專利名稱：表面聲波器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面聲波器件及其制造方法，具體涉及具有防止IDT電極和蓋基板接觸的輔助部的表面聲波器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
以往，已公知如下的表面聲波器件在壓電基板上表面聲波芯片由IDT電極、取出(extraction)電極、及包圍這些IDT電極和取出電極而設(shè)置的陽極接合部構(gòu)成，絕緣性的蓋基板在玻璃板上形成空隙部和貫通孔，由設(shè)于貫通孔及其周邊部的外部電極和在外部電極上設(shè)置的印刷電極構(gòu)成，將表面聲波芯片的取出電極與蓋基板的外部電極接合，而且將陽極接合部接合在蓋基板上，以將IDT電極密封。
另外，提出有下面的表面聲波器件，在上述蓋基板上不設(shè)置空隙部，該表面聲波器件構(gòu)成為具有蓋基板、和使表面聲波芯片的取出電極與陽極接合部的膜厚比前述膜厚增加約3μm的表面聲波芯片，利用取出電極和陽極接合部，在IDT電極和蓋基板之間設(shè)置空隙部(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1日本特開平8-213874號公報(第3～5頁、圖1、3、8)在蓋基板上設(shè)置空隙的上述專利文獻(xiàn)1的結(jié)構(gòu)中，在蓋基板上設(shè)置即使IDT電極和蓋基板因外力而變形時也不會接觸的空隙部。因此，為了確保蓋基板的強(qiáng)度，必須使蓋基板整體變厚，所以是對表面聲波器件的薄型化不利的結(jié)構(gòu)。
并且，在使取出電極和陽極接合部變厚、確保IDT電極和蓋基板的空隙的結(jié)構(gòu)中，認(rèn)為例如在蓋基板的中央部產(chǎn)生變形時，蓋基板和IDT電極將接觸。另外，在該結(jié)構(gòu)中，在IDT電極的表面波行進(jìn)方向兩端設(shè)置取出電極，所以無法設(shè)置在一般的表面聲波芯片中設(shè)置的反射器或反射壁，可以預(yù)料將不能獲得正確的諧振頻率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明把解決前述課題作為其宗旨，提供一種表面聲波器件及其制造方法，該表面聲波器件實(shí)現(xiàn)了小型、薄型，而且即使壓電基板和蓋基板變形時IDT電極和蓋基板也不會接觸。
本發(fā)明的表面聲波器件的特征在于，所述表面聲波器件包括表面聲波芯片，其具有形成于壓電基板的主面上的IDT電極、從所述IDT電極引出的取出電極、和沿著所述壓電基板的主面外周形成的金屬接合部；蓋基板，其由絕緣性材料構(gòu)成，具有設(shè)于一個主面上的與所述取出電極連接的連接電極、設(shè)在另一個主面上的外部電極、和將所述連接電極與所述外部電極進(jìn)行連接的貫通電極，在通過在所述金屬接合部將所述表面聲波芯片和所述蓋基板接合而形成的空間的內(nèi)部，所述IDT電極和所述取出電極被氣密密封，在所述空間的內(nèi)部，在所述壓電基板的主面上形成有輔助部，該輔助部具有即使所述壓電基板或所述蓋基板變形所述蓋基板也不會接觸所述IDT電極的高度。
根據(jù)本發(fā)明，IDT電極和取出電極設(shè)在被氣密密封的空間內(nèi)部，在空間內(nèi)部設(shè)置有輔助部，其具有即使壓電基板或蓋基板變形時蓋基板也不會接觸IDT電極的高度。該輔助部被設(shè)定成低于上述空間的高度、高于IDT電極的厚度，所以為了使蓋基板和IDT電極不接觸，將空間的高度設(shè)定成具有上述富余部分即可，不必設(shè)定得過高，并且也不必為了確保蓋基板的強(qiáng)度而將蓋基板加厚，具有可以實(shí)現(xiàn)薄型的表面聲波器件，防止諧振頻率因IDT電極和蓋基板的接觸而變得不穩(wěn)定的效果。
并且，該輔助部可以配置在空間內(nèi)部的IDT電極和取出電極的富余空間內(nèi)，所以不必增大壓電基板和蓋基板的平面尺寸，即可實(shí)現(xiàn)小型的表面聲波器件。
并且，優(yōu)選所述輔助部是在所述IDT電極附近的不與所述IDT電極接觸的位置上、沿著所述IDT電極的長度方向形成的金屬膜。
這樣，通過在IDT電極的附近而且沿著IDT電極設(shè)置由金屬膜構(gòu)成的輔助部，可以防止蓋基板和IDT電極的接觸，實(shí)現(xiàn)小型化、薄型化。另外，具體情況將在后面的實(shí)施方式中說明，但由于輔助部由金屬膜形成，所以能夠延用IDT電極或取出電極的形成工序而容易地形成。
