專利名稱：指間相連式的層疊帶通濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種濾波器(Filter)，且特別涉及一種指間相連式(Interdigital) 層疊帶通(Multiple Layer Band-pass)濾波器。
背景技術(shù)：
在科技發(fā)展日新月異的現(xiàn)今時(shí)代中，濾波器(Line Filter)已廣泛地應(yīng)用在 多種通訊應(yīng)用中。舉例而言，請(qǐng)參照?qǐng)D1,其繪示傳統(tǒng)濾波器的結(jié)構(gòu)圖。濾 波器10為帶線(StripeLine)帶通(Band-pass)濾波器，其以介電質(zhì)基板40為主 體，其之第一表面(背面)設(shè)置有接地電極44,其之第二表面(正面)設(shè)置有輸 入電才及58、輸出電極59、及共振器(Resonator)電極51、 52、 53及54。
共振器電極51 、介電質(zhì)基板40與接地電極44等效地形成一個(gè)一端接地 的電容，而共振器51本身具有寄生電感效應(yīng)，如此，以形成一個(gè)電感電容 共振器(LCResonator)。換言之，共振器電極51、介電質(zhì)基板40級(jí)接地電極 44形成一個(gè)共振器。而共振器電極52 54與共振器電極51具有相近的結(jié)構(gòu) 與功能，以分別形成三個(gè)共振器。經(jīng)由前述的四階共振器的電磁波耦合，可 使濾波器IO具有帶通響應(yīng)。
在傳統(tǒng)濾波器技術(shù)中， 一旦設(shè)計(jì)的帶通濾波器需具有較寬的頻寬時(shí)，僅 能透過增加共振器的階數(shù)與縮短各共振器間的間距的方法來(lái)使帶通濾波器 具有較寬的頻寬。如此，將使得傳統(tǒng)帶線濾波器的元件體積較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種指間相連式的層疊帶通濾波器，相較于傳統(tǒng)濾波器，其 可具有較寬的頻寬及較小的體積。
根據(jù)本發(fā)明提出一種指間相連式的層疊帶通濾波器，其中包括第一及第 二陶瓷基板，第二陶瓷基板平行地設(shè)置于第一陶瓷基板的上方。第一陶瓷基 板包括N.個(gè)第一端電極及N個(gè)第一共振器，N為大于l的自然數(shù)。N個(gè)第 一端電極中的奇數(shù)序第 一端電極位于第 一 陶乾基板的第 一側(cè)邊，其中的偶數(shù)序第 一端電極位于第 一 陶覺基板的第二側(cè)邊。第 一及第二側(cè)邊為第 一 陶資基 板的一組對(duì)邊。N個(gè)第一共振器中的奇數(shù)序第一共振器延伸至第一側(cè)邊并耦 接至第 一端電極中對(duì)應(yīng)的奇數(shù)序第 一端電極。N個(gè)第 一共振器中的偶數(shù)序第 一共振器延伸至第二側(cè)邊并耦接至第 一端電極中對(duì)應(yīng)的偶數(shù)序第 一端電極。
N個(gè)第一共振器中的第i個(gè)偶數(shù)序第一共振器介于N個(gè)第一共振器中的第i 個(gè)及第i+l個(gè)奇數(shù)序第一共振器之間，i為小于或等于N/2的自然數(shù)。第二 陶瓷基板包括N個(gè)第二端電極及N個(gè)第一導(dǎo)體面層。N個(gè)第二端電極中的 偶數(shù)序第二端電極位于第二陶覺基板的第三側(cè)邊，其中的奇數(shù)序第二端電極 位于第二陶瓷基板的第四側(cè)邊。第三及第四側(cè)邊為第二陶資基板的一組對(duì) 邊，且第三及第四側(cè)邊分別位于第一及第二側(cè)邊的上方。N個(gè)第一導(dǎo)體面層 中的偶數(shù)序第 一導(dǎo)體面層延伸至第三側(cè)邊并耦接至第二端電極中對(duì)應(yīng)的偶 數(shù)序第二端電極。N個(gè)第 一導(dǎo)體面層中的奇數(shù)序第 一導(dǎo)體面層延伸至第四側(cè) 邊并耦接至該第二端電極中對(duì)應(yīng)的奇數(shù)序第二端電極。N個(gè)第一導(dǎo)體面層中 的第i個(gè)偶數(shù)序第一導(dǎo)體面層介于N個(gè)第一導(dǎo)體面層中的第i個(gè)及第i+l個(gè) 奇數(shù)序第一導(dǎo)體面層之間，各n個(gè)第一導(dǎo)體面層中的部分區(qū)域位于n個(gè)第一 共振器中對(duì)應(yīng)的第一共振器的上方。其中，N個(gè)第一導(dǎo)體面層分別形成與該 N個(gè)第一共振器對(duì)應(yīng)的N個(gè)第一對(duì)地電容。其中，第一陶瓷基板還包括輸入 電極及輸出電極，該N個(gè)第一共振器中的第一個(gè)及最后一個(gè)第一共振器的未 與N個(gè)第一端電極中對(duì)應(yīng)的第一端電極耦接的一側(cè)，分別耦接至輸入及輸出 電極。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合 附圖，作詳細(xì)說明如下


