一種低成本變頻器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低成本變頻器，包括整流電路、濾波電路、逆變電路、驅(qū)動(dòng)電路、可控硅開關(guān)、開關(guān)模塊、充放電器件，整流電路連接濾波電路，濾波電路連接逆變電路，逆變電路均連接開關(guān)模塊、充放電器件、可控硅開關(guān)，可控硅開關(guān)還連接充放電器件，開關(guān)模塊連接驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路采用三極管電路，整流電路采用二極管電路，逆變電路采用六個(gè)IGBT單管，本發(fā)明采用四層板覆地的設(shè)計(jì)，增強(qiáng)抗干擾能力，本發(fā)明的整流電路采用二極管電路，可控硅開關(guān)代替了繼電器或者接觸器，逆變電路采用六個(gè)IGBT單管，驅(qū)動(dòng)電路采用三極管電路，就不需要使用光耦來(lái)隔離電源，大大降低了成本。
【專利說(shuō)明】一種低成本變頻器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及變頻器領(lǐng)域，特別涉及一種低成本變頻器。
【背景技術(shù)】
[0002] 變頻器是運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中的功率變換器，隨著科技的發(fā)展，變頻技術(shù)被廣泛應(yīng)用 于各個(gè)領(lǐng)域?，F(xiàn)有變頻技術(shù)中，變頻器包括整流器，濾波電路，逆變器及控制電路，一般都是 將整流器和逆變器集成為一個(gè)模塊，例如IGBT模塊來(lái)對(duì)輸入電流進(jìn)行整流和逆變。當(dāng)變頻 器欠壓時(shí)，則使用繼電器或者接觸器來(lái)斷開電路對(duì)其的進(jìn)行保護(hù)。現(xiàn)有變頻器中逆變電路 中驅(qū)動(dòng)電源使用隔離電源，每一路都需要光耦工作，因此變頻器成本較高。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有產(chǎn)品中不足，提供一種低成本變頻器。
[0004] 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
[0005] -種低成本變頻器，包括整流電路、濾波電路、逆變電路、驅(qū)動(dòng)電路、可控硅開關(guān)、 開關(guān)模塊、充放電器件，整流電路連接濾波電路，濾波電路連接逆變電路，逆變電路均連接 開關(guān)模塊、充放電器件、可控硅開關(guān)，可控硅開關(guān)還連接充放電器件，開關(guān)模塊連接驅(qū)動(dòng)電 路，驅(qū)動(dòng)電路采用三極管電路，整流電路采用二極管電路，逆變電路采用六個(gè)IGBT單管，開 關(guān)豐吳塊包括開關(guān)電路j、開關(guān)電路k、開關(guān)電路m、開關(guān)電路η、開關(guān)電路p、開關(guān)電路q，開關(guān) 電路j、開關(guān)電路k、開關(guān)電路m、開關(guān)電路η、開關(guān)電路p、開關(guān)電路q各自連接一個(gè)IGBT單 管。本發(fā)明將可控硅代替了繼電器或者接觸器，繼電器或者接觸器價(jià)格比較高，而可控硅價(jià) 格很低，因此降低了成本。
[0006] 本發(fā)明的一種低成本變頻器的電路板采用四層板覆地結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了抗干擾能力。
[0007] 本發(fā)明的充放電器件為無(wú)極性電容。
[0008] 本發(fā)明的整流電路包括二極管D19、二極管D20、二極管D21、二極管D22、二極管 D23、二極管D30,二極管D19與二極管D20相串聯(lián)形成串聯(lián)電路a，二極管D21和二極管D23 相串聯(lián)形成串聯(lián)電路b，二極管D22與二極管D30相串聯(lián)形成串聯(lián)電路c，串聯(lián)電路a與串 聯(lián)電路b相并聯(lián)，串聯(lián)電路b與串聯(lián)電路c相并聯(lián)。本發(fā)明的整流電路采用二極管電路來(lái) 整流，二極管價(jià)格低，因此本發(fā)明的整流電路成本較低。
