專利名稱：自激式直流－直流變換器及電源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種自激式直流—直流變換器及電源裝置。
作為這種自激式直流—直流變換器及電源裝置，其構(gòu)成電路如圖5所示。該自激式直流—直流變換器具有由連接輸入端t1，t2間的PNP型晶體管Q1，初級繞組L1及電容器C2組成的串聯(lián)電路和在晶體管Q1及初級繞組L1的連接點(diǎn)連接負(fù)極的，在電容器C2及輸入端t2的連接點(diǎn)(接地)連接正極的二極管D1構(gòu)成的降壓限制器電路；在晶體管Q1的基極、發(fā)射極間通過電容器C1連接與初級繞組L1磁耦合的反饋繞組L2。在電容器C2的兩端連接由R5，R6組成的串聯(lián)電路，在R5，R6的連接點(diǎn)連接NPN型晶體管Q7的基極。晶體管Q7的集電極連接晶體管Q6的基極，同時(shí)，通過電阻R10連接晶體管Q1的發(fā)射極，晶體管Q7的發(fā)射極接地。并且，NPN型晶體管Q6的集電極通過電阻R9連接晶體管Q1的基極，晶體管Q6的發(fā)射極接地。
下面，說明該直流—直流變換器1的動作。圖6(a)～(d)表示本電路的各部的波形圖。當(dāng)在輸入端t1，t2間接入直流的輸入電源E時(shí)，通過電阻R10流入晶體管Q6的基極電流，使晶體管Q6導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Q6導(dǎo)通時(shí)，通過電阻R9流入晶體管Q1的基極電流I4(＝I2-I5)，使晶體管Q1導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Q1導(dǎo)通時(shí)，流入晶體管Q1的集電極電流I1使初級繞組L1的兩端產(chǎn)生電位差。這時(shí)與初級繞組L1磁耦合的反饋繞組L2也產(chǎn)生電位差。該電位差增加晶體管Q1偏置電流，導(dǎo)致晶體管Q1快速導(dǎo)通。這時(shí)，經(jīng)輸入電源E→晶體管Q1→初級繞組L1→電容器C2→輸入電源E回路，使電容器C2充電，向連接在電容器C2及輸出端子t3，t4間的負(fù)載電路(無圖示)提供能源。
這里，流進(jìn)晶體管Q1的集電極電流I1以初級繞組L1的電感決定的趨勢增加，晶體管Q1的基極電流I4由電阻R9和晶體管Q6決定，當(dāng)I1將要比電流I4×hFE大時(shí)，基極電流I4不能確保晶體管Q1的飽和，這時(shí)晶體管Q1在非飽和區(qū)域工作，電壓V1(晶體管Q1的集電極、發(fā)射極間電壓)增加。這里，當(dāng)電壓V1增加時(shí)，初級繞組L1兩端電壓降低，與初級繞組L1磁耦合的反饋繞組L2兩端電壓也降低。因此，晶體管Q1的基極電流I4減少，晶體管Q1的集電極、發(fā)射極間電壓再次增加，導(dǎo)致晶體管Q1迅速截止。這樣，在晶體管Q1導(dǎo)通時(shí)初級繞組L1存儲的能量，通過初級繞組L1→電容器C2→二極管D1→初級繞組L1被釋放出來，向電容器C2及負(fù)載電路提供能源。之后，當(dāng)初級繞組L1存儲的能量被全部釋放出來后，基極電流再次流入晶體管Q1，反復(fù)繼續(xù)進(jìn)行上述的振蕩動作。
