一種多只mosfet并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的pcb板設(shè)計的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實用新型涉及PCB布板結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多只MOSFET并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的PCB板設(shè)計。
【背景技術(shù)】
[0002]本方案涉及一種新型的多只MOSFET并聯(lián)電流均衡結(jié)構(gòu)。主要應(yīng)用于微型電動車電機(jī)驅(qū)動器，隨著國家新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，電動車行業(yè)也得到了巨大的發(fā)展，尤其是電動車驅(qū)動技術(shù)，電機(jī)驅(qū)動器主要采用IGBT或者M(jìn)OSFET作主要功率器件，而IGBT目前市場價格高昂，MOSFET價格比較低廉，但隨電機(jī)驅(qū)動器功率的增加，單只MOSFET的電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足驅(qū)動器的要求，多只MOSFET并聯(lián)得到大量的采用。
[0003]多只MOSFET并聯(lián)雖然滿足了大功率電機(jī)驅(qū)動器的要求，但多只MOSFET并聯(lián)電流均流也尤為重要，雖然MOSFET受溫度影響，也有一定的自舉均流能力，但電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計對MOSFET均流也至關(guān)主要。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型所要解決的技術(shù)問題，是針對上述存在的技術(shù)不足，提供了一種多只MOSFET并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的PCB板設(shè)計，采用了特殊的PCB布板結(jié)構(gòu)技術(shù)設(shè)計，解決了傳統(tǒng)并聯(lián)多只MOSFET電流不均流、易對MOSFET造成損害，破壞電路結(jié)構(gòu)的技術(shù)問題，達(dá)到了保證并聯(lián)電流均流，對MOSFET管起到保護(hù)作用的技術(shù)效果;采用多只MOSFET并聯(lián)的技術(shù)結(jié)構(gòu)，解決了單只MOSFET的電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足驅(qū)動器的技術(shù)問題，達(dá)到了并聯(lián)MOSFET滿足了大功率電機(jī)驅(qū)動器的要求的技術(shù)效果。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采用的技術(shù)方案是:包括鋁基板、并聯(lián)MOSFET單元;并聯(lián)MOSFET單元焊接在招基板上，并聯(lián)MOSFET單元包括單元A、單元B、單元C、單元D、單元E和單元F;單元A、單元B、單元C、單元D、單元E和單元F從左到右依次焊接在招基板上；
[0006]單元A的柵極連接有控制模塊A，單元A的漏極連接有銅環(huán)A，銅環(huán)A焊接在單元A的下側(cè);單元A的源極一端與單元B的漏極連接，單元B的漏極連接有銅環(huán)B，銅環(huán)B焊接在單元B的上側(cè)，單元B的柵極連接控制模塊A ；控制模塊A焊接在銅環(huán)B上側(cè);單元B源極連接有銅環(huán)C，銅環(huán)C焊接在單元B和單元C之間；
[0007]單元C的柵極連接有控制模塊B，單元C的漏極連接有銅環(huán)D，銅環(huán)D焊接在單元C的下側(cè);單元C的源極一端與單元D的漏極連接，單元D的漏極連接有銅環(huán)E，銅環(huán)E焊接在單元D的上側(cè)，單元D的柵極連接控制模塊B ；控制模塊B焊接在銅環(huán)E上側(cè);單元D源極連接有銅環(huán)F，銅環(huán)F焊接在單元D和單元E之間；
[0008]單元E的柵極連接有控制模塊C，單元E的漏極連接有銅環(huán)G，銅環(huán)G焊接在單元E的下側(cè);單元E的源極一端與單元F的漏極連接，單元F的漏極連接有銅環(huán)H，銅環(huán)H焊接在單元F的上側(cè);單元F的柵極連接控制模塊C;控制模塊C焊接在銅環(huán)H上側(cè);單元F源極的另一端連接有銅環(huán)I，銅環(huán)I焊接在單元F的右側(cè)；[0009 ]進(jìn)一步優(yōu)化本技術(shù)方案，所述的單元A、單元B、單元C、單元D、單元E和單元F分別為六只MOSFET并聯(lián)；
[0010]進(jìn)一步優(yōu)化本技術(shù)方案，所述的銅環(huán)A、銅環(huán)D和銅環(huán)G連接電源正極，銅環(huán)B、銅環(huán)E和銅環(huán)H外接有電機(jī);銅環(huán)C、銅環(huán)F和銅環(huán)I連接電源負(fù)極；
