專利名稱:片狀壓電濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種片狀壓電濾波器,它具有多個(gè)壓電濾波器部分電氣連接的電路配置。更具體地說,本發(fā)明涉及一種片狀壓電濾波器,它具有多個(gè)壓電基片中的每一個(gè)上都設(shè)置有一個(gè)能陷(energy-trap)型壓電濾波器部分的配置。
在諸如手?jǐn)y式電話之類的移動(dòng)通信設(shè)備的中頻分級(jí)濾波器中,使用能陷型壓電濾波器。正如其它的電子元件那樣,這種類型的壓電濾波器也需要配置為片狀元件,以使得能夠進(jìn)行表面安裝。
在第10-335976號(hào)日本未審查專利公告中揭示了這種類型的壓電濾波器。圖7和8示出這種傳統(tǒng)的壓電濾波器。
壓電濾波器50具有相互層疊,并通過墊片58相互分開的第一壓電基片51和第二壓電基片52。在第一和第二壓電基片51和52中的每一個(gè)上都設(shè)置有能陷型壓電濾波器部分。還有,將一對(duì)諧振電極53a和53b設(shè)置在第一壓電基片的上表面上,并將公共電極(圖中未示)相對(duì)于其正反表面安排在諧振電極53a和53b的反面。諧振電極53a和53b以及公共電極使能陷型壓電濾波器具備以厚度擴(kuò)展模式進(jìn)行振動(dòng)。
在第二壓電基片52的上表面上設(shè)置公共電極53c。類似于第一壓電基片51,將一對(duì)諧振電極(圖中未示)相對(duì)于其正反表面安排在公共電極53c的反面。這對(duì)電極和公共電極53c限定了第二能陷型壓電濾波器部分。
在墊片58中設(shè)置開口58a,以防止能陷型壓電濾波器部分的振動(dòng)干擾。還有,通過墊片57和59,分別將封閉基片60和61疊加在第一和第二壓電基片51和52的外部主表面上。
墊片57和59分別具有開口57a和開口59a。設(shè)置開口57a和59a以限定防止能陷型第一和第二壓電濾波器部分振動(dòng)干擾的腔體。具體地說,如圖8所示,設(shè)置有第一腔體X、第二腔體Y和第三腔體Z。第一腔體X設(shè)置在第一和第二壓電基片1和2之間。第二腔體Y連同墊片57設(shè)置于第一壓電基片51的上部。第三腔體Z連同墊片59設(shè)置于第二壓電基片52的下部中。腔體X、Y和Z的尺寸相同。
將上述能陷型壓電濾波器用作為帶通濾波器,它需要降低衰減一頻率特性中不必要的寄生成份。
但是,能陷型壓電濾波器常常在接近通帶的區(qū)域中產(chǎn)生大的寄生成份。
為了解決上述問題,本發(fā)明的較佳實(shí)施例提供了一種片狀壓電濾波器,它具有多個(gè)能陷型濾波器部分,并且有效地使不必要的寄生成份最小化,由此達(dá)到極好的通帶特性。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例,片狀壓電濾波器包含其上設(shè)置有第一能陷型壓電濾波器部分的第一壓電基片,其上設(shè)置有第二能陷型壓電濾波器部分的第二壓電基片,疊加在第一壓電基片和第二壓電基片之間,并且具有開口以限定為防止第一能陷型壓電濾波器部分和第二能陷型壓電濾波器部分的振動(dòng)干擾而安排的第一腔體的墊片,層疊在第一壓電基片的與其上層疊有墊片的表面相對(duì)的表面上,以限定為防止第一壓電濾波器部分的振動(dòng)干擾而安排的第二腔體的第一封閉基片,和層疊在第二壓電基片的與其上層疊有墊片的表面相對(duì)的表面上,以限定為防止第二壓電濾波器部分的振動(dòng)干擾而安排的第三腔體的第二封閉基片。在上述較佳實(shí)施例中,第一腔體的面積大于第二腔體和第三腔體中每一個(gè)的面積。
如上所述,第一和第二壓電基片分別具有第一和第二能陷型壓電濾波器部分。將這些基片層疊,以在它們之間限定第一腔體。同樣地,將封閉基片各自地層疊在第一和第二壓電基片的外部主表面上,以限定第二和第三腔體。第一腔體的面積最好大于第二和第三腔體中每一個(gè)的面積。根據(jù)這種配置,有效地使不必要的寄生成份減小,并最小化。
