專利名稱：：雙工器和通信設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及主要用于移動通信的通信設(shè)備；具體地說，本發(fā)明涉及安裝在其中的雙工器。
背景技術(shù)：
：近來，隨著移動通信終端傾向于越來越多功能化、多頻帶化，構(gòu)成所謂RF(射頻)前端的組件的數(shù)量越來越大。另一方面，仍然需要保持移動通信終端體積小，重量輕。此外，在移動通信終端的組件中，頻繁地在射頻級和IF(中頻)級使用濾波器。這些濾波器應(yīng)當(dāng)滿足低損耗，良好的帶外衰減特性和寬頻帶要求。在移動通信終端中，雙工器是就安裝在天線下的組件。雙工器是通過連接具有不同頻率通帶的多個濾波器形成的。為了滿足縮小器件尺寸的要求，近來人們采用聲表面波濾波器來制造雙工器。此外，人們提出了用聲表面波雙工器來提高隔離特性，同時抑制插入損耗，其中，用梯形濾波器形成的發(fā)射濾波器第一級上的諧振器是一個并聯(lián)諧振器，它的電容被設(shè)定為小于并聯(lián)臂上其它諧振器電容的一半(例如，見國際公布WO2004/112246)。圖4說明雙工器D10的結(jié)構(gòu)，作為常規(guī)雙工器的一個實例。作為其基本元件，雙工器D10包括第一濾波器F50，第二濾波器F60，將濾波器F50和F60互相連接起來的公共電極500，以及與公共電極500連接的天線端子510。在圖4所示的雙工器D10中，第一濾波器F50是允許發(fā)射頻帶通過的濾波器(以后也稱為"Tx濾波器")，第二濾波器F60是允許接收頻帶通過的濾波器(以后也稱為"Rx濾波器")。此外，第一濾波器F50是一個梯形濾波器，由多個串聯(lián)諧振器F50s和并聯(lián)諧振器F50p形成；第二濾波器F60是一個梯形濾波器，由多個串聯(lián)諧振器F60s和并聯(lián)諧振器F60p形成。更進(jìn)一步，每個并聯(lián)諧振器F50p都通過電感器L502接地，而每個并聯(lián)諧振器F60p都通過電感器L503接地。天線端子510收到的信號(接收信號)通過第二濾波器F60(Rx濾波器)和接收端子530發(fā)送給接收機(jī)電路(未畫出)。此外，來自發(fā)射機(jī)電路(未畫出)的信號被輸入到發(fā)射端子520，然后通過第一濾波器F50(Tx濾波器)發(fā)送到天線端子510。但是，大家知道，發(fā)射信號不僅通過公共電極500由天線端子510傳輸，還會向接收機(jī)電路泄漏(也就是朝向Rx濾波器)。因此，除了上述基本組件以外，雙工器D10在天線端子510和公共電極500之間還有匹配電路L501。匹配電路L501通常由單個電感器形成。此外，在按照上述方式用單個電感器構(gòu)成匹配電路，來滿足接收頻帶應(yīng)該在比發(fā)射頻帶頻率更高的頻率范圍內(nèi)這樣一個通信標(biāo)準(zhǔn)的情況下，將雙工器構(gòu)成為使得Rx濾波器中最接近天線的諧振器是一個串聯(lián)諧振器。在圖4中，串聯(lián)諧振器F60sl是上面提到的那一個。此外，為了抑制信號向接收機(jī)電路泄漏，還需要Tx濾波器在接收頻帶內(nèi)具有高衰減特性。滿足這一要求的一般做法是將電感器L502連接在第一濾波器F50中并聯(lián)諧振器F50p和地之間，就象圖4所示的雙工器D10—樣。但是，在這種結(jié)構(gòu)中，在遠(yuǎn)離接收頻帶的頻帶內(nèi)，發(fā)射信號的衰減特性變差。這會帶來問題，尤其是發(fā)射頻帶低端附近頻率的衰減特性會變差。也就是說，輸入發(fā)射信號的時候，具有發(fā)射頻帶低端附近頻率分量的不想要的信號會流向天線端子。圖5說明一種雙工器D20的結(jié)構(gòu)，人們用它來解決以上問題。雙工器D20與雙工器D10—樣具有相同的組件，除了每個并聯(lián)諧振器F50p與每個電感器L502a相連這一點不同以外
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是在考慮到上述問題的情況下作出的，其目的是提供一種具有優(yōu)良衰減特性的雙工器。具體地說，其目的是提供一種雙工器，不僅在接收通帶內(nèi)，還在低于發(fā)射通帶的頻帶內(nèi)，對發(fā)射信號具有高衰減特性。其目的還在于還提供包括這種雙工器的通信設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種雙工器包括壓電基底、發(fā)射濾波器、接收濾波器和第一電感器。發(fā)射濾波器包括具有第一諧振器群的梯形濾波器，該第一諧振器群包括一個或多個串聯(lián)臂中的一個或多個諧振器；以及一個或多個并聯(lián)臂中的一個或多個諧振器。接收濾波器具有比所述發(fā)射濾波器的通帶高的通帶，并且包括第二諧振器群，該第二諧振器群包括一個或多個串聯(lián)臂中的一個或多個諧振器；以及一個或多個并聯(lián)臂中的一個或多個諧振器。一個節(jié)點連接所述發(fā)射濾波器的發(fā)射側(cè)端部和所述接收濾波器的接收側(cè)第一部分。在所述第二諧振器群中并且最接近所述并聯(lián)臂中所述節(jié)點的接收側(cè)最接近的諧振器，比所述第二諧振器群中并且最接近所述串聯(lián)臂中天線的諧振器，更加接近所述節(jié)點，并且所述接收側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率低于所述發(fā)射濾波器的通帶。通過下面結(jié)合附圖對實施例的描述，本發(fā)明的上述特征將會非常清楚，在這些附圖中-圖1A和1B說明第一實施例中的雙工器D1;圖2是第二實施例中雙工器D2的電路圖；圖3A和3B用于說明第三實施例中的雙工器D3;圖4說明作為常規(guī)雙工器一個實例的雙工器D10的結(jié)構(gòu)；圖5說明作為常規(guī)雙工器一個實例的雙工器D20的結(jié)構(gòu)；圖6從原理上說明通信設(shè)備100的結(jié)構(gòu)；圖7說明實現(xiàn)例1和比較例1中雙工器發(fā)射通帶附近的衰減特性；圖8說明實現(xiàn)例2和比較例1中雙工器發(fā)射通帶附近的衰減特性；圖9說明實現(xiàn)例3和比較例1中雙工器發(fā)射通帶附近的衰減特性；圖10說明實現(xiàn)例4和比較例1中雙工器發(fā)射通帶附近的衰減特性；以及圖11說明實現(xiàn)例5和比較例2中雙工器發(fā)射通帶附近的衰減特性。