一種逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路，包括變壓器T1、MOS管Q1～Q3、二極管D1～D5、三極管Q4及電阻R1和R2；T1初級(jí)N1、N2繞組的公共端接D5的陽(yáng)極、輸入電源和Q3的源極；N1繞組另一端接Q1的漏極及D1的陽(yáng)極；N2繞組另一端接Q2的漏極及D2的陽(yáng)極；Q3的漏極接D1、D2的陰極，Q3的柵極接電阻R1的一端及Q4的發(fā)射極；R1的另一端接D5的陰極；D3、D4的陰極接電阻R2的一端及Q4的基極,R2的另一端和Q4的集電極接地；D3的陽(yáng)極接Q2的柵極，D4的陽(yáng)極接Q1的柵極,Q1、Q2的源極接地，該電路在實(shí)現(xiàn)成本低廉且損耗接近零時(shí)提高了效率和穩(wěn)定性。
【專利說明】一種逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及開關(guān)電源電路【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及一種逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著逆變電源在各領(lǐng)域的廣泛使用，市場(chǎng)對(duì)逆變電源的要求售價(jià)越來(lái)越低，可靠性與效率轉(zhuǎn)換要求越來(lái)越高?，F(xiàn)有的逆變電源大多采用推挽拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，漏感尖峰吸收部分采用無(wú)源和有源兩種嵌位技術(shù)方案。無(wú)源鉗位技術(shù)方案采用RCD鉗位技術(shù)和LCD鉗位技術(shù)，其缺點(diǎn)是開通損耗或通態(tài)損耗較大從而降低整機(jī)的轉(zhuǎn)換效率。由于吸收部分功耗比較大元器件發(fā)熱嚴(yán)重從而影響整機(jī)壽命和可靠性。現(xiàn)有的有源鉗位技術(shù)方案其驅(qū)動(dòng)部分基本有驅(qū)動(dòng)芯片所構(gòu)成，成本較高，難以降低。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供一種電路簡(jiǎn)單可靠易實(shí)現(xiàn)成本低廉且損耗接近零的逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路。
[0004]本實(shí)用新型的目的可以通過以下技術(shù)方案達(dá)到:
[0005]一種逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路，包括推挽變壓器T1、M0S管Ql?Q3、二極管Dl?D5、三極管Q4以及偏置電阻Rl和R2 ;推挽變壓器Tl初級(jí)N1、N2繞組的公共端與二極管D5的陽(yáng)極、輸入電源Vcc和MOS管Q3源極相連；N1繞組的另一端與MOS管Ql的漏極以及二極管Dl的陽(yáng)極連接；N2繞組的另一端與MOS管Q2的漏極以及二極管D2的陽(yáng)極相連；M0S管Q3的漏極與二極管Dl、D2的陰極相連，MOS管Q3的柵極與偏置電阻Rl的一端以及三極管Q4的發(fā)射極相連；偏置電阻Rl的另一端連接二極管D5的陰極；二極管D3、D4的陰極與偏置電阻R2的一端以及三極管Q4的基極相連，電阻R2的另一端和三極管Q4的集電極均接地；二極管D3的陽(yáng)極接MOS管Q2的柵極，二極管D4的陽(yáng)極接Ql的柵極，MOS管Ql、Q2的源極接地。
[0006]在一種優(yōu)選的方案中，所述推挽變壓器Tl為高頻推挽變壓器。
[0007]在一種優(yōu)選的方案中，所述MOS管Ql、Q2為N溝道MOS管，所述MOS管Q3為P溝道MOS管。
[0008]上述逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路，相比傳統(tǒng)逆變電源，極大的提升了性能，在實(shí)現(xiàn)成本低廉且損耗接近零時(shí)提高了效率和穩(wěn)定性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型具體實(shí)施例1的電路原理圖。
[0010]其中，Tl為高頻推挽變壓器，Q1、Q2和Q3為MOS管，D1、D2、D3、D4和D5為開關(guān)二極管，電阻Rl、R2為偏置電阻，Q4為開關(guān)三極管?！揪唧w實(shí)施方式】