由此,放大第一腔體的面積使得片狀壓電濾波器能夠產(chǎn)生比由傳統(tǒng)的片狀壓電濾波器產(chǎn)生的好得多的濾波器特性。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器還包含第一和第二墊片,它們是通過將上述墊片沿厚度方向分割而產(chǎn)生的,以及設(shè)置在第一墊片和第二墊片之間,并且沒有開口的隔離基片。在這種情況下,隔離基片減小了第一和第二壓電濾波器部分之間的干擾,由此基本上能夠使不必要的寄生成份最小化。
根據(jù)本發(fā)明再一個(gè)較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器最好包含第一壓電濾波器部分和第二壓電濾波器部分通過中間電容性部分加以電氣連接的電路配置,以及設(shè)置在第一壓電基片和第二壓電基片中至少一個(gè)上的中間電容性部分。在這種情況下,第一和第二壓電基片沿厚度方向?qū)盈B。因此,其中通過中間電容性部分彼此相連的多個(gè)壓電濾波器的電路配置乃作為小的獨(dú)立元件加以配置。
同樣,在根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的上述片狀壓電濾波器中,中間電容性部分可以設(shè)置有一對(duì)通過第一壓電基片和第二壓電基片相對(duì)于其正反表面彼此相對(duì)的電極。
如上所述,中間電容性部分設(shè)置在第一和第二壓電基片中的至少一個(gè)之上。即,將中間電容性部分設(shè)置在同樣設(shè)置有壓電濾波器部分的同一基片上。所以,在中間電容性部分和壓電濾波器部分的溫度特性之間有非常小的差別,由此,提供了整個(gè)片狀壓電濾波器的穩(wěn)定的溫度特性。
此外,在根據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器中,第一壓電濾波器部分和第二壓電濾波器部分中的每一個(gè)都可以包含一對(duì)設(shè)置在每一個(gè)第一壓電基片和第二壓電基片的主表面之一的諧振電極以及通過這對(duì)諧振電極和第一壓電基片和第二壓電基片之一相對(duì)于其正反表面彼此相對(duì)的諸公共電極。
另外,在根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器中,如此層疊第一壓電基片和第二壓電基片,從而使第一壓電濾波器部分和第二壓電濾波器部分中的諸公共電極在內(nèi)部彼此相互面對(duì)。在這種情況下,諸公共電極均連接到地電位,以便于第一和第二壓電濾波器之間彼此相對(duì)。因此,在第一和第二壓電濾波器之間的容性浮動(dòng)得以顯著減小,由此提供極好的濾波器特性。
從下面參照附圖,對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述,將使本發(fā)明的其它面貌、特征、要素和優(yōu)點(diǎn)變得明朗起來。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器的截面圖;圖2是根據(jù)本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器的分解透視圖;圖3是說明圖1所示第一較佳實(shí)施例中第一壓電基片上設(shè)置的諸電極的透視圖;圖4A是設(shè)置在第一壓電基片上的電路圖;圖4B是設(shè)置在第二壓電基片上的電路圖;圖5是示出根據(jù)第一較佳實(shí)施例和傳統(tǒng)片狀壓電濾波器的片狀壓電濾波器的衰減-頻率特性曲線圖;圖6是根據(jù)本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器的截面圖7是傳統(tǒng)片狀壓電濾波器的截面圖;和圖8是傳統(tǒng)片狀壓電濾波器的分解透視圖。
下面將對(duì)較佳實(shí)施例進(jìn)行描述,以進(jìn)一步說明本發(fā)明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器的截面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器的分解透視圖。
