智能功率模塊及空調(diào)器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種智能功率模塊及包括該智能功率模塊的空調(diào)器，該智能功率模塊包括低壓區(qū)供電電源正端、低壓區(qū)供電電源負(fù)端、控制端、U負(fù)端、V負(fù)端、W負(fù)端、公共負(fù)端、第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件、第三下橋臂功率器件以及靜電調(diào)整電路；靜電調(diào)整電路的第一輸入端與第一下橋臂功率器件的電流輸出端連接,其第二輸入端與第二下橋臂功率器件的電流輸出端連接,其第三輸入端與第三下橋臂功率器件的電流輸出端連接,其第一輸出端與所述U負(fù)端連接,其第二輸出端與所述V負(fù)端連接,其第三輸出端與所述W負(fù)端連接,其公共輸出端與所述公共負(fù)端連接,其受控端與所述控制端連接。本實(shí)用新型提供的該智能功率模塊，大幅度地提高了抗靜電能力。
【專利說明】
智能功率模塊及空調(diào)器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種智能功率模塊及空調(diào)器。
【背景技術(shù)】
[0002]智能功率模塊，即IPM(Intelligent Power Module)是一種將電力電子技術(shù)和集成電路技術(shù)相結(jié)合的功率驅(qū)動(dòng)類產(chǎn)品，智能功率模塊以高集成度及高可靠性等優(yōu)勢(shì)贏得了越來越大的市場(chǎng)，是變頻調(diào)速、冶金機(jī)械、電力牽引、伺服驅(qū)動(dòng)及變頻家電的一種理想電力電子器件。
[0003]然而，智能功率模塊通常應(yīng)用于非常惡略的環(huán)境下，如長(zhǎng)期工作在高溫而干燥的環(huán)境中。當(dāng)智能功率模塊工作時(shí)，其內(nèi)部的IGBT管需要工作于很高的開關(guān)速度，才能保證IGBT管自身的發(fā)熱量盡量??；而當(dāng)智能功率模塊不工作時(shí)，其需要承受2000V-3000V的靜電。對(duì)于智能功率模塊內(nèi)的上橋臂的三個(gè)IGBT管，由于所述上橋臂的三個(gè)IGBT管的集電極均與所述智能功率模塊的最高電壓點(diǎn)連接，所述上橋臂的三個(gè)IGBT管的射極連接電機(jī)，因此，所述上橋臂的三個(gè)IGBT管比較難受到靜電的影響；而對(duì)于所述智能功率模塊的下橋臂的三個(gè)IGBT管，雖然所述下橋臂的三個(gè)IGBT管的集電極連接電機(jī)，但所述下橋臂的三個(gè)IGBT管的射極卻均外露(通常情況下，根據(jù)智能功率模塊的應(yīng)用場(chǎng)合的不同，對(duì)智能功率模塊的采樣模式分為單電阻采樣模式和三電阻采樣模式，因此，所述下橋臂的三個(gè)IGBT管的射極均必須懸空，形成所述智能功率模塊的U負(fù)端、V負(fù)端及W負(fù)端，才能同時(shí)滿足所述單電阻采樣模式和三電阻采樣模式的需求)，從而使得所述下橋臂的三個(gè)IGBT管很容易受到靜電的沖擊。因此，在智能功率模塊的實(shí)際應(yīng)用中，其下橋臂的三個(gè)IGBT管因靜電受損的幾率遠(yuǎn)大于其上橋臂的三個(gè)IGBT管，而所述下橋臂的三個(gè)IGBT管受損后，很容易引起所述智能功率模塊的同相的上、下橋臂的IGBT管同時(shí)導(dǎo)通，從而導(dǎo)致所述智能功率模塊的電流失控，進(jìn)而造成所述智能功率模塊的爆炸。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高IGBT管柵極的抗靜電能力，主要是通過增加IGBT管的柵氧厚度的方式來實(shí)現(xiàn)，因此，為了提高智能功率模塊的下橋臂的三個(gè)IGBT管的柵極的抗靜電能力，所述下橋臂的三個(gè)IGBT管采用柵氧厚度較厚的IGBT管，但這樣一來，所述智能功率模塊的開關(guān)速度會(huì)嚴(yán)重下降，特別是在所述智能功率模塊的上、下橋臂的IGBT管進(jìn)行開關(guān)切換的過程中，由于其上、下橋臂的IGBT管的開關(guān)速度不匹配，從而造成所述智能功率模塊的開關(guān)損耗極高，對(duì)于開關(guān)頻率在千赫茲以上的使用場(chǎng)合，所述智能功率模塊的發(fā)熱量將會(huì)很高，即使采用盡可能大的散熱片，所述智能功率模塊的工作溫度也會(huì)比環(huán)境溫度高60°C以上，而所述智能功率模塊長(zhǎng)期工作在該高溫的環(huán)境下，其性能及使用壽命都會(huì)受到嚴(yán)重的影響；而如果所述智能功率模塊的上、下橋臂的IGBT管都采用柵氧厚度較厚的IGBT管，雖然所述上、下橋臂的IGBT管的開關(guān)速度得到了匹配，但是相對(duì)于采用柵氧厚度較薄的IGBT管，所述智能功率模塊的整體開關(guān)特性會(huì)更低，從而導(dǎo)致所述智能功率模塊的工作性能非常不理想。實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的主要目的是在同時(shí)滿足智能功率模塊的單電阻采樣模式和三電阻采樣模式的條件下，大幅度提高所述智能功率模塊的抗靜電能力。
[0006]本實(shí)用新型提供一種智能功率模塊，所述智能功率模塊包括低壓區(qū)供電電源正端、低壓區(qū)供電電源負(fù)端、控制端、U負(fù)端、V負(fù)端、W負(fù)端、公共負(fù)端、第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件、第三下橋臂功率器件、以及用于提高所述第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件及第三下橋臂功率器件的抗靜電能力的靜電調(diào)整電路；其中，
[0007]所述靜電調(diào)整電路的電源正端與所述低壓區(qū)供電電源正端連接，所述靜電調(diào)整電路的電源負(fù)端與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端連接；所述靜電調(diào)整電路的第一輸入端與所述第一下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第二輸入端與所述第二下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第三輸入端與所述第三下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第一輸出端與所述U負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的第二輸出端與所述V負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的第三輸出端與所述W負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的公共輸出端與所述公共負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的受控端與所述控制端連接。