圖1繪示傳統(tǒng)濾波器的結(jié)構(gòu)圖。
圖2繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的指間相連式的層疊帶通濾波器的結(jié)構(gòu)圖。
圖3繪示乃圖2的指間相連式的層疊帶通濾波器的等效電路圖。 圖4繪示乃本實(shí)施例的指間相連的層疊帶通濾波器的另一結(jié)構(gòu)圖。 圖5繪示乃圖2的陶瓷基板200的另 一結(jié)構(gòu)圖。
圖6繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的指間相連式的層疊帶通濾波器的結(jié)構(gòu)圖。
圖7繪示本實(shí)施例的指間相連式的層疊帶通濾波器的另一結(jié)構(gòu)圖。
圖8繪示乃圖7的指間相連式的層疊帶通濾波器的頻率響應(yīng)圖。 圖9繪示依照本發(fā)明第三實(shí)施例的層疊帶通濾波器的結(jié)構(gòu)圖。 圖IO繪示乃圖9的帶通濾波器的頻率響應(yīng)圖。
附圖標(biāo)記說明
10:濾波器 40:介電質(zhì)基板
44、 Egl、 Eg2:接地電極 51~55:共振器電極
58、 E1—i:輸入電極 59、 E1—o:輸出電極
20、 30、 30，帶通濾波器
200、 300、 200，、 200"、 200"，、 300，、 300"、 300，，，、 400、 400，陶f:
基板
E1—卜E1—3、 El，—1 E1,—3、 E2一1 E2—3、 E2，—1~E2，—3、 E3—1 E3—3、 E4—1 E4—3、 E5J E5—3:端電極
Ml—1 M1—3、 Ml，—1 M1，—3、 M2_1 M2—3、 M3一1 M3—3:導(dǎo)體面層 R1一1 R1一3、 Rl，—1 R1，—3、 R1"一1 R"一3、 R2一1 R2一3:共振器 Ssl、 Ss2、 Sfl、 Sf2、 So、 Si:側(cè)邊 Cgl Cg3:對(duì)地電容
具體實(shí)施例方式
本實(shí)施例的指間相連式的層疊帶通濾波器以低溫共燒陶覺技術(shù)(Low Temperature Co-fired Ceramics, LTCC)制造，其具有多層的層疊結(jié)構(gòu)。本實(shí) 施例披露的指間相連式的層疊帶通濾波器例如為以帶線實(shí)現(xiàn)的指間相連式 的層疊帶通濾波器。
第一實(shí)施例
請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的指間相連式的層疊帶通濾 波器的結(jié)構(gòu)圖。帶通濾波器20包括陶資基板200及300，陶資基板300平行 地設(shè)置于陶瓷基板200的上方。陶覺基板200中包括輸入電極El一i、輸出電 極E1—o、 N個(gè)端電極El—1 E1—N及N個(gè)共振器Rl—1~R1—N, N為大于1 的自然數(shù)，在本實(shí)施例中以N等于3為例作說明。端電極El—1 E1—3中的奇數(shù)序端電極位于陶瓷基板200的側(cè)邊Sfl，端電極E1—1 El一3中的偶數(shù)序 端電極位于陶瓷基板200的側(cè)邊Ssl 。即是端電極E1—1與E1—3位于側(cè)邊Sfl ， 端電極El一2位于側(cè)邊Ssl。側(cè)邊Sfl及Ssl為陶資基板200的一組對(duì)邊，端 電極E1一1 E1一3例如均為接地電極。
共振器R1—1 R1_3中的奇數(shù)序共振器(即是共振器R1—1及R1—3)延伸至 側(cè)邊Sfl，并分別耦接至端電極E1—1 E1—3中對(duì)應(yīng)的奇數(shù)序端電極(即是端電 極El—1及El—3)。共振器Rl—1 R1—3中的偶數(shù)序共振器(即是共振器Rl—2) 延伸至側(cè)邊Ssl,并分別耦接至端電極E1—1 E1_3中對(duì)應(yīng)的偶數(shù)序端電極(即 是端電極E1—2)。