具體實施方式在這以后，將參考附圖，描述本發(fā)明的雙工器實施例。其中，相同的部件用相同的附圖標(biāo)記標(biāo)出。此外，選擇每個電極的尺寸(電極手指)、電極之間的距離、電極數(shù)量以及電極長度和寬度的目的僅僅是用于進(jìn)行說明，實際的雙工器不限于這些。第一實施例(雙工器的原理結(jié)構(gòu))圖1A和1B用于說明本發(fā)明第一實施例中的雙工器D1。更加具體地說，圖1A是雙工器D1的電路圖，圖1B是說明諧振器代表性結(jié)構(gòu)的頂視圖，用這種諧振器形成雙工器Dl。雙工器D1的結(jié)構(gòu)是這樣的，其中連接發(fā)射端子20的發(fā)射濾波器Fl和連接接收端子30的接收濾波器F2通過公共信號線連接到天線端子10。節(jié)點Nl連接發(fā)射濾波器Fl的發(fā)射側(cè)端部和接收濾波器F2接收側(cè)第一部分。節(jié)點Nl還連接天線端子10。在圖1A中，虛線表示雙工器D1的區(qū)域，點劃線分別表示發(fā)射濾波器F1和接收濾波器F2的區(qū)域。但是，在雙工器D1中并不實際存在這些線條，其它附圖中情況也是如此。在具有上述結(jié)構(gòu)的雙工器D1中，通過接收濾波器F2和接收端子30將天線端子10處收到的信號(也就是接收信號)發(fā)送給接收機(jī)電路(未畫出)。此外，將從發(fā)射機(jī)電路(未畫出)輸入到發(fā)射端子20的信號(也就是發(fā)射信號)通過發(fā)射端子Fl發(fā)送到天線端子lO，然后從天線端子IO發(fā)送出去。發(fā)射濾波器F1包括多個諧振器(第一諧振器群)。更加具體地說，發(fā)射濾波器F1是一個梯形濾波器(第一梯形濾波器)，它由以下元件形成通過將天線端子10和發(fā)射端子20互相連接起來的信號線串聯(lián)的多個諧振器T1、T2、T4、T6禾BT8(也就是說，諧振器T1、T2、T4、T6和T8布置在串聯(lián)臂上)，多個諧振器T3、T5和T7利用信號線并聯(lián)(也就是說，諧振器T3、T5和T7布置在并聯(lián)臂上)。同樣，接收濾波器F2包括多個諧振器(第二諧振器群)，是一個梯形濾波器(第二梯形濾波器)，它由以下元件形成在將天線端子10和接收端子30互相連接起來的信號線中串聯(lián)的多個諧振器R2、R4、R6和R8(也就是說，諧振器R2、R4、R6和R8布置在串聯(lián)臂上)，多個諧振器Rl、R3、R5、R7和R9利用信號線并聯(lián)(也就是說，諧振器Rl、R3、R5、R7和R9布置在并聯(lián)臂上)。此外，在這個實施例中，將布置在串聯(lián)臂上的諧振器叫做串聯(lián)諧振器，將布置在并聯(lián)臂上的那些叫做并聯(lián)諧振器。還有，將雙工器Dl配置成使得接收濾波器F2的通帶(也就是接收通帶)是比發(fā)射濾波器F1的通帶(也就是發(fā)射通帶)頻率高的頻帶。更進(jìn)一步，將發(fā)射通帶設(shè)定為包括發(fā)射頻帶(也就是要從發(fā)射機(jī)電路發(fā)送到天線的發(fā)射信號的頻帶)，將接收通帶設(shè)定為包括接收頻帶(也就是要從天線發(fā)送到接收機(jī)電路的接收信號的頻帶)。雙工器D1是在特殊的壓電基底S上形成的。雙工器D1中的諧振器T1T8和R1R9是聲表面波諧振器，其中每一個都有如圖1B所示的IDT(叉指換能器)l和反射器2。IDT1具有一對梳狀電極，在這些梳狀電極上，形成多個電極手指(finger),使得其長度方向垂直于壓電基底S中聲表面波的傳播方向。在IDT1的兩端形成反射器2，每個反射器2都具有柵格形電極，在這些柵格形電極上形成多個電極手指，使得其長度方向垂直于壓電基底S中聲表面波的傳播，向。后面將詳細(xì)描述雙工器D1的制作過程。此外，還可以在設(shè)計中適當(dāng)選擇發(fā)射濾波器Fl和接收濾波器F2中諧振器的數(shù)量和布局，每個諧振器中IDT里電極對的數(shù)量，以及反射器的交叉寬度和數(shù)量。也就是說，這些諧振器沒有必要具有相同的對數(shù)、相同的交叉寬度和相同的諧振頻率。另外，還將用于阻抗匹配的一個電感器(第一電感器)Ll放置在天線端子10和濾波器F1與F2之間，通過這個電感器L1，連接到天線的信號線與地連接。也就是說，雙工器D1的結(jié)構(gòu)使得天線端子10和連接到發(fā)射端子20的發(fā)射機(jī)電路之間的阻抗在接收通帶內(nèi)基本上是無窮大，而發(fā)射機(jī)電路和連接到接收端子30的接收機(jī)電路之間的阻抗在發(fā)射通帶內(nèi)基本上是無窮大。更進(jìn)一步，為了改善接收通帶內(nèi)的衰減特性，發(fā)射濾波器F1還包括一個電感器(第二電感器)L2，并聯(lián)諧振器T3、T5和T7通過這個電感器與地連接。類似地，為了改善發(fā)射通帶內(nèi)的衰減特性，接收濾波器F2還包括一個電感器L3，并聯(lián)諧振器Rl、R3、R5、R7和R9通過這個電感器與地連接。(發(fā)射信號在通帶低端附近的衰減特性)具有這個實施例上述結(jié)構(gòu)的雙工器D1具有如下特征諧振頻率低于發(fā)射通帶的并聯(lián)諧振器Rl是接收濾波器F2的諧振器中最接近天線(也就是最接近天線端子10)的那個諧振器。在這以后，將并聯(lián)諧振器R1叫做最接近的諧振器R1。例如，如果雙工器Dl的發(fā)射通帶包括從824MHz到849MHz的頻率范圍(這個頻率范圍是發(fā)射頻帶)，并且接收通帶包括從869MHz到894MHz的頻率范圍(這個頻率范圍是接收頻帶)，那么最接近的諧振器Rl的諧振頻率最好是大約810MHz。