片狀壓電濾波器最好包含第一基片1和第二基片2,它們每一個(gè)都最好基本上是矩形的。較好地,第一和第二壓電基片1和2中每一個(gè)都由壓電陶瓷(諸如鋯鈦酸鹽基(titanate zirconate group)陶瓷材料)、壓電單晶(諸如水晶)或者其它適當(dāng)?shù)牟牧现瞥?。?dāng)?shù)谝缓偷诙弘娀?和2由壓電陶瓷制成時(shí),它們沿厚度方向極化。
在第一壓電基片1上,設(shè)置了第一壓電濾波器部分。類似地,將第二壓電濾波器部分設(shè)置在第二壓電基片2上?;蛘叩谝粔弘姙V波器部分或者第二壓電濾波器部分均為以厚度垂直振蕩模式進(jìn)行振動(dòng)的能陷型的類型。還有,將中間電容性部分設(shè)置在第一和第二壓電基片1和2中的每一個(gè)上。
圖3是第一壓電基片的透視圖。圖中的下部是設(shè)置在第一壓電基片1下表面上的電極的投影圖。在第一壓電基片1的上表面上,設(shè)置有一對(duì)諧振電極3a和3b。將諧振電極3a和3b設(shè)置在上表面的大致中心區(qū)域,以便通過預(yù)定的間隔彼此相對(duì)。還有,將公共電極3c設(shè)置在第一壓電基片1的下表面上,以便與諧振電極3a和3b相對(duì)。
將諧振電極3a通過導(dǎo)電連接部分4a連接到延伸電極5a。將延伸電極5a延伸到第一壓電基片1的外圍表面1a。將諧振電極3b通過導(dǎo)電連接部分4b連接到作為延伸電極共用的電容電極5b。電容電極5b延伸到與外圍表面1a相對(duì)的外圍表面1b。
在第一壓電基片1的下表面上,通過各個(gè)導(dǎo)電連接部分4c和4d將公共電極3c連接到延伸電極5c和5d。沿著第一壓電基片1的各個(gè)外圍表面1a和1b設(shè)置延伸電極5c和5d。還通過導(dǎo)電連接部分4e將公共電極3c連接到電容電極5e。電容電極5e的相反的表面通過第一壓電基片1與電容電極5b的正表面相對(duì),由此構(gòu)成電容部分。
圖4A示出第一壓電基片1的電路配置。
將第一壓電濾波器6a和中間電容性部分6b設(shè)置在第一壓電基片1上。較好地,第一壓電濾波器6a包含諧振電極3a和3b以及公共電極3c。較好地,中間電容性部分6b包含電容電極5b和5e。
回頭參照?qǐng)D1和2,較好地,第二壓電基片2和第一壓電基片1一樣,只是它是上下顛倒過來的。相應(yīng)地,如圖4B所示,第二壓電基片2具有能陷型的第二壓電濾波器6c和中間電容性部分6d。
對(duì)于第二壓電基片2上的電極(它對(duì)應(yīng)于圖2所示的第一壓電基片1的電極),使用一樣的標(biāo)號(hào),并且省略了對(duì)它們的詳細(xì)的描述。
現(xiàn)在,參照?qǐng)D2。在本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器中,層疊第一和第二壓電基片1和2(沿它們的厚度方向),并通過墊片8和粘劑彼此加以相連。因此,第一和第二壓電濾波器部分的公共電極3c向內(nèi)面對(duì)。
較好地,墊片8在其大致中心部分具有基本上為矩形的開口,后者限定了第一腔體8a。在第一壓電基片1的上部,即,在與層疊有墊片8一面的相對(duì)的表面上,層疊上第一外殼基片10,并通過墊片7黏性地加以結(jié)合。類似地,通過墊片9將第二外殼基片11層疊在第二壓電基片2的下表面上。墊片7和9中的每一個(gè)都在其大致中心部分具有開口。如圖1和2所示,墊片7中的開口提供了第二腔體7a,墊片9中的開口提供了第三腔體9a。
第一外殼基片10和墊片7限定了第一封閉基片。同樣地,第二外殼基片11和墊片9限定了第二封閉基片。為了制造墊片7到9中的每一個(gè),可以使用樹脂結(jié)構(gòu)材料,或者可以施加粘劑以成為平面形狀,或者可以使用其它適當(dāng)?shù)姆椒ā_€有,代替設(shè)置墊片7和9,可以在第一和第二外殼基片10和11中的每一個(gè)的內(nèi)部主表面上設(shè)置凹部。即,代替第一和第二外殼基片10和11,可以將各自具有凹部的封閉基片用于提供第二和第三腔體7a和9a。
作為第一較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器的特征,第一腔體8a的面積大于第二和第三腔體7a和9a的面積。例如,正如在這個(gè)較佳實(shí)施例中那樣,第一到第三腔體7a到9a中每一個(gè)最好基本上都是矩形的,第一腔體8a的一側(cè)的長(zhǎng)度C比第二腔體7a的一側(cè)的長(zhǎng)度A或第三腔體9a的一側(cè)的長(zhǎng)度B更長(zhǎng)。但是,第一和第二腔體7a和9a的尺寸可以一樣,或者相互不同。還有,第一到第三腔體7a到9a中的每一個(gè)都不限于基本上是矩形,而可以是基本上為圓形或具有其它適當(dāng)?shù)男螤睢?br>