共振器R1J R1一3中的第i個(gè)偶數(shù)序共振器介于共振器R1一1 R1—3中 的第i個(gè)及第i+1個(gè)奇數(shù)序共振器之間，i為小于或等于N/2的自然數(shù)。例如 i等于1,共振器R1一1 R1—3中的第1個(gè)偶數(shù)序共振器(即是共振器Rl一2)介 于共振器R1J R1一3中的第一及第二個(gè)奇數(shù)序共振器(即分別是共振器R1—1 及R1—3)之間。更詳細(xì)地說，共振器R1—1 Rl一3為指間相連地設(shè)置。
陶瓷基板300包括N^3)個(gè)端電極E2—1 E2—3及N^3)個(gè)導(dǎo)體面層 Ml—1 M1—3。端電極E2一1 E2—3中的偶數(shù)序端電極(即是端電極E2—2)位于 陶瓷基板300的側(cè)邊Sf2,其中的奇數(shù)序端電極(即是端電極E2一l及E2—3) 位于陶瓷基板300的側(cè)邊Ss2。側(cè)邊Sf2及Ss2為陶瓷基板300的一組對(duì)邊， 側(cè)邊Sf2及Ss2分別位于側(cè)邊Sfl及Ss2的上方。側(cè)邊Sfl與Sf2例如位于 同一平面，側(cè)邊Ssl與Ss2例如位于同一平面。端電才及E2J E2—3例如均為 接地電極。
導(dǎo)體面層M1—1 M1—3中的偶數(shù)序?qū)w面層(即是導(dǎo)體面層M1—2)延伸至 側(cè)邊Sf2,并分別耦接至端電極E2—1 E2—3中對(duì)應(yīng)的偶數(shù)序端電極(即是端電 極E2—2)。導(dǎo)體面層Ml—1 Ml一3中的奇數(shù)序?qū)w面層(即是導(dǎo)體面層Ml—1 及M1—3)延伸至側(cè)邊Ss2，并分別耦接至端電極E2—1 E2—3中對(duì)應(yīng)的奇數(shù)序 端電極(即是端電極E2—1及E2—3)。
導(dǎo)體面層Ml—1 M1—3中的第i個(gè)偶數(shù)序?qū)w面層介于導(dǎo)體面層 Ml—1 M1—3中的第i個(gè)及第i+l個(gè)奇數(shù)序?qū)w面層之間。例如i等于l,導(dǎo) 體面層M1一1 M1—3中的第1個(gè)偶數(shù)序?qū)w面層(即是導(dǎo)體面層M1一2)介于導(dǎo) 體面層Ml—1 M1—3中的第一及第二個(gè)奇數(shù)序?qū)w面層(即分別是導(dǎo)體面層 Ml_l及Ml—3)之間。換言之，導(dǎo)體面層Ml—1 M1_3為指間相連地設(shè)置。各該導(dǎo)體面層M1J M1一3中的部分區(qū)域位于共振器R1—卜R1一3中對(duì)應(yīng)的共 振器的上方。舉例來(lái)說，導(dǎo)體面層M1J部分的區(qū)域位于共振器R1J部分 區(qū)i或的正上方。
前述陶瓷基板200與300中的共振器R1一1 R1一3與導(dǎo)體面層 M1J M1一3均例如為金屬導(dǎo)等離子體料，金屬導(dǎo)等離子體料較佳地為銀導(dǎo) 等離子體料(Silver Paste)。共振器R1—1 Rl一3中例如具有電容寄生效應(yīng)及電 感寄生效應(yīng)。由于共振器R1J與導(dǎo)體面層Ml—1均為金屬材料，導(dǎo)體面層 Ml一l與共振器R1—1例如形成一個(gè)對(duì)地電容。又共振器Rl一l本身具有寄生 的電容與電感效應(yīng)，共振器R1J及導(dǎo)體面層M1一1形成電感電容共振電^各。 同樣地，導(dǎo)體面層M1一2、 Ml一3及共振器R1—2、 Rl一3亦對(duì)應(yīng)地形成兩個(gè)電 感電容共振電路。前述三組電感電容共振器相互進(jìn)行電》茲波耦合以形成一個(gè) 三階濾波器，其具有帶通響應(yīng)。圖2中各個(gè)電感電容共振電路的等效電路圖 如圖3所示。其中Cgl Cg3分別為共振器R1一1 R1一3與導(dǎo)體面層 M1一1 M1—3形成的對(duì)地電容。
共振器R1一1 R1一3中的第一個(gè)共振器(即是共振器Rl)未延伸至側(cè)邊Sfl 的一端耦接至輸入電極E1—i，以接收輸入信號(hào)(未繪示)。共振器R1一1 R1—3 中的最后一個(gè)共振器(即是共振器R3)未延伸至側(cè)邊Sfl的一端耦接至輸出電 極E1—o，以輸出輸出信號(hào)(未繪示)。其中輸入電極El一i與輸出電極E1—o例 如分別位于陶t基板200的對(duì)邊Si與So上，對(duì)邊Si與So例如為陶資基板 200的另一組對(duì)邊。
本實(shí)施例的帶通濾波器20為以LTCC工藝來(lái)制造的指間相連式的層疊 帶通濾波器，相較于傳統(tǒng)指間相連式的濾波器，本實(shí)施例的指間相連式的層 疊帶通濾波器具有可將其結(jié)構(gòu)設(shè)置于多層堆疊的陶瓷基板的特點(diǎn)。