在發(fā)射端子20處輸入，然后傳送給發(fā)射濾波器F1的發(fā)射信號中，頻率與雙工器D1中最接近的諧振器R1的諧振頻率接近的信號分量，傾向于通過最接近的諧振器R1流向地，這是由雙工器D1中最接近的諧振器R1的存在而引起的。因此，能夠改善雙工器Dl在發(fā)射通帶低端附近頻率上的衰減特性。也就是說，因為上述電感器L2的存在而有可能發(fā)生的發(fā)射信號在發(fā)射通帶低端附近衰減特性變差的現(xiàn)象，能夠通過進(jìn)一步提供最接近的諧振器R1而加以抑制。從另一個觀點，還可以這樣說，那就是通過改變接收濾波器F2的結(jié)構(gòu)，而不改變發(fā)射濾波器F1的結(jié)構(gòu)，來改善發(fā)射信號的衰減特性。優(yōu)選將最接近的諧振器R1配置成其中IDT里電極對的數(shù)量乘以圖1B所示的交叉寬度w(將這個交叉寬度定義為一對梳狀電極互相交叉的交叉部分的寬度)，小于接收濾波器F2中其它并聯(lián)諧振器R3、R5、R7和R9的每一個中IDT里電極對的數(shù)量乘以其交叉寬度。例如，如果并聯(lián)諧振器R3、R5、R7和R9的每一個中電極對的數(shù)量在80120的范圍之內(nèi)，而它的交叉寬度在60微米到140微米的范圍之內(nèi)，那么，將最接近的諧振器R1中電極對的數(shù)量設(shè)定為80，將其交叉寬度設(shè)定為12微米就是合適的。在這里，并聯(lián)諧振器R3、R5、R7和R9里電極對的數(shù)量乘以其交叉寬度在4800到16800對微米的范圍內(nèi)，最接近的諧振器Rl中電極對的數(shù)量乘以其交叉寬度是960對微米，因此，滿足上述條件。在這種情況下，最接近的諧振器R1的電容分量小于其它并聯(lián)諧振器R3、R5、R7和R9的電容分量，接收濾波器F2的阻抗在最接近的諧振器R1的諧振頻率以外的頻率范圍內(nèi)增大。因此，在輸入發(fā)射端子20，傳送給發(fā)射濾波器F1的信號中，最接近的諧振器R1的諧振頻率以外的頻率范圍內(nèi)的信號分量不那么容易通過最接近的諧振器R1流向地。也就是說，通過提供最接近的諧振器R1，發(fā)射通帶內(nèi)損耗的增大幾乎被忽略。此外，雖然用于圖1中發(fā)射濾波器F1的并聯(lián)諧振器的數(shù)量是3，但是通過僅僅提供單獨一個最接近的諧振器Rl就能夠獲得上述效果而不依賴于并聯(lián)諧振器的總數(shù)。因此，與安裝對應(yīng)于并聯(lián)諧振器的多個電感器用于獲得上述衰減特性的常規(guī)情形相比，本實施例能夠減少雙工器尺寸的增大量。因此，根據(jù)本實施例，能夠提供一種雙工器，在通帶以外的減率范圍內(nèi)(特別是在比包括發(fā)射頻帶的通帶低的頻率范圍內(nèi))，它具有高衰減特性，同時滿足縮小器件尺寸的要求。(雙工器制造方法)在這以后描述本實施例中雙工器Dl每一部分的材料及其制造方法。通過利用圖IB所示的聲表面波諧振器，在壓電基底S上形成諧振器，構(gòu)成發(fā)射濾波器F1和接收濾波器F2，就能夠制造出本實施例中的雙工器D1。優(yōu)選將36°±10°的Y切口X傳播LiTa03單晶，64°±10°的Y切口X傳播LiNb03單晶，45。士1(T的X切口Z傳播Li2B407單晶之類用作壓電基底S。這是因為它們的機(jī)電耦合系數(shù)很大，它們的群延遲時間的溫度系數(shù)很小。特別是具有很高機(jī)電耦合系數(shù)的36°±10°的Y切口X傳播LiTa03單晶尤其適合。此外，在晶體的Y方向，切口角最好是在36°±10°的范圍內(nèi)。這樣，能夠獲得滿意的壓電特性。壓電基底S的厚度優(yōu)選在0.10.5毫米的范圍之內(nèi)。如果厚度小于0.1毫米，壓電基底強(qiáng)度不夠；如果厚度超過0.5毫米，材料成本會增加。另外，可以將經(jīng)過了壓縮處理的(reduction-treated)壓電基底S用于減少可能因為熱電效應(yīng)引起的電極損壞。還有，還可以使用在其中添加了鐵(Fe)的壓電基底S，以便減少因為熱電效應(yīng)在電極中造成的損壞。形成串聯(lián)和并聯(lián)諧振器中的每一個IDT1，使得一對梳狀電極互相嚙合，其中的串聯(lián)和并聯(lián)諧振器構(gòu)成發(fā)射濾波器F1和接收濾波器F2。這些梳狀電極有多個電極手指，它們的長度方向垂直于壓電基底S中聲表面波的傳播方向。電極手指可以用A1或基于A1-Cu、Al-Ti、Al-Mg、Al-Cu-Mg之類的Al合金制成。此外，電極手指還可以用Al-Cu/Cu/Al-Cu、Ti/Al-Cu、Ti/Al-Cu/Ti之類的疊層膜制成。更進(jìn)一步，每個諧振器中的反射器2由制作電極手指的相同材料制成。此外，通過采用一種薄膜形成方法，形成上述材料的金屬膜，然后按照一種已知方法應(yīng)用蝕刻工藝，形成指定圖案，來制作諧振器，'這種薄膜形成方法有例如電子束沉積、濺射或CVD，這種已知方法有例如光亥ij、RIE之類。最好是每個諧振器中的IDT1和反射器2具有上述數(shù)量的電極對和上述交叉寬度；并且電極手指的線寬度、間距和厚度分別在0.1-10微米、0.1~10微米和0.1-0.5微米的范圍之內(nèi)。雖然可以和諧振器一起在壓電基底S上形成電感器L1、L2和L3，但這不是必須的。換句話說，電感器L1、L2和L3不必在壓電基底S上形成。例如，它們可以直接在安裝雙工器Dl(更加準(zhǔn)確地說，雙工器D1中除了那些電感器的剩余部分)的基底上形成。更進(jìn)一步，還可以用以下工藝來形成電感器獨立于雙工器D1(更加確切地說，雙工器D1中除了電感器L1、L2和L3以外的剩余部分)來制備貼片電感，然后將它們安裝在不同的基底上。此外，還可以根據(jù)所需要的電感值來適當(dāng)?shù)卣{(diào)整電感器中每個電極的寬度和線長度，以及形成每個電感器的導(dǎo)電材料的類型和厚度。(在通信設(shè)備中的應(yīng)用)如上所述，本實施例中的雙工器D1尺寸小，具有更好的衰減特性。此外，還可以將本實施例中的雙工器D1用于通信設(shè)備。圖6從原理上說明通信設(shè)備100的結(jié)構(gòu)，作為這一類型的一個實例。