可是，本電路由電阻R5,R6及晶體管Q7構(gòu)成的電路按照輸出電壓，控制晶體管Q6的基極電流，控制晶體管Q1的基極電流I4。例如，當(dāng)減輕負(fù)載增加輸出電壓時(shí)，電阻R5,R6連接點(diǎn)的電位上升，流進(jìn)晶體管Q7的電流增加，晶體管Q6的基極電位降低，晶體管Q6的基極電流減少。因此，晶體管Q1的基極電流I4減少，加速晶體管Q1的截止，降低電流I1的數(shù)值，抑制輸出電壓的增加。另一方面，當(dāng)加大負(fù)載減少輸出電壓時(shí)，電阻R5,R6連接點(diǎn)的電位下降，流進(jìn)晶體管Q7的電流減少，晶體管Q6的基極電位升高，晶體管Q6的基極電流增加。因此，晶體管Q1的基極電流I4增加，減緩晶體管Q1的截止，增加電流I1的峰值，抑制輸出電壓的降低。本電路由電阻R5,R6及晶體管Q7構(gòu)成的電路按照輸出電壓，控制晶體管Q6的基極電流，控制晶體管Q1的基極電流I4，大致恒定控制輸出電壓(如參照實(shí)開平5-2585號公報(bào))。
上述構(gòu)成的直流—直流變換器用簡單的電路可得到恒定電壓輸出，例如，作為輸入電源E，在使用將市電(如交流100V～240V)整流，濾波的電源時(shí)，向控制晶體管Q1的基極電流I4的電阻R9及晶體管Q6施加很高的電壓，由于有數(shù)mA～數(shù)十mA的基極電流流動，增加晶體管Q6的熱耗損失，而且，由于使用耐高壓元件，存在元件外形大的問題。并且，由于流入晶體管Q7的電流隨著輸入電源E的電源電壓而變化，還存在用晶體管Q7不能恒壓反饋的問題。
本發(fā)明鑒于上述問題，其目的在于提供一種即使輸入電源的電壓有較大變化時(shí)也可使用的小型、低損耗的自激式直流—直流變換器及電源裝置。
為達(dá)到上述目的，在本發(fā)明1中，作為一種自激式直流—直流變換器，包括轉(zhuǎn)換直流輸入電壓的第1晶體管，和連接了第1晶體管的集電極的初級繞組，和負(fù)極連接第1晶體管及初級繞組連接點(diǎn)正極接地的二極管，和在初級繞組的另一端與地之間連接的電容器，和與初級繞組磁耦合的，在晶體管的基極、發(fā)射極間連接的反饋繞組，其特征在于在向負(fù)載電路提供用第1晶體管變換、降壓的直流輸出電壓的直流—直流變換器中設(shè)置有，在第1晶體管的基極、發(fā)射極間分流第1晶體管的基極電流，同時(shí)，按照輸出電壓使基極電流的分流量變化的第2晶體管。由于控制第1晶體管基極電流的第2晶體管是連接在晶體管的基極、發(fā)射極之間，不會向第2晶體管施加過大電壓，能夠減少第2晶體管的發(fā)熱，減少損耗，由于可對第2晶體管使用低損耗的元件，可尋求自激式直流—直流變換器的小型化，而且，由于第2晶體管通過使第1晶體管基極電流的分流量變化，控制第1晶體管的基極電流，即使直流輸入電壓有較大的變化時(shí)，也能夠控制第1晶體管的基極電流，大致恒定控制輸出電壓。
在本發(fā)明1中所述的自激式直流—直流變換器，所述第1及第2晶體管是PNP型晶體管，這是本發(fā)明的理想實(shí)施方式。
在本發(fā)明1中所述的自激式直流—直流變換器，具有與上述負(fù)載電路的溫度特性相反的溫度特性，設(shè)置有補(bǔ)償負(fù)載電路的溫度特性的溫度補(bǔ)償電路，可用溫度補(bǔ)償電路補(bǔ)償負(fù)載電路的溫度特性。
作為在本發(fā)明2中所述的電源裝置，是由用第1晶體管將直流輸入電壓轉(zhuǎn)換、降壓的自激式直流—直流變換器，和用開關(guān)元件轉(zhuǎn)換自激式直流—直流變換器的輸出電壓變換成希望電壓的轉(zhuǎn)換電源構(gòu)成的電源裝置；自激式直流—直流變換器包括，轉(zhuǎn)換直流輸入電壓的第1晶體管，和連接了第1晶體管的集電極的初級繞組，和負(fù)極連接第1晶體管及初級繞組連接點(diǎn)正極接地的二極管，和在初級繞組的另一端與地之間連接的電容器，和與初級繞組磁耦合的，在晶體管的基極、發(fā)射極間連接的反饋繞組，和在第1晶體管的基極、發(fā)射極間分流第1晶體管的基極電流，同時(shí)，按照輸出電壓使基極電流變化的第2晶體管；其特征在于設(shè)置有，使開關(guān)元件的開關(guān)動作停止的動作停止電路的轉(zhuǎn)換電源。在自激式直流—直流變換器開始工作，轉(zhuǎn)換電源進(jìn)行轉(zhuǎn)換工作時(shí)，電容器的充電電荷流入轉(zhuǎn)換電源，顧慮到電容器兩端電壓，即自激式直流—直流變換器的輸出電壓不升壓，在動作開始時(shí)，通過動作停止電路，使轉(zhuǎn)換電源的開關(guān)動作停止，自激式直流—直流變換器可向轉(zhuǎn)換電源提供規(guī)定電壓值的輸出電壓，能夠防止由于自激式直流—直流變換器的輸出電壓降低而導(dǎo)致轉(zhuǎn)換電源的輸出減少。