優(yōu)選地，所述取出電極沿著所述IDT電極的長度方向大致設(shè)在所述IDT電極的形成區(qū)域的范圍內(nèi)，以與所述壓電基板和所述蓋基板接合時所述空間的高度相同的厚度而形成，兼作為所述輔助部。
通過這樣形成取出電極，除了原有的與外部電極的連接功能外，還使取出電極具有作為輔助部的功能，不需重新形成輔助部，即可發(fā)揮前述效果。該取出電極可以形成在為了具有原本的作為取出電極的功能而設(shè)計(jì)的平面大小和空閑的空間區(qū)域范圍內(nèi)，所以表面聲波器件的尺寸不會變大。
并且，優(yōu)選地，所述輔助部形成于構(gòu)成所述IDT電極的匯流條(busbar)的表面。
匯流條與叉指電極一起構(gòu)成IDT電極，但即使在該匯流條的表面設(shè)置輔助部，也不會影響諧振頻率。因此，如果在匯流條的表面設(shè)置輔助部，由于設(shè)在與IDT電極最近的部位，所以即使將輔助部的高度抑制得較低，也能夠達(dá)到本發(fā)明的目的。并且，輔助部的占有區(qū)域也是IDT電極的范圍內(nèi)，所以不需要輔助部的專用空間。
并且，本發(fā)明的表面聲波器件的制造方法的特征在于，該方法包括形成表面聲波芯片的步驟，該表面聲波芯片具有設(shè)于壓電基板的主面上的IDT電極、從所述IDT電極引出的取出電極、沿著所述壓電基板的主面外周形成的金屬接合部和輔助部；形成蓋基板的步驟，該蓋基板具有設(shè)于一個主面上的與所述取出電極連接的連接電極、設(shè)在另一個主面上的外部電極、和將所述連接電極與所述外部電極進(jìn)行連接的貫通電極；將所述表面聲波芯片和所述蓋基板在所述金屬接合部接合的步驟；將貫通電極氣密密封的步驟，將所述輔助部形成為具有即使所述壓電基板或所述蓋基板變形時所述蓋基板也不會接觸所述IDT電極的高度。
所述輔助部可以在取出電極或IDT電極的形成步驟中形成，在制造時不會產(chǎn)生因設(shè)置輔助部造成的步驟的大幅增加。
并且，取出電極經(jīng)由設(shè)于蓋基板上的貫通電極與外部電極連接，所以不必橫穿接合電極，可以保持空間的氣密性。
并且，優(yōu)選地，所述輔助部的形成步驟包括以下步驟在所述取出電極或所述金屬接合部的形成步驟中，在與所述IDT電極及所述取出電極相分離的位置上，利用與所述取出電極相同的材料形成第1層后，把所述輔助部層疊至規(guī)定的厚度。
此處，輔助部利用與取出電極或金屬接合部分別電性獨(dú)立的相同材料的金屬膜形成。
因此，在形成取出電極或金屬接合部的步驟中形成輔助部，并通過增加使所述輔助部成為規(guī)定厚度的步驟，可以對應(yīng)于所要求的輔助部的厚度，再層疊1層或多層金屬膜來形成輔助部。
并且，優(yōu)選地，在所述取出電極的形成步驟中，將所述取出電極沿著所述IDT電極的長度方向大致形成于所述IDT電極的形成區(qū)域的范圍內(nèi)，將所述取出電極形成為具有與所述表面聲波芯片和所述蓋基板接合時所述蓋基板的內(nèi)表面一致的厚度。
這樣，取出電極形成為具有接觸蓋基板的厚度，而且沿著IDT電極，所以能夠利用取出電極限制蓋基板的內(nèi)表面高度。即，該取出電極兼?zhèn)渌鲚o助部的功能。因此，不需要形成輔助部的步驟，可以簡化表面聲波芯片的制造步驟。
并且，優(yōu)選地，所述輔助部的形成步驟包括以下步驟在所述IDT電極的形成步驟中，在所述IDT電極的附近利用與所述IDT電極相同的步驟形成第1層后，將所述輔助部層疊至規(guī)定的厚度。
這樣，輔助部的第1層利用與IDT電極相同的材質(zhì)及相同的厚度形成，再進(jìn)行層疊以達(dá)到規(guī)定的厚度來形成輔助部，所以輔助部在IDT電極附近一定形成得比IDT電極厚，能夠可靠地防止該IDT電極與蓋基板的接觸。
并且，優(yōu)選地，利用所述IDT電極的形成步驟及所述取出電極的形成步驟之外的另外的輔助部形成步驟，將所述輔助部形成為規(guī)定的厚度。
這樣，可以任意選擇與IDT電極或取出電極不同的材質(zhì)及制造步驟來形成輔助部。
并且，優(yōu)選地，在所述IDT電極的形成步驟之后，在構(gòu)成所述IDT電極的匯流條表面，利用與所述IDT電極相同的材料將所述輔助部層疊至規(guī)定的厚度。
