專利名稱：側(cè)饋送射頻放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種射頻放大器。更具體地說，本發(fā)明公開了一種用于均勻分布射頻功率放大器總電流和功率的布線互連的物理設(shè)計，該射頻功率放大器具有數(shù)個在并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)中工作的雙極放大晶體管。
背景技術(shù)：
在集成電路形式中異質(zhì)結(jié)雙極晶體管通常比其它半導(dǎo)體器件提供更有效的RF功率放大。由于晶體管具有高功率密度，高閾值和擊穿電壓，因此它就能獲得非常高的功率系數(shù)。對于大功率設(shè)計來說，許多器件是以一些并聯(lián)結(jié)構(gòu)的形式使用以便將總功率分布到足夠大的表面上，這樣過熱就不會累積而降低器件的性能或可靠性。
在正常的工作過程中，總放大器電流通過許多晶體管被均等地分布，不會產(chǎn)生過熱和其它問題。然而，如果并聯(lián)的晶體管稍微不相匹配，一個晶體管將會處在比另一個晶體管溫度更高的情況下工作，并拉入較大量電流。由于由該功率放大器的并聯(lián)器件傳輸?shù)暮铣呻娏鞔蟮米阋阅軞牡魡蝹€晶體管，使一個晶體管經(jīng)歷“熱擊穿”的可能性是存在的。在一個器件損壞，而其它工作的器件就必須承受沒有被損壞的器件時的放大負(fù)擔(dān)，熱擊穿就會產(chǎn)生。為了繼續(xù)維持放大，其它每個工作的器件就必須承受較大部分的流經(jīng)該功率放大器的合成電流。由于每個剩余晶體管承受電流的增大，這些晶體管變得更加發(fā)熱。如果一個晶體管變得過熱，它就會被損壞，因此將會引起包括功率放大器的其它晶體管被損壞的連鎖反應(yīng)。
遺憾的是，即使在器件特性或物理分布中較小的差異也能在單個器件之間引起發(fā)熱的不平衡。與其它相同器件并聯(lián)和比其相鄰器件更熱的任何雙極器件將會產(chǎn)生更大的電流，因此就會使其本身發(fā)熱更多。熱本身不斷增加，結(jié)果是產(chǎn)生熱擊穿現(xiàn)象，從而毀壞該器件和包括該器件的集成電路(IC)。


圖1示意表示的是現(xiàn)有技術(shù)中的RF功率放大器，輸出級包括數(shù)個異質(zhì)結(jié)雙極晶體管元件，連接在一并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)中。用標(biāo)號Q1A-Q1N表示的數(shù)個晶體管，形成功率放大器的輸出級，能被設(shè)想成有效地形成一個更大功率的單晶體管Q1?，F(xiàn)有技術(shù)的方案通常使用了附加電路元件以實現(xiàn)熱的穩(wěn)定性。這些附加元件與輸出裝置串聯(lián)布置。由于這些附加元件包含一電流阻抗元件，電路的功率系數(shù)就被降低。因此，在該電路的輸出端，它非常期望盡可能多地將功率從DC電源轉(zhuǎn)換為RF功率。美國專利5,629,648示出了用于通過高效的輸出晶體管Q1的單個元件平衡負(fù)載的現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計。為了通過晶體管Q1A-Q1N平衡功率負(fù)載，電阻RB1-RBN插入圖1的電路中就會降低功率放大器的效率。
本發(fā)明意識到圖1功率放大器的物理設(shè)計，輸出級是一個重要的設(shè)計考慮因素。用于形成所有必要連接而產(chǎn)生圖1簡化圖的線路互連的寄生電感在工作的RF頻率產(chǎn)生明顯阻抗。如果忽略的話，這些阻抗就會在晶體管Q1A-Q1N的引腳的瞬時電流中產(chǎn)生不希望的失配，從而導(dǎo)致熱擊穿現(xiàn)象。
本發(fā)明的概述上述問題的解決方案是通過構(gòu)成簡圖的物理設(shè)計以使工作RF頻率時的導(dǎo)電互連的阻抗形成最小而實現(xiàn)的。此外，還必須向每個輸出晶體管的基極輸入端提供大致相同的瞬時電流和電壓波形以便每個輸入端的波形大致與其它所有并聯(lián)的基極輸入端的波形同相。