在本實(shí)施例中雖僅以帶通濾波器包括三個(gè)相互耦合的電感電容共振電 路的情形為例作說明，然，本實(shí)施例的帶通濾波器200并不局限于為三階濾 波器，而更可包括四階或四階以上的電感電容共振電路，如圖4所示，其繪 示乃本實(shí)施例的指間相連的層疊帶通濾波器的另一結(jié)構(gòu)圖。圖4繪示帶通濾 波器20，與帶通濾波器20不同之處在于其具有四階的電感電容共振器，其結(jié) 構(gòu)與操作可根據(jù)前述相關(guān)于帶通濾波器20的敘述類推得到。
在本實(shí)施例中雖僅以帶通濾波器中各共振器均為長(zhǎng)條形狀的情形為例 作說明，然，本實(shí)施例中各共振器的形狀并不局限于為長(zhǎng)條形。舉例來(lái)說，陶瓷基板200中的共振器R1J R1一3亦可具有如圖5所示的形狀。在圖5 中，陶瓷基板200，中的具有共振器Rl，—1 R1，—3,其中共振器Rl，—1~R1，—3 的形狀例如為實(shí)質(zhì)上相等。以共振器R1，—l為例，共振器R1，J在與端電極 El，—1耦接的一端具有較窄的寬度，此較窄的寬度例如等于圖2中共振器 Rl—1的寬度。共振器Rl，—1在非與端電極E1，一1耦接的一端具有較寬的寬 度，此較寬的寬度例如大于圖2中共振器R1—1的寬度。
當(dāng)陶瓷基板200上的共振器Rl一l具有如共振器R1，J的形狀時(shí)，共振 器R1一1的電感數(shù)值大于其具有長(zhǎng)條形狀時(shí)的電感數(shù)值，而共振器R1J與 對(duì)應(yīng)的導(dǎo)體面層M1一1形成的對(duì)地電容數(shù)值大于其具有長(zhǎng)條形狀時(shí)的電容數(shù) 值。同理，當(dāng)共振器R1—2與R1—3分別具以如共振器Rl，—2與Rl，—3的結(jié) 構(gòu)時(shí)，Rl—2與Rl—3的電感與對(duì)地電容數(shù)值均大于其具有長(zhǎng)條形狀時(shí)的電感 與電容數(shù)值。如此，當(dāng)陶瓷基板200上的共振器R1一1 R1—3具有如共振器 Rl，—1 R1'—3的結(jié)構(gòu)時(shí)，帶通濾波器20的中心頻率較低。
另外，帶線帶通濾波器的中心頻率相關(guān)于其中陶瓷基板上各個(gè)共振器的 長(zhǎng)度，當(dāng)共振器的長(zhǎng)度較短時(shí)，帶線帶通濾波器的中心頻率較高。綜合前述 原因可知，當(dāng)陶t:基板200上的共振器R1一1 R1一3具有如共振器 Rl，—1 R1，—3的結(jié)構(gòu)時(shí)，可以較短的共振器長(zhǎng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)出與圖2中的帶通濾 波器20具有實(shí)質(zhì)上相同頻序響應(yīng)的帶通濾波器，陶瓷基板的長(zhǎng)度(側(cè)邊Si 與So的長(zhǎng)度)亦可縮短。如此，當(dāng)陶瓷基板200上的共振器R1一1 R1—3具有 如共振器Rr一l Rl，一3的結(jié)構(gòu)時(shí)，本實(shí)施例的帶通濾波器20中共振器及陶 瓷基板的長(zhǎng)度可縮短，其之元件面積亦可縮小。
在前述例子中雖僅以陶資基板200中所有的共振器R1—1 Rl一3均具有 如圖5中所示的結(jié)構(gòu)的情形為例作說明，然，陶瓷基板200中亦可僅有部分 的共振器采用圖5中所示的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，亦可縮短帶通濾波器的陶乾基板長(zhǎng) 度并縮小帶通濾波器的元件面積。
第二實(shí)施例
請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的指間相連式的層疊帶通濾 波器的結(jié)構(gòu)圖。本實(shí)施例的帶通濾波器30中包括陶覺基板200"與300，，其 分別與第一實(shí)施例中的帶通濾波器20的陶資基板200與300具有實(shí)質(zhì)上相 同的結(jié)構(gòu)。其中，帶通濾波器30與第一實(shí)施例中的帶通濾波器20不同之處 在于其于陶瓷基板200"與300，的堆疊結(jié)構(gòu)上額外堆疊陶乾基板300",其中陶瓷基板300，、 200"及300"為例如依序地由上到下地堆疊設(shè)置。