[0009] 本發(fā)明的濾波電路包括電阻R67、電阻R68、電阻R73、電阻R74、極性電容C38、極性 電容C39、極性電容C31、極性電容C37，電阻R73與電阻R67相串聯(lián)形成串聯(lián)電路α，電阻 R74與電阻R68相串聯(lián)形成串聯(lián)電路β，極性電容C38、極性電容C31相串聯(lián)形成串聯(lián)電路 Ω，極性電容C39、極性電容C37相串聯(lián)形成串聯(lián)電路Υ，串聯(lián)電路α、串聯(lián)電路β、串聯(lián)電 路Ω、串聯(lián)電路Υ相互并聯(lián)。
[0010] 本發(fā)明的極性電容C38的負(fù)極串聯(lián)連接極性電容C31的正極，極性電容C39的負(fù) 極串聯(lián)連接極性電容C37的正極。
[0011] 本發(fā)明的逆變電路包括IGBT單管Q30、IGBT單管Q32、IGBT單管Q33、IGBT單管 Q27、IGBT單管Q28、IGBT單管Q29, IGBT單管Q30與IGBT單管Q27相串聯(lián)形成串聯(lián)電路f， IGBT單管Q32與IGBT單管Q28相串聯(lián)形成串聯(lián)電路g，IGBT單管Q33與IGBT單管Q29相 串聯(lián)形成串聯(lián)電路h，串聯(lián)電路f、串聯(lián)電路g、串聯(lián)電路h相并聯(lián)。逆變電路米用六個(gè)IGBT 單管，IGBT單管成本低，因此降低了成本。
[0012] 本發(fā)明的開關(guān)電路j、開關(guān)電路k、開關(guān)電路m均包括電阻Rd、電阻Re、二極管Dw， 電阻Rd的一端連接二極管Dw的負(fù)極，二極管Dw的正極均連接電阻Re的一端和逆變電路， 電阻Re的另一端連接電阻Rd的另一端，電阻Rd的另一端連接直流電源VCC，開關(guān)電路η、 開關(guān)電路Ρ、開關(guān)電路q包括Ri、電阻Rj、二極管Dk，電阻Ri的一端連接二極管Dk的負(fù)極， 二極管Dk的正極均連接電阻Rj的一端和逆變電路，電阻Rj的另一端連接電阻Ri的另一 端，電阻Ri的另一端連接驅(qū)動(dòng)電路，即電阻Ri與二極管Dk相串聯(lián)，然后再并聯(lián)電阻Rj。電 阻Ri的另一端為高電平時(shí)，IGBT單管導(dǎo)通，電阻Ri的另一端為低電平時(shí)，IGBT單管關(guān)斷， IGBT單管中殘留的電流從電阻Ri和二極管Dk這里回流出來(lái)，從而保證快速關(guān)斷的效果。
[0013] 本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路包括三極管電路η、三極管電路Π 、三極管電路Φ，三極管電 路π、三極管電路η、三極管電路φ均包括電阻Rm、電容Cn、ΝΡΝ三極管Qx、ΝΡΝ三極管 Qy、PNP三極管Qz，電阻Rm連接NPN三極管Qx的基極，NPN三極管Qx的基極和發(fā)射極之間 連接電容Cn，NPN三極管Qx的集電極均連接NPN三極管Qy的基極、PNP三極管Qz的基極、 NPN三極管Qy的集電極，NPN三極管Qy的發(fā)射極連接PNP三極管Qz的發(fā)射極，NPN三極管 Qx的發(fā)射極連接PNP三極管Qz的集電極，NPN三極管Qy的集電極連接直流電源VCC，本發(fā) 明的驅(qū)動(dòng)電路采用三極管電路，代替了光稱，降低了成本。
[0014] 本發(fā)明的IGBT單管Q30、IGBT單管Q32、IGBT單管Q33、IGBT單管Q27、IGBT單管 Q28、IGBT單管Q29均為N溝道IGBT單管。
[0015] 本發(fā)明的有益效果如下：
[0016] 1、本發(fā)明采用四層板覆地的設(shè)計(jì)，增強(qiáng)抗干擾能力；
[0017] 2、本發(fā)明的整流電路采用二極管電路，可控硅開關(guān)代替了繼電器或者接觸器，逆 變電路采用六個(gè)IGBT單管，驅(qū)動(dòng)電路采用三極管電路，就不需要使用光耦來(lái)隔離電源，因 此本發(fā)明大大降低了成本；