通信設(shè)備100主要包括發(fā)射和接收單元300、天線400、控制器200、操作單元600、麥克風(fēng)MP和揚(yáng)聲器SP?？刂破?00控制整個通信設(shè)備100的各種工作過程。配備了CPU、RAM、ROM之類的控制器200讀出并運行ROM中儲存的程序，來執(zhí)行各種控制，實現(xiàn)通信設(shè)備100的各種功能。在發(fā)射和接收單元300中，通過控制器200從麥克風(fēng)MP輸入的模擬語音信號經(jīng)過DSP(數(shù)字信號處理器)301的模數(shù)轉(zhuǎn)換(也就是從模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號)，調(diào)制器302的調(diào)制，然后由混頻器303利用本地振蕩器320產(chǎn)生的振蕩信號進(jìn)行頻率轉(zhuǎn)換?；祛l器303的輸出通過發(fā)射帶通濾波器304、功率放大器305和雙工器306，然后從天線400發(fā)射出去成為發(fā)射信號。y另外，通過雙工器306、低噪聲放大器307和接收帶通濾波器30;，將接收信號從天線400饋送到混頻器309?；祛l器309利用本地振蕩器320產(chǎn)生的振蕩信號，將接收信號進(jìn)行頻率轉(zhuǎn)換，頻率轉(zhuǎn)換過的信號經(jīng)過低通濾波器310，由解調(diào)器311解調(diào)。此外，在經(jīng)過DSP301進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換(也就是從數(shù)字信號轉(zhuǎn)換成模擬信號)以后，通過控制器200從揚(yáng)聲器SP輸出信號，成為模擬語音信號。操作單元600從用戶以及例如各種按鈕接收給通信設(shè)備100的各種輸入。本實施例的雙工器Dl可以用作通信設(shè)備100中的雙工器306。這樣，能夠?qū)崿F(xiàn)這樣的通信設(shè)備，這種通信設(shè)備能夠抑制發(fā)射機(jī)電路和接收機(jī)電路之間的信號泄漏，而不使用大尺寸的雙工器。簡而言之，能夠提供一種具有高通信質(zhì)量的緊湊的通信設(shè)備。第二實施例圖2是本發(fā)明第二實施例中雙工器D2的電路圖。雙工器D2被配置成與發(fā)射端子20連接的發(fā)射濾波器F3以及與接收端子30連接的接收濾波器F2通過公共信號線與天線端子10連接。雙工器D2的信號發(fā)射和接收按照第一實施例中雙工器Dl相同的信號發(fā)射和接收方式進(jìn)行。也就是說，通過接收濾波器F2和接收端子30將天線端子10收到的信號(接收信號)發(fā)送給接收機(jī)電路(未畫出)。此外，通過發(fā)射端子F3將從發(fā)射機(jī)電路(未畫出)輸入給發(fā)射端子20的信號(發(fā)射信號)發(fā)送給天線端子IO。此外，也是在本實施例中，將雙工器D2配置成使得接收濾波器F2的通帶(接收通帶)是一個比發(fā)射濾波器F3的通帶(發(fā)射通帶)頻率高的頻率范圍。雙工器D2與第一實施例中雙工器Dl—樣具有同樣的結(jié)構(gòu)，除了發(fā)射濾波器F3以外。具體地說，將雙工器D2配置成發(fā)射濾波器F3的諧振器中最接近天線的諧振器是一個并聯(lián)諧振器T9(以后將它叫做最接近的諧振器T9)，它的諧振頻率低于發(fā)射通帶的頻率。這是與雙工器D1不相同的特征，雙工器D1沒有最接近的諧振器T9(f雙工器D1的發(fā)射濾波器F1中，串聯(lián)諧振器T8是最接近天線的諧fe器)。利用雙工器D2的這一結(jié)構(gòu)，在從發(fā)射端子20輸入的發(fā)射信號中，頻率與最接近的諧振器T9的諧振頻率接近的信號分量傾向于通過最接近的諧振器T9流向地。此外，由于接收濾波器F2按照第一實施例中雙工器Dl相同的方式擁有最接近的諧振器Rl，雙工器D2也能夠?qū)崿F(xiàn)在第一實施例中描述的最接近的諧振器Rl的相同效果。此外，由于除了最接近的諧振器R1的效果以外，雙工器D2具有最接近的諧振器T9的效果，因此能夠進(jìn)一步改善頻率特性。例如，通過讓最接近的諧振器Rl和T9具有不同的諧振頻率，同時滿足上述條件，能夠獲得多個衰減極點，從而獲得良好的衰減特性。如果雙工器D2具有包括從824MHz到849MHz頻率范圍的發(fā)射通帶以及包括從869MHz到894MHz頻率范圍的接收通帶，可以讓最接近的諧振器Rl和T9分別具有大約810MHz和750MHz的諧振頻率。這樣一來，在發(fā)射通帶低端附近的頻率上能夠具有比第一實施例中雙工器D1有更多改進(jìn)的衰減特性，同時將插入損耗抑制成與雙工器D1的一樣小。此外，還有可能最接近的諧振器Rl和T9都具有大約810MHz的諧振頻率。在這種情況下，與包括最接近的諧振器Rl但是不包括最接近的諧振器T9的雙工器Dl相比，雙工器D2在發(fā)射通帶高端附近的衰減特性得到了改善。此外，優(yōu)選將最接近的諧振器T9中IDT1里的電極對數(shù)量乘以它的交叉寬度設(shè)定為小于發(fā)射濾波器F3其它并聯(lián)諧振器T3、T5和T7的每一個中IDT里的電極對數(shù)量乘以它的交叉寬度。例如，如果將并聯(lián)諧振器T3、T5和T7中每一個里的電極對數(shù)量設(shè)定為大約80，將它的交叉寬度設(shè)定為在50微米到130微米的范圍之內(nèi)，那么將最接近的諧振器T9的電極對數(shù)量設(shè)定為80，將它的交叉寬度設(shè)定為12微米是合適的。在這里，并聯(lián)諧振器T3、T5和T7中每一個的電極對數(shù)量乘以它的交叉寬度在4000到10400對微米的范圍之內(nèi)，而最接近的諧振器T9中電極對數(shù)量乘以它的交叉寬度是960對喻米，因此滿足上述條件。在這種情況下，最接近的諧振器T9的電容分量小于其它并聯(lián)諧振器T3、T5和T7的電容分量，在最接近的諧振器T9的諧振頻率以外的頻率范圍內(nèi)，接收濾波器F2的阻抗增大。因此，在從發(fā)射端子20傳送給發(fā)射濾波器F3的信號中，在最接近的諧振器Rl的諧振頻率以外的頻率范圍內(nèi)，信號分量不那么容易通過最接近的諧振器T9流向地。