[0008]優(yōu)選地，所述靜電調(diào)整電路包括第一模擬開關(guān)、第二模擬開關(guān)及第三模擬開關(guān)；其中，
[0009]所述第一模擬開關(guān)的固定端與所述靜電調(diào)整電路的第一輸入端連接，所述第二模擬開關(guān)的固定端與所述靜電調(diào)整電路的第二輸入端連接，所述第三模擬開關(guān)的固定端與所述靜電調(diào)整電路的第三輸入端連接，所述第一模擬開關(guān)的高電平接觸端與所述靜電調(diào)整電路的第一輸出端連接，所述第二模擬開關(guān)的高電平接觸端與所述靜電調(diào)整電路的第二輸出端連接，所述第三模擬開關(guān)的高電平接觸端與所述靜電調(diào)整電路的第三輸出端連接，所述第一模擬開關(guān)的控制端、第二模擬開關(guān)的控制端及第三模擬開關(guān)的控制端均與所述靜電調(diào)整電路的受控端連接；所述第一模擬開關(guān)的低電平接觸端、第二模擬開關(guān)的低電平接觸端及第三模擬開關(guān)的低電平接觸端均與所述靜電調(diào)整電路的公共輸出端連接。
[0010]優(yōu)選地，所述智能功率模塊還包括最高電壓點(diǎn)、U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端、V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端、W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端、第一上橋臂功率器件、第二上橋臂功率器件、第三上橋臂功率器件；其中，
[0011]所述最高電壓點(diǎn)分別與所述第一上橋臂功率器件的電流輸入端、第二上橋臂功率器件的電流輸入端及第三上橋臂功率器件的電流輸入端連接；所述U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端分別與所述第一上橋臂功率器件的電流輸出端及所述第一下橋臂功率器件的電流輸入端連接；所述V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端分別與所述第二上橋臂功率器件的電流輸出端及所述第二下橋臂功率器件的電流輸入端連接；所述W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端分別與所述第三上橋臂功率器件的電流輸出端及所述第三下橋臂功率器件的電流輸入端連接。
[0012]優(yōu)選地，所述智能功率模塊還包括U相上橋臂控制信號(hào)輸入端、V相上橋臂控制信號(hào)輸入端、W相上橋臂控制信號(hào)輸入端、U相下橋臂控制信號(hào)輸入端、V相下橋臂控制信號(hào)輸入端、W相下橋臂控制信號(hào)輸入端、以及用于控制所述第一上橋臂功率器件、第二上橋臂功率器件、第三上橋臂功率器件、第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件及第三下橋臂功率器件的開關(guān)動(dòng)作的控制電路；其中，
[0013]所述U相上橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第一控制信號(hào)輸入端連接，所述V相上橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第二控制信號(hào)輸入端連接，所述W相上橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第三控制信號(hào)輸入端連接；
[0014]所述U相下橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第四控制信號(hào)輸入端連接，所述V相下橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第五控制信號(hào)輸入端連接，所述W相下橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第六控制信號(hào)輸入端連接。
[0015]優(yōu)選地，所述智能功率模塊還包括U相高壓區(qū)供電電源正端、V相高壓區(qū)供電電源正端及W相高壓區(qū)供電電源正端；其中，
[0016]所述U相高壓區(qū)供電電源正端與所述控制電路的U相高壓電源正端連接，所述V相高壓區(qū)供電電源正端與所述控制電路的V相高壓電源正端連接，所述W相高壓區(qū)供電電源正端與所述控制電路的W相高壓電源正端連接；所述控制電路的低壓電源正端與所述低壓區(qū)供電電源正端連接，所述控制電路的低壓電源負(fù)端與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端連接；所述控制電路的U相高壓電源負(fù)端與所述U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端連接，所述控制電路的V相高壓電源負(fù)端與所述V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端連接，所述控制電路的W相高壓電源負(fù)端與所述W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端連接。
[0017]優(yōu)選地，所述智能功率模塊還包括第一 PMOS管、第一 NMOS管、第二 PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第四PMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管及第六NMOS管；其中，
[0018]所述第一 PMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的U相高壓電源正端連接；所述第一 NMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的U相高壓電源負(fù)端連接；所述第一 PMOS管的柵極及所述第一 NMOS管的柵極均與所述控制電路的第一輸出端連接；所述第一 PMOS管的漏極及所述第一 NMOS管的漏極均與所述第一上橋臂功率器件的受控端連接；所述第二PMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的V相高壓電源正端連接；所述第二 NMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的V相高壓電源負(fù)端連接；所述第二 PMOS管的柵極及所述第二NMOS管的柵極均與所述控制電路的第二輸出端連接；所述第二 PMOS管的漏極及所述第二NMOS管的漏極均與所述第二上橋臂功率器件的受控端連接；所述第三PMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的W相高壓電源正端連接；所述第三NMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的W相高壓電源負(fù)端連接；所述第三PMOS管的柵極及所述第三NMOS管的柵極均與所述控制電路的第三輸出端連接；所述第三PMOS管的漏極及所述第三NMOS管的漏極均與所述第三上橋臂功率器件的受控端連接；