[0018] 3、本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路采用三極管電路，代替了光耦，降低了成本。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0019] 圖1為本發(fā)明的系統(tǒng)框圖；
[0020] 圖2為本發(fā)明除了驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖3為本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 下面結(jié)合說(shuō)明書附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步說(shuō)明：
[0023] 注意：若網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)名稱相同，則它們是互相連接的。
[0024] 如圖1、圖2、圖3所示，一種低成本變頻器，包括整流電路1、濾波電路2、逆變電 路3、驅(qū)動(dòng)電路4、可控硅開關(guān)5、開關(guān)模塊、充放電器件6,整流電路1連接濾波電路2,濾波 電路2連接逆變電路3,逆變電路3均連接開關(guān)模塊、充放電器件6、可控硅開關(guān)5,可控硅 開關(guān)5還連接充放電器件6，開關(guān)模塊連接驅(qū)動(dòng)電路4,驅(qū)動(dòng)電路4采用三極管電路，整流電 路1采用二極管電路，逆變電路3采用六個(gè)IGBT單管，開關(guān)模塊包括開關(guān)電路j71、開關(guān)電 路k72、開關(guān)電路m73、開關(guān)電路n74、開關(guān)電路p75、開關(guān)電路q76,開關(guān)電路j71、開關(guān)電路 k72、開關(guān)電路m73、開關(guān)電路n74、開關(guān)電路p75、開關(guān)電路q76各自連接一個(gè)IGBT單管，一 種低成本變頻器采用四層板覆地的設(shè)計(jì)。充放電器件6為無(wú)極性電容，無(wú)極性電容為電容 C48?？煽毓栝_關(guān)5為可控硅開關(guān)Q8。
[0025] 整流電路1包括二極管D19、二極管D20、二極管D21、二極管D22、二極管D23、二極 管D30,二極管D19與二極管D20相串聯(lián)形成串聯(lián)電路a，二極管D21和二極管D23相串聯(lián) 形成串聯(lián)電路b，二極管D22與二極管D30相串聯(lián)形成串聯(lián)電路c，串聯(lián)電路a與串聯(lián)電路 b相并聯(lián)，串聯(lián)電路b與串聯(lián)電路c相并聯(lián)。
[0026] 濾波電路2包括電阻R67、電阻R68、電阻R73、電阻R74、極性電容C38、極性電容 C39、極性電容C31、極性電容C37,電阻R73與電阻R67相串聯(lián)形成串聯(lián)電路α，電阻R74與 電阻R68相串聯(lián)形成串聯(lián)電路β，極性電容C38、極性電容C31相串聯(lián)形成串聯(lián)電路Ω，極 性電容C39、極性電容C37相串聯(lián)形成串聯(lián)電路Υ，串聯(lián)電路α、串聯(lián)電路β、串聯(lián)電路Ω、 串聯(lián)電路Υ相互并聯(lián)。
[0027] 極性電容C38的負(fù)極串聯(lián)連接極性電容C31的正極，極性電容C39的負(fù)極串聯(lián)連 接極性電容C37的正極。
[0028] 逆變電路 3 包括 IGBT 單管 Q30、IGBT 單管 Q32、IGBT 單管 Q33、IGBT 單管 Q27、IGBT 單管Q28、IGBT單管Q29, IGBT單管Q30與IGBT單管Q27相串聯(lián)形成串聯(lián)電路f，IGBT單 管Q32與IGBT單管Q28相串聯(lián)形成串聯(lián)電路g，IGBT單管Q33與IGBT單管Q29相串聯(lián)形 成串聯(lián)電路h，串聯(lián)電路f、串聯(lián)電路g、串聯(lián)電路h、電容C48相并聯(lián)，IGBT單管Q30的柵極 連接開關(guān)電路j71，IGBT單管的Q32柵極連接開關(guān)電路k72, IGBT單管Q33的柵極連接開 關(guān)電路m73, IGBT單管Q27的柵極連接開關(guān)電路n74, IGBT單管Q28的柵極連接開關(guān)電路 p75, IGBT單管Q29柵極連接開關(guān)電路q76。