本發(fā)明提供一種側(cè)饋送放大器，它包括數(shù)個并聯(lián)的晶體管，使每個晶體管的基極，發(fā)射極和集電極的引腳分別與其它所有晶體管的基極，發(fā)射極和集電極的引腳電連接。一個公共物理點將功率放大器的電流源和每個晶體管的基極引腳互連。在功率放大器中晶體管的空間布局使得公共物理點和任一晶體管基極引腳之間的阻抗大致與公共點和其它任一晶體管基極引腳之間的阻抗相等。
附圖簡述本發(fā)明的上述和其它目的，特征和效果從下面結(jié)合附圖而能夠理解的詳細描述中將會變得更清楚和明白。
圖1表示包括數(shù)個連接于并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)中的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的現(xiàn)有技術(shù)功率放大器；圖2表示功率放大器的信號源與構(gòu)成功率放大器的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極引腳相互連接的本發(fā)明的最佳實施例；圖3表示由本發(fā)明最佳實施例產(chǎn)生的傳導(dǎo)過程中駐波，相位和幅值的減少；圖4表示功率放大器的共用接地極與構(gòu)成功率放大器的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的發(fā)射極引腳相互連接的最佳實施例；圖5表示功率放大器的負(fù)載與構(gòu)成功率放大器的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的集電極引腳相互連接的最佳實施例。
本發(fā)明的詳細描述現(xiàn)在參考圖2，圖示本發(fā)明的最佳實施例是用于將RF輸入信號分配給每個基本元件。圖2所示提供的接線分布設(shè)計改善了數(shù)個并聯(lián)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管之間的功率分布。雖然示出的實施例使用了異質(zhì)結(jié)晶體管，但是應(yīng)該明白本發(fā)明并不局限于使用異質(zhì)結(jié)晶體管。
功率放大器的基本晶體管器件8以圖2所示的四個主要組10設(shè)置。每個主要組10設(shè)有由基本晶體管器件8組成的兩行13，14，它們平行于第一軸40，而第二行14從第一行13垂直翻轉(zhuǎn)以形成第一行的一個鏡像。導(dǎo)電互連線段1，4，5和6將RF輸入信號傳輸給每個基本晶體管器件8的基極引腳12。
第一互連線段1平行于軸40，它傳輸所有許多電平行的基本晶體管器件8所需要的輸入電流，因此它具有最大的寬度。第二互連線段2平行于軸41，它將兩個頂部和兩個底部主要組10之間的電流均勻分開，因此該互連線的寬度相應(yīng)減小。第四和第三互連線段3的其中之一在不同主要組10的鏡像行13和14之間平行于軸40，它與互連線段2結(jié)合形成一支路“H”狀圖象。第三互連線段3平行于軸40，每個所具有寬度的大小適于傳輸由第二互連線段2傳輸電流的一半。
每一個第四互連線段4平行于軸41，將第三互連線段3的電流傳輸給每個主要組10中的由基本晶體管器件8組成的一個鏡像行13或14。第四互連線段4各傳輸?shù)谌ミB線段3所傳輸?shù)囊话腚娏髁?，因此它們的尺寸大小要選擇適當(dāng)。兩個第五互連線段5平行于軸40，將第四互連線段4的電流傳輸給每個主要組10中的由基本晶體管器件8組成的一個行13或14。第五互連線段5各傳輸?shù)谒幕ミB線段4所傳輸?shù)囊话腚娏髁浚虼怂鼈兊某叽绱笮∫x擇適當(dāng)。第六互連線段6平行于軸41，將第五互連線段5的電流傳輸給主要組10的每個行13或14中的一半基本晶體管器件8。第六互連線段6各傳輸?shù)谖寤ミB線段5所傳輸?shù)南嗤娏髁浚虼怂鼈兊某叽绱笮∫x擇適當(dāng)。