這樣，如果在匯流條前表面設(shè)置輔助部，則設(shè)在與IDT電極最近的部位，所以即使將輔助部的高度抑制得較低，也能夠達(dá)到本發(fā)明的目的。并且，輔助部的占有區(qū)域?yàn)镮DT電極的范圍內(nèi)。


圖1表示本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的表面聲波器件，(a)表示其俯視圖，(b)表示(a)中的A-A切斷面的剖視圖。
圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的表面聲波芯片的俯視圖。
圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的蓋基板的俯視圖。
圖4(a)～(e)是本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的表面聲波器件的制造步驟的一例的剖視圖。
圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式1的變形例1涉及的表面聲波芯片的俯視圖。
圖6是本發(fā)明的實(shí)施方式1的變形例2涉及的表面聲波芯片的俯視圖。
圖7表示本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的表面聲波芯片，(a)表示其俯視圖，(b)表示(a)中的B-B切斷面的剖視圖。
符號說明10表面聲波器件；15表面聲波芯片；20壓電基板；30蓋基板40金屬接合部；45、46取出電極；50IDT電極；60、61反射器；70輔助部；73、74連接電極；77、78外部電極。
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在本實(shí)施方式中，針對表面聲波器件，示例了應(yīng)用了本發(fā)明的振子的優(yōu)選實(shí)施方式。
圖1～圖4表示本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的表面聲波器件的結(jié)構(gòu)及制造方法，圖5表示實(shí)施方式1的變形例1，圖6表示實(shí)施方式1的變形例2，圖7表示實(shí)施方式2。
(實(shí)施方式1)圖1～圖4表示實(shí)施方式1涉及的表面聲波器件的結(jié)構(gòu)及制造方法。
圖1表示本實(shí)施方式涉及的表面聲波器件10，(a)表示其俯視圖，(b)表示(a)中的A-A切斷面的剖視圖。圖2是表面聲波芯片15的俯視圖，圖3是蓋基板30的俯視圖。在圖1、圖2、圖3中，表面聲波器件10由具有IDT電極50(Inter Digital Transducer)的表面聲波芯片15、和層疊在該表面聲波芯片15的上表面上進(jìn)行直接接合的蓋基板30構(gòu)成。
表面聲波芯片15由矩形的壓電基板20構(gòu)成，在作為其主面的表面22的大致中央，形成有由一對叉指電極和各自的匯流條51、52構(gòu)成的IDT電極50。在其長度方向(表面波的行進(jìn)方向)的兩端側(cè)形成有反射器60、61。另外，IDT電極50和反射器60、61的具體形狀省略圖示。
上述一對叉指電極的一方從匯流條51垂直地引出引線電極45A，在引線電極45A的端部沿著壓電基板20的長度方向形成有取出電極45。叉指電極的另一方從匯流條52沿引線電極45A的反方向引出引線電極46A，在其端部的與取出電極45成對角的位置上形成有取出電極46。并且，在壓電基板20的表面22的外周的整個周緣形成有金屬接合部40。
另外，在不與IDT電極50和反射器60、61接觸的IDT電極50和反射器60、61的附近，沿著IDT電極50、反射器60、61的長度方向的兩側(cè)(即在長度方向?yàn)楸砻娌ǖ男羞M(jìn)方向時為寬度方向兩側(cè))形成有島狀的多個輔助部70。該輔助部70比IDT電極50的厚度厚，在不接觸蓋基板30的背面33的范圍內(nèi)形成。即，輔助部70的厚度被適當(dāng)設(shè)定在即使壓電基板20(表面聲波芯片15)或蓋基板30變形時，IDT電極50(包括反射器60、61)與蓋基板30的背面33也不接觸的范圍內(nèi)。
另外，在圖2中，輔助部70在IDT電極50和反射器60、61兩側(cè)分別各設(shè)有6個，但輔助部70的數(shù)量不限于此，也可以從6個開始增減。并且，設(shè)置位置也不限于圖2所示，可以在可達(dá)到本發(fā)明目的的范圍內(nèi)，設(shè)置在適當(dāng)選擇的位置上。因此，也可以設(shè)在IDT電極50和反射器60、61的單側(cè)。