[0029] 開關(guān)電路j71、開關(guān)電路k72、開關(guān)電路m73的電路結(jié)構(gòu)是相同的，開關(guān)電路j71、 開關(guān)電路k72、開關(guān)電路m73均包括電阻Rd、電阻Re、二極管Dw，電阻Rd的一端連接二極管 Dw的負(fù)極，二極管Dw的正極均連接電阻Re的一端和逆變電路4,電阻Re的另一端連接電 阻Rd的另一端，電阻Rd的另一端連接直流電源VCC，開關(guān)電路n74、開關(guān)電路p75、開關(guān)電路 q76的電路結(jié)構(gòu)是相同的，開關(guān)電路n74、開關(guān)電路p75、開關(guān)電路q76包括Ri、電阻Rj、二極 管Dk，電阻Ri的一端連接二極管Dk的負(fù)極，二極管Dk的正極均連接電阻Rj的一端和逆變 電路3,電阻Rj的另一端連接電阻Ri的另一端，電阻Ri的另一端連接驅(qū)動(dòng)電路4。開關(guān)電 路n74中的二極管Dk的正極連接IGBT單管Q27的柵極，電阻Ri的另一端為ULG端；開關(guān) 電路P75中的二極管Dk的正極連接IGBT單管Q28的柵極，電阻Ri的另一端為VLG端；開 關(guān)電路q76中的二極管Dk的正極連接IGBT單管Q29的柵極，電阻Ri的另一端為WLG端。
[0030] 如圖3所示，驅(qū)動(dòng)電路4包括三極管電路π 41、三極管電路η42、三極管電路 Φ 43,三極管電路π 41、三極管電路η 42、三極管電路Φ 43均包括電阻Rm、電容Cn、NPN三 極管Qx、NPN三極管Qy、PNP三極管Qz，電阻Rm連接NPN三極管Qx的基極，NPN三極管Qx 的基極和發(fā)射極之間連接電容Cn，NPN三極管Qx的集電極均連接NPN三極管Qy的基極、 PNP三極管Qz的基極、NPN三極管Qy的集電極，NPN三極管Qy的發(fā)射極連接PNP三極管Qz 的發(fā)射極，NPN三極管Qx的發(fā)射極連接PNP三極管Qz的集電極，NPN三極管Qy的集電極連 接直流電源VCC，三極管電路π 41中的電阻Rm的一端為OUL端，NPN三極管Qy的發(fā)射極為 ULG端；三極管電路η 42中的電阻Rm的一端為OVL端，NPN三極管Qy的發(fā)射極為VLG端， 三極管電路Φ43中的電阻Rm的一端為OWL端，NPN三極管Qy的發(fā)射極為WLG端。
[0031] IGBT 單管 Q30、IGBT 單管 Q32、IGBT 單管 Q33、IGBT 單管 Q27、IGBT 單管 Q28、IGBT 單管Q29均為N溝道IGBT單管。
[0032] 本發(fā)明的工作流程如下：
[0033] 交流電的三相電即從如圖2所示的R端、S端、T端輸入，即分別從二極管D20的正 極、二極管D23的正極、二極管D23的正極輸入三相電，經(jīng)過(guò)整流電路的作用整流成直流電， 直流電再通過(guò)濾波電路2進(jìn)行濾波作用，將多余的紋波、交流雜波濾除，當(dāng)IGBT單管Q27、 IGBT單管Q28、IGBT單管Q29開通時(shí)，直流電流入IGBT單管Q30、IGBT單管Q32、IGBT單管 Q33、IGBT單管Q27、IGBT單管Q28、IGBT單管Q29并給電容C48充電。如圖2所示的，U、 V、W三端輸出正電壓。當(dāng)IGBT單管Q27, IGBT單管Q28, IGBT單管Q29關(guān)斷時(shí)，電容C48放 電，電流反向流入U(xiǎn)、V、W三端，U、V、W三端輸出負(fù)電壓，通過(guò)IGBT單管Q27、IGBT單管Q28、 IGBT單管Q29不斷開通和關(guān)斷形成交流電，從U、V、W三相輸出。