[0019]所述第四PMOS管的源極和襯底、所述第五PMOS管的源極和襯底及所述第六PMOS管的源極和襯底均與所述低壓區(qū)供電電源正端連接；所述第四NMOS管的源極和襯底、所述第五NMOS管的源極和襯底及所述第六NMOS管的源極和襯底均與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端連接；所述第四PMOS管的柵極及所述第四NMOS管的柵極均與所述控制電路的第四輸出端連接；所述第四PMOS管的漏極及所述第四NMOS管的漏極均與所述第一下橋臂功率器件的受控端連接；所述第五PMOS管的柵極及所述第五NMOS管的柵極均與所述控制電路的第五輸出端連接；所述第五PMOS管的漏極及所述第五NMOS管的漏極均與所述第二下橋臂功率器件的受控端連接；所述第六PMOS管的柵極及所述第六NMOS管的柵極均與所述控制電路的第六輸出端連接；所述第六PMOS管的漏極及所述第六NMOS管的漏極均與所述第三下橋臂功率器件的受控端連接。
[0020]優(yōu)選地，所述智能功率模塊還包括第一續(xù)流二極管、第二續(xù)流二極管、第三續(xù)流二極管、第四續(xù)流二極管、第五續(xù)流二極管及第六續(xù)流二極管；其中，
[0021]所述第一續(xù)流二極管的陰極與所述第一上橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第一上橋臂功率器件的電流輸出端連接；所述第二續(xù)流二極管的陰極與所述第二上橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第二上橋臂功率器件的電流輸出端連接；所述第三續(xù)流二極管的陰極與所述第三上橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第三上橋臂功率器件的電流輸出端連接；所述第四續(xù)流二極管的陰極與所述第一下橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第一下橋臂功率器件的電流輸出端連接；所述第五續(xù)流二極管的陰極與所述第二下橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第二下橋臂功率器件的電流輸出端連接；所述第六續(xù)流二極管的陰極與所述第三下橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第三下橋臂功率器件的電流輸出端連接。
[0022]優(yōu)選地，所述第一上橋臂功率器件、第二上橋臂功率器件、第三上橋臂功率器件、第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件及第三下橋臂功率器件均為IGBT管。
[0023]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供一種空調(diào)器，所述空調(diào)器包括智能功率模塊，所述智能功率模塊包括低壓區(qū)供電電源正端、低壓區(qū)供電電源負(fù)端、控制端、U負(fù)端、V負(fù)端、W負(fù)端、公共負(fù)端、第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件、第三下橋臂功率器件、以及用于提高所述第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件及第三下橋臂功率器件的抗靜電能力的靜電調(diào)整電路；其中，
[0024]所述靜電調(diào)整電路的電源正端與所述低壓區(qū)供電電源正端連接，所述靜電調(diào)整電路的電源負(fù)端與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端連接；所述靜電調(diào)整電路的第一輸入端與所述第一下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第二輸入端與所述第二下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第三輸入端與所述第三下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第一輸出端與所述U負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的第二輸出端與所述V負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的第三輸出端與所述W負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的公共輸出端與所述公共負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的受控端與所述控制端連接。
[0025]本實(shí)用新型提供的智能功率模塊，包括低壓區(qū)供電電源正端、低壓區(qū)供電電源負(fù)端、控制端、U負(fù)端、V負(fù)端、W負(fù)端、公共負(fù)端、第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件、第三下橋臂功率器件、以及用于提高所述第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件及第三下橋臂功率器件的抗靜電能力的靜電調(diào)整電路；其中，所述靜電調(diào)整電路的電源正端與所述低壓區(qū)供電電源正端連接，所述靜電調(diào)整電路的電源負(fù)端與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端連接；所述靜電調(diào)整電路的第一輸入端與所述第一下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第二輸入端與所述第二下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第三輸入端與所述第三下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第一輸出端與所述U負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的第二輸出端與所述V負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的第三輸出端與所述W負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的公共輸出端與所述公共負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的受控端與所述控制端連接。本實(shí)用新型提供的該智能功率模塊，在同時(shí)滿足其單電阻采樣模式和三電阻采樣模式的條件下，大幅度地提高了其抗靜電能力；并且，本實(shí)用新型還具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單及易實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026]圖1是本實(shí)用新型智能功率模塊一實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2是圖1中所述靜電調(diào)整電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。