在本實(shí)施方式中，壓電基板20由石英形成，此外也可以采用鉭酸鋰、鈮酸鋰等壓電材料。并且，考慮到電特性、加工特性和成本，IDT電極50、反射器60、61和引線電極45A、46A利用鋁膜形成，但也可以使用其他的鋁合金等導(dǎo)電性金屬材料。取出電極45、46、輔助部70和金屬接合部40利用Cr/Au膜或Cr/Ni/Au膜形成為相同厚度。
蓋基板30由矩形的玻璃基板構(gòu)成，從其表面32朝向背面33開設(shè)有錐狀貫通孔34、35。貫通孔34、35對應(yīng)于分別設(shè)于上述壓電基板20上的取出電極45、46而配置在對角方向上。
在蓋基板30的背面33，在前述貫通孔34、35的開口的整個周緣上分別形成有形狀與取出電極45、46對應(yīng)的連接電極73、74。另外，在蓋基板30的背面33，在其外周的整個周緣上形成有金屬接合部41。
各個貫通孔34、35及與其連續(xù)的連接電極73、74的內(nèi)周面，被由導(dǎo)電性金屬材料形成的貫通電極75、76覆蓋。在蓋基板30的表面32，在貫通孔34、35的周緣分別形成有外部電極77、78。并且，外部電極77、78經(jīng)由設(shè)于貫通孔34、35的貫通電極75、76，與連接電極73、74分別電連接。
在本實(shí)施方式中，蓋基板30利用熱膨脹率接近構(gòu)成壓電基板20的石英的鈉玻璃形成。連接電極73、74和金屬接合部41利用Cr/Au膜或Cr/Ni/Au膜形成為相同厚度。貫通電極75、76和外部電極77、78同樣利用Cr/Au膜或Cr/Ni/Au膜形成。
蓋基板30除了鈉玻璃外，也可以利用熱膨脹率與石英相同或近似的其他玻璃材料或絕緣材料、或與壓電基板20相同的石英形成。并且，在利用石英以外的壓電材料形成壓電基板20時，也可以利用熱膨脹率與該壓電材料相同或近似的絕緣性材料的薄板形成蓋基板30。
通過將金屬接合部40和金屬接合部41、取出電極45、46和連接電極73、74熱壓接，而使表面聲波芯片15和蓋基板30成為一體，在形成于表面聲波芯片15和蓋基板30之間的空間的內(nèi)部，IDT電極50、反射器60、61、取出電極45、46被氣密密封。在本實(shí)施方式中，把取出電極45、46和連接電極73、74、及金屬接合部40和金屬接合部41的厚度設(shè)定為，在將它們接合的狀態(tài)下比IDT電極50、反射器60、61的鋁膜厚。
并且，輔助部70被設(shè)定得比IDT電極50、反射器60、61的鋁膜厚，比前述空間的高度薄。
作為表面聲波芯片15和蓋基板30的接合手段，也可以采用在取出電極45、46、金屬接合面40的上表面形成AuSn合金膜，通過熱壓接或共晶接合來進(jìn)行接合的結(jié)構(gòu)。
因此，基于前述實(shí)施方式1的表面聲波器件10，由于將輔助部70設(shè)定得低于前述空間的高度、高于IDT電極50的厚度，所以即使壓電基板20或蓋基板30因外力等產(chǎn)生變形時，也能夠利用輔助部70保持蓋基板30，蓋基板30不會接觸IDT電極50和反射器60、61，所以能夠確保并且保持預(yù)先期待的表面聲波器件的激勵、接收動作。
并且，該輔助部70配置在空間內(nèi)部，如圖2所示，長度方向形成于IDT電極50和反射器60、61的區(qū)域范圍內(nèi)，寬度方向形成于形成取出電極45或取出電極46的范圍內(nèi)，所以即使設(shè)置輔助部70，平面尺寸也不會變大。
另外，輔助部70的厚度也在加上金屬接合部40、41在內(nèi)的厚度(接合時形成的空間的高度)的范圍內(nèi)，所以總體厚度不會變厚。
并且，不需要如前述的現(xiàn)有技術(shù)那樣在蓋基板30上設(shè)置凹陷狀空隙，所以蓋基板30的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度提高，而且可以形成得較薄，由此可以提供小型、薄型的表面聲波器件。
(實(shí)施方式1的表面聲波器件的制造方法)下面，參照

本實(shí)施方式的表面聲波器件的制造方法。