兩個第七互連線段7每一個平行于軸40，將第六互連線段6的電流傳輸給每個主要組10中組成四分之一行13或14的所有基本晶體管器件8的基極引腳輸入端12。第七互連線段7各傳輸?shù)诹ミB線段6所傳輸?shù)囊话腚娏髁浚虼怂鼈兊某叽绱笮∫x擇適當(dāng)。然而，每一個第七互連線段7的寬度必須足夠大以便每個基本晶體管器件8大致具有相同的作用于其基極引腳的RF輸入信號的波形及相位。一基本晶體管器件8組成的集合11包括一組經(jīng)過單個第七互連線段7相連接的晶體管。對于每個基本晶體管器件8來說，RF輸入信號首先通過一寄生耦合電容，然后再到達NPN型雙極晶體管的基極。
本實施例的結(jié)構(gòu)具有幾個對稱特性。每個集合11相對于兩個垂直軸40和41與另一個集合11相對稱。同樣，每組具有與單個第六互連線段6a相連接的第七互連線段7a，7b的兩個集合相對于軸40和41與其它組的兩個集合相對稱。行13或14和組10相對于軸40或41分別與其它行或組相對稱。本實施例的結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在沿軸40和41上2mm×2mm的表面上。
將RF輸入信號提供給數(shù)個并聯(lián)以形成功率放大器的晶體管基極引腳的上述設(shè)計具有許多優(yōu)點。一個優(yōu)點是在一個集合11中的由存在于每兩個晶體管分組的基極引腳12之間的阻抗組成的組中的最大阻抗大致等于當(dāng)其中一個晶體管是從任一集合11中進行選擇，而另一個晶體管是從構(gòu)成功率放大器的其它任一集合11中進行選擇的情況下，存在于每兩個晶體管分組的基極引腳12之間的阻抗組成的組中的最大阻抗的一半。
具有這種特征的實例根據(jù)圖2的解釋可能會變得更清楚。在集合11a中，設(shè)有兩個晶體管組成的可能是無序關(guān)聯(lián)的三分組。這三個分組是晶體管對{8a，8b}，{8b，8c}，{8a，8c}。在這三個分組之間，對{8a，8c}在晶體管對基極引腳之間將會具有最大的阻抗。沿導(dǎo)電軌跡的路徑，晶體管8a和8e之間的距離在本實施例中任何兩個晶體管之間的距離為最大。在理想的情況下，晶體管8a和8e基極引腳之間的阻抗將會是本實施例中任何兩個晶體管基極引腳之間的最大阻抗。由互連線段2-7提供的路徑在晶體管8a和8e基極之間所引入的阻抗大致等于由互連線段7a提供的路徑在晶體管8a和8c基極之間所引入的阻抗的兩倍。因此，晶體管8a和8e基極之間的阻抗大致等于從晶體管8a和8c基極之間的阻抗和8e與8f基極之間的阻抗獲得的阻抗和。本實施例的結(jié)構(gòu)組成確?；ミB線段2-6引入的阻抗對由互連線段2-7在晶體管8a和8e基極之間所引入的總阻抗的貢獻無關(guān)重要。在晶體管8a和8e基極之間的所有阻抗基本上都是由互連線段7a和7c引入的。
本實施例的另一個優(yōu)點是第一互連線段1上的公共點9與任一晶體管8基極引腳12之間的阻抗大致等于該第一公共點9和功率放大器中其它任一晶體管8基極引腳12之間的阻抗。例如，在第一公共點9和晶體管8c基極之間由導(dǎo)電軌跡1-7引入的阻抗大致等于第一公共點9和晶體管8e基極之間的阻抗。通過使用此處所描述的功率放大器的布置，它能夠使任意兩個晶體管8基極引腳12之間的電流相位失配降低至小于20度。
圖3表示現(xiàn)有技術(shù)裝置和本發(fā)明的阻抗特性之間的比較。所比較裝置之間僅有的結(jié)構(gòu)差異是與目前所確定的功率放大器設(shè)計相關(guān)的結(jié)構(gòu)。兩個功率放大器設(shè)計包括96個連接在并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)中的晶體管。圖4表示對于現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計和本發(fā)明之一的具有最大的阻抗失配的功率放大器的兩個晶體管基極引腳之間的駐波信號。