【具體實(shí)施方式】
[0029]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0030]本實(shí)用新型提供一種智能功率模塊。
[0031]參照?qǐng)D1，圖1是本實(shí)用新型智能功率模塊一實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]本實(shí)施例中，該智能功率模塊10包括低壓區(qū)供電電源正端VDD、低壓區(qū)供電電源負(fù)端COM、最高電壓點(diǎn)P、U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端UVS、V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端VVS、W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端WVS、控制端C0N、U負(fù)端U-、V負(fù)端V-、W負(fù)端W-、公共負(fù)端N、第一上橋臂功率器件Q1、第二上橋臂功率器件Q2、第三上橋臂功率器件Q3、第一下橋臂功率器件Q4、第二下橋臂功率器件Q5、第三下橋臂功率器件Q6、以及用于提高所述第一下橋臂功率器件Q4、第二下橋臂功率器件Q5及第三下橋臂功率器件Q6的抗靜電能力的靜電調(diào)整電路40。所述第一上橋臂功率器件Q1、第二上橋臂功率器件Q2、第三上橋臂功率器件Q3、第一下橋臂功率器件Q4、第二下橋臂功率器件Q5、第三下橋臂功率器件Q6均為IGBT管(IGBT管的集電極為其電流輸入端，IGBT管的發(fā)射極為其電流輸出端，IGBT管的門極為其受控端)。
[0033]其中，所述最高電壓點(diǎn)P分別與所述第一上橋臂功率器件Ql的電流輸入端、第二上橋臂功率器件Q2的電流輸入端及第三上橋臂功率器件Q3的電流輸入端連接；所述U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端UVS分別與所述第一上橋臂功率器件Ql的電流輸出端及所述第一下橋臂功率器件Q4的電流輸入端連接；所述V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端VVS分別與所述第二上橋臂功率器件Q2的電流輸出端及所述第二下橋臂功率器件Q5的電流輸入端連接；所述W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端WVS分別與所述第三上橋臂功率器件Q3的電流輸出端及所述第三下橋臂功率器件Q6的電流輸入端連接；
[0034]所述靜電調(diào)整電路40的電源正端(圖未示)與所述低壓區(qū)供電電源正端VDD連接，所述靜電調(diào)整電路的電源負(fù)端(圖未示)與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端COM連接(所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端COM接地)；所述靜電調(diào)整電路40的第一輸入端SI與所述第一下橋臂功率器件Q4的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路40的第二輸入端S2與所述第二下橋臂功率器件Q5的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路40的第三輸入端S3與所述第三下橋臂功率器件Q6的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路40的第一輸出端UU與所述U負(fù)端U-連接，所述靜電調(diào)整電路40的第二輸出端VV與所述V負(fù)端V-連接，所述靜電調(diào)整電路40的第三輸出端Wff與所述W負(fù)端W-連接，所述靜電調(diào)整電路40的公共輸出端NN與所述智能功率模塊10的公共負(fù)端N連接，所述靜電調(diào)整電路40的受控端CC與所述智能功率模塊10的控制端CON連接。
[0035]本實(shí)施例中，所述智能功率模塊10還包括U相上橋臂控制信號(hào)輸入端UHIN、V相上橋臂控制信號(hào)輸入端VHIN、W相上橋臂控制信號(hào)輸入端WHIN、U相下橋臂控制信號(hào)輸入端ULIN、V相下橋臂控制信號(hào)輸入端VLIN、W相下橋臂控制信號(hào)輸入端WLIN、以及用于控制所述第一上橋臂功率器件Q1、第二上橋臂功率器件Q2、第三上橋臂功率器件Q3、第一下橋臂功率器件Q4、第二下橋臂功率器件Q5及第三下橋臂功率器件Q6的開關(guān)動(dòng)作的控制電路11 ;
[0036]其中，所述U相上橋臂控制信號(hào)輸入端UHIN與所述控制電路11的第一控制信號(hào)輸入端HINl連接，所述V相上橋臂控制信號(hào)輸入端VHIN與所述控制電路11的第二控制信號(hào)輸入端HIN2連接，所述W相上橋臂控制信號(hào)輸入端WHIN與所述控制電路11的第三控制信號(hào)輸入端HIN3連接；
[0037]所述U相下橋臂控制信號(hào)輸入端ULIN與所述控制電路11的第四控制信號(hào)輸入端LINl連接，所述V相下橋臂控制信號(hào)輸入端VLIN與所述控制電路11的第五控制信號(hào)輸入端LIN2連接，所述W相下橋臂控制信號(hào)輸入端WLIN與所述控制電路11的第六控制信號(hào)輸入端LIN3連接。
[0038]本實(shí)施例中，所述智能功率模塊10還包括U相高壓區(qū)供電電源正端UVB、V相高壓區(qū)供電電源正端VVB及W相高壓區(qū)供電電源正端WVB ；
[0039]其中，所述U相高壓區(qū)供電電源正端UVB與所述控制電路11的U相高壓電源正端VBl連接，所述V相高壓區(qū)供電電源正端VVB與所述控制電路11的V相高壓電源正端VB2連接，所述W相高壓區(qū)供電電源正端WVB與所述控制電路11的W相高壓電源正端VB3連接；所述控制電路11的低壓電源正端VCC與所述低壓區(qū)供電電源正端VDD連接，所述控制電路11的低壓電源負(fù)端GND與所述智能功率模塊10的低壓區(qū)供電電源負(fù)端COM連接，且接地；所述控制電路11的U相高壓電源負(fù)端VSl與所述U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端UVS連接，所述控制電路11的V相高壓電源負(fù)端VS2與所述V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端VVS連接，所述控制電路11的W相高壓電源負(fù)端VS3與所述W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端WVS連接；