也就是說，通過進(jìn)一步提供上述最接近的諧振器T9，幾乎能夠防止在發(fā)射通帶內(nèi)損耗增加。本實施例中的雙工器D2可以用制作第一實施例中雙工器的相同方法制作。此外，還可以按照第一實施例中同樣的方式將它用于通信設(shè)備。如上所述，按照本實施例，能夠提供雙工器D2，該雙工器D2能夠抑制因為上述電感器L2的存在而有可能發(fā)生的發(fā)射信號在發(fā)射通帶低端附近出現(xiàn)的衰減特性變差。第三實施例在第一和第二實施例中，發(fā)射濾波器和接收濾波器是用梯形濾波器形成的。但是，本發(fā)明中雙工器的結(jié)構(gòu)不限于這樣。圖3A和3B用于說明本發(fā)明第三實施例中的雙工器D3。具體地說，圖3A是雙工器D3的電路圖，圖3B是雙工器D3中包括的DMS(雙模式SAW)濾波器R10代表性結(jié)構(gòu)的示意性頂視圖。將雙工器D3配置成連接發(fā)射端子20的發(fā)射濾波器Fl和連接接收端子30的接收濾波器F4通過公共信號線與天線端子10連接。雙工器D3中信號的發(fā)射和接收按照第一實施例中雙工器D1的相同方式進(jìn)行。也就是說，天線端子10收到的信號(接收信號)通過接收濾波器F4和接收端子30發(fā)送到接收機(jī)電路(未畫出)。此外，從發(fā)射機(jī)電路(未畫出)輸入發(fā)射端子20的信號(發(fā)射信號)通過發(fā)射端子F1發(fā)送到天線端子10。更進(jìn)一步，在本實施例中，將雙工器D3配置成接收濾波器F4的通帶(接收通帶)是比發(fā)射濾波器F1的通帶(發(fā)射通帶)頻率高的一個頻率范圍。雙工器D3中接收濾波器F4的結(jié)構(gòu)與雙工器Dl中接收濾波器F2結(jié)構(gòu)的不同之處在于，雙工器D3中接收濾波器F4不是梯形濾波器，并且包括放置在串聯(lián)臂中的DMS濾波器R10和放置在并聯(lián)臂中的并聯(lián)諧振器Rll。如圖3B所示，DMS濾波器R10是一個多模式濾波器。DMS濾波器R10具有互相連接成兩級的濾波器R10a和R10b。濾波器R10a包括互相相鄰的三個IDTla、lb和lc，三個IDTla、lb和lc形成的IDT陣列兩端放置的兩個反射器2。但是，這一串聯(lián)諧振器R10不限于具有上述兩級結(jié)構(gòu)的諧振器。IDTla、lb和lc中的每一個都包括相對的一對梳狀電極，電極的長度方向垂直于壓電基底S中聲表面波的傳播方向。此外，每個反射器2都具有柵格形電極，電極的長度方向垂直于壓電基底S中聲表面波的傳播方向。類似地，濾波器R10b包括相鄰的三個IDTld、le和lf，在三個IDTld、le和lf形成的IDT陣列的兩端放置的兩個反射器2。IDTld、le和lf中的每一個都包括相對的一對梳狀電極，這些電極的長度方向垂直于壓電基底S中聲表面波的傳播方向。此外，每個反射器2都具有柵格形電極，電極的長度方向垂直于壓電基底S中聲表面波的傳播方向。但是，DMS濾波器R10每一級中的濾波器不必具有三個IDT，只要它至少具有兩個IDT就是合適的。在發(fā)射濾波器F4中利用將多模式濾波器用作DMS濾波器R10的上述結(jié)構(gòu)，能夠提高比接收通帶頻率低的頻率范圍內(nèi)輸入其中的接收信號的衰減特性銳度。此外，在DMS濾波器R10中，可以根據(jù)設(shè)計需要適當(dāng)?shù)剡x擇電極對數(shù)量、交叉寬度、反射器數(shù)量之類。本實施例與第一和第二實施例的不同之處在于接收濾波器F4包括DMS濾波器RIO。但是，本實施例與第一和第二實施例一樣具有的共同特征在于最接近天線的諧振器是一個并聯(lián)諧振器Rll(也將它叫做最接近的諧振器Rll)，它的諧振頻率低于發(fā)射通帶。例如，如果雙工器D3的發(fā)射通帶包括從824MHz到849MHz的頻率范圍，并且接收通帶包括從869MHz到894MHz的頻率范圍，那么最接近的諧振器Rll的諧振頻率最好是大約810MHz。通過在雙工器D3中還提供上述最接近的諧振器Rl1,從發(fā)射端子20發(fā)送到發(fā)射濾波器Fl的發(fā)射信號中，與最接近的諧振器Rll的諧振頻率接近的信號分量，傾向于按照第一實施例中雙工器D1相同的方式，通過最接近的諧振器Rll流向地。因此，雙工器D3能夠改善發(fā)射通帶低端附近的衰減特性。也就是說，在因為上述電感器L2的存在而有可能發(fā)生的發(fā)射信號在發(fā)射通帶低端附近的頻率上衰減特性變差的現(xiàn)象，能夠象第一實施例一樣通過進(jìn)一步提供最接近的諧振器R11而加以抑制。本實施例中的雙工器D3也可以用制作第一實施例中雙工器Dl的相同方法制作。此外，還可以按照第一實施例中同樣的方式將它用于通信設(shè)備。如上所述，也是按照本實施例，能夠提供雙工器，該雙工器能夠在通帶以外的頻率范圍具有高衰減特性(特別是在比包括發(fā)射頻帶的通帶低的頻率范圍內(nèi))，同時滿足縮小尺寸的要求。此外，多模式濾波器中每個IDT里電極對的數(shù)量，多模式濾波器中每個反射器里電極對的交叉寬度、數(shù)量，以及多模式濾波器的數(shù)量，都能夠根據(jù)設(shè)計需要來適當(dāng)?shù)卮_定。還可以給接收濾波器安裝另一個諧振器，該諧振器與信號線串聯(lián)或并聯(lián)，在多模式濾波器的前面或后面。實現(xiàn)例在這以后，將描述本發(fā)明的實施例中的實現(xiàn)例。給出以下實例的目的僅僅是用于作為示例，不應(yīng)當(dāng)將本發(fā)明理解為僅限于它們。在這些實例中，將雙工器配置為發(fā)射通帶包括從824MHz到849MHz的頻率范圍(發(fā)射頻帶)，接收通帶包括從869MHz到894MHz的頻率范圍(接收頻帶)。(實現(xiàn)例1)在本實例中，制作了第一實施例的雙工器D1。首先，制備LiTa03形成的壓電基底，在這一基底主表面上形成6納米厚度的Ti薄膜。然后，在它上面形成厚度為125納米的Al-Cu薄膜。Ti和Al-Cu膜交替層疊各三次，從而形成總共六個薄層的Ti/Al-Cu疊層膜。