當(dāng)現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計可能具有一個75度相差的駐波時，本發(fā)明能夠?qū)⑦@種相差降低至小于八分之一。同樣，本發(fā)明能夠?qū)Ⅰv波的幅值降低至小于現(xiàn)有技術(shù)裝置中所產(chǎn)生的駐波幅值的八分之一。這些優(yōu)點是可以獲得的，因為此處所描述的這種結(jié)構(gòu)，對于工作所關(guān)心的信號波形來說，能夠確保每個基本晶體管器件8具有在基極引腳出現(xiàn)的基本相同的輸入波形的瞬時幅值和相位。
圖4表示放大器最佳實施例的放大器的發(fā)射極的連接24。導(dǎo)電互連線段21-24將所有的基本晶體管器件8至少與一個公共點20電連接。公共點20與系統(tǒng)的接地極相連接。圖4所示的實施例包含兩個公共點20?；ミB線段21比其它互連線段傳輸更多的電流，它的寬度最大以便能夠產(chǎn)生最小的感生阻抗和電壓降。垂直互連線段22和23比互連線段21傳輸更小的電流，而中央互連線段23比外邊互連線段22會傳輸更大的電流。
在圖5所示的最佳實施例中，基本晶體管器件的集電極31與共用的RF輸出點30相連接。導(dǎo)電軌跡的布置可以與發(fā)射極和公共點20的互連所使用的布置相似。然而，不必使用相同的結(jié)構(gòu)，只要對于運行中所關(guān)心的信號波來說，所有基本晶體管器件8具有在集電極引腳出現(xiàn)的基本相同的輸出波形的瞬時幅值和相位。
本發(fā)明的前面描述解釋和說明了本發(fā)明。此外，該技術(shù)公開僅僅顯示和描述了本發(fā)明的最佳實施例，但是，如上所述，應(yīng)該明白本發(fā)明能夠在其它不同的組合、修改和環(huán)境中使用，可以在此表述的本發(fā)明構(gòu)思范圍內(nèi)對其作出變化和修改，與上述相關(guān)領(lǐng)域中的教導(dǎo)和/或技術(shù)或知識相適應(yīng)。此上文所描述的實施例還意在解釋已知實施本發(fā)明的最佳方式，能夠使本領(lǐng)域的其它技術(shù)人員將本發(fā)明應(yīng)用于該實施例中或其它實施例中和以本發(fā)明的或特定應(yīng)用或用途所需作出的各種變化而使用本發(fā)明。因此，所作的描述并不是意在限定本發(fā)明于所公開的形式。而且所附的權(quán)利要求書意在包括可替換的實施例。
權(quán)利要求
1.一種側(cè)饋送RF放大器，包括數(shù)個雙極晶體管，具有并聯(lián)的發(fā)射極和集電極引腳；數(shù)個電路軌跡，將所述數(shù)個晶體管的基極引腳與一接收輸入信號的公共電路點相連接，所述軌跡和所述晶體管具有一特定關(guān)系以便從所述任一晶體管的基極引腳至所述公共點的阻抗大致與從所述其它任一晶體管的基極引腳至所述公共點的阻抗相等，一電流源，與所述公共點相連接以便將電流提供給所述基極引腳。
2.如權(quán)利要求1所述的側(cè)饋送RF放大器，其中所述晶體管設(shè)置成晶體管的數(shù)個集合，所述集合設(shè)置成相對于第一和第二軸對稱，所述每個集合的基極引腳與單個導(dǎo)電軌跡相連接；所述每個導(dǎo)電軌跡連接于與其它集合的單個導(dǎo)電軌跡互連的其它導(dǎo)電軌跡。
3.如權(quán)利要求2所述的側(cè)饋送RF放大器，其中所述軌跡相對于所述第一和第二軸對稱。
4.一種側(cè)饋送RF放大器，包括數(shù)個基本晶體管器件的集合，所述集合形成相對于第一和第二垂直軸對稱的集合組，所述晶體管器件具有相互并聯(lián)的發(fā)射極和集電極；數(shù)個第一電路軌跡，互連集合中每個晶體管器件的基極；數(shù)個第二電路軌跡，互連數(shù)對所述數(shù)個第一電路軌跡；數(shù)個第三電路軌跡，將所述數(shù)個第二電路軌跡與一接收輸入信號和源電流的公共點相互連接，所述數(shù)個第一，第二和第三電路軌跡相對于第一和第二軸對稱，并且與每個基極連接等距間隔以便所述公共點和所述晶體管基極之間的阻抗對所有所述晶體管器件來說基本相等。