[0040]本實(shí)施例中，所述智能功率模塊10還包括第一 PMOS管P1、第一 NMOS管N1、第二PMOS管P2、第二 NMOS管N2、第三PMOS管P3、第三NMOS管N3、第四PMOS管P4、第四NMOS管N4、第五PMOS管P5、第五NMOS管N5、第六PMOS管P6及第六NMOS管N6 ；
[0041]其中，所述第一 PMOS管Pl的源極和襯底均與所述控制電路11的U相高壓電源正端VBl連接；所述第一 NMOS管NI的源極和襯底均與所述控制電路11的U相高壓電源負(fù)端VSl連接；所述第一 PMOS管Pl的柵極及所述第一 NMOS管NI的柵極均與所述控制電路
11的第一輸出端OUTl連接；所述第一 PMOS管Pl的漏極及所述第一 NMOS管NI的漏極連接于結(jié)點(diǎn)HOl，結(jié)點(diǎn)HOl與所述第一上橋臂功率器件Ql的受控端連接(即所述第一 PMOS管Pl的漏極及所述第一 NMOS管NI的漏極均與所述第一上橋臂功率器件Ql的受控端連接)；
[0042]所述第二 PMOS管P2的源極和襯底均與所述控制電路11的V相高壓電源正端VB2連接；所述第二 NMOS管N2的源極和襯底均與所述控制電路11的V相高壓電源負(fù)端VS2連接；所述第二 PMOS管P2的柵極及所述第二 NMOS管N2的柵極均與所述控制電路11的第二輸出端0UT2連接；所述第二 PMOS管P2的漏極及所述第二 NMOS管N2的漏極連接于結(jié)點(diǎn)H02，結(jié)點(diǎn)H02與所述第二上橋臂功率器件Q2的受控端連接(即所述第二 PMOS管P2的漏極及所述第二 NMOS管N2的漏極均與所述第二上橋臂功率器件Q2的受控端連接)；
[0043]所述第三PMOS管P3的源極和襯底均與所述控制電路11的W相高壓電源正端VB3連接；所述第三NMOS管N3的源極和襯底均與所述控制電路11的W相高壓電源負(fù)端VS3連接；所述第三PMOS管P3的柵極及所述第三NMOS管N3的柵極均與所述控制電路11的第三輸出端0UT3連接；所述第三PMOS管P3的漏極及所述第三NMOS管N3的漏極連接于結(jié)點(diǎn)H03，結(jié)點(diǎn)H03與所述第三上橋臂功率器件Q3的受控端連接(即所述第三PMOS管P3的漏極及所述第三NMOS管N3的漏極均與所述第三上橋臂功率器件Q3的受控端連接)；
[0044]所述第四PMOS管P4的源極和襯底、所述第五PMOS管P5的源極和襯底及所述第六PMOS管P6的源極和襯底均與所述低壓區(qū)供電電源正端VDD連接；所述第四NMOS管N4的源極和襯底、所述第五NMOS管N5的源極和襯底及所述第六NMOS管N6的源極和襯底均與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端COM連接；
[0045]所述第四PMOS管P4的柵極及所述第四NMOS管N4的柵極均與所述控制電路11的第四輸出端0UT4連接；所述第四PMOS管P4的漏極及所述第四NMOS管N4的漏極連接于結(jié)點(diǎn)L01，結(jié)點(diǎn)LOl與所述第一下橋臂功率器件Q4的受控端連接(即所述第四PMOS管P4的漏極及所述第四NMOS管N4的漏極均與所述第一下橋臂功率器件Q4的受控端連接)；
[0046]所述第五PMOS管P5的柵極及所述第五NMOS管N5的柵極均與所述控制電路11的第五輸出端0UT5連接；所述第五PMOS管P5的漏極及所述第五NMOS管N5的漏極連接于結(jié)點(diǎn)L02，結(jié)點(diǎn)L02與所述第二下橋臂功率器件Q5的受控端連接(即所述第五PMOS管P5的漏極及所述第五NMOS管N5的漏極均與所述第二下橋臂功率器件Q5的受控端連接)；
[0047]所述第六PMOS管P6的柵極及所述第六NMOS管N6的柵極均與所述控制電路11的第六輸出端0UT6連接；所述第六PMOS管P6的漏極及所述第六NMOS管N6的漏極連接于結(jié)點(diǎn)L03，結(jié)點(diǎn)L03與所述第三下橋臂功率器件Q6的受控端連接(即所述第六PMOS管P6的漏極及所述第六NMOS管N6的漏極均與所述第三下橋臂功率器件Q6的受控端連接)。
[0048]本實(shí)施例中，所述智能功率模塊10還包括第一續(xù)流二極管D1、第二續(xù)流二極管D2、第三續(xù)流二極管D3、第四續(xù)流二極管D4、第五續(xù)流二極管D5及第六續(xù)流二極管D6 ；
[0049]其中，所述第一續(xù)流二極管Dl的陰極與所述第一上橋臂功率器件Ql的電流輸入端連接，所述第一續(xù)流二極管Dl的陽(yáng)極與所述第一上橋臂功率器件Ql的電流輸出端連接；所述第二續(xù)流二極管D2的陰極與所述第二上橋臂功率器件Q2的電流輸入端連接，所述第二續(xù)流二極管D2的陽(yáng)極與所述第二上橋臂功率器件Q2的電流輸出端連接；所述第三續(xù)流二極管D3的陰極與所述第三上橋臂功率器件Q3的電流輸入端連接，所述第三續(xù)流二極管D3的陽(yáng)極與所述第三上橋臂功率器件Q3的電流輸出端連接；所述第四續(xù)流二極管D4的陰極與所述第一下橋臂功率器件Q4的電流輸入端連接，所述第四續(xù)流二極管D4的陽(yáng)極與所述第一下橋臂功率器件Q4的電流輸出端連接；所述第五續(xù)流二極管D5的陰極與所述第二下橋臂功率器件Q5的電流輸入端連接，所述第五續(xù)流二極管D5的陽(yáng)極與所述第二下橋臂功率器件Q5的電流輸出端連接；所述第六續(xù)流二極管D6的陰極與所述第三下橋臂功率器件Q6的電流輸入端連接，所述第六續(xù)流二極管D6的陽(yáng)極與所述第三下橋臂功率器件Q6的電流輸出端連接。
[0050]另外，圖1中Dll為第一 NMOS管NI的源極與漏極間的寄生二極管，D12為第二NMOS管N2的源極與漏極間的寄生二極管，D13為第三NMOS管N3的源極與漏極間的寄生二極管，D14為第四NMOS管N4的源極與漏極間的寄生二極管，D15為第五NMOS管N5的源極與漏極間的寄生二極管，D16為第六NMOS管N6的源極與漏極間的寄生二極管。
[0051]本實(shí)施例中，所述控制電路11與現(xiàn)有技術(shù)中智能功率模塊10內(nèi)的控制電路的作用完全相同，此處不再贅述。
[0052]圖2是圖1中所述靜電調(diào)整電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0053]一并參照?qǐng)D1和圖2，本實(shí)施例中，所述靜電調(diào)整電路40包括第一模擬開關(guān)401、第二模擬開關(guān)402及第三模擬開關(guān)403。