下一步，通過利用抗蝕劑涂覆器，在Ti/Al-Cu疊層膜上涂覆厚度為大約0.5微米的光致抗蝕劑。然后，用收縮式投影曝光裝置(reductionprojectionaligner)(步進(jìn)式投影曝光裝置(stepper))形成諧振器、信號線、地線、焊盤電極之類的光致抗蝕劑圖案，用于形成圖l所示的電路。接下來，利用顯影裝置，用堿性顯影溶液溶解掉光致抗蝕劑中不需要的部分。隨后利用RIE(反應(yīng)離子蝕刻)裝置通過蝕刻工藝去除不必要的部分，留下必要的部分，形成構(gòu)成圖1A所示電路結(jié)構(gòu)的電路圖案。表1列出了這個時候每一個諧振器的制造條件。更加確切地說，通過在壓電基底上反復(fù)設(shè)置所希望的二維電路圖案，作為多次成模母板來形成上述電路圖案。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>然后在電路圖案的指定區(qū)域形成保護(hù)膜。也就是說，利用CVD(化學(xué)蒸氣沉積)裝置在電極圖案和壓電基底主表面上形成厚度為大約0.02微米的SiO2膜。在這以后，利用光刻形成光致抗蝕劑圖案，并且利用RIE裝置之類蝕刻倒裝片的電極部分(例如輸入和輸出電極與地電極的焊盤電極部分，以及環(huán)繞其整個部分的環(huán)形電極部分y的Si。2膜。接下來，利用濺射裝置，在去掉了Si02膜的一部分上形成包含Cr、Ni和Au的疊層電極膜。在這里，將電極的厚度設(shè)定為大約l微米(O.Ol微米的Cr，1微米的Ni，0.2微米的Au)。此夕卜，用剝離(lift-off)方法同吋去除不需要的部分上的光致抗蝕劑和疊層電極，在已經(jīng)形成了疊層電極的部分形成倒裝片的電極部分，在該電極部分上面連接倒裝片突起。然后，沿著切片線切割壓電基底，從而獲得多個芯片，每個芯片都具有在壓電基底S上形成的電極圖案。隨后，制備電路板，在其中形成與電感器L1、L2和L3對應(yīng)的線，并且在銀形成的圖案電極，輸入和輸出導(dǎo)體、地導(dǎo)體和環(huán)形導(dǎo)體上印刷導(dǎo)電材料。將焊料用作導(dǎo)電材料。接下來，利用倒裝片安裝裝置，將每個芯片暫時粘接在與之對應(yīng)的陶瓷電路板上，形成電極的表面朝下。這一暫時粘接是在N2氣體中進(jìn)行的。此外，通過在N2氣體中進(jìn)行烘烤，將焊料熔化，使芯片粘接到陶瓷電路板上。也就是說，焊料在芯片上形成的環(huán)形電極和電路板上形成的環(huán)形導(dǎo)體上熔化并粘接上去，從而將芯片表面上的電極圖案密封。此外，在附著了芯片的陶瓷電路板上涂覆樹脂，在N2氣體中烘烤，用樹脂密封這一芯片。最后，沿著切片線將陶瓷電路板切片，將它劃分成一個一個的，得到安裝在電路板上的狀態(tài)的本實施例的雙工器Dl。此外，一個一個的陶瓷電路板的面積是2.5X2.0平方毫米，是以疊層結(jié)構(gòu)形成的。接下來，用網(wǎng)絡(luò)分析儀測量了這樣獲得的雙工器D1在發(fā)射通帶附近的衰減特性。(實現(xiàn)例2)在本實例中，制作了第一實施例中的雙工器Dl，并且按照實例l中同樣的方式進(jìn)行檢查，只有每個諧振器的制造條件不同除外，這些條件在表2中列出。此外，在本實例中，將諧振器配置為最接近的諧振器R1中每個IDT里電極對數(shù)量乘以其交叉寬度被設(shè)定為小于并聯(lián)諧振器R3、R5、R7和R9中每個IDT里電極對數(shù)量乘以其交叉寬度。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>(實現(xiàn)例3)在本實例中，制作第二實施例中的雙工器D2，并且按照實例1中的方式進(jìn)行檢查。表3列出了這種情況下每個諧振器的制造條件。在這個實例中，將最接近的諧振器R1的諧振頻率設(shè)定為小于最接近的諧振器T9的諧振頻率，如同表3所示。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>(實現(xiàn)例4)在本實例中，制作第二實施例中的雙工器D2，并且按照實例3中的方式進(jìn)行檢查，只有每個諧振器的制造條件與之不同除外，將這些制造條件列在表4中。此外，在這個實例中，將最接近的諧振器Rl的諧振頻率設(shè)定為等于最接近的諧振器T9的諧振頻率，如同表4所示。更進(jìn)一步，在這個實例中，將諧振器配置成最接近的諧振器Rl中每個IDT里電極對數(shù)量乘以其交叉寬度，小于并聯(lián)諧振器R3、R5、R7和R9中每個IDT里電極對數(shù)量乘以其交叉寬度，并且最接近的諧振器T9中每個IDT里電極對數(shù)量乘以其交叉寬度，小于并聯(lián)諧振器T3、T5和T7中每個IDT里電極對數(shù)量乘以其交叉寬度。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>(實現(xiàn)例5)在本實例中，制作第三實施例中的雙工器D3，并且按照實例1中的方式進(jìn)行檢查。表5列.出了這種情況下每個諧振器的制造條件。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>(比較例1)在比較例1中，制作并按照實現(xiàn)例1中相同的方式檢査了一個雙工器，其中的濾波器被配置為與實現(xiàn)例1中雙工器D1相同，只有在這個比較例中省略了最接近的諧振器Rl除外。(比較例2)在比較例2中，制作并按照實現(xiàn)例5中相同的方式檢查了一個雙工器，其中的濾波器被配置為與實現(xiàn)例5中雙工器D3相同，只有在這個比較例中省略了最接近的諧振器Rll除外。(特性比較)圖7~10說明實現(xiàn)例1~4中雙工器在發(fā)射濾波器通帶(發(fā)射通帶)附近的頻率特性(衰減)，與比較例1中的進(jìn)行比較。此外，圖11說明實現(xiàn)例5中雙工器在發(fā)射通帶附近的頻率特性，與比較例2中的雙工器進(jìn)行比較。但是，圖710沒有畫出接收濾波器的通帶。在圖7~10中任意一個里，水平軸表示頻率(單位MHz)，垂直軸表示衰減(單位dB)。