下面，簡要說明附圖。
圖1是表示實(shí)施例1的自激式直流—直流變換器的電路圖。
圖2(a)～(c)是表示上述電路的工作波形圖。
圖3是表示實(shí)施例2的電源裝置的電路圖。
圖4是表示實(shí)施例3的電源裝置的電路圖。
圖5是表示以往的自激式直流—直流變換器的電路圖。
圖6(a)～(d)是表示圖5電路的工作波形圖。
圖中，C1、C2——電容器；D1——二極管；L1——初級繞組；L2——反饋繞組；Q1、Q2——晶體管；R3——電阻； t1、t2——輸入端子。
下面參照


本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1圖1表示本實(shí)施例的自激式直流—直流變換器的電路圖，圖2(a)～(c)是表示電路的各部分的工作波形圖。
自激式直流—直流變換器1包括由在輸入端子t1、t2間連接的是第1晶體管的PNP型晶體管Q1、初級繞組L1及電解電容器C2構(gòu)成的串聯(lián)電路，和負(fù)極連接在晶體管Q1及初級繞組L1的連接點(diǎn)，正極連接在電容器C2及輸入端子t2的連接點(diǎn)(接地)的二極管D1構(gòu)成的降壓限制器電路；在晶體管Q1的基極、發(fā)射極間連接由電容器C1和與初級繞組L1磁耦合的反饋繞組L2和電阻R3構(gòu)成的串聯(lián)電路。
這里，晶體管Q1通過電阻R4接地。并且，在電容器C2的兩端連接由電阻R5，R6組成的串聯(lián)電路，在電阻R5,R6的連接點(diǎn)連接NPN型晶體管Q3的基極。晶體管Q3的發(fā)射極接地，集電極通過由電阻R1，R2構(gòu)成的串聯(lián)電路連接晶體管Q1的發(fā)射極。還有，在電阻R1,R2的連接點(diǎn)連接PNP型晶體管Q2的基極，晶體管Q2的發(fā)射極連接晶體管Q1的發(fā)射極，集電極連接晶體管Q1的基極。
下面，說明該自激式直流—直流變換器1的工作。
當(dāng)在輸入端子t1、t2間接通直流輸入電源E時(shí)，通過電阻R4，基極電流流入晶體管Q1，晶體管Q1導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Q1導(dǎo)通，晶體管Q1流過集電極電流I1，在初級繞組L1的兩端產(chǎn)生電位差。這時(shí)，與初級繞組L1磁耦合的反饋繞組L2也產(chǎn)生電位差，該電位差使晶體管Q1偏置，導(dǎo)致晶體管Q1迅速導(dǎo)通。這時(shí)，經(jīng)輸入電源E→晶體管Q1→初級繞組L1→電容器C2→輸入電源E回路，使電容器C2充電，向連接在電容器C2及輸出端子t3，t4間的負(fù)載電路提供能源。
這里，流進(jìn)晶體管Q1的集電極電流I1以初級繞組L1的電感決定的趨勢增加，當(dāng)集電極電流I1比(基極電流)×hFE大時(shí)，基極電流不能確保晶體管Q1的飽和，晶體管Q1將在非飽和區(qū)域工作，電壓V1(即，晶體管Q1的集電極、發(fā)射極間電壓)增加。當(dāng)電壓V1增加時(shí)，初級繞組L1兩端電壓降低，與初級繞組L1磁耦合的反饋繞組L2兩端電壓也降低。因此，晶體管Q1的基極電流減少，晶體管Q1的集電極、發(fā)射極間電壓再次增加，導(dǎo)致晶體管Q1迅速截止。當(dāng)晶體管Q1截止時(shí)，在晶體管Q1導(dǎo)通時(shí)由初級繞組L1存儲的能量，通過初級繞組L1→電容器C2→二極管D1→初級繞組L1被釋放出來，向電容器C2及負(fù)載電路提供能源。之后，當(dāng)初級繞組L1存儲的能量被全部釋放出來后，基極電流再次流入晶體管Q1，晶體管Q1導(dǎo)通，反復(fù)繼續(xù)進(jìn)行上述的振蕩動作。