[0054]其中，所述第一模擬開關(guān)401的固定端與所述靜電調(diào)整電路40的第一輸入端SI連接，所述第二模擬開關(guān)402的固定端與所述靜電調(diào)整電路40的第二輸入端S2連接，所述第三模擬開關(guān)403的固定端與所述靜電調(diào)整電路40的第三輸入端S3連接，所述第一模擬開關(guān)401的高電平接觸端(高電平接觸端對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為I的端，下同)與所述靜電調(diào)整電路40的第一輸出端UU連接，所述第二模擬開關(guān)402的高電平接觸端與所述靜電調(diào)整電路40的第二輸出端VV連接，所述第三模擬開關(guān)403的高電平接觸端與所述靜電調(diào)整電路40的第三輸出端Wff連接，所述第一模擬開關(guān)401的控制端、第二模擬開關(guān)402的控制端及第三模擬開關(guān)403的控制端均與所述靜電調(diào)整電路40的受控端CC連接；所述第一模擬開關(guān)401的低電平接觸端(高電平接觸端對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為O的端，下同)、第二模擬開關(guān)402的低電平接觸端及第三模擬開關(guān)403的低電平接觸端均與所述靜電調(diào)整電路40的公共輸出端NN連接。
[0055]本實(shí)施例中，所述靜電調(diào)整電路40的作用是:在所述智能功率模塊10的控制端CON為低電平時(shí)，所述靜電調(diào)整電路40的第一輸入端S1、第二輸入端S2及第三輸入端S3均與所述靜電調(diào)整電路40的公共輸出端NN連接；
[0056]在所述智能功率模塊10的控制端CON為高電平時(shí)，所述靜電調(diào)整電路40的第一輸入端SI與所述靜電調(diào)整電路40的第一輸出端UU連接，所述靜電調(diào)整電路40的第二輸入端S2與所述靜電調(diào)整電路40的第二輸出端VV連接，所述靜電調(diào)整電路40的第三輸入端S3與所述靜電調(diào)整電路40的第三輸出端Wff連接；即當(dāng)所述智能功率模塊10的控制端CON為低電平時(shí)，所述智能功率模塊10為單電阻采樣模式；當(dāng)所述智能功率模塊10的控制端CON為高電平時(shí)，所述智能功率模塊10為三電阻采樣模式。
[0057]本實(shí)施例智能功率模塊10，當(dāng)所述控制端CON的電壓比較低或者沒有電壓時(shí)，說明所述智能功率模塊10處于單電阻采樣模式或停止工作狀態(tài)，這時(shí)，即當(dāng)所述控制端CON的電壓比較低或者沒有電壓時(shí)，將所述第一下橋臂功率器件Q4的電流輸出端、第二下橋臂功率器件Q5的電流輸出端及第三下橋臂功率器件Q6的電流輸出端電連接(即將所述第一下橋臂功率器件Q4的發(fā)射極、第二下橋臂功率器件Q5的發(fā)射極及第三下橋臂功率器件Q6的發(fā)射極電連接)，即符合所述智能功率模塊10的單電阻采樣模式的電路接法，又相當(dāng)于將將所述第一下橋臂功率器件Q4、第二下橋臂功率器件Q5及第三下橋臂功率器件Q6并聯(lián)，從抗靜電角度看，相當(dāng)于增大了電容，使得所述智能功率模塊10的抗靜電能力相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)的3倍；
[0058]當(dāng)所述智能功率模塊10的控制端CON的電壓比較高時(shí)，說明所述智能功率模塊10處于三電阻采樣模式，此時(shí)，將所述第一下橋臂功率器件Q4的電流輸出端、第二下橋臂功率器件Q5的電流輸出端及第三下橋臂功率器件Q6的電流輸出端電獨(dú)立(即將所述第一下橋臂功率器件Q4的發(fā)射極、第二下橋臂功率器件Q5的發(fā)射極及第三下橋臂功率器件Q6的發(fā)射極電獨(dú)立)，即符合所述智能功率模塊10的三電阻采樣模式的電路接法，由于此時(shí)所述智能功率模塊10處于上電工作狀態(tài)，一般情況下不會(huì)產(chǎn)生靜電，因此，此時(shí)所述智能功率模塊10不存在被靜電破壞的風(fēng)險(xiǎn)。
[0059]具體地，當(dāng)所述智能功率模塊10不工作時(shí)，所述靜電調(diào)整電路40的受控端CC沒有電壓，所述第一模擬開關(guān)401的固定端與其低電平接觸端相連、所述第二模擬開關(guān)402的固定端與其低電平接觸端相連、所述第三模擬開關(guān)403的固定端與其低電平接觸端相連，即當(dāng)所述智能功率模塊10不工作時(shí)，所述靜電調(diào)整電路40的第一輸入端S1、第二輸入端S2及第三輸入端S3與均與其公共輸出端NN相連，即此時(shí)所述第一下橋臂功率器件Q4的發(fā)射極、第二下橋臂功率器件Q5的發(fā)射極及第三下橋臂功率器件Q6的發(fā)射極相連，為單電阻采樣模式接法；
[0060]當(dāng)所述智能功率模塊1010工作時(shí)，如果所述靜電調(diào)整電路40的受控端CC的電壓為低電平時(shí)，根據(jù)上述分析，所述第一下橋臂功率器件Q4的發(fā)射極、第二下橋臂功率器件Q5的發(fā)射極及第三下橋臂功率器件Q6的發(fā)射極相連，為單電阻采樣模式接法；如果所述靜電調(diào)整電路40的受控端CC的電壓為高電平時(shí)，所述第一模擬開關(guān)401的固定端與其高電平接觸端相連，所述第二模擬開關(guān)402的固定端與其高電平接觸端相連，所述第三模擬開關(guān)403的固定端與其高電平接觸端相連，即所述第一下橋臂功率器件Q4的發(fā)射極與所述靜電調(diào)整電路40的第一輸出端UU相連，第二下橋臂功率器件Q5的發(fā)射極與所述靜電調(diào)整電路40的第二輸出端VV相連第三下橋臂功率器件Q6的發(fā)射極與所述靜電調(diào)整電路40的三輸出端Wff相連，為三電阻采樣模式接法。
[0061]本實(shí)施例中，所述智能功率模塊10處于非工作狀態(tài)時(shí)的抗靜電能力不再與單個(gè)功率器件的柵氧厚度有關(guān)，因此，本實(shí)施例中的所述智能功率模塊10的功率器件的柵氧厚度可以設(shè)計(jì)得很薄，使得其功率器件的柵電容非常小，開關(guān)速度非?？?，從而使得其功率器件實(shí)際工作時(shí)的發(fā)熱量很小，從而提高了所述智能功率模塊10的性能和可靠性，進(jìn)而延長(zhǎng)了所述智能功率模塊10的使用壽命；并且，本實(shí)施例中的所述智能功率模塊10，在設(shè)計(jì)其電路板時(shí)無需考慮對(duì)所述智能功率模塊10的靜電保護(hù)方面的設(shè)計(jì)，從而大幅度地降低了所述智能功率模塊10電路板的設(shè)計(jì)難度和制作成本。