用實線畫出的每條特性曲線表示與每個實現(xiàn)例中的雙工器有關(guān)的結(jié)果，而虛線畫出的每條特性曲線則表示與每個比較例中的雙工器有關(guān)的結(jié)果。此外，表6說明實現(xiàn)例和比較例中發(fā)射通帶低端附近頻率上的插入損耗和衰減。表6發(fā)射通帶內(nèi)的插入損耗(dB)發(fā)射通帶低端附近的衰減(dB)實現(xiàn)例13.838實現(xiàn)例21.928實現(xiàn)例33.337實現(xiàn)例42.227^比較例12.024實現(xiàn)例52.731<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>根據(jù)表6中列出的結(jié)果，實現(xiàn)例1~5中具有最接近的諧振器R9或Rll的任意一個雙工器的發(fā)射通帶低端附近的衰減，大于比較例1和2中沒有最接近的諧振器R9和Rll的雙工器的衰減。結(jié)果明顯說明，通過進(jìn)一步提供最接近的諧振器，能夠改善發(fā)射頻帶低端附近的衰減特性。此外，將與實現(xiàn)例2和4有關(guān)的結(jié)果跟與實現(xiàn)例1和3以及比較例1有關(guān)的結(jié)果進(jìn)行比較，會發(fā)現(xiàn)實現(xiàn)例2和4中發(fā)射通帶低端附近的衰減，小于實現(xiàn)例1和3中的衰減，但是大于比較例1中的衰減。此外，實例2和4中的插入損耗近似等于比較例1中的插入損耗。也就是說，在實現(xiàn)例中已經(jīng)證明，通過將最接近的諧振器R9中電極對數(shù)量乘以其交叉寬度設(shè)定為小于濾波器F2中并聯(lián)諧振器里電極對數(shù)量乘以其交叉寬度，能夠改善發(fā)射通帶低端附近的衰減特性，而不會增加插入損耗。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，能夠提供這樣一種雙工器，它在通帶以外的頻率范圍內(nèi)具有高衰減特性(特別是在包括發(fā)射頻帶的通帶以下的頻率范圍內(nèi))，同時滿足縮小尺寸的要求。更加具體地說，在發(fā)射信號中，與接收側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率接近的信號分量傾向于通過接收側(cè)最接近的諧振器流向地。通過這種方式，能夠改善雙工器在發(fā)射通帶低端附近頻率上的衰減特性。因此，能夠抑制發(fā)射信號在發(fā)射通帶低端附近衰減特性變差，如果不是這樣，這一衰減特性變差就會因為第一電感器或者第一和第二電感器的存在而發(fā)生。此外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，在接收側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率以外的頻率范圍內(nèi)阻抗增大。這樣，在發(fā)射信號中，在接收側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率以外的頻率范圍內(nèi)的信號分量，不那么容易通過接收側(cè)最接近的諧振器流向地。因此，能夠抑制發(fā)射信號在發(fā)射通帶低端附近衰減特性變差，同時很少增加發(fā)射通帶內(nèi)的損耗。此外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，發(fā)射信號中與發(fā)射側(cè)最接近^J諧振器的諧振頻率接近的信號分量，傾向于通過發(fā)射側(cè)最接近的諧振器流向地。通過將這一效果與接收側(cè)最接近的諧振器的效果組合起來，能夠進(jìn)一步改善衰減特性。另外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以實現(xiàn)能夠抑制發(fā)射機(jī)電路和接收機(jī)電路之間信號泄漏的通信設(shè)備，而不需要使用大尺寸雙工器。也就是說，能夠提供緊湊，通信質(zhì)量高的通信設(shè)備。盡管給出和描述本發(fā)明的時候針對了實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員明白，可以進(jìn)行各種修改和改進(jìn)，而不會偏離后面的權(quán)利要求中定義的本發(fā)明的范圍。權(quán)利要求1.一種雙工器，包括壓電基底；所述壓電基底上的發(fā)射濾波器，該發(fā)射濾波器包括具有第一諧振器群的梯形濾波器，該第一諧振器群包括一個或多個串聯(lián)臂中的一個或多個諧振器；以及一個或多個并聯(lián)臂中的一個或多個諧振器；所述壓電基底上的接收濾波器，該接收濾波器具有比所述發(fā)射濾波器的通帶高的通帶，并且包括第二諧振器群，該第二諧振器群包括一個或多個串聯(lián)臂中的一個或多個諧振器；以及一個或多個并聯(lián)臂中的一個或多個諧振器；節(jié)點，該節(jié)點連接所述發(fā)射濾波器的發(fā)射側(cè)端部和所述接收濾波器的接收側(cè)第一部分，其中在所述第二諧振器群中并且最接近所述并聯(lián)臂中所述節(jié)點的接收側(cè)最接近的諧振器，比所述第二諧振器群中并且最接近所述串聯(lián)臂中所述節(jié)點的諧振器，更加接近所述節(jié)點，并且所述接收側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率低于所述發(fā)射濾波器的通帶。2.如權(quán)利要求1所述的雙工器，3.如權(quán)利要求2所述的雙工器，述天線的信號線和基準(zhǔn)電壓端子之間。4.如權(quán)利要求1所述的雙工器，述第二諧振器群的梯形濾波器。其中所述節(jié)點還與天線連接。其中第一電感器在用于連接所其中所述接收濾波器是包括所5.如權(quán)利要求4所述的雙工器，其中所述第二諧振器群包括所述接收濾波器并聯(lián)臂中的至少兩個諧振器，所述接收側(cè)最接近的諧振器具有比所述并聯(lián)臂中其它諧振器里每一個的電容分量小的電容分6.