可是，本電路由電阻R1、R2、R5、R6及晶體管Q2、Q3構(gòu)成的電路，按照輸出電壓，控制晶體管Q1的基極電流，例如，由于輸入電源E的電壓變動和負(fù)載變動等，當(dāng)輸出電壓增加(圖2的周期Tb)、電阻R5，R6連接點(diǎn)的電位升高，晶體管Q3的基極電流增加，晶體管Q3的集電極電流增加。這時(shí)，在電阻R1的兩端產(chǎn)生的電位差增加，晶體管Q2的基極電流增加。這里，由于晶體管Q1的基極電流的一部分通過晶體管Q2被分流，當(dāng)晶體管Q2的基極電流增加時(shí)，晶體管Q1的基極電流被分流量增加，晶體管Q1的基極電流減少，加速晶體管Q1的截止，輸出電壓的降低。
一方面，由于輸入電源E的電壓變動和負(fù)載變動等，當(dāng)輸出電壓降低(圖2的周期Ta)、電阻R5，R6連接點(diǎn)的電位降低，晶體管Q3的基極電流減少，晶體管Q3的集電極電流減少。這時(shí)，由于在電阻R1的兩端產(chǎn)生的電位差變小，晶體管Q2的基極電流減少，通過晶體管Q2被分流減少，晶體管Q1的基極電流增加，延遲晶體管Q1的截止，增加輸出電壓。
在這樣的本實(shí)施例的自激式直流—直流變換器1中，通過在晶體管Q1的基極、發(fā)射極間連接的晶體管Q2分流晶體管Q1的基極電流的一部分，由于根據(jù)輸出電壓，晶體管Q2使基極電流的分流量變化，晶體管Q1的截止時(shí)間變化，大致恒定控制輸出電壓。因此，由于用起動的電阻R4，流過晶體管Q1的必要的起動小基極電流為好，可加大電阻R4的電阻值，能夠減少對電阻R4的損失。并且，控制晶體管Q1的基極電流的晶體管Q2連接在晶體管Q1的基極、發(fā)射極間，由于用比輸入電源E的電源電壓小的電位差工作，能夠減少晶體管Q2的發(fā)熱，減少損失，而且，可用對晶體管Q2耐壓低的小型元件，可使自激式直流—直流變換器1小型化。
實(shí)施例2圖3是表示使用本實(shí)施例的自激式直流—直流變換器的電源裝置的電路圖。還有，由于基本的電路構(gòu)成與實(shí)施例1同樣，對同一構(gòu)成元件標(biāo)注同一符號省略其說明。
本實(shí)施例的電源裝置是由自激式直流—直流變換器1和用開關(guān)元件轉(zhuǎn)換自激式直流—直流變換器1的輸出電壓，變換成希望電壓的轉(zhuǎn)換電源3構(gòu)成的。
自激式直流—直流變換器1具有與上述圖1的電路大致相同的構(gòu)成，在圖1的電路中，設(shè)負(fù)極連接在電阻R5，R6連接點(diǎn)，正極連接在晶體管Q3的基極的穩(wěn)壓二極管ZD1。
在自激式直流—直流變換器1的輸出端子t3，t4間連接轉(zhuǎn)換電源3。轉(zhuǎn)換電源3由以下構(gòu)成在自激式直流—直流變換器1的輸出端子t3，t4間連接的變壓器T2的初級繞組L3及電容器C4構(gòu)成的諧振電路、是開關(guān)元件的場效應(yīng)晶體管Q4(下面略稱為MOSFET)以及電阻R8構(gòu)成的串聯(lián)電路、基極連接場效應(yīng)晶體管Q4的源極，集電極連接場效應(yīng)晶體管Q4的柵極，同時(shí)，發(fā)射極接地的NPN型晶體管Q5、在輸出端子t3，t4間連接的電阻R7以及電容器C3組成的串聯(lián)電路構(gòu)成，MOSFETQ4的柵極通過變壓器T2的反饋繞組L5連接電阻R7以及電容器C3的連接點(diǎn)。變壓器T2的次級繞組L4通過二極管D2連接負(fù)載4。這里，通過MOSFETQ4的導(dǎo)通、截止由自激式直流—直流變換器1流向初級繞組L3的電流切換，對變壓器T2的次級繞組L4及反饋繞組L5感應(yīng)電壓。由轉(zhuǎn)換電源3及負(fù)載4構(gòu)成自激式直流—直流變換器1的負(fù)載電路2。