陶瓷基板300"與陶瓷基板300'具有實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)，陶瓷基板300" 包括導(dǎo)體面層M2—1 M2—3及端電極E3—1 E3—3,其分別與陶資基板300，中 的導(dǎo)體面層M1，一1 M1，—3及端電極E2，—1 E2，一3具有實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。 如此，舉例來(lái)說，導(dǎo)體面層M2一1與共振器R1"J形成一個(gè)對(duì)地電容，此對(duì) 地電容實(shí)質(zhì)上與導(dǎo)體面層M1，一1與共振器R1"一1形成的對(duì)地電容并聯(lián)連接。 以等效電路的角度來(lái)看，透過額外堆疊具有導(dǎo)體面層M2一1結(jié)構(gòu)的陶瓷基板 300"于陶瓷基板200"相對(duì)于陶瓷基板300，的另一側(cè)(即是陶資基板200"的下 方)，可使由導(dǎo)體面層M1，—1、 M2—1及共振器R1"J形成的電感電容共振器 實(shí)質(zhì)上具有數(shù)值提升為兩倍的對(duì)地電容。相同地，帶通濾波器30中其他兩
頻率響應(yīng)的頻寬，當(dāng)各級(jí)電感電容共振電路的對(duì)地電容的數(shù)值較高時(shí)，帶線 帶通濾波器具有較寬的頻寬。如此，相較于傳統(tǒng)濾波器，本實(shí)施例的帶通濾 波器可透過其之層疊結(jié)構(gòu)提升各級(jí)電感電容共振電路對(duì)地電容的數(shù)值，使本 實(shí)施例的帶通濾波器具有較佳的頻寬。
另外，帶線帶通濾波器中各級(jí)電感電容共振器對(duì)地電容的大小亦相關(guān)于 帶通濾波器的寬頻帶衰減能力。如此，相較于傳統(tǒng)濾波器，本實(shí)施例的帶通 濾波器可透過其之層疊結(jié)構(gòu)來(lái)提升各級(jí)電感電容共振器的對(duì)地電容數(shù)值，使 本實(shí)施例的帶通濾波器具有更理想的寬頻帶衰減響應(yīng)，使得本實(shí)施例的帶通 濾波器具有更理想的頻率響應(yīng)。
于陶覺基板300，之上與陶瓷基板300"之下更可分別額外堆疊陶瓷基板 400與400，。陶資基板400與400，上分別具有接地電極Egl及Eg2,其用以 連接陶瓷基板200"、 300，及300"中所有的端電極El—1 E1_3、 E2—1 E2—3 及E3—1 E3—3。此二接地電極Egl及Eg2可有效地提升各陶瓷基板200"、 300，及300"的接地效果，使濾波器30可具有較佳的效能。
在本實(shí)施例中雖僅以濾波器30具有由包括陶瓷基板200"、 300，、 300"、 400及400，的五層陶瓷基板堆疊形成的結(jié)構(gòu)為例作說明，然，本實(shí)施例的濾 波器30并不局限于為具有五層的堆疊結(jié)構(gòu)，其更可省去陶乾基板400與400， 其中之一或全部，使得濾波器30具有少于五層的堆疊結(jié)構(gòu)?；虮緦?shí)施例的 帶通濾波器30亦可包括六層或六層的堆疊結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說，本實(shí)施例的濾波器亦可如圖7所示。請(qǐng)參照?qǐng)D7及圖8，圖 7繪示本實(shí)施例的指間相連式的層疊帶通濾波器的另一結(jié)構(gòu)圖，圖8繪示乃 圖7的指間相連式的層疊帶通濾波器的頻率響應(yīng)圖。圖7中的帶通濾波器30' 與圖6中所繪示的帶通濾波器30不同之處在于其于陶覺基板300"與400，之 間更額外堆疊陶瓷基板200"，與300，，，，其中陶瓷基板200"，與300'"分別與陶 瓷基板200"及300"具有實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
在圖7中，陶瓷基板300"中的導(dǎo)體面層更與陶瓷基板200"，中的共振器 形成對(duì)應(yīng)的對(duì)地電容，陶瓷基板300，"中的導(dǎo)體面層亦與陶瓷基板200"，中的 共振器行對(duì)應(yīng)的對(duì)地電容。舉例來(lái)說，陶瓷基板300"中的導(dǎo)體面層M2一1與 陶瓷基板200"，中的共振器R2一l形成一個(gè)對(duì)地電容，此對(duì)地電容實(shí)質(zhì)上與導(dǎo) 體面層M1，—1與共振器R1"—1形成的對(duì)地電容并聯(lián)連接。陶瓷基板300"，中 的導(dǎo)體面層M3—1與陶覺基板200，"中的共振器R2—1形成一個(gè)對(duì)地電容，此 對(duì)地電容實(shí)質(zhì)上與導(dǎo)體面層Ml，—1與共振器Rl"—1形成的對(duì)地電容并聯(lián)連 接。如此，于圖7所示的帶通濾波器30，可透過額外增加陶瓷基板200"，與 300，"的堆疊結(jié)構(gòu)使得帶通濾波器30，中各級(jí)電感電容共振電路具有數(shù)值實(shí)質(zhì) 上提升為四倍的對(duì)地電容。如此，使得本實(shí)施例的帶通濾波器具有較佳的頻 寬與寬頻帶衰減響應(yīng)。