由此,在第一較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器中,第一腔體8a的面積大于第二和第三腔體7a和9a的面積,從而減小了通帶以外區(qū)域中不必要的寄生成份。發(fā)明人通過進(jìn)行實(shí)驗(yàn),核實(shí)上述情況。
進(jìn)行實(shí)驗(yàn),以減小在本申請(qǐng)的相關(guān)技術(shù)部分描述的傳統(tǒng)片狀壓電濾波器51中通帶以外面積中的寄生成份。結(jié)果發(fā)現(xiàn),當(dāng)?shù)谝磺惑w大于第二和第三腔體中的每一個(gè)時(shí),不必要的寄生成份明顯減少。
下面,將對(duì)用于核實(shí)本發(fā)明的較佳實(shí)施例能夠使不必要的寄生成份減小和最小化的實(shí)驗(yàn)中的實(shí)際的例子進(jìn)行描述。
對(duì)于第一和第二壓電基片1和2的每一個(gè),基片由鋯鈦酸鹽基陶瓷制成,其尺寸大致上為3.45mm×3.1mm×0.2mm(厚度)。在每一個(gè)基片的中心部分,設(shè)置上每一個(gè)尺寸都大致上為0.40mm×1.00mm的諧振電極,以便插入一大約0.20mm的間隔,并在相對(duì)的表面上設(shè)置尺寸大致上是1.40mm×0.77mm的公共電極。還有,作為對(duì)應(yīng)于墊片8的墊片,提供環(huán)氧基粘劑,以使在固化后的厚度大約為0.2mm。為了提供第一腔體8a,在對(duì)應(yīng)于墊片8的墊片中的中心部分設(shè)置尺寸大約為2.2mm×2.5mm的矩形開口。
對(duì)于第一和第二封閉基片中的每一個(gè),使用由鈦酸鎂材料制成、并且尺寸為大約3.45mm×3.1mm×0.5mm(厚度)的絕緣基片。在絕緣基片的內(nèi)表面上,設(shè)置尺寸為2.0mm×2.0mm×0.10mm(深度)的、基本上為正方形的凹部。結(jié)果,提供了對(duì)應(yīng)于第二和第三腔體7a和9a。
為了比較,制造傳統(tǒng)的片狀壓電濾波器,用于實(shí)驗(yàn)?zāi)康?,以便和第一較佳實(shí)施例一樣,例外的只是第一、第二和第三腔體的尺寸都是2.0mm×2.0mm。
圖5中,由實(shí)線示出根據(jù)第一較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器的衰減一頻率特性,而傳統(tǒng)片狀壓電濾波器的則用虛性表示。
正如圖5所示,很顯然,由箭頭S表示的,在傳統(tǒng)的片狀壓電濾波器中產(chǎn)生的寄生成份是顯著的,而在第一較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器中產(chǎn)生的寄生成份則明顯減小。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例,第一腔體的面積大于第二和第三腔體的面積,由此有效地使通帶以外區(qū)域中不必要的寄生成份減小。不必要的寄生成份是由于下面的原因而如上所述地減小的。
寄生成份是由上下壓電基片的寄生振蕩干擾引起的。因此,如在第一較佳實(shí)施例中,當(dāng)?shù)谝磺惑w的面積增加時(shí),第一和第二壓電濾波器部分之間的干擾就減小。此外,由于上下外殼基片一側(cè)的腔體小于第一腔體,故不必要的寄生成份得以有效抑制。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器21的截面圖。在片狀壓電濾波器21中,墊片28沿厚度方向分成第一墊片28a和第二墊片28b。在第一和第二墊片28a和28b之間層疊隔離基片23。隔離基片23不具有開口。第二較佳實(shí)施例的其它部分最好和根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的片狀壓電濾波器的情況一樣。