[0034] 如圖2、圖3所示，三極管電路π 41的0UL端、三極管電路η 42的0VL端、三極管 電路Φ 43的0WL端輸入PWM信號(hào)，當(dāng)0UL端、0VL端、0WL端為高電平時(shí)，三極管電路π 41 的ULG端、三極管電路η42的VLG端、三極管電路η43的WLG端輸出高電平，IGBT單管Q27 的柵極、IGBT單管Q28的柵極、IGBT單管Q29的柵極為高電平，那么IGBT單管Q27、IGBT單 管Q28、IGBT單管Q29開通。當(dāng)0UL端、0VL端、0WL端為低電平時(shí)，三極管電路3141的^^ 端、三極管電路Π 42的VLG端、三極管電路η 43的WLG端輸出低電平，IGBT單管Q27的柵 極、IGBT單管Q28的柵極、IGBT單管Q29的柵極為低電平，那么IGBT單管Q27、IGBT單管 Q28、IGBT單管Q29關(guān)斷。本發(fā)明通過(guò)控制可控硅開關(guān)Q8的控制極的電平來(lái)實(shí)行導(dǎo)通或關(guān) 斷功能，當(dāng)變頻器欠壓時(shí)，將可控硅開關(guān)Q8的控制極的輸入低電平，來(lái)實(shí)行關(guān)斷功能，代替 了繼電器或者接觸器，降低了成本。
[0035] 本發(fā)明采用四層板覆地的設(shè)計(jì)，增強(qiáng)抗干擾能力；本發(fā)明的整流電路采用成本較 低的二極管電路，可控硅開關(guān)代替了繼電器或者接觸器，逆變電路采用六個(gè)IGBT單管，驅(qū) 動(dòng)電路采用三極管電路，就不需要使用光耦來(lái)隔離電源，因此本發(fā)明大大降低了成本，濾波 電路起濾波作用，使得本發(fā)明工作更加穩(wěn)定。
[0036] 需要注意的是，以上列舉的僅是本發(fā)明的一種具體實(shí)施例。顯然，本發(fā)明不限于以 上實(shí)施例，還可以有許多變形。
[0037] 總之，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能從本發(fā)明公開的內(nèi)容直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的所有變 形，均應(yīng)認(rèn)為是本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種低成本變頻器，其特征在于，包括整流電路（1)、濾波電路（2)、逆變電路（3)、驅(qū) 動(dòng)電路（4)、可控硅開關(guān)（5)、開關(guān)模塊、充放電器件￠)，所述整流電路（1)連接濾波電路 (2)，所述濾波電路（2)連接逆變電路（3)，所述逆變電路（3)均連接開關(guān)模塊、充放電器件 (6)、可控硅開關(guān)（5)，所述可控硅開關(guān)（5)還連接充放電器件（6)，所述開關(guān)模塊連接驅(qū)動(dòng) 電路⑷，所述驅(qū)動(dòng)電路⑷采用三極管電路，所述整流電路⑴采用二極管電路，所述逆變 電路（3)采用六個(gè)IGBT單管，所述開關(guān)模塊包括開關(guān)電路j (71)、開關(guān)電路k(72)、開關(guān)電 路m (73)、開關(guān)電路η (74)、開關(guān)電路p (75)、開關(guān)電路q (76)，所述開關(guān)電路j (71)、開關(guān)電 路k (72)、開關(guān)電路m (73)、開關(guān)電路η (74)、開關(guān)電路p (75)、開關(guān)電路q (76)各自連接一個(gè) IGBT單管。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低成本變頻器，其特征在于，所述一種低成本變頻器的電 路板采用四層板覆地結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低成本變頻器，其特征在于，所述充放電器件（6)為無(wú)極性 電容。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低成本變頻器，其特征在于，所述整流電路（1)包括二極 管D19、二極管D20、二極管D21、二極管D22、二極管D23、二極管D30,所述二極管D19與二 極管D20相串聯(lián)形成串聯(lián)電路a，所述二極管D21和二極管D23相串聯(lián)形成串聯(lián)電路b，所 述二極管D22與二極管D30相串聯(lián)形成串聯(lián)電路c，所述串聯(lián)電路a與串聯(lián)電路b相并聯(lián)， 所述串聯(lián)電路b與串聯(lián)電路c相并聯(lián)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低成本變頻器，其特征在于，所述濾波電路（2)包括電阻 