個(gè)晶體管MP211及MN211的漏極端子直接地相互連接及與輸出級(jí)Dl的一個(gè)輸出端021相連接。NMOS晶體管MN211的源極端子與一個(gè)電源電壓端子-這里與地GND-連接。而PMOS晶體管MP211的源極端子與恒流源CS21相連接。一第二支路也具有一個(gè)PMOS晶體管MP212及一個(gè)NMOS晶體管MN212，它們優(yōu)選也為互補(bǔ)。兩個(gè)晶體管Mp^及M^^2的柵極端子直接地相互連接。此外，兩個(gè)晶體管Mp^及MN2。的柵極端子與輸入差分放大器A1的一個(gè)輸出端OD2,相連接。同樣地兩個(gè)晶體管MpM及MN212的漏極端子直接地相互連接及與輸出級(jí)Dl的一個(gè)輸出端022相連接。NMOS晶體管Mn犯的源扱端子與一個(gè)電源電壓端子-這里與地GND-連接。而PMOS晶體管Mp2,2的源極端子與另一支路的PMOS晶體管MP2的源極端子及與恒流源CS2I相連接。恒流源CSu與一個(gè)電源電壓端子連接，這里是與正電源電壓端子V+連接。這四個(gè)晶體管Mp川，MN2,MP212，MN2,2在所述的連接上也被稱為"全橋"。因此，差動(dòng)輸出級(jí)D1具有恒流源CS^，該恒流源與該全橋連接以供給通過(guò)全橋的電流121。在此，通過(guò)全橋的電流^僅由恒流源CS"來(lái)確定，只要通過(guò)輸出級(jí)Dl的輸出端Ou或021對(duì)恒流源CS21的電流I21未疊加附加電流的話。恒流源CS"還用于工作點(diǎn)調(diào)節(jié)。電壓Vm可被自動(dòng)地調(diào)節(jié)。其方式是第一支路的第一晶體管及第二支路的第二晶體管用恒流源CS21來(lái)驅(qū)動(dòng)。輸入差分放大器Al具有兩個(gè)輸入晶體管Mpu,及Mpn2，它們?cè)趫D1的實(shí)施例中被構(gòu)造成PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。替換地當(dāng)然也可使用其它類型的晶體管，如阻擋層場(chǎng)效應(yīng)晶體管。第一輸入晶體管Mpm的柵極端子與運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端In21相連接。第二輸入晶體管MP112的柵極端子與運(yùn)算放大器的另一輸入端In相連接。兩個(gè)輸入晶體管MP11及MP112的源極端子直接地相互連接并與一個(gè)輸入恒流源CSu相連接。輸入恒流源CSn又與一個(gè)電源電壓端子相連接，這里與正電源電壓端子V+相連接。第一輸入晶體管MP111的漏極端子與另一電流源及與輸入差分放大器Al的第一輸出端0D11并因此直接與差動(dòng)輸出級(jí)Dl的晶體管MP21I及MN211的柵極端子連接。第二輸入晶體管MP112的漏極端子與另一電流源及與輸入差分放大器Al的第二輸出端0D21并因此直接與差動(dòng)輸出級(jí)Dl的晶體管Mp2,2及MN212的柵極端子連接。對(duì)于圖1中實(shí)施例的與恒流源CS^連接的全橋來(lái)說(shuō)，與AB類放大器相反地不需要對(duì)輸出晶體管Mp2n，MN211，Mp2,2及M,2的柵極提供偏壓及信號(hào)電壓的驅(qū)動(dòng)電路。這具有其優(yōu)點(diǎn)，即可以實(shí)現(xiàn)該推挽級(jí)的推挽式工作，而無(wú)需用于驅(qū)動(dòng)輸出晶體管Mp2u，MN2，Mpm及M^。的附加耗費(fèi)。最大的待放大的頻率由輸出晶體管MP211，MN21I，Mp2,2及MN212的電特性來(lái)確定及不用通過(guò)附加放大級(jí)而下降。當(dāng)PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管及NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的互導(dǎo)在制造公差的范圍中相同時(shí)，則達(dá)到最大的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。