圖4(a)～(e)是本實(shí)施方式涉及的表面聲波器件10的制造步驟的一例的剖視圖。首先，準(zhǔn)備在縱向和橫向上連續(xù)排列了圖2所示壓電基板20的大張的石英晶片21。在圖4(a)中，在石英晶片21的表面22形成規(guī)定厚度的Cr/Au膜，使用光刻技術(shù)將取出電極45、46和金屬接合部40、輔助部70的第1層70A形成為所期望的形狀。
然后，在石英晶片21的表面22上形成規(guī)定厚度的鋁膜，使用光刻技術(shù)將IDT電極50、反射器60、61、引線電極45A、46A(參照圖2)形成為所期望的形狀，并且使引線電極45A、46A與取出電極45、46電連接。
此處，進(jìn)一步具體說明輔助部70的形成步驟，輔助部70的第1層70A的厚度與金屬接合部40、取出電極45、46相同，所以在金屬接合部40和取出電極45、46、輔助部70的第1層70A的形成步驟之后，進(jìn)一步在輔助部70的第1層70A的表面上層疊Cr/Au膜(與取出電極45、46相同的材質(zhì))以成為輔助部原本的厚度，形成輔助部70(參照圖4(b))。
下面，說明蓋基板30的制造步驟。參照圖4(c)進(jìn)行說明。
首先，準(zhǔn)備在縱向和橫向上連續(xù)排列了圖3所示蓋基板30的大張的玻璃基板31。在玻璃基板31上通過噴砂加工或蝕刻間接形成各蓋基板30的貫通孔34、35。特別是在噴砂加工中，可以容易地將貫通孔34、35加工為所期望的錐狀。
然后，在玻璃基板31的背面33(接合時的蓋基板的內(nèi)表面)上形成規(guī)定厚度的Cr/Au膜，使用光刻技術(shù)將連接電極73、74和金屬接合部41形成為所期望的形狀。
將按照上面所述形成的蓋基板30(在該狀態(tài)下為玻璃基板31)和壓電基板20(石英晶片21)接合。
參照圖4(d)說明接合步驟。按照圖4(d)所示將石英晶片21與玻璃基板31上下對準(zhǔn)位置，使金屬接合部40和金屬接合部41、取出電極45、46和連接電極73、74在接觸的狀態(tài)下重合。在該狀態(tài)下，使用接合裝置，利用一面加壓一面加熱的熱壓接法接合成一體。
在該狀態(tài)下，在形成于表面聲波芯片15和蓋基板30之間的空間內(nèi)收納IDT電極50、反射器60、61(參照圖1(a))、取出電極45、46。
然后，在玻璃基板31的表面32上將由Cr/Au膜(或Cr/Ni/Au膜)構(gòu)成的外部電極77、78形成為所期望的形狀，然后形成貫通電極75、76。
參照圖4(e)進(jìn)行說明。接合后的層疊體在清洗后，在貫通孔34、35和連接電極73、74的內(nèi)周面通過濺射等形成Cr膜和Au膜(或Cr膜、Ni膜和Au膜)，從而形成貫通電極75、76。貫通孔34、35形成為錐狀，所以能夠從玻璃基板31的上表面通過濺射等容易地形成。
另外，貫通電極75、76是薄膜，所以在中央形成有貫通孔36、37。
然后，在貫通孔36、37內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成密封部件80。參照圖1(b)進(jìn)行說明。在貫通孔36、37的內(nèi)表面已經(jīng)形成有金屬膜的貫通電極75、76，潤濕性提高，所以能夠容易填充密封部件80。由此，可以可靠地保持通過連接電極73、74和取出電極45、46，IDT電極50的各個叉指電極與對應(yīng)的外部電極77、78之間的導(dǎo)通，以及貫通孔36、37的氣密性，提供高可靠性的器件。
最后，將玻璃基板31和石英晶片21的層疊體沿著縱橫垂直的外輪廓線90切成方塊，從而完成圖1所示的單體的表面聲波器件10。
另外，關(guān)于輔助部70，在前述制造方法中，首先形成與金屬接合部40和取出電極45、46相同厚度的第1層70A，然后層疊相同材質(zhì)的金屬膜直到成為所期望的厚度，但是如果金屬接合部40和取出電極45、46比IDT電極50厚，是實(shí)現(xiàn)輔助部70的功能所需要的厚度，則可不需要進(jìn)一步的層疊步驟。
因此，根據(jù)前述實(shí)施方式1的表面聲波器件的制造方法，輔助部70可以在取出電極45、46的形成步驟中形成，從而在制造時不會產(chǎn)生因設(shè)置輔助部70造成的工序的大幅增加。
并且，取出電極45、46分別通過設(shè)于蓋基板30的貫通電極75、76連接外部電極77、78，所以不會橫穿金屬接合部40，可以保持空間內(nèi)的氣密性。
另外，在形成取出電極45、46的步驟中形成輔助部70的第1層70A，再追加形成為規(guī)定厚度的層疊步驟，由此可以對應(yīng)于所要求的輔助部70的厚度，層疊1層或多層金屬膜，自由地形成所期望的厚度的輔助部70。