下面，說明轉(zhuǎn)換電源3的工作。
當(dāng)直流—直流變換器1的輸出電壓提供給轉(zhuǎn)換電源3時(shí)，通過電阻R7使電容器C3充電，當(dāng)電容器C3的兩端電壓達(dá)到MOSFETQ4的閾值電壓時(shí)，MOSFETQ4呈導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)MOSFETQ4呈導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，通過MOSFETQ4電流流進(jìn)變壓器T2的初級繞組L3，由于對反饋繞組L5產(chǎn)生由初級繞組L3的感應(yīng)電壓，加大流進(jìn)MOSFETQ4的電流。
這時(shí)，流進(jìn)MOSFETQ4的電流大致呈直線增加，流進(jìn)MOSFETQ4的電流在電阻R8的兩端產(chǎn)生電位差，當(dāng)該電位差超過晶體管Q5的閾值電壓時(shí)，晶體管Q5導(dǎo)通，MOSFETQ4的柵極電荷被放電，MOSFETQ4呈截止?fàn)顟B(tài)，由初級繞組L3和電容器C4構(gòu)成的諧振電路開始諧振。在由該諧振電路的諧振的1周期結(jié)束時(shí)，由于對反饋繞組L5的感應(yīng)電壓達(dá)到使MOSFETQ4的柵極導(dǎo)通的電位，MOSFETQ4的再次導(dǎo)通。以后繼續(xù)上述動作，過渡到穩(wěn)定諧振。
這里，當(dāng)溫度上升時(shí)，晶體管Q5的基極、發(fā)射極間電壓降低，由于MOSFETQ4迅速達(dá)到截止標(biāo)記時(shí)間，存在流入MOSFETQ4的電流減少，供給負(fù)載4的輸出電壓減少的問題。為了補(bǔ)償這樣的溫度變化，最好在晶體管Q5的基極連接具有與晶體管Q5相反溫度特性的穩(wěn)壓二極管，在這種情況下，電阻R8兩端電壓加大，當(dāng)電阻R8的額定功率小時(shí)，由于顧慮到超過電阻R8的額定功率，電阻R8需要使用額定功率大的電阻。
另外，本實(shí)施例的直流—直流變換器在晶體管Q3的基極和電阻R5、R6的連接點(diǎn)之間，連接具有正溫度特性的是溫度補(bǔ)償元件的穩(wěn)壓二極管ZD1。因此，當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，穩(wěn)壓二極管ZD1的穩(wěn)壓電壓升高，僅此晶體管Q3的基極電位降低，流入晶體管Q3的電流減少，電阻R1的兩端電壓減少。當(dāng)電阻R1的兩端電壓減少時(shí)，流入晶體管Q2的分流電流減少，由于增加晶體管Q1的基極電流，延遲晶體管Q1的截止標(biāo)記時(shí)間，增加自激式直流—直流變換器1的輸出電壓。因此，通過使自激式直流—直流變換器1的輸出增加，可補(bǔ)償由于溫度升高轉(zhuǎn)換電源3的輸出降低，補(bǔ)償負(fù)載電路2的溫度特性能夠向負(fù)載4提供大致恒定的電壓。
實(shí)施例3圖4表示使用本實(shí)施例的自激式直流—直流變換器的電源裝置的電路圖。由于基本的電路構(gòu)成與實(shí)施例1或2相同，對同一構(gòu)成元件標(biāo)注同一符號省略其說明。