在此情況下可由第一支路及第二支路的晶體管在輸出端Ou，021上輸出最大2><121的信號(hào)振幅(峰-峰值)，其中在兩個(gè)支路的每個(gè)中流過(guò)121/2的靜態(tài)電流。另一可能的優(yōu)點(diǎn)是，圖1的電路需要小的電源電流，其中用于輸入差分放大器Al的電流Iu通過(guò)恒流源CS來(lái)確定及用于輸出級(jí)Dl的電流121通過(guò)恒流源CS2I來(lái)確定。為了輸入差分放大器的可靠工作，在圖1的實(shí)施例中，很難使輸入共模電壓處于電源電壓的一半V+/2即0.9V上。閾電壓、即圖1的實(shí)施例中放大器晶體管的Vdsat與輸入恒流源CS的Vdsat的總和大于0.9V。因此實(shí)際的輸入共模電壓可在0.6V至0.7V上，由此不需要輸出級(jí)D1的對(duì)稱控制。對(duì)于圖1的差分運(yùn)算放大器優(yōu)選使用的共模調(diào)節(jié)電路在圖1中由于簡(jiǎn)化圖示的原因而未被示出。圖2中作為電路圖示意性地表示運(yùn)算放大器的另一實(shí)施例。具有恒流源CS22及晶體管MP221，MN221，Mp222及MN222的輸出級(jí)D2與圖1中的輸出級(jí)Dl沒(méi)有區(qū)別。而輸入差分放大器A2具有一個(gè)第一NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN121及一個(gè)第二NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MN122，它們的柵極端子與運(yùn)算放大器的輸入端Il^及In22相連接。此外，晶體管Mw22，M^2i的源極端子與一個(gè)輸入恒流源CS!2相連接。輸入恒流源CSu又與地GND相連接。在輸入端Inu及11122上施加輸入信號(hào)，該輸入信號(hào)既可具有共模信號(hào)分量也可具有推挽信號(hào)分量。這里對(duì)于"共模信號(hào)"應(yīng)理解為在輸入差分放大器A2的兩個(gè)輸入端In12及In22上出現(xiàn)相同的頻率及相同的相位及相同的振幅。對(duì)于"推挽信號(hào)"應(yīng)理解為在輸入端11112及In22上施加的信號(hào)具有相同的頻率，相同的振幅及移相了180°的相位。共模信號(hào)與推挽信號(hào)也可簡(jiǎn)單地疊加。在此，推挽信號(hào)通常為有效信號(hào)。推挽信號(hào)通過(guò)輸入差分放大器A2進(jìn)行電壓放大及通過(guò)輸入差分放大器A2的輸出端0012及0022到達(dá)輸出級(jí)D2的晶體管MP221，MN221，Mp222及MN222的柵極端子。在此，晶體管MP221，MN221，Mp222及Mn222的柵極體現(xiàn)為作為輸入差分放大器A2的附加負(fù)載的容性阻抗。該容性負(fù)載被構(gòu)造得愈小，則可達(dá)到的輸入差分放大器A2的最大放大頻率愈高。但隨著容性負(fù)載的減小，輸出級(jí)D2的晶體管MP221，MN221，Mp222及MN222的柵極寬度也減小。這又使輸出級(jí)D2的電流驅(qū)動(dòng)能力減小。圖3中以電路圖的形式示意性示出運(yùn)算放大器的另一實(shí)施例。在圖3中對(duì)于輸入差分放大器A3及輸出級(jí)D3使用雙極性晶體管Qp23pQw23pQp232，Qn232，QnB1及Qn132。輸入差分放大器A3具有作為輸入晶體管的npn雙極性晶體管QNi32及QN13I。輸入晶體管QN132及QN13的基極與運(yùn)算放大器的輸入端In13及In23相連接。輸入晶體管(^132及QN131的發(fā)射極與一個(gè)輸入恒流源CS13連接，該輸入恒流源又與地GND連接。