(實(shí)施方式1的變形例1)輔助部70在前述的實(shí)施方式1(參照圖1、2)中排列成多個島狀形狀，但輔助部70的形狀不限于島狀，可以提出各種形狀。
圖5是實(shí)施方式1的變形例1涉及的表面聲波芯片15的俯視圖。對與前述實(shí)施方式(參照圖1～3)相同的部分賦予相同符號。由于剖面的關(guān)系，與實(shí)施方式1相同，所以省略圖示。輔助部由沿著IDT電極50和反射器60、61兩側(cè)，跨越引線電極45A或引線電極46A形成的輔助部71、72構(gòu)成。
另外，該輔助部71、72設(shè)在IDT電極50和反射器60、61的長度方向的范圍內(nèi)，但根據(jù)IDT電極50和反射器60、61及金屬接合部40的內(nèi)側(cè)區(qū)域的尺寸關(guān)系，在達(dá)到本發(fā)明目的的范圍內(nèi)，可以只設(shè)在IDT電極50的范圍(兩側(cè))內(nèi)，也可以只設(shè)在IDT電極50和反射器60、61的單側(cè)。
按上面所述形成時，也能夠發(fā)揮與前述實(shí)施方式1相同的效果。
(實(shí)施方式1的變形例2)圖6表示實(shí)施方式1的其他變形例的表面聲波芯片15。變形例2形成為增大取出電極45、46并使其兼?zhèn)漭o助部的功能。
取出電極45、46沿著IDT電極50和反射器60、61的長度方向(表面波的行進(jìn)方向)兩側(cè)，長度方向形成在IDT電極50和反射器60、61的形成區(qū)域范圍內(nèi)，寬度方向形成在實(shí)施方式1(參照圖1(a))所表現(xiàn)的取出電極45、46的范圍內(nèi)。
該變形例2的取出電極45、46的厚度為與前述空間的高度一致的厚度。即，與將金屬接合部40和金屬接合部41接合后的高度相等。此時，不需要在實(shí)施方式1中形成于蓋基板30的背面33的連接電極73、74。這樣，取出電極45、46一并具備作為輔助部的功能。
作為接合方法基于前述實(shí)施方式1的制造方法，但在金屬接合部40和金屬接合部41之間也可以利用熱壓接法來進(jìn)行接合。
在像該變形例2這樣形成取出電極45、46時，也可以采用其他的接合方法。例如，有在由玻璃構(gòu)成的蓋基板30與金屬接合部40及取出電極45、46之間進(jìn)行陽極接合的方法。此處，由于將蓋基板30和金屬接合部40直接接合，所以不需形成前述實(shí)施方式1(參照圖1(b))所示的設(shè)置在蓋基板30上的金屬接合部41。并且，金屬接合部40和取出電極45、46的厚度為前述實(shí)施方式1所示空間的高度，即將金屬接合部40、41相加后的厚度。由此，可以進(jìn)行蓋基板30和表面聲波芯片15的接合，并且具有作為輔助部所需的高度的空間。
這樣，通過形成圖6所示形狀的取出電極45、46，可以使取出電極具有作為輔助部的功能，不必重新形成輔助部，即可發(fā)揮前述效果。該取出電極可形成在為了具有原本作為取出電極的功能而設(shè)計(jì)的平面大小的范圍內(nèi)，所以表面聲波器件的尺寸不會變大。
另外，在圖6中，貫通孔34、35設(shè)在與實(shí)施方式1(參照圖1(a))相同的對角位置，但這些位置可以自由選擇設(shè)計(jì)，例如取出電極45、46的中心位置(IDT電極50的長度方向中心位置)等，也具有提高與未圖示的外部電路的連接布局的自由度的效果。
(實(shí)施方式1的變形例3)下面，說明實(shí)施方式1的變形例3。該變形例3在形成IDT電極50時，與IDT電極50相同，使用鋁形成輔助部，輔助部的形狀可以與前述實(shí)施方式1(參照圖2)及其變形例1(參照圖5)相同，所以省略圖示。
該變形例3在IDT電極50(包括反射器60、61、引線電極45A、46A)的形成步驟中，在形成輔助部的第1層后，接著在該第1層的表面上層疊鋁層，以成為規(guī)定的輔助部厚度。
因此，在這種變形例3中，可以發(fā)揮與前述實(shí)施方式1和變形例1相同的效果。
(實(shí)施方式2)下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式2。實(shí)施方式2的特征在于，在構(gòu)成IDT電極和反射器的匯流條表面形成輔助部。