實(shí)施例2的電源裝置，當(dāng)對自激式直流—直流變換器1接入輸入電源E時(shí)，通過上述工作使電容器C2充電，電容器C2的兩端電壓升高。另一方面，轉(zhuǎn)換電源3通過電阻R7向電容器C3流進(jìn)充電電流，當(dāng)電容器C3的兩端電壓超過MOSFETQ4的閾值電壓時(shí)，MOSFETQ4呈導(dǎo)通狀態(tài)，由初級繞組L3及電容器C4構(gòu)成的諧振電路開始工作。這時(shí)，自激式直流—直流變換器1由于急劇增加的負(fù)載電流向轉(zhuǎn)換電源3提供電容器C2的充電電荷，電容器C2的兩端電壓降低。因此，當(dāng)電容器C2的充電的電流量和由電容器C2供給轉(zhuǎn)換電源3的電流量均衡時(shí)，電容器C2的兩端電壓不按上述升壓，即存在直流—直流變換器1的輸出電壓為低電壓值的顧慮。
另外，在本實(shí)施例中轉(zhuǎn)換電源3的電容器C3和電阻R11并聯(lián)連接，由電阻R7、R11及電容器C3開始工作時(shí)停止MOSFETQ4的開關(guān)動作的動作停止電路構(gòu)成。在開始工作時(shí)，電容器C2的兩端電壓在升壓致MOSFETQ4的閾值電壓和電阻R7、R11的分壓比決定的規(guī)定電壓值以上時(shí)，由于電容器C3達(dá)不到MOSFETQ4的閾值電壓，可使轉(zhuǎn)換電源3的諧振動作停止，電容器C2的兩端電壓即，能夠使自激式直流—直流變換器1的輸出電壓升壓致規(guī)定的電壓值以上，由于自激式直流—直流變換器1的輸出電壓的降低，能夠防止轉(zhuǎn)換電源3的輸出電壓降低。
如上所述，本發(fā)明1的自激式直流—直流變換器，包括轉(zhuǎn)換直流輸入電壓的第1晶體管，和連接了第1晶體管的集電極的初級繞組，和負(fù)極連接第1晶體管及初級繞組連接點(diǎn)正極接地的二極管，和在初級繞組的另一端與地之間連接的電容器，和與初級繞組磁耦合的，在晶體管的基極、發(fā)射極間連接的反饋繞組，其特征在于在向負(fù)載電路提供用第1晶體管變換、降壓的直流輸出電壓的直流—直流變換器中設(shè)置有，在第1晶體管的基極、發(fā)射極間分流第1晶體管的基極電流，同時(shí)，按照輸出電壓使基極電流的分流量變化的第2晶體管。由于控制第1晶體管的基極電流的第2晶體管連接在第1晶體管的基極、發(fā)射極間，第2晶體管不會被施加過大的電壓，可減少第2晶體管的發(fā)熱，減少損失。由于第2晶體管可使用低損耗的元件，也可謀求自激式直流—直流變換器的小型化。而且，由于第2晶體管使第1晶體管的基極電流的分流量變化，控制的第1晶體管的基極電流，即使在直流輸入電壓有大的變化的情況下，也能夠得到控制第1晶體管的基極電流，控制直流輸出電壓的效果。
本發(fā)明1的自激式直流—直流變換器，其特征還在于，所述第1晶體管及第2晶體管是PNP型晶體管，是本中請發(fā)明的理想實(shí)施例。
本發(fā)明1的自激式直流—直流變換器，其特征還在于，設(shè)置有與上述負(fù)載電路的溫度特性相反的溫度特性，補(bǔ)償負(fù)載電路的溫度特性的溫度補(bǔ)償電路，可通過溫度補(bǔ)償電路補(bǔ)償負(fù)載電路的溫度特性，得到可根據(jù)溫度變化，補(bǔ)償負(fù)載電路的特性變化的效果。
本發(fā)明2的電源裝置，是由用第1晶體管將直流輸入電壓轉(zhuǎn)換、降壓的自激式直流—直流變換器，和用開關(guān)元件轉(zhuǎn)換自激式直流—直流變換器的輸出電壓變換成希望電壓的轉(zhuǎn)換電源構(gòu)成的電源裝置；自激式直流—直流變換器包括，轉(zhuǎn)換直流輸入電壓的第1晶體管，和連接了第1晶體管的集電極的初級繞組，和負(fù)極連接第1晶體管及初級繞組連接點(diǎn)的同時(shí)，正極接地的二極管，和在初級繞組的另一端與地之間連接的電容器，和與初級繞組磁耦合的，在晶