輸出級(jí)D3具有一個(gè)包括互補(bǔ)的叩n雙極性晶體管QN23I及pnp雙極性晶體管QP231的第一支路，這些雙極性晶體管的基極相互連接及與輸入差分放大器A3的一個(gè)輸出端0013連接。此外，npn雙極性晶體管QN^及pnp雙極性晶體管QP231的集電極相互連接及與輸出級(jí)D3的一個(gè)輸出端023連接。npn雙極性晶體管QN231的發(fā)射極與一個(gè)恒流源CS23相連接，該恒流源又與地GND連接。而pnp雙極性晶體管QP231的發(fā)射極與電源電壓的端子連接，這里與正電源電壓V+相連接。此外輸出級(jí)D3具有一個(gè)包括互補(bǔ)的npn雙極性晶體管(^232及pnp雙極性晶體管QP232的第二支路。npn雙極性晶體管QN232的發(fā)射極與npn雙極性晶體管QN231的發(fā)射極及與恒流源CS23相連接。因此不僅輸出級(jí)D3的恒流源CS23而且輸入差分放大器A3的輸入恒流源CSn與同一電源電壓電位(這里為GND)連接。圖3的實(shí)施例特別適用于由電池提供的小供電電壓。對(duì)此，優(yōu)選雙極性晶體管的在工作點(diǎn)上特別小的基極-發(fā)射極電壓及高的電流放大系數(shù)是有利的。對(duì)于特別高的頻率將有利地使用異型雙極性晶體管，例如其具有硅-鍺的混合晶體。圖4通過(guò)一個(gè)概要的電路圖表示運(yùn)算放大器的另一實(shí)施例。與圖3不同地，輸入差分放大器A4具有p叩雙極性晶體管Qp出，Qp,42作為輸入晶體管。輸入晶體管Qpw及QP142的基極與運(yùn)算放大器的輸入端In14及In24連接。輸入晶體管QP141及QP142的發(fā)射極與一個(gè)輸入恒流源CS14連接，該輸入恒流源又與正電源電壓V+相連接。圖4的實(shí)施例具有其優(yōu)點(diǎn)，即晶體管Qp24,，QN241，QP242及QN242的基極電流不必通過(guò)額外的級(jí)單獨(dú)地調(diào)節(jié)，而是通過(guò)恒流源CS24的電流124的電流分配在其工作點(diǎn)上被自動(dòng)地調(diào)節(jié)。為此晶體管QP24PQN241，Qp242及Qn242有利地具有一個(gè)在制造公差的范圍中相同的電流放大系數(shù)。但本發(fā)明不被限制在這四個(gè)圖的實(shí)施例上。例如，在圖1及2的實(shí)施例中，可取代NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管而使用叩n雙極性晶體管及取代PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管而使用pnp雙極性晶體管。例如，在圖3及4的實(shí)施例中，可取代叩n雙極性晶體管而使用NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管及取代p叩雙極性晶體管而使用PMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。同樣可在輸入差分放大器和/或輸出級(jí)中也可混合地使用雙極性晶體管及場(chǎng)效應(yīng)晶體管。同樣也可以在輸入差分放大器中和/或輸出級(jí)中以共柵一共陰電路方式或達(dá)林頓電路方式使用晶體管，以便達(dá)到高的電壓放大系數(shù)或高的電流放大系數(shù)。輸入差分放大器可有利地與差動(dòng)輸出級(jí)一起作為集成電路被構(gòu)造在一個(gè)半導(dǎo)體芯片上。參考標(biāo)號(hào)表MN211，MN212，MN121，MN122，場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOS,N-SFET)Mn221，Mn222<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>權(quán)利要求1.