R67、電阻R68、電阻R73、電阻R74、極性電容C38、極性電容C39、極性電容C31、極性電容 C37,所述電阻R73與電阻R67相串聯(lián)形成串聯(lián)電路α，所述電阻R74與電阻R68相串聯(lián)形成 串聯(lián)電路β，所述極性電容C38、極性電容C31相串聯(lián)形成串聯(lián)電路Ω，所述極性電容C39、 極性電容C37相串聯(lián)形成串聯(lián)電路Υ，所述串聯(lián)電路α、串聯(lián)電路β、串聯(lián)電路Ω、串聯(lián)電 路Υ相互并聯(lián)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述一種低成本變頻器，其特征在于，所述極性電容C38的負(fù)極串聯(lián) 連接極性電容C31的正極，所述極性電容C39的負(fù)極串聯(lián)連接極性電容C37的正極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低成本變頻器，其特征在于，所述逆變電路（3)包括IGBT 單管 Q30、IGBT 單管 Q32、IGBT 單管 Q33、IGBT 單管 Q27、IGBT 單管 Q28、IGBT 單管 Q29,所 述IGBT單管Q30與IGBT單管Q27相串聯(lián)形成串聯(lián)電路f，所述IGBT單管Q32與IGBT單管 Q28相串聯(lián)形成串聯(lián)電路g，所述IGBT單管Q33與IGBT單管Q29相串聯(lián)形成串聯(lián)電路h，所 述串聯(lián)電路f、串聯(lián)電路g、串聯(lián)電路h相并聯(lián)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低成本變頻器，其特征在于，所述開關(guān)電路j (71)、開關(guān)電 路k (72)、開關(guān)電路m(73)均包括電阻Rd、電阻Re、二極管Dw，所述電阻Rd的一端連接二極 管Dw的負(fù)極，所述二極管Dw的正極均連接電阻Re的一端和逆變電路，所述電阻Re的另一 端連接電阻Rd的另一端，所述電阻Rd的另一端連接直流電源VCC，所述開關(guān)電路η (74)、開 關(guān)電路Ρ (75)、開關(guān)電路q(76)包括Ri、電阻Rj、二極管Dk，所述電阻Ri的一端連接二極管 Dk的負(fù)極，所述二極管Dk的正極均連接電阻Rj的一端和逆變電路（3)，所述電阻Rj的另 一端連接電阻Ri的另一端，所述電阻Ri的另一端連接驅(qū)動(dòng)電路（4)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低成本變頻器，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路（4)包括三極管 電路以41)、三極管電路η (42)、三極管電路Φ (43)，所述三極管電路π (41)、三極管電路 η (42)、三極管電路Φ (43)均包括電阻Rm、電容Cn、ΝΡΝ三極管Qx、ΝΡΝ三極管Qy、ΡΝΡ三 極管Qz，所述電阻Rm連接NPN三極管Qx的基極，所述NPN三極管Qx的基極和發(fā)射極之間 連接電容Cn，所述NPN三極管Qx的集電極均連接NPN三極管Qy的基極、PNP三極管Qz的 基極、NPN三極管Qy的集電極，所述NPN三極管Qy的發(fā)射極連接PNP三極管Qz的發(fā)射極， 所述NPN三極管Qx的發(fā)射極連接PNP三極管Qz的集電極，所述NPN三極管Qy的集電極連 接直流電源VCC。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種低成本變頻器，其特征在于，所述IGBT單管Q30、IGBT單 管Q32、IGBT單管Q33、IGBT單管Q27、IGBT單管Q28、IGBT單管Q29均為N溝道IGBT單管。
【文檔編號(hào)】H02M5/458GK104143924SQ201410406957
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月18日
【發(fā)明者】張學(xué)峰, 馮濤, 許衍庭 申請(qǐng)人:浙江易控電子科技有限公司