5.如權(quán)利要求1所述的側(cè)饋送RF放大器，其中所述晶體管設(shè)置成數(shù)個集合，一個集合中的所述晶體管的基極引腳與單個導(dǎo)電軌跡相連接，所述各個單個導(dǎo)電軌跡通過所述數(shù)個電路軌跡中的電路軌跡相連接；在所述數(shù)個集合的任一個中由存在于每兩個晶體管分組中的基極引腳之間的阻抗組成的組中的最大阻抗大致等于當(dāng)一個晶體管從所述數(shù)個集合的任一個中進行選擇，而另一個晶體管從所述數(shù)個集合的任何其它當(dāng)中進行選擇時，所述數(shù)個晶體管中由存在于每兩個晶體管分組中的基極引腳之間的阻抗組成的組中的最大阻抗的一半。
6.如權(quán)利要求5所述的側(cè)饋送RF放大器，其中在所述數(shù)個晶體管中任意兩個晶體管基極引腳之間的電流相位的失配小于20度。
7.如權(quán)利要求5所述的側(cè)饋送RF放大器，其中所述數(shù)個晶體管包括96個晶體管。
8.如權(quán)利要求7所述的側(cè)饋送RF放大器，其中所述側(cè)饋送RF功率放大器包含于一個任意兩個尺寸不大于2mm×2mm的集成電路中。
9.如權(quán)利要求5所述的側(cè)饋送RF放大器，還包括一輸出終端，用于終接由所述數(shù)個晶體管產(chǎn)生的功率；一第二公共點，與所述輸出終端的輸入端電連接；第二數(shù)個導(dǎo)電軌跡，將所述數(shù)個晶體管的每個集電極引腳與所述第二公共點相電連接；所述數(shù)個晶體管有選擇地設(shè)置以便所述第二公共點與所述數(shù)個晶體管中任一晶體管集電極引腳之間的阻抗大致等于所述第二公共點與所述數(shù)個晶體管中其它任一晶體管集電極引腳之間的阻抗。
10.如權(quán)利要求5所述的側(cè)饋送RF放大器，還包括一電流匯接終端，用于終接流過所述數(shù)個晶體管中每個晶體管發(fā)射極的電流；一第三公共點，與所述電流匯接終端的輸入端相電連接；第二數(shù)個導(dǎo)電軌跡，將所述數(shù)個晶體管的每個發(fā)射極引腳與所述第三公共點相電連接；所述數(shù)個晶體管有選擇地設(shè)置以便所述第三公共點與所述數(shù)個晶體管中任一晶體管發(fā)射極引腳之間的阻抗大致等于所述第三公共點與所述數(shù)個晶體管中其它任一晶體管發(fā)射極引腳之間的阻抗。
11.一種側(cè)饋送RF放大器，它包括數(shù)個晶體管，它們相并聯(lián)以便每個晶體管的基極，發(fā)射極和集電極引腳分別與所述數(shù)個晶體管中其它所有晶體管的基極，發(fā)射極和集電極引腳相電連接；偶數(shù)個集合，每個集合包括所述數(shù)個晶體管中的多個晶體管，每個集合包括(a)所述多個晶體管的基極引腳通過所述數(shù)個導(dǎo)電軌跡中的單個第一導(dǎo)電軌跡相電連接，(b)用于與所述多個晶體管相電連接的所述每個第一導(dǎo)電軌跡形成一第一線段，(c)所述多個晶體管每個大致等距離地間隔并沿平行于所述第一線段的公共軸排列，(d)所述數(shù)個導(dǎo)電軌跡中的單個第二導(dǎo)電軌跡，具有第一和第二末端，所述第二導(dǎo)電軌跡i.形成一第二線段，ii.在第一末端與所述第一線段的中點相電連接以便與所述第一線段形成垂直相交，iii.具有一在其縱軸橫向截斷的截面積，該截面積至少是所述第一導(dǎo)電軌跡截面積的兩倍。