運(yùn)算放大器，-具有一個(gè)第一輸入端(In11，In12，In13，In14)，-具有一個(gè)第二輸入端(In21，In22，In23，In24)，-具有一個(gè)輸入差分放大器(A1，A2，A3，A4)，它與第一輸入端(In11，In12，In13，In14)及與第二輸入端(In21，In22，In23，In24)相連接，-具有一個(gè)第一輸出端(O21，O22，O23，O24)，-具有一個(gè)第二輸出端(O11，O12，O13，O14)，及-具有一個(gè)差動(dòng)輸出級(jí)(D1，D2，D3，D4)，它與輸入差分放大器(A1，A2，A3，A4)連接及與第一輸出端(O21，O22，O23，O24)和第二輸出端(O11，O12，O13，O14)連接，其中-差動(dòng)輸出級(jí)(D1，D2，D3，D4)具有包括兩個(gè)第一晶體管([MP211，MN211]，[MP221，MN221]，[QP231，QN231]，[QP241，QN241])的第一支路，這兩個(gè)第一晶體管的漏極或集電極相互連接及與第一輸出端(O21，O22，O23，O24)相連接，-差動(dòng)輸出級(jí)(D1，D2，D3，D4)具有包括兩個(gè)第二晶體管([MP212，MN212]，[MP222，MN222]，[QP232，QN232]，[QP242，QN242])的第二支路，這兩個(gè)第二晶體管的漏極或集電極相互連接及與第二輸出端(O11，O12，O13，O14)相連接，-第一支路中的兩個(gè)第一晶體管([MP211，MN211]，[MP221，MN221]，[QP231，QN231]，[QP241，QN241])的第一柵極或第一基極相互連接及與輸入差分放大器(A1，A2，A3，A4)的第一輸出端(OD11，OD12，OD13，OD24)相連接，-第二支路中的兩個(gè)第二晶體管([MP212，MN212]，[MP222，MN222]，[QP232，QN232]，[QP242，QN242])的第二柵極或第二基極相互連接及與輸入差分放大器(A1，A2，A3，A4)的第二輸出端(OD21，OD22，OD23，OD14)相連接，-差動(dòng)輸出級(jí)(D1，D2，D3，D4)具有一個(gè)恒流源(CS21，CS22，CS23，CS24)，它與每個(gè)支路連接以供給通過(guò)支路的電流(I21，I22，I23，I24)。2.根據(jù)權(quán)利要求1的運(yùn)算放大器，其中，兩個(gè)第一晶體管為互補(bǔ)的雙極性晶體管([QP231，QN231]，[QP241，QN241])，及兩個(gè)第二晶體管為互補(bǔ)的雙極性晶體管([QP232，Qn232]，[Qp242，Qn242])。3.根據(jù)權(quán)利要求1的運(yùn)算放大器，其中，兩個(gè)第一晶體管為互補(bǔ)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管([MP211，MN211]，[MP221，MN221])，及兩個(gè)第二晶體管為互補(bǔ)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管([Mp212，Mn212]，[Mp222，Mn222])。4.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的運(yùn)算放大器，其中，第一支路中的兩個(gè)第一晶體管([MP211，MN211]，[MP221，MN221]，[QP23i，QN231]，[Qp241，Qn241])的以及第二支路中的兩個(gè)第二晶體管([MP212，MN212]，[MP222，MN222]，[Qp232，Qn232]'[QP242，QN2P的工作點(diǎn)被這樣地調(diào)節(jié)，使得恒流源(CS"，CS22，CS23，CS24)的恒定電流(I21，I22，I23，I24)的一半流過(guò)第一支路的兩個(gè)第一晶體管([MP2，MN2U]，[MP221，MN22i]，[Qp23"QN231]'[Qp24"QN24,])及另一半流過(guò)第二支路的兩個(gè)第二晶體管([Mp2U，MN212]，[MP222，Mn222]'[Qp232，Qn232]'[Qp242，Qn242])。