在第二較佳實(shí)施例中,隔離基片23設(shè)置在第一和第二壓電基片和2之間,以將對(duì)應(yīng)于第一較佳實(shí)施例中的第一腔體的腔體沿厚度方向分為腔體28c和28d。在這種配置中,類似于第一較佳實(shí)施例,通過設(shè)置面積大于每一個(gè)第二和第三腔體7a和9a的面積的第一腔體(被分為腔體28c和28d),使通帶以外區(qū)域內(nèi)的寄生成份明顯減少。
在第一和第二較佳實(shí)施例中,將中間電容性部分各自設(shè)置在第一和第二壓電基片1和2中。但是,本發(fā)明可以適用于不具有中間電容性部分的片狀壓電濾波器。
還有,在第一和第二較佳實(shí)施例中,最好設(shè)置以厚度垂直振蕩模式振動(dòng)的能陷型類型的壓電濾波器部分。但是,可以設(shè)置諸如厚度滑動(dòng)模式之類的其它振蕩模式。
雖然已經(jīng)揭示了本發(fā)明的較佳實(shí)施例,但是,各種試圖實(shí)現(xiàn)這里所揭示原理的模式都在下面權(quán)利要求的范圍以內(nèi)。因此,應(yīng)該知道,本發(fā)明的范圍是由所附的權(quán)利要求限定的。
權(quán)利要求
1.一種片狀壓電濾波器,其特征在于包含其上設(shè)置有第一能陷型壓電濾波器部分的第一壓電基片;其上設(shè)置有第二能陷型壓電濾波器部分的第二壓電基片,所述第二壓電基片層疊在所述第一壓電基片上;層疊在所述第一壓電基片和第二壓電基片之間,并具有限定為防止所述第一能陷型壓電濾波器部分和所述第二能陷型壓電濾波器部分的振動(dòng)干擾而設(shè)置的第一腔體的開口的墊片;層疊在所述第一壓電基片的與其上層疊有所述墊片表面相對(duì)的表面上的第一封閉基片,用于限定為防止所述第一壓電濾波器部分的振動(dòng)干擾而設(shè)置的第二腔體;和設(shè)置在第二壓電基片的其上層疊有所述墊片表面相對(duì)的表面上的第二封閉基片,用于限定為防止所述第二壓電濾波器部分的振動(dòng)干擾而設(shè)置的第三腔體;其中,所述第一、第二和第三腔體中的至少一個(gè)的面積不同于所述第一、第二和第三腔體中另兩個(gè)的面積。
2.如權(quán)利要求1所述的片狀壓電濾波器,其特征在于所述第一腔體的面積大于所述第二腔體和所述第三腔體兩者的面積。
3.如權(quán)利要求1所述的片狀壓電濾波器,其特征在于將所述墊片沿其厚度方向分割,以限定第一墊片和第二墊片。
4.如權(quán)利要求3所述的片狀壓電濾波器,其特征在于還包含設(shè)置在所述第一墊片和所述第二墊片之間,并且沒有開口的隔離基片。
5.如權(quán)利要求1所述的片狀壓電濾波器,其特征在于還包含設(shè)置在所述第一壓電基片和所述第二壓電基片中的至少一個(gè)上的中間電容性部分。
6.如權(quán)利要求5所述的片狀壓電濾波器,其特征在于所述第一壓電濾波器部分和所述第二壓電濾波器部分通過所述中間電容性部分相互加以電氣連接。
7.如權(quán)利要求6所述的片狀壓電濾波器,其特征在于所述中間電容性部分設(shè)置有一對(duì)電極,它們相對(duì)于其正反表面,通過所述第一壓電基片和所述第二壓電基片之一而彼此相對(duì)。
8.如權(quán)利要求1所述的片狀壓電濾波器,其特征在于所述第一壓電濾波器部分和所述第二壓電濾波器部分中的每一個(gè)都包含一對(duì)設(shè)置在每一個(gè)所述第一壓電基片和所述第二壓電基片中的每一個(gè)的一個(gè)主表面上的諧振電極,以及通過所述這對(duì)諧振電極,和所述第一壓電基片和所述第二壓電基片之一相對(duì)于前后表面而彼此相對(duì)的公共電極。
9.如權(quán)利要求8所述片狀壓電濾波器,其特征在于如此層疊所述第一壓電基片和所述第二壓電基片,從而使所述第一壓電濾波器部分和所述第二壓電濾波器部分中所述的諸公共電極彼此向內(nèi)面對(duì)。
10.如權(quán)利要求1所述的片狀壓電濾波器,其特征在于第一和第二基片基本上是矩形的,并且基本上具有相同的形狀。
11.如權(quán)利要求1所述的片狀壓電濾波器,其特征在于沿所述第一和第二壓電基片的厚度方向?qū)λ鼈冞M(jìn)行極化。