在本實(shí)施例中雖僅以帶通濾波器30與30，均為三階帶通濾波器的情形為 例作說明，然，本實(shí)施例的帶通濾波器亦可為四階或四階以上的帶通濾波器。 如圖9及圖IO所示。圖9繪示依照本發(fā)明第三實(shí)施例的層疊帶通濾波器的 結(jié)構(gòu)圖，圖IO繪示乃圖9的帶通濾波器的頻率響應(yīng)圖。由圖10可知，圖9 的帶通濾波器的中心頻率約為3.5十億赫茲(GigaHerz, GHz)。其中，自圖8 的帶通濾波器的導(dǎo)通帶(Pass Band)(約為3.8GHz 4.7GHz)的高頻邊界4.7GHz 至其中心頻率的四倍頻(約為14GHz)的頻率范圍中，圖9的帶通濾波器均 具有良好的衰減能力。如此，使得圖9的帶通濾波器具有良好的抑制高頻雜 訊的能力。
在本實(shí)施例中雖僅以帶通濾波器中各共振器的形狀均為長(zhǎng)條形狀的情 形為例作說明，然，本實(shí)施例中各共振器的形狀亦可如圖5中各共振器 Rl，—1~R1，—3的設(shè)計(jì)，以更進(jìn)一步地縮小本實(shí)施例的帶通濾波器的陶覺基板 長(zhǎng)度與帶通濾波器的元件面積。
本實(shí)施例的帶通濾波器是透過其多層堆疊的結(jié)構(gòu)來(lái)提升其中各級(jí)電感電容共振電路的對(duì)地電容的數(shù)值。如此，相較于傳統(tǒng)帶通濾波器，本實(shí)施例 的帶通濾波器的各級(jí)電感電容共振電路的對(duì)地電容數(shù)值較高、頻率響應(yīng)的頻 寬較寬及寬頻帶衰減能力較佳。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定 本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和 范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán) 利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種指間相連式的層疊帶通濾波器，包括第一陶瓷基板，包括N個(gè)第一端電極，該N個(gè)第一端電極中的奇數(shù)序第一端電極位于該第一陶瓷基板的第一側(cè)邊，該N個(gè)第一端電極中的偶數(shù)序第一端電極位于該第一陶瓷基板的第二側(cè)邊，該第一及該第二側(cè)邊為該第一陶瓷基板的一組對(duì)邊，N為大于1的自然數(shù)；及N個(gè)第一共振器，該N個(gè)第一共振器中的奇數(shù)序第一共振器延伸至該第一側(cè)邊并耦接至該第一端電極中對(duì)應(yīng)的奇數(shù)序第一端電極，該N個(gè)第一共振器中的偶數(shù)序第一共振器延伸至該第二側(cè)邊并耦接至該第一端電極中對(duì)應(yīng)的偶數(shù)序第一端電極，該N個(gè)第一共振器中的第i個(gè)偶數(shù)序第一共振器介于該N個(gè)第一共振器中的第i個(gè)及第i+1個(gè)奇數(shù)序第一共振器之間，i為小于或等于N/2的自然數(shù)；以及第二陶瓷基板，平行地設(shè)置于該第一陶瓷基板的上方，該第二陶瓷基板包括N個(gè)第二端電極，該N個(gè)第二端電極中的偶數(shù)序第二端電極位于該第二陶瓷基板的第三側(cè)邊，該N個(gè)第二端電極中的奇數(shù)序第二端電極位于該第二陶瓷基板的第四側(cè)邊，該第三及該第四側(cè)邊為該第二陶瓷基板的一組對(duì)邊，且該第三及第四側(cè)邊分別位于該第一及該第二側(cè)邊的上方；及N個(gè)第一導(dǎo)體面層，該N個(gè)第一導(dǎo)體面層中的偶數(shù)序第一導(dǎo)體面層延伸至該第三側(cè)邊并耦接至該第二端電極中對(duì)應(yīng)的偶數(shù)序第二端電極，該N個(gè)第一導(dǎo)體面層中的奇數(shù)序第一導(dǎo)體面層延伸至該第四側(cè)邊并耦接至該第二端電極中對(duì)應(yīng)的奇數(shù)序