[0011 ] 參照?qǐng)D1，一種逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路，包括推挽變壓器Tl、MOS管Ql?Q3、二極管Dl?D5、三極管Q4以及偏置電阻Rl和R2 ;推挽變壓器Tl初級(jí)N1、N2繞組的公共端與二極管D5的陽(yáng)極、輸入電源Vcc和MOS管Q3源極相連；N1繞組的另一端與MOS管Ql的漏極以及二極管Dl的陽(yáng)極連接；N2繞組的另一端與MOS管Q2的漏極以及二極管D2的陽(yáng)極相連；M0S管Q3的漏極與二極管D1、D2的陰極相連，MOS管Q3的柵極與偏置電阻Rl的一端以及三極管Q4的發(fā)射極相連；偏置電阻Rl的另一端連接二極管D5的陰極；二極管D3、D4的陰極與偏置電阻R2的一端以及三極管Q4的基極相連，電阻R2的另一端和三極管Q4的集電極均接地；二極管D3的陽(yáng)極接MOS管Q2的柵極，二極管D4的陽(yáng)極接Ql的柵極，MOS管Ql、Q2的源極接地。
[0012]本實(shí)施例的工作原理:
[0013]參照?qǐng)D1，當(dāng)輸入電壓Vcc加到高頻推挽變壓器Tl的N1、N2繞組的公共端2，同時(shí)帶有一定死區(qū)時(shí)間的兩路互補(bǔ)PWM驅(qū)動(dòng)波形分別加于MOS管Ql、Q2的柵極，MOS管Ql、Q2其中之一會(huì)導(dǎo)通,如果MOS管Ql導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)電壓通過二極管D4、電阻R2形成回路；如果MOS管Q2導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)電壓通過二極管D3、電阻R2形成回路。這時(shí)三極管Q4的基極與發(fā)射極的電壓相等，三極管Q4截止，MOS管Q3柵源極電壓差等于二極管D5導(dǎo)通的電壓差，由于MOS管Q3為P溝道MOS管，所以Q3截止。
[0014]當(dāng)加在MOS管Ql、Q2柵極上的驅(qū)動(dòng)波形處在死區(qū)時(shí)間階段時(shí)，即都為低電平時(shí)，MOS管Ql、Q2均截止，這時(shí)由于變壓器存在漏感的原因，它儲(chǔ)存的能量耦合不到次級(jí)，由于電感兩端的電流是不能突變的，所以MOS管Ql、Q2的漏極電壓等于漏感的電壓與輸入電壓之和，這是MOS管Ql、Q2漏極就會(huì)產(chǎn)生尖峰。
[0015]當(dāng)MOS管Q1、Q2截止時(shí)，三極管Q4基極為低電平，三極管Q4飽和導(dǎo)通，MOS管Q3的柵極為低電平，MOS管Q3的柵源極電壓為負(fù)壓VCC，滿足MOS管Q3的導(dǎo)通條件，MOS管Q3導(dǎo)通，這時(shí)MOS管Q1、Q2漏極的尖峰就被限制在二極管D1、D2、M0S管Q3的壓降之和之內(nèi)，這個(gè)壓降是很小的，漏感尖峰的能量大多釋放回輸入電源Vcc。同時(shí)二極管Dl、D2可防止MOS管Q3寄生二極管的導(dǎo)通，極大的提升了性能，提高了效率和穩(wěn)定性。
[0016]以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施例，其描述較為具體和詳細(xì)，但不能因此理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路，其特征在于，包括推挽變壓器T1、M0S管Ql?Q3、二極管Dl?D5、三極管Q4以及偏置電阻Rl和R2 ;推挽變壓器Tl初級(jí)N1、N2繞組的公共端與二極管D5的陽(yáng)極、輸入電源Vcc和MOS管Q3源極相連；N1繞組的另一端與MOS管Ql的漏極以及二極管Dl的陽(yáng)極連接；N2繞組的另一端與MOS管Q2的漏極以及二極管D2的陽(yáng)極相連；M0S管Q3的漏極與二極管D1、D2的陰極相連，MOS管Q3的柵極與偏置電阻Rl的一端以及三極管Q4的發(fā)射極相連；偏置電阻Rl的另一端連接二極管D5的陰極；二極管D3、D4的陰極與偏置電阻R2的一端以及三極管Q4的基極相連，電阻R2的另一端和三極管Q4的集電極均接地；二極管D3的陽(yáng)極接MOS管Q2的柵極，二極管D4的陽(yáng)極接Ql的柵極，MOS管Ql、Q2的源極接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路，其特征在于，所述推挽變壓器Tl為高頻推挽變壓器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的逆變電源用推挽變壓器漏感尖峰有源嵌位吸收電路，其特征在于，所述MOS管Ql、Q2為N溝道MOS管，所述MOS管Q3為P溝道MOS管。
【文檔編號(hào)】H02M7/537GK203632571SQ201320879913
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】王霽菡, 周治國(guó), 黃建亮 申請(qǐng)人:廣東瑞德智能科技股份有限公司