如權(quán)利要求5所述的雙工器，其中所述并聯(lián)臂中的所述至少兩個諧振器是聲表面波諧振器，它們中的每一個都包括IDT，所述IDT包括一對梳狀電極；以及多個電極手指，其中聲表面波垂直于所述電極手指的長度方向傳播，其中所述接收側(cè)最接近的諧振器中電極對的數(shù)量乘以其中所述梳狀電極中每一個的交叉寬度，被設(shè)定為小于其它諧振器中每一個里電極對的數(shù)量乘以其中所述梳狀電極中每一個的交叉寬度。7.如權(quán)利要求4所述的雙工器，其中與所述發(fā)射濾波器第一諧振器群中的所述節(jié)點最接近的發(fā)射側(cè)最接近的諧振器在并聯(lián)臂中，所述發(fā)射側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率低于所述發(fā)射濾波器的通帶。8.如權(quán)利要求7所述的雙工器，其中所述發(fā)射側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率不同于所述接收側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率。9.如權(quán)利要求1所述的雙工器，其中所述第二諧振器群中串聯(lián)臂里的諧振器是多模諧振器，這些諧振器中的每一個包括至少兩個IDT，每個IDT包括一對梳狀電極；以及多個電極手指，其中聲表面波垂直于所述電極手指的長度方向傳播。10.如權(quán)利要求1所述的雙工器，還包括第二電感器，該第二電感器在所述發(fā)射濾波器并聯(lián)臂中的諧振器和所述基準(zhǔn)電壓的端子之間。11.如權(quán)利要求10所述的雙工器，其中所述發(fā)射濾波器并聯(lián)臂中的諧振器通過所述第二電感器與所述基準(zhǔn)電壓的端子連接。12.如權(quán)利要求1所述的雙工器，還包括至少一個第三電感器，該第三電感器在所述接收濾波器并聯(lián)臂中的諧振器和所述基準(zhǔn)電壓的端子之間。13.如權(quán)利要求12所述的雙工器，其中所述發(fā)射濾波器并聯(lián)臂中的諧振器在所述基準(zhǔn)電壓的端子和所述第三電感器之間。14.如權(quán)利要求3所述的雙工器，還包括發(fā)射機(jī)電路，該發(fā)射機(jī)電路與所述發(fā)射濾波器連接；以及接收機(jī)電路，該接收機(jī)電路與所述接收濾波器連接，其中在所述天線和所述發(fā)射機(jī)電路之間，所述第一電感器在接收通帶內(nèi)具有實質(zhì)上無窮大的阻抗，并且在所述發(fā)射機(jī)電路和所述接收機(jī)電路之間，在發(fā)射通帶內(nèi)具有實質(zhì)上無窮大的阻抗。15.如權(quán)利要求1所述的雙工器，其中發(fā)射通帶包括從824MHz到849MHz的頻率范圍，接收通帶包括從869MHz到894MHz的頻率范圍。16.如權(quán)利要求15所述的雙工器，其中所述接收側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率是大約810MHz。17.如權(quán)利要求7所述的雙工器，其中所述發(fā)射濾波器的發(fā)射通帶包括從824MHz到849MHz的頻率范圍，接收通帶包括從869MHz到894MHz的頻率范圍，并且所述發(fā)射側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率是大約750MHz。18.如權(quán)利要求1所述的雙工器，其中所述接收濾波器包括并聯(lián)臂中更接近所述節(jié)點的諧振器，以及串聯(lián)臂中所述諧振器末級的DMS濾波器。19.一種雙工器，包括壓電基底；所述壓電基底上的發(fā)射濾波器，該發(fā)射濾波器包括具有第一諧振器群的第一梯形濾波器，該第一諧振器群具有多個串聯(lián)臂中的多個諧振器，以及多個并聯(lián)臂中的多個諧振器；所述壓電基底上的接收濾波器，該接收濾波器具有比所述發(fā)射濾波器的通帶高的通帶，并且包括具有第二諧振器群的第二梯形濾波器，該第二諧振器群具有多個串聯(lián)臂中的多個諧振器，以及多個并聯(lián)臂中的多個諧振器；節(jié)點，該節(jié)點連接所述發(fā)射濾波器的發(fā)射側(cè)端部和所述接收濾波器的接收側(cè)第一部分，其中在所述第二諧振器群中并且最接近所述并聯(lián)臂中所述節(jié)點的接收側(cè)最接近的諧振器，比所述第二諧振器群中并且最接近所述串聯(lián)臂中所述節(jié)點的諧振器，更加接近所述節(jié)點，并且所述接收側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率低于所述發(fā)射濾波器的通帶。20.—種通信設(shè)備，包括如權(quán)利要求1所述的雙工器；連接到所述雙工器中信號線的節(jié)點；發(fā)射和接收單元，用于將發(fā)射信號發(fā)送給所述雙工器中的發(fā)射濾波器，并且從所述雙工器中的接收濾波器接收接收信號。全文摘要一種雙工器包括壓電基底、發(fā)射濾波器和接收濾波器。發(fā)射濾波器包括具有第一諧振器群的梯形濾波器，該濾波器具有一個或多個串聯(lián)臂中的一個或多個諧振器，以及一個或多個并聯(lián)臂中的一個或多個諧振器。接收濾波器具有比發(fā)射濾波器的通帶高的通帶，并且包括第二諧振器群，該接收濾波器具有一個或多個串聯(lián)臂中的一個或多個諧振器，以及一個或多個并聯(lián)臂中的一個或多個諧振器。節(jié)點連接發(fā)射濾波器和接收濾波器。并聯(lián)臂中最接近所述節(jié)點的接收側(cè)最接近的諧振器比串聯(lián)臂中最接近所述節(jié)點的諧振器更加接近所述節(jié)點，并且接收側(cè)最接近的諧振器的諧振頻率低于所述發(fā)射濾波器的通帶。文檔編號H03H9/70GK101212211SQ20071015988公開日2008年7月2日申請日期2007年12月25日優(yōu)先權(quán)日2006年12月25日發(fā)明者伊藤干申請人:京都陶瓷株式會社