圖7表示實(shí)施方式2涉及的表面聲波芯片15，(a)表示其俯視圖，(b)表示圖7(a)中的B-B切斷面的剖視圖。在圖7(a)、(b)中，利用前述實(shí)施方式1的制造方法，表面聲波芯片15在壓電基板20的表面22形成了IDT電極50、取出電極45、46、金屬接合部40。
此處，在構(gòu)成IDT電極50的叉指電極連續(xù)的匯流條51、52(也包括反射器60、61的匯流條)表面上形成IDT電極50(包括反射器60、61)后，層疊作為輔助部的輔助電極53、54，使總體厚度與前述輔助部70(參照圖1(b))相同。輔助電極53、54與IDT電極50相同由鋁構(gòu)成。
已知即使在該匯流條51、52的表面設(shè)置輔助電極53、54，也不會影響勵振、接收特性。因此，如果在匯流條51、52的上表面設(shè)置作為輔助部的輔助電極53、54，由于設(shè)在與IDT電極50和反射器60、61最近的部位，所以即使將輔助電極53、54的高度抑制得較低，也能夠達(dá)到本發(fā)明的目的。并且，輔助電極53、54的占有區(qū)域也為IDT電極50、反射器60、61的范圍內(nèi)，有助于表面聲波器件10的小型化。
另外，輔助電極53、54在匯流條51、52上以不接觸叉指電極的范圍的寬度形成。這是因?yàn)樵趯盈B形成輔助電極53、54時，即使存在制造上的偏差時，輔助電極53、54也不會到達(dá)叉指電極的區(qū)域，因此即使這樣也不會妨礙達(dá)到本發(fā)明目的。
另外，本發(fā)明不限于前述實(shí)施方式，在可以達(dá)到本發(fā)明目的的范圍內(nèi)的變形和改進(jìn)等也包含于本發(fā)明中。
即，本發(fā)明主要針對特定的實(shí)施方式進(jìn)行了特別圖示并進(jìn)行了說明，但在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想和目的的范圍下，關(guān)于形狀、材質(zhì)、組合、其他具體結(jié)構(gòu)及制造步驟之間的加工方法，本行業(yè)技術(shù)人員可以對以上說明的實(shí)施方式進(jìn)行各種變形。
因此，以上公開的限定了形狀、材質(zhì)、制造步驟等的記載，只是為了易于理解本發(fā)明而作的示例性記載，不能用于限定本發(fā)明，采用脫離了上述形狀、材質(zhì)、組合等的限定的一部分或全部的限定的部件名稱進(jìn)行的記載，也包含于本發(fā)明中。
例如，在前述實(shí)施方式1中，在壓電基板20上利用與取出電極45、46相同材質(zhì)的金屬膜形成輔助部70，但輔助部70也可以利用與它們不同的材料，作為輔助部單體形成于壓電基板20的表面上。
并且，也可以在蓋基板30上形成輔助部。該情況時，在不與IDT電極50和反射器60、61接觸的附近區(qū)域，例如，與實(shí)施方式1的輔助部70和蓋基板30的尺寸關(guān)系同樣地，以與設(shè)于蓋基板30上的輔助部和表面聲波芯片15的尺寸關(guān)系相等的尺寸關(guān)系，利用與金屬接合部41或連接電極73、74的形成步驟連續(xù)的步驟形成輔助部。即使形成這種結(jié)構(gòu)，也能夠達(dá)到本發(fā)明的目的。
因此，根據(jù)前述實(shí)施方式1和實(shí)施方式2，可以實(shí)現(xiàn)一種表面聲波器件，該表面聲波器件可以實(shí)現(xiàn)小型、薄型化，而且即使壓電基板和蓋基板因外力而變形時IDT電極和蓋基板也不會彼此接觸，并且可利用簡單的步驟實(shí)現(xiàn)該表面聲波器件的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種表面聲波器件，其特征在于，所述表面聲波器件包括表面聲波芯片，其具有形成于壓電基板的主面上的IDT電極、從所述IDT電極引出的取出電極、和沿著所述壓電基板的主面的外周形成的金屬接合部；以及蓋基板，其由絕緣性材料構(gòu)成，具有設(shè)于一個主面上的與所述取出電極連接的連接電極、設(shè)在另一個主面上的外部電極、和將所述連接電極與所述外部電極進(jìn)行連接的貫通電極，在通過在所述金屬接合部將所述表面聲波芯片和所述蓋基板接合而形成的空間的內(nèi)部，所述IDT電極和所述取出電極被氣密密封，在所述空間的內(nèi)部，在所述壓電基板的主面上形成有輔助部，該輔助部具有即使所述壓電基板或所述蓋基板變形所述蓋基板也不會接觸所述IDT電極的