[0062]本實(shí)施例提供的智能功率模塊，包括低壓區(qū)供電電源正端、低壓區(qū)供電電源負(fù)端、控制端、U負(fù)端、V負(fù)端、W負(fù)端、公共負(fù)端、第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件、第三下橋臂功率器件、以及用于提高所述第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件及第三下橋臂功率器件的抗靜電能力的靜電調(diào)整電路；其中，所述靜電調(diào)整電路的電源正端與所述低壓區(qū)供電電源正端連接，所述靜電調(diào)整電路的電源負(fù)端與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端連接；所述靜電調(diào)整電路的第一輸入端與所述第一下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第二輸入端與所述第二下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第三輸入端與所述第三下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第一輸出端與所述U負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的第二輸出端與所述V負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的第三輸出端與所述W負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的公共輸出端與所述公共負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的受控端與所述控制端連接。本實(shí)施例提供的該智能功率模塊，在同時(shí)滿足其單電阻采樣模式和三電阻采樣模式的條件下，大幅度地提高了其抗靜電能力；并且，本實(shí)施例還提高了所述智能功率模塊的性能和可靠性，延長(zhǎng)了所述智能功率模塊的使用壽命以及大幅度地降低了所述智能功率模塊電路板的設(shè)計(jì)難度和制作成本；同時(shí)，本實(shí)施例還具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單及易實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)。
[0063]本實(shí)用新型還提供一種空調(diào)器，該空調(diào)器包括智能功率模塊，該智能功率模塊的電路結(jié)構(gòu)可參照上述實(shí)施例，在此不再贅述。理所應(yīng)當(dāng)?shù)?，由于本?shí)施例的空調(diào)器采用了上述智能功率模塊的技術(shù)方案，因此該空調(diào)器具有上述智能功率模塊所有的有益效果。
[0064]以上僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種智能功率模塊，其特征在于，包括低壓區(qū)供電電源正端、低壓區(qū)供電電源負(fù)端、控制端、U負(fù)端、V負(fù)端、W負(fù)端、公共負(fù)端、第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件、第三下橋臂功率器件、以及用于提高所述第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件及第三下橋臂功率器件的抗靜電能力的靜電調(diào)整電路；其中， 所述靜電調(diào)整電路的電源正端與所述低壓區(qū)供電電源正端連接，所述靜電調(diào)整電路的電源負(fù)端與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端連接；所述靜電調(diào)整電路的第一輸入端與所述第一下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第二輸入端與所述第二下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第三輸入端與所述第三下橋臂功率器件的電流輸出端連接，所述靜電調(diào)整電路的第一輸出端與所述U負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的第二輸出端與所述V負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的第三輸出端與所述W負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的公共輸出端與所述公共負(fù)端連接，所述靜電調(diào)整電路的受控端與所述控制端連接。
2.如權(quán)利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述靜電調(diào)整電路包括第一模擬開關(guān)、第二模擬開關(guān)及第三模擬開關(guān)；其中， 所述第一模擬開關(guān)的固定端與所述靜電調(diào)整電路的第一輸入端連接，所述第二模擬開關(guān)的固定端與所述靜電調(diào)整電路的第二輸入端連接，所述第三模擬開關(guān)的固定端與所述靜電調(diào)整電路的第三輸入端連接，所述第一模擬開關(guān)的高電平接觸端與所述靜電調(diào)整電路的第一輸出端連接，所述第二模擬開關(guān)的高電平接觸端與所述靜電調(diào)整電路的第二輸出端連接，所述第三模擬開關(guān)的高電平接觸端與所述靜電調(diào)整電路的第三輸出端連接，所述第一模擬開關(guān)的控制端、第二模擬開關(guān)的控制端及第三模擬開關(guān)的控制端均與所述靜電調(diào)整電路的受控端連接；所述第一模擬開關(guān)的低電平接觸端、第二模擬開關(guān)的低電平接觸端及第三模擬開關(guān)的低電平接觸端均與所述靜電調(diào)整電路的公共輸出端連接。
3.如權(quán)利要求2所述的智能功率模塊，其特征在于，所述智能功率模塊還包括最高電壓點(diǎn)、U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端、V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端、W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端、第一上橋臂功率器件、第二上橋臂功率器件、第三上橋臂功率器件；其中， 所述最高電壓點(diǎn)分別與所述第一上橋臂功率器件的電流輸入端、第二上橋臂功率器件的電流輸入端及第三上橋臂功率器件的電流輸入端連接；所述U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端分別與所述第一上橋臂功率器件的電流輸出端及所述第一下橋臂功率器件的電流輸入端連接；所述V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端分別與所述第二上橋臂功率器件的電流輸出端及所述第二下橋臂功率器件的電流輸入端連接；所述W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端分別與所述第三上橋臂功率器件的電流輸出端及所述第三下橋臂功率器件的電流輸入端連接。