12.如權(quán)利要求1所述的片狀壓電濾波器,其特征在于第一、第二和第三腔體中的每一個(gè)都基本上是矩形的。
13.一種片狀壓電濾波器,其特征在于包含其上設(shè)置有第一壓電濾波器部分的第一壓電基片;其上設(shè)置有第二壓電濾波器部分的第二壓電基片,所述第二壓電基片層疊在所述第一壓電基片上;層疊在所述第一壓電基片和第二壓電基片之間,并具有限定第一腔體開口的墊片;層疊在所述第一壓電基片的與其上層疊有所述墊片的表面相對(duì)的表面上的第一封閉基片,用于確定第二腔體;和層疊在所述第二壓電基片的與其上層疊有所述墊片的表面相對(duì)的表面上的第二封閉基片,用于確定第三腔體;其中,所述第一、第二和第三腔體中至少一個(gè)的面積不同于所述第一、第二和第三腔體中另外兩個(gè)的面積。
14.如權(quán)利要求13所述的片狀壓電濾波器,其特征在于所述第一腔體的面積大于所述第二腔體和所述第三腔體的面積。
15.如權(quán)利要求13所述的片狀壓電濾波器,其特征在于第一和第二壓電濾波器部分是以厚度垂直振蕩模式進(jìn)行振動(dòng)的能陷型濾波器部分。
16.如權(quán)利要求15所述的片狀壓電濾波器,其特征在于安排將第一、第二和第三腔體以防止所述第一和第二壓電濾波器部分的振動(dòng)干擾。
17.如權(quán)利要求13所述的片狀壓電濾波器,其特征在于沿所述墊片的厚度方向?qū)⑵浞指?,以限定第一墊片和第二墊片。
18.如權(quán)利要求17所述的片狀壓電濾波器,其特征在于還包含設(shè)置在所述第一墊片和所述第二墊片之間,并且沒有開口的隔離基片。
19.如權(quán)利要求13所述的片狀壓電濾波器,其特征在于還包含設(shè)置在所述第一壓電基片和所述第二壓電基片中的至少一個(gè)上的中間電容性部分,并且所述第一壓電濾波器部分和所述第二壓電濾波器部分通過所述中間電容性部分相互電氣連接。
20.如權(quán)利要求19所述的片狀壓電濾波器,其特征在于所述中間電容性部分設(shè)置有一對(duì)電極,它們通過所述第一壓電基片和所述第二壓電基片之一,相對(duì)于其正反表面而彼此相對(duì)。
21.如權(quán)利要求13所述的片狀壓電濾波器,其特征在于所述第一壓電濾波器部分和所述第二壓電濾波器部分包含一對(duì)設(shè)置在每一個(gè)所述第一壓電基片和所述第二壓電基片中的一個(gè)主表面上的諧振電極,以及通過所述這對(duì)諧振電極和所述第一壓電基片和所述第二壓電基片中的一個(gè),相對(duì)于正反表面而彼此相對(duì)的諸公共電極。
22.如權(quán)利要求21所述的片狀壓電濾波器,其特征在于如此層疊所述第一壓電基片和所述第二壓電基片,從而使所述第一壓電濾波器部分和所述第二壓電濾波器部分中的所述公共電極彼此向內(nèi)面對(duì)。
23.如權(quán)利要求13所述的片狀壓電濾波器,其特征在于第一和第二基片基本上是矩形的,并且基本上具有相同的形狀。
24.如權(quán)利要求13所述的片狀壓電濾波器,其特征在于沿第一和第二壓電基片的厚度方向極化。
25.如權(quán)利要求13所述的片狀壓電濾波器,其特征在于第一、第二和第三腔體中的每一個(gè)都基本上是矩形的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有多個(gè)能陷型壓電濾波器、并有效地使在通帶以外區(qū)域中不必要的寄生成分最小化的片狀壓電濾波器。在片狀壓電濾波器中,其上分別設(shè)置有第一和第二能陷型壓電濾波器部分的第一和第二壓電基片相互層疊,并且通過墊片相互分開。還有,將第一和第二外殼基片各自層疊在第一和第二壓電基片上。在墊片中設(shè)置用于防止第一和第二壓電基片振動(dòng)干擾的第一腔體。第一腔體的面積大于分別形成在第一和第二壓電基片的外部表面上的第二和第三腔體的面積。
文檔編號(hào)H03H9/54GK1283002SQ00122278
公開日2001年2月7日 申請(qǐng)日期2000年7月28日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月29日
發(fā)明者蒲生昌夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所