第二端電極，該N個(gè)第一導(dǎo)體面層中的第i個(gè)偶數(shù)序第一導(dǎo)體面層介于該N個(gè)第一導(dǎo)體面層中的第i個(gè)及第i+1個(gè)奇數(shù)序第一導(dǎo)體面層之間，各該n個(gè)第一導(dǎo)體面層中的部分區(qū)域位于該n個(gè)第一共振器中對(duì)應(yīng)的第一共振器的上方；其中，該N個(gè)第一導(dǎo)體面層分別形成與該N個(gè)第一共振器對(duì)應(yīng)的N個(gè)第一對(duì)地電容；其中，該第一陶瓷基板還包括輸入電極及輸出電極，該N個(gè)第一共振器中的第一個(gè)及最后一個(gè)第一共振器的未與該N個(gè)第一端電極中對(duì)應(yīng)的第一端電極耦接的一側(cè)，分別耦接至該輸入及該輸出電極。
2. 如權(quán)利要求1所述的層疊帶通濾波器，其中還包括第三陶瓷基板，平行地設(shè)置于該第 一陶瓷基板與該第二陶瓷基板相對(duì)應(yīng) 的另一側(cè)，該第三陶資基板包括N個(gè)第三端電極，該N個(gè)第三端電極中的偶數(shù)序第三端電極位于該 第三陶瓷基板的第五側(cè)邊，該N個(gè)第三端電極中的奇數(shù)序第三端電極 位于該第三陶瓷基板的第六側(cè)邊，該第五及該第六側(cè)邊為該第三陶乾基 板的一組對(duì)邊，且該第五及第六側(cè)邊分別位于該第一及該第二側(cè)邊的下 方；及N個(gè)第二導(dǎo)體面層，該N個(gè)第二導(dǎo)體面層中的偶數(shù)序第二導(dǎo)體面層 延伸至該第五側(cè)邊并耦接至該第三端電極中對(duì)應(yīng)的偶數(shù)序第三端電極， 該N個(gè)第二導(dǎo)體面層中的奇數(shù)序第二導(dǎo)體面層延伸至該六側(cè)邊并耦接 至該第三端電極中對(duì)應(yīng)的奇數(shù)序第三端電極，該N個(gè)第二導(dǎo)體面層中 的第i個(gè)偶數(shù)序第二導(dǎo)體面層介于該N個(gè)第二導(dǎo)體面層中的第i個(gè)及第 i+l個(gè)奇數(shù)序第二導(dǎo)體面層之間，各該n個(gè)第二導(dǎo)體面層中的部分區(qū)域 位于該n個(gè)第 一共振器中對(duì)應(yīng)的第 一共振器的下方； 其中，該N個(gè)第二導(dǎo)體面層分別形成與該N個(gè)第一共振器對(duì)應(yīng)的N個(gè) 第二對(duì)地電容。
3. 如權(quán)利要求2所述的層疊帶通濾波器，其中該第二與該第三陶瓷基板 具有實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
4. 如權(quán)利要求2所述的層疊帶通濾波器，其中還包括第四陶f:基板，平行地設(shè)置于該第三陶資基板與該第一陶資基板相對(duì)應(yīng) 的另一側(cè)，該第四陶瓷基板包括N個(gè)第四端電極，該N個(gè)第四端電極中的奇數(shù)序第四端電極位于該 第四陶瓷基板的第七側(cè)邊，該N個(gè)第四端電極中的偶數(shù)序第四端電極 位于該第四陶瓷基板的第八側(cè)邊，該第七及該第八側(cè)邊為該第四陶瓷基 板的 一組對(duì)邊，且該第七及第八側(cè)邊分別位于該第五及該第六側(cè)邊的下 方；及N個(gè)第二共振器，該N個(gè)第二共振器中的奇數(shù)序第二共振器延伸至 該第七側(cè)邊并耦接至該第四端電極中對(duì)應(yīng)的奇lt序第四端電才及，該N個(gè)第二共振器中的偶數(shù)序第二共振器延伸至該第八側(cè)邊并耦接至該第 四端電極中對(duì)應(yīng)的偶數(shù)序第四端電極，該N個(gè)第二共振器中的第i個(gè)偶 數(shù)序第二共振器介于該N個(gè)第二共振器中的第i個(gè)及第i+l個(gè)奇數(shù)序第二共振器之間，各該n個(gè)第二導(dǎo)體面層中的部分區(qū)域位于該n個(gè)第二共 振器中的對(duì)應(yīng)的第二共振器的上方；其中，該N個(gè)第二導(dǎo)體面層分別形成與該N個(gè)第二共振器對(duì)應(yīng)的N個(gè) 第三對(duì)地電容。
5. 如權(quán)利要求4所述的層疊帶通濾波器，其中該第一與該第四陶瓷基板 具有實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