4.如權(quán)利要求3所述的智能功率模塊，其特征在于，所述智能功率模塊還包括U相上橋臂控制信號(hào)輸入端、V相上橋臂控制信號(hào)輸入端、W相上橋臂控制信號(hào)輸入端、U相下橋臂控制信號(hào)輸入端、V相下橋臂控制信號(hào)輸入端、W相下橋臂控制信號(hào)輸入端、以及用于控制所述第一上橋臂功率器件、第二上橋臂功率器件、第三上橋臂功率器件、第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件及第三下橋臂功率器件的開關(guān)動(dòng)作的控制電路；其中， 所述U相上橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第一控制信號(hào)輸入端連接，所述V相上橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第二控制信號(hào)輸入端連接，所述W相上橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第三控制信號(hào)輸入端連接； 所述U相下橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第四控制信號(hào)輸入端連接，所述V相下橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第五控制信號(hào)輸入端連接，所述W相下橋臂控制信號(hào)輸入端與所述控制電路的第六控制信號(hào)輸入端連接。
5.如權(quán)利要求4所述的智能功率模塊，其特征在于，所述智能功率模塊還包括U相高壓區(qū)供電電源正端、V相高壓區(qū)供電電源正端及W相高壓區(qū)供電電源正端；其中， 所述U相高壓區(qū)供電電源正端與所述控制電路的U相高壓電源正端連接，所述V相高壓區(qū)供電電源正端與所述控制電路的V相高壓電源正端連接，所述W相高壓區(qū)供電電源正端與所述控制電路的W相高壓電源正端連接；所述控制電路的低壓電源正端與所述低壓區(qū)供電電源正端連接，所述控制電路的低壓電源負(fù)端與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端連接；所述控制電路的U相高壓電源負(fù)端與所述U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端連接，所述控制電路的V相高壓電源負(fù)端與所述V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端連接，所述控制電路的W相高壓電源負(fù)端與所述W相高壓區(qū)供電電源負(fù)端連接。
6.如權(quán)利要求5所述的智能功率模塊，其特征在于，所述智能功率模塊還包括第一PMOS管、第一 NMOS管、第二 PMOS管、第二 NMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第四PMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管及第六NMOS管；其中， 所述第一 PMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的U相高壓電源正端連接；所述第一NMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的U相高壓電源負(fù)端連接；所述第一 PMOS管的柵極及所述第一 NMOS管的柵極均與所述控制電路的第一輸出端連接；所述第一 PMOS管的漏極及所述第一 NMOS管的漏極均與所述第一上橋臂功率器件的受控端連接；所述第二 PMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的V相高壓電源正端連接；所述第二 NMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的V相高壓電源負(fù)端連接；所述第二 PMOS管的柵極及所述第二 NMOS管的柵極均與所述控制電路的第二輸出端連接；所述第二 PMOS管的漏極及所述第二 NMOS管的漏極均與所述第二上橋臂功率器件的受控端連接；所述第三PMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的W相高壓電源正端連接；所述第三NMOS管的源極和襯底均與所述控制電路的W相高壓電源負(fù)端連接；所述第三PMOS管的柵極及所述第三NMOS管的柵極均與所述控制電路的第三輸出端連接；所述第三PMOS管的漏極及所述第三NMOS管的漏極均與所述第三上橋臂功率器件的受控端連接； 所述第四PMOS管的源極和襯底、所述第五PMOS管的源極和襯底及所述第六PMOS管的源極和襯底均與所述低壓區(qū)供電電源正端連接；所述第四NMOS管的源極和襯底、所述第五NMOS管的源極和襯底及所述第六NMOS管的源極和襯底均與所述低壓區(qū)供電電源負(fù)端連接；所述第四PMOS管的柵極及所述第四NMOS管的柵極均與所述控制電路的第四輸出端連接；所述第四PMOS管的漏極及所述第四NMOS管的漏極均與所述第一下橋臂功率器件的受控端連接；所述第五PMOS管的柵極及所述第五NMOS管的柵極均與所述控制電路的第五輸出端連接；所述第五PMOS管的漏極及所述第五NMOS管的漏極均與所述第二下橋臂功率器件的受控端連接；所述第六PMOS管的柵極及所述第六NMOS管的柵極均與所述控制電路的第六輸出端連接；所述第六PMOS管的漏極及所述第六NMOS管的漏極均與所述第三下橋臂功率器件的受控端連接。
7.如權(quán)利要求6所述的智能功率模塊，其特征在于，所述智能功率模塊還包括第一續(xù)流二極管、第二續(xù)流二極管、第三續(xù)流二極管、第四續(xù)流二極管、第五續(xù)流二極管及第六續(xù)流二極管；其中， 所述第一續(xù)流二極管的陰極與所述第一上橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第一上橋臂功率器件的電流輸出端連接；所述第二續(xù)流二極管的陰極與所述第二上橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第二上橋臂功率器件的電流輸出端連接；所述第三續(xù)流二極管的陰極與所述第三上橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第三上橋臂功率器件的電流輸出端連接；所述第四續(xù)流二極管的陰極與所述第一下橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第一下橋臂功率器件的電流輸出端連接；所述第五續(xù)流二極管的陰極與所述第二下橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第二下橋臂功率器件的電流輸出端連接；所述第六續(xù)流二極管的陰極與所述第三下橋臂功率器件的電流輸入端連接，其陽(yáng)極與所述第三下橋臂功率器件的電流輸出端連接。
8.如權(quán)利要求7所述的智能功率模塊，其特征在于，所述第一上橋臂功率器件、第二上橋臂功率器件、第三上橋臂功率器件、第一下橋臂功率器件、第二下橋臂功率器件及第三下橋臂功率器件均為IGBT管。
9.一種空調(diào)器，其特征在于，包括權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的智能功率模塊。
【文檔編號(hào)】H02M1/00GK204179925SQ201420606979
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年10月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月20日
【發(fā)明者】馮宇翔 申請(qǐng)人:廣東美的集團(tuán)蕪湖制冷設(shè)備有限公司