體管的基極、發(fā)射極間連接的反饋繞組，和在第1晶體管的基極、發(fā)射極間分流第1晶體管的基極電流，同時(shí)，按照輸出電壓使基極電流的分流量變化的第2晶體管；其特征在于設(shè)置有，使開關(guān)元件的開關(guān)動作停止的動作停止電路的轉(zhuǎn)換電源，在自激式直流—直流變換器開始工作時(shí)，進(jìn)行轉(zhuǎn)換電源的轉(zhuǎn)換工作，電容器的充電電荷流進(jìn)轉(zhuǎn)換電源，存在電容器的兩端電壓即直流—直流變換器1的輸出電壓不升壓的顧慮。由于在開始工作時(shí)，動作停止電路使轉(zhuǎn)換電源的轉(zhuǎn)換動作停止，自激式直流—直流變換器能夠向轉(zhuǎn)換電源提供規(guī)定電壓值的輸出電壓，由于自激式直流—直流變換器的輸出電壓降低，得到可防止轉(zhuǎn)換電源的輸出降低的效果。
權(quán)利要求
1.一種自激式直流—直流變換器，包括轉(zhuǎn)換直流輸入電壓的第1晶體管、和一端連接了第1晶體管集電極的初級繞組、和負(fù)極連接第1晶體管及初級繞組連接點(diǎn)及正極接地的二極管、和在初級繞組的另一端與地之間連接的電容器和與初級繞組磁耦合的在晶體管的基極、發(fā)射極間連接的反饋繞組，其特征在于在向負(fù)載電路提供用第1晶體管變換、降壓的直流輸出電壓的直流—直流變換器中設(shè)置有，在第1晶體管的基極、發(fā)射極間分流第1晶體管的基極電流，同時(shí)，根據(jù)輸出電壓使基極電流的分流量變化的第2晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自激式直流—直流變換器，其特征在于，所述第1晶體管及第2晶體管是PNP型晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自激式直流—直流變換器，其特征在于，設(shè)置有與上述負(fù)載電路的溫度特性相反的溫度特性，補(bǔ)償負(fù)載電路的溫度特性的溫度補(bǔ)償電路。
4.一種電源裝置，是由用第1晶體管將直流輸入電壓轉(zhuǎn)換、降壓的自激式直流—直流變換器，和用開關(guān)元件轉(zhuǎn)換自激式直流—直流變換器的輸出電壓變換成希望電壓的轉(zhuǎn)換電源構(gòu)成的電源裝置，其特征在于自激式直流—直流變換器包括，轉(zhuǎn)換直流輸入電壓的第1晶體管、和一端連接了第1晶體管的集電極的初級繞組、和負(fù)極連接第1晶體管及初級繞組連接點(diǎn)的正極接地的二極管、和在初級繞組的另一端與地之間連接的電容器、和與初級繞組磁耦合的，在晶體管的基極、發(fā)射極間連接的反饋繞組和在第1晶體管的基極、發(fā)射極間分流第1晶體管的基極電流，同時(shí)，按照輸出電壓使基極電流的分流量變化的第2晶體管；設(shè)置有，使開關(guān)元件的開關(guān)動作停止的動作停止電路的轉(zhuǎn)換電源。
全文摘要
自激式直流－直流變換器及電源裝置，在輸入端t1，t2間連接PNP型晶體管Q1、初級繞組及電容器C2組成的串聯(lián)電路，初級繞組和電容器C2并聯(lián)連接二極管D1。反饋繞組通過電容器C1及電阻R3連接在晶體管Q1的基極、發(fā)射極間。晶體管Q2的發(fā)射極連接晶體管Q1的發(fā)射極，集電極連接晶體管Q1的基極，分流晶體管Q1的基極電流的一部分。晶體管Q2根據(jù)輸出電壓使分流量變化，控制晶體管Q1的導(dǎo)通、截止。
文檔編號H02M3/04GK1239347SQ99108088
公開日1999年12月22日 申請日期1999年6月11日 優(yōu)先權(quán)日1998年6月12日
發(fā)明者田村秀樹, 山下干弘, 桂嘉志記 申請人:松下電工株式會社