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下優(yōu)點:1、通過新型的PCB布板結(jié)構(gòu)，解決多只MOSFET并聯(lián)因結(jié)構(gòu)而造成的電流均流問題;2、多只MOSFET并聯(lián)滿足了大功率電機(jī)驅(qū)動器的要求;3、本PCB布板結(jié)構(gòu)制作簡單、方便，易應(yīng)用于實際生活中。
【附圖說明】
[0012]圖1是本實用新型PCB結(jié)構(gòu)圖；
[0013]圖2是本實用新型工作原理圖。
[0014]圖中，1、鋁基板;2、并聯(lián)MOSFET單元;21、單元A; 22、單元B ； 23單元C ； 24、單元D ； 25、單元E ； 26、單元F; 31、控制模塊A; 32、控制模塊B ； 33、控制模塊C; 41、銅環(huán)A; 42、銅環(huán)B; 43、銅環(huán)C;44、銅環(huán)D;45、銅環(huán)E;46、銅環(huán)F;47、銅環(huán)G;48、銅環(huán)H;49、銅環(huán)I;5、電機(jī)。
【具體實施方式】
[0015]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明了，下面結(jié)合【具體實施方式】并參照附圖，對本實用新型進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本實用新型的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本實用新型的概念。
[0016]【具體實施方式】一:如圖1-2所示，包括鋁基板1、并聯(lián)MOSFET單元2 ；并聯(lián)MOSFET單元2焊接在鋁基板I上，并聯(lián)MOSFET單元2包括單元A21、單元B22、單元C23、單元D24、單元E25和單元F26;單元A21、單元B22、單元C23、單元D24、單元E25和單元F26從左到右依次焊接在鋁基板I上；
[0017]單元A21的柵極連接有控制模塊A31，單元A21的漏極連接有銅環(huán)A41，銅環(huán)A41焊接在單元A21的下側(cè)；單元A21的源極一端與單元B22的漏極連接，單元B22的漏極連接有銅環(huán)B42，銅環(huán)B42焊接在單元B22的上側(cè)，單元B22的柵極連接控制模塊A31;控制模塊A31焊接在銅環(huán)B42上側(cè);單元B22源極連接有銅環(huán)C43，銅環(huán)C3焊接在單元B22和單元C23之間；
[0018]單元C23的柵極連接有控制模塊B32，單元C23的漏極連接有銅環(huán)D44，銅環(huán)D44焊接在單元C23的下側(cè)；單元C23的源極一端與單元D24的漏極連接，單元D24的漏極連接有銅環(huán)E45，銅環(huán)E45焊接在單元D24的上側(cè)，單元D24的柵極連接控制模塊B32;控制模塊B32焊接在銅環(huán)E45上側(cè);單元D24源極連接有銅環(huán)F46，銅環(huán)F46焊接在單元D24和單元E25之間；
[0019]單元E25的柵極連接有控制模塊C33，單元E25的漏極連接有銅環(huán)G47，銅環(huán)G47焊接在單元E25的下側(cè)；單元E25的源極一端與單元F26漏源極連接，單元F26的漏極連接有銅環(huán)H48，銅環(huán)H48焊接在單元F26的上側(cè);單元F26的柵極連接控制模塊C33;控制模塊C33焊接在銅環(huán)H48上側(cè);單元F26源極的另一端連接有銅環(huán)149，銅環(huán)149焊接在單元F26的右側(cè)；
[0020]所述的單元A21、單元B22、單元C23、單元D24、單元E25和單元F26分別為六只MOSFET并聯(lián);銅環(huán)A41、銅環(huán)D44和銅環(huán)G47連接電源正極，銅環(huán)M2、銅環(huán)E45和銅環(huán)H48外接有電機(jī)5;銅環(huán)C43、銅環(huán)F46和銅環(huán)149連接電源負(fù)極；
[0021]如圖2，為本實用新型的工作原理圖，因單一MOSFET管無法滿足對電機(jī)5的驅(qū)動能力，故而使用并聯(lián)MOSFET單元2的結(jié)構(gòu)設(shè)計達(dá)到對滿足了大功率電機(jī)驅(qū)動器的要求，這樣MOSFET管溝道的并聯(lián)，允許了更多的載流子同時度越，使其開關(guān)時間縮短，提高工作效率，改善了其性能。可以提高電流的閾值和功率。為了使電流均流，本實用新型選用同型號同公司和批號的MOS管。
[0022]而在功率MOSFET多管并聯(lián)時，器件內(nèi)部參數(shù)的微小差異就會引起并聯(lián)各支路電流的不平衡而導(dǎo)致單管過流損壞，嚴(yán)重情況下會破壞整個驅(qū)動裝置。影響并聯(lián)均流的因素包括內(nèi)部參數(shù)和外圍線路參數(shù)。因而如圖1所示，本實用新型使用高度對稱的結(jié)構(gòu)設(shè)計驅(qū)動PCB的結(jié)構(gòu)，使三相驅(qū)動的外圍線路參數(shù)高度一致，解決了 MOSFET并聯(lián)均流的問題。