6. 如權(quán)利要求4所述的層疊帶通濾波器，其中還包括第五陶瓷基板，平行地設(shè)置于該第四陶瓷基板與該第三陶瓷基板相對(duì)應(yīng) 的另一側(cè)，該第五陶瓷基板包括N個(gè)第五端電極，該N個(gè)第五端電極中的偶數(shù)序第五端電極位于該 第五陶瓷基板的第九側(cè)邊，該N個(gè)第五端電極中的奇數(shù)序第五端電極 位于該第五陶資基板的第十側(cè)邊，該第九及該第十側(cè)邊為該第五陶覺基 板的 一組對(duì)邊，且該第九及第十側(cè)邊分別位于該第七及該第八側(cè)邊的下 方；及N個(gè)第三導(dǎo)體面層，該N個(gè)第三導(dǎo)體面層中的偶數(shù)序第三導(dǎo)體面層 延伸至該第九側(cè)邊并耦接至該第五端電極中對(duì)應(yīng)的偶數(shù)序第五端電極， 該N個(gè)第三導(dǎo)體面層中的奇數(shù)序第三導(dǎo)體面層延伸至該十側(cè)邊并耦接 至該第五端電極中對(duì)應(yīng)的奇數(shù)序第五端電極，該N個(gè)第三導(dǎo)體面層中 的第i個(gè)偶數(shù)序第三導(dǎo)體面層介于該N個(gè)第三導(dǎo)體面層中的第i個(gè)及第 i+l個(gè)奇數(shù)序第三導(dǎo)體面層之間，各該n個(gè)第三導(dǎo)體面層中的部分區(qū)域 位于該n個(gè)第二共振器中對(duì)應(yīng)的第二共振器的下方； 其中，該N個(gè)第三導(dǎo)體面層分別形成與該N個(gè)第二共振器對(duì)應(yīng)的N個(gè) 第四對(duì)地電容。
7. 如權(quán)利要求6所述的層疊帶通濾波器，其中該第二、該第三及該第五 陶瓷基板具有實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
8. 如權(quán)利要求6所述的層疊帶通濾波器，還包括第六陶瓷基板及第七陶瓷基板，分別設(shè)置于該第二陶瓷基板相對(duì)于該第 一陶瓷基板的另 一側(cè)及設(shè)置于該第五陶資基板相對(duì)于第四陶乾基板的另一側(cè)，該第六陶瓷基板與該第七陶瓷基板分別包括第一接地電極及第二接地電 極，與該N個(gè)第一至該N個(gè)第十端電極耦接。
9. 如權(quán)利要求2所述的層疊帶通濾波器，還包括第六陶瓷基板及第七陶瓷基板，分別設(shè)置于該第二陶瓷基板相對(duì)于該第 一陶瓷基板的另 一側(cè)及設(shè)置于該第三陶瓷基板相對(duì)于第二陶乾基板的另一 側(cè)，該第六陶資基板與該第七陶覺基板分別包括第 一接地電極及第二接地電 極，與該N個(gè)第一至該N個(gè)第六端電極耦接。
10. 如權(quán)利要求1所述的層疊帶通濾波器，其中該N個(gè)第一共振器中至 少一第一共振器包括寬形區(qū)段及窄形區(qū)段，該寬形及該窄形區(qū)段的一端相互 連接，該窄形區(qū)段的另 一端耦接至N該第一及該第二端電極其中之一。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種指間相連式(Interdigital)的層疊帶通濾波器(MultipleLayer Band Pass Filter)，包括平行設(shè)置的第一及第二基板。第一基板包括N個(gè)電極及共振器(Resonator)，其中奇數(shù)及偶數(shù)序的電極分別位于第一基板中互為對(duì)邊的第一及第二側(cè)邊。奇數(shù)及偶數(shù)序的共振器分別連接對(duì)應(yīng)的奇數(shù)及偶數(shù)序的電極。第二基板包括N個(gè)電極及導(dǎo)體面層，其中偶數(shù)及奇數(shù)序的電極分別位于第二基板中互為對(duì)邊的第一及第二側(cè)邊。偶數(shù)及奇數(shù)序的共振器分別連接對(duì)應(yīng)的偶數(shù)及奇數(shù)序的電極。第二基板的第一及第二側(cè)邊分別位于第一基板的第一及第二側(cè)邊的上方。N個(gè)導(dǎo)體面層為指間相連地設(shè)置，N個(gè)共振器為指間相連地設(shè)置。
文檔編號(hào)H03H9/00GK101420214SQ200710167140
公開日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2007年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月24日
發(fā)明者吳永評(píng), 林庭煒, 邱進(jìn)發(fā), 顏保有 申請(qǐng)人:達(dá)方電子股份有限公司