數(shù)個所述導(dǎo)電軌跡中的多個第三導(dǎo)電軌跡，每個第三導(dǎo)電軌跡形成一第三線段，具有一在其縱軸橫向截斷的截面積，該截面積大致與所述第二導(dǎo)電軌跡的截面積相等；偶數(shù)個集合體，由所述數(shù)個集合中的四個集合組成，所述數(shù)個集合體的每個包括(a)所述第三線段中的第一個的第一末端，與第一集合中的所述第二線段的第二末端電連接以便在所述第三線段與所述第二線段之間形成垂直相交，(b)第三線段中所述第一個的第二末端，與第二集合中的所述第二線段的第二末端電連接以便在所述第三線段與所述第二線段之間形成垂直相交，(c)所述第一和第二集合的所述兩個線段與所述第一個第三線段形成的垂交線指向與第一個第三線段相同的方向，(d)第二個所述第三線段的第一末端，與第三集合中的所述第二線段的第二末端電連接以便在所述第三線段與所述第二線段之間形成垂直相交，(e)所述第二個第三線段的第二末端，與第四集合中的所述第二線段的第二末端電連接以便在所述第三線段與所述第二線段之間形成垂直相交，(f)所述第三和第四集合的所述兩個第二線段與所述第二個第三線段形成的垂交線指向與所述第三線段相同的方向，(g)所述數(shù)個導(dǎo)電軌跡中的單個第四導(dǎo)電軌跡，具有第一和第二末端，所述第四導(dǎo)電軌跡i.形成一第四線段，ii.在第一末端與所述第一個第三線段的中點相電連接以便與所述第一個第三線段形成垂直相交，iii.在第二末端與所述第二個第三線段的中點相電連接以便與所述第二個第三線段形成垂直相交，iv.具有一個在其縱軸橫向切斷的截面積，該截面積至少是所述第三導(dǎo)電軌跡截面積的兩倍；一電流源，產(chǎn)生提供給所述數(shù)個晶體管每個基極引腳的電流；一第一公共點，與所述電流源的輸出端形成電連接；所述數(shù)個導(dǎo)電軌跡中的導(dǎo)電路徑，所述導(dǎo)電路徑(a)將所述第一公共點與每個所述第四線段的中點相電連接以便在所述導(dǎo)電路徑和每個所述第四線段之間形成垂直相交；(b)具有一個在其縱軸橫向切斷的截面積，該截面積大于每個所述第四導(dǎo)電軌跡截面積相加的總和。
12.如權(quán)利要求11所述的側(cè)饋送RF放大器，還包括所述數(shù)個導(dǎo)電軌跡中的數(shù)個第五導(dǎo)電軌跡，每個形成一第五線段，并具有第一和第二末端，所述第五導(dǎo)電軌跡包括(a)具有一個在其縱軸橫向切斷的截面積，該截面積至少是所述數(shù)個第四導(dǎo)電軌跡之一的截面積的兩倍；(b)一第一末端，與第一個所述第四線段的中點相電連接以便在所述第五線段和所述第四線段之間形成垂直相交；(c)一第二末端，與第二個所述第四線段相電連接以便在所述第五線段和所述第四線段之間形成垂直相交；所述數(shù)個導(dǎo)電軌跡中的至少一個第六導(dǎo)電軌跡，每個形成一第六線段，并具有第一和第二末端，每個具有一個在其縱軸橫向切斷的截面積，該截面積至少是所述數(shù)個第五導(dǎo)電軌跡之一的截面積的兩倍；每個所述第六導(dǎo)電軌跡，每一個用于構(gòu)成所述功率放大器的每四個集合體，包括(a)第一末端，與第一個所述第五線段的中點相電連接以便在所述第五線段和所述第六線段之間形成垂直相交；(b)第二末端，與第二個所述第五線段的中點相電連接以便在所述第五線段和所述第六線段之間形成垂直相交；所述數(shù)個導(dǎo)電路徑中的一個導(dǎo)電路徑(a)將所述第一公共點與每個所述第六線段的中點相電連接以便在所述導(dǎo)電路徑和每個所述第六線段之間形成垂直相交，(b)具有一個在其縱軸橫向切斷的截面積，該截面積大于每個所述第六導(dǎo)電軌跡截面積相加的總和。
全文摘要
一種側(cè)饋送RF放大器,它包括數(shù)個并聯(lián)的晶體管,使每個晶體管的基極,發(fā)射極和集電極的引腳分別與其它所有晶體管的基極,發(fā)射極和集電極的引腳電連接。一個公共物理點將功率放大器的電流源和每個晶體管的基極引腳互連。晶體管在功率放大器中設(shè)置成公共物理點和任一晶體管基極引腳之間的阻抗大致與公共點和其它任一晶體管基極引腳之間的阻抗相等。
文檔編號H03F1/30GK1345090SQ0113302
公開日2002年4月17日 申請日期2001年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月15日
發(fā)明者戴維·R·赫爾姆斯, 菲利普·安托內(nèi)蒂 申請人:國際商業(yè)機器公司