[0023]應(yīng)當(dāng)理解的是，本實用新型的上述【具體實施方式】僅僅用于示例性說明或解釋本實用新型的原理，而不構(gòu)成對本實用新型的限制。因此，在不偏離本實用新型的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，本實用新型所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。
【主權(quán)項】
1.一種多只MOSFET并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的PCB板設(shè)計，其特征在于:包括鋁基板(I)、并聯(lián)MOSFET單元(2);并聯(lián)MOSFET單元(2)焊接在鋁基板(I)上，并聯(lián)MOSFET單元(2)包括單元A(21)、單元B(22)、單元C(23)、單元D(24)、單元E(25)和單元F(26);單元A(21)、單元B(22)、單元C(23)、單元D(24)、單元E(25)和單元F(26)從左到右依次焊接在鋁基板(I)上； 單元A(21)的柵極連接有控制模塊A(31)，單元A(21)的漏極連接有銅環(huán)A(41)，銅環(huán)A(41)焊接在單元A(21)的下側(cè);單元A(21)的源極一端與單元B(22)的漏極連接，單元B(22)的漏極連接有銅環(huán)B(42)，銅環(huán)B(42)焊接在單元B(22)的上側(cè)，單元B(22)的柵極連接控制模塊A(31);控制模塊A(31)焊接在銅環(huán)B(42)上側(cè);單元B(22)源極的另一端連接有銅環(huán)C(43)，銅環(huán)C(3)焊接在單元B(22)和單元C(23)之間； 單元C(23)的柵極連接有控制模塊B(32)，單元C(23)的漏極連接有銅環(huán)D(44)，銅環(huán)D(44)焊接在單元C(23)的下側(cè);單元C(23)的源極一端與單元D(24)的漏極連接，單元D(24)的漏極連接有銅環(huán)E(45)，銅環(huán)E(45)焊接在單元D(24)的上側(cè)，單元D(24)的柵極連接控制模塊B(32);控制模塊B(32)焊接在銅環(huán)E(45)上側(cè);單元D(24)源極的另一端連接有銅環(huán)F(46)，銅環(huán)F(46)焊接在單元D(24)和單元E(25)之間； 單元E(25)的柵極連接有控制模塊C(33)，單元E(25)的漏極連接有銅環(huán)G(47)，銅環(huán)G(47)焊接在單元E(25)的下側(cè);單元E (25)的源極一端與單元F (26)的漏極連接，單元F( 26)的漏極連接有銅環(huán)H(48)，銅環(huán)H(48)焊接在單元F( 26)的上側(cè)；單元F(26)的柵極連接控制模塊C(33);控制模塊C(33)焊接在銅環(huán)H(48)上側(cè)。單元F(26)源極的另一端連接有銅環(huán)I(49)，銅環(huán)1(49)焊接在單元F(26)的右側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多只MOSFET并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的PCB板設(shè)計，其特征在于:單元A(21)、單元B(22)、單元C(23)、單元D(24)、單元E(25)和單元F(26)分別為六只MOSFET并聯(lián)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多只MOSFET并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的PCB板設(shè)計，其特征在于:銅環(huán)A(41)、銅環(huán)D(44)和銅環(huán)G(47)連接電源正極，銅環(huán)B(42)、銅環(huán)E(45)和銅環(huán)H(48)外接有電機(jī)(5);銅環(huán)C(43)、銅環(huán)F(46)和銅環(huán)I (49)連接電源負(fù)極。
【專利摘要】本實用新型涉及PCB布板結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多只MOSFET并聯(lián)均流結(jié)構(gòu)的PCB板設(shè)計，本實用新型采用了特殊的PCB布板結(jié)構(gòu)技術(shù)設(shè)計，解決了傳統(tǒng)并聯(lián)多只MOSFET電流不均流、易對MOSFET造成損害，破壞電路結(jié)構(gòu)的技術(shù)問題，達(dá)到了保證并聯(lián)電流均流，對MOSFET管起到保護(hù)作用的技術(shù)效果；采用多只MOSFET并聯(lián)的技術(shù)結(jié)構(gòu)，解決了單只MOSFET的電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足驅(qū)動器的技術(shù)問題，達(dá)到了并聯(lián)MOSFET滿足了大功率電機(jī)驅(qū)動器的要求的技術(shù)效果。
【IPC分類】H02M1/06
【公開號】CN205283378
【申請?zhí)枴緾N201521100223
【發(fā)明人】許祥建
【申請人】河北世紀(jì)恒興電子技術(shù)有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2015年12月25日