5.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的運(yùn)算放大器，其中-輸入差分放大器(Al，A2，A3，A4)具有一個(gè)第一輸入晶體管(MP111，Mn121.Qn13lSQp141)及一個(gè)第二輸入晶體管(MP112，Mw22,Q,2及Qpi42)'-第一輸入晶體管(MP111，MNm,QwM及QP141)的第一源極端子或第一發(fā)射極端子及第二輸入晶體管(MP112，MN122,(5^32及QP142)的第二源極端子或第二發(fā)射極端子與一個(gè)輸入恒流源(CS，CS12，CS13，CS14)相連接，及-差動(dòng)輸出級(jí)(D1，D2，D3，D4)的恒流源(CS21，CS22，CS23，CS24)及輸入差分放大器(Al，A2，A3,A4)的輸入恒流源(CS，CSI2，CSI3，CS14)連接在同一電源電壓端子(V+,GND)上。6.根據(jù)以上權(quán)利要求中一項(xiàng)的運(yùn)算放大器的應(yīng)用，其特征在于，它用于電池供電的無(wú)線電系統(tǒng)。全文摘要本發(fā)明涉及運(yùn)算放大器及其應(yīng)用，該運(yùn)算放大器具有一個(gè)輸入差分放大器(A1，A2，A3，A4)，它與第一輸入端(In₁₁，In₁₂，In₁₃，In₁₄)及與第二輸入端(In₂₁，In₂₂，In₂₃，In₂₄)相連接，-具有一個(gè)差動(dòng)輸出級(jí)(D1，D2，D3，D4)，它與輸入差分放大器(A1，A2，A3，A4)連接及與第一輸出端(O₂₁，O₂₂，O₂₃，O₂₄)及第二輸出端(O₁₁，O₁₂，O₁₃，O₁₄)連接；其中，差動(dòng)輸出級(jí)(D1，D2，D3，D4)具有包括兩個(gè)第一晶體管([M_P211，M_N211]，[M_P221，M_N221]，[Q_P231，Q_N231]，[Q_P241，Q_N241])的第一支路，它們的漏極或集電極相互連接及與第一輸出端(O₂₁，O₂₂，O₂₃，O₂₄)相連接；差動(dòng)輸出級(jí)(D1，D2，D3，D4)具有包括兩個(gè)第二晶體管([M_P212，M_N212]，[M_P222，M_N222]，[Q_P232，Q_N232]，[Q_P242，Q_N242])的第二支路，它們的漏極或集電極相互連接及與第二輸出端(O₁₁，O₁₂，O₁₃，O₁₄)相連接；第一支路中的兩個(gè)第一晶體管([M_P211，M_N211]，[M_P221，M_N221]，[Q_P231，Q_N231]，[Q_P241，Q_N241])的第一柵極或第一基極相互連接及與輸入差分放大器(A1，A2，A3，A4)的第一輸出端(O_D11，O_D12，O_D13，O_D24)相連接；第二支路中的兩個(gè)第二晶體管([M_P212，M_N212]，[M_P222，M_N222]，[Q_P232，Q_N232]，[Q_P242，Q_N242])的第二柵極或第二基極相互連接及與輸入差分放大器(A1，A2，A3，A4)的第二輸出端(O_D21，O_D22，O_D23，O_D14)相連接；差動(dòng)輸出級(jí)(D1，D2，D3，D4)具有一個(gè)恒流源(CS₂₁，CS₂₂，CS₂₃，CS₂₄)，它與每個(gè)支路連接以供給通過(guò)支路的電流(I₂₁，I₂₂，I₂₃，I₂₄)。文檔編號(hào)H03F3/45GK101432964SQ200780015703公開(kāi)日2009年5月13日申請(qǐng)日期2007年4月24日優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日發(fā)明者O·德奎特,W·克盧格申請(qǐng)人:Atmel德國(guó)有限公司