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面聲波器件，其特征在于，所述輔助部是在所述IDT電極附近的不與所述IDT電極接觸的位置上、沿著所述IDT電極的長度方向形成的金屬膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面聲波器件，其特征在于，所述取出電極沿著所述IDT電極的長度方向大致設(shè)在所述IDT電極的形成區(qū)域的范圍內(nèi)，以與所述壓電基板和所述蓋基板接合時所述空間的高度相同的厚度而形成，兼作為所述輔助部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面聲波器件，其特征在于，所述輔助部形成于構(gòu)成所述IDT電極的匯流條的表面。
5.一種表面聲波器件的制造方法，其特征在于，該方法包括形成表面聲波芯片的步驟，該表面聲波芯片具有設(shè)于壓電基板的主面上的IDT電極、從所述IDT電極引出的取出電極、沿著所述壓電基板的主面的外周形成的金屬接合部和輔助部；形成蓋基板的步驟，該蓋基板具有設(shè)于一個主面上的與所述取出電極連接的連接電極、設(shè)在另一個主面上的外部電極、和將所述連接電極與所述外部電極進(jìn)行連接的貫通電極；將所述表面聲波芯片和所述蓋基板在所述金屬接合部接合的步驟；以及將所述貫通電極氣密密封的步驟，將所述輔助部形成為具有即使所述壓電基板或所述蓋基板變形，所述蓋基板也不會接觸所述IDT電極的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面聲波器件的制造方法，其特征在于，所述輔助部的形成步驟包括以下步驟在所述取出電極或所述金屬接合部的形成步驟中，在與所述IDT電極及所述取出電極相分離的位置上，利用與所述取出電極相同的材料形成第1層后，把所述輔助部層疊至規(guī)定的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面聲波器件的制造方法，其特征在于，在所述取出電極的形成步驟中，將所述取出電極沿著所述IDT電極的長度方向大致形成于所述IDT電極的形成區(qū)域的范圍內(nèi)，將所述取出電極形成為具有與所述表面聲波芯片和所述蓋基板接合時所述蓋基板的內(nèi)表面一致的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面聲波器件的制造方法，其特征在于，所述輔助部的形成步驟包括以下步驟在所述IDT電極的形成步驟中，在所述IDT電極的附近利用與所述IDT電極相同的步驟形成第1層后，進(jìn)一步將所述輔助部層疊至規(guī)定的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面聲波器件的制造方法，其特征在于，利用所述IDT電極的形成步驟及所述取出電極的形成步驟之外的另外的輔助部形成步驟，將所述輔助部形成為規(guī)定的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面聲波器件的制造方法，其特征在于，在所述IDT電極的形成步驟之后，在構(gòu)成所述IDT電極的匯流條表面，利用與所述IDT電極相同的材料將所述輔助部層疊至規(guī)定的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種表面聲波器件及其制造方法。實(shí)現(xiàn)一種小型、薄型的表面聲波器件。表面聲波器件的特征在于，其包括表面聲波芯片，其具有形成于壓電基板的主面上的IDT電極、從IDT電極引出的取出電極、和沿著壓電基板的主面的外周形成的金屬接合部；蓋基板，其由絕緣性材料構(gòu)成，具有與取出電極連接的連接電極、外部電極、和將連接電極與外部電極連接的貫通電極，在通過將表面聲波芯片和蓋基板接合而形成的空間的內(nèi)部，IDT電極和取出電極被氣密密封，在壓電基板的主面上形成有輔助部，該輔助部具有即使壓電基板或蓋基板變形時蓋基板也不會接觸IDT電極的高度。
文檔編號H03H9/00GK1933327SQ200610153850
公開日2007年3月21日 申請日期2006年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月13日
發(fā)明者青木信也 申請人:精工愛普生株式會社