電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)，其特征在于，電網(wǎng)電壓在三相平衡的條件下，根據(jù)矢量圖可以推測(cè)出，A、C在投入前A相可控硅上下端電壓相位與AB相位同相，C相可控硅上下端電壓相位與BC間電壓相位同相或反向；在A相投入C相未投入條件下，C相可控硅上下端電壓相位與AB間電壓相位相差90度?；谝陨显?，可以通過(guò)檢測(cè)AB和BC間電壓相位，通過(guò)計(jì)算可以得到A相和C相可控硅電壓過(guò)零點(diǎn)。同時(shí)控制兩相的投切次序，按照先投后切的邏輯。本發(fā)明成本低廉，系統(tǒng)接線簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，并具有較高經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及成本低廉，系統(tǒng)接線簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，并具有較高經(jīng)濟(jì)價(jià)值的一種電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)。

【背景技術(shù)】
[0002]投切電容器可控硅部件目前在動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償系統(tǒng)中廣泛使用，目前可控硅投切角外接電容存在以下兩種方式:其一，全控三相兩控角外接，通過(guò)尋找可控硅兩端電壓的過(guò)零點(diǎn)，同步可控硅觸發(fā)信號(hào)，參考如圖1所示的系統(tǒng)接線圖。優(yōu)點(diǎn):系統(tǒng)接線簡(jiǎn)單，成本低缺點(diǎn):在控制過(guò)程中，若電容沒(méi)有放完電，A和C相投切次序無(wú)序則會(huì)產(chǎn)生涌流，在電容上還存在較高的電壓時(shí)，會(huì)找不到過(guò)零點(diǎn)，因此需要一定的放電時(shí)間，投入時(shí)電流不自然過(guò)零，控制投切過(guò)程復(fù)雜，重復(fù)投入間隔大于1S。其二，半控三相兩控角外接，通過(guò)尋找可控硅兩端電壓的過(guò)零點(diǎn)，同步可控硅觸發(fā)信號(hào)，參考如圖2所示的系統(tǒng)接線圖。優(yōu)點(diǎn):系統(tǒng)接線簡(jiǎn)單，成本低，投入電流自然過(guò)零，缺點(diǎn):在控制過(guò)程中，若電容沒(méi)有放完電，A和C相投切次序無(wú)序則會(huì)產(chǎn)生涌流，在電容上還存在較高的電壓時(shí)，會(huì)找不到過(guò)零點(diǎn)，因此需要一定的放電時(shí)間，投入時(shí)電流不自然過(guò)零，控制投切過(guò)程復(fù)雜，重復(fù)投入間隔大于IS需要一定的放電時(shí)間，控制投切過(guò)程復(fù)雜，重復(fù)投入間隔大于1S，需要預(yù)充電電路。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)，能實(shí)現(xiàn)三相兩控接線簡(jiǎn)單、成本低的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)可以滿(mǎn)足重復(fù)投切時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，具有很高的經(jīng)濟(jì)價(jià)值和實(shí)用價(jià)值。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)問(wèn)題是按如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)，其特征在于，電網(wǎng)電壓在三相平衡的條件下，根據(jù)矢量圖可以推測(cè)出，A、C在投入前A相可控硅上下端電壓相位與AB相位同相，C相可控硅上下端電壓相位與BC間電壓相位同相或反向；在A相投入C相未投入條件下，C相可控硅上下端電壓相位與AB間電壓相位相差90度。
[0005]按照本發(fā)明提供的電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)，其特征在于，基于以上原理，可以通過(guò)檢測(cè)AB和BC間電壓相位，通過(guò)計(jì)算可以得到A相和C相可控硅電壓過(guò)零點(diǎn)。同時(shí)控制兩相的投切次序，按照先投后切的邏輯。
[0006]實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的一種電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)，具有如下優(yōu)點(diǎn):系統(tǒng)接線簡(jiǎn)單，成本低廉，不須額外設(shè)計(jì)預(yù)充電電，不須放電時(shí)間，穩(wěn)定性好，可靠性強(qiáng)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為【背景技術(shù)】中采用全控三相兩控角外接的系統(tǒng)接線圖；
[0008]圖2為【背景技術(shù)】中采用半控三相兩控角外接的系統(tǒng)接線圖；
[0009]圖3為本發(fā)明電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)的測(cè)試波形圖。

【具體實(shí)施方式】
[0010]一種電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)，電網(wǎng)電壓在三相平衡的條件下，根據(jù)矢量圖可以推測(cè)出，A、C在投入前A相可控硅上下端電壓相位與AB相位同相，C相可控硅上下端電壓相位與BC間電壓相位同相或反向；在A相投入C相未投入條件下，C相可控硅上下端電壓相位與AB間電壓相位相差90度，參考如圖1所示的全控三相兩控角外接電容。參考如圖3所示的測(cè)試波形圖。基于以上原理，可以通過(guò)檢測(cè)AB和BC間電壓相位，通過(guò)計(jì)算可以得到A相和C相可控硅電壓過(guò)零點(diǎn)。同時(shí)控制兩相的投切次序，按照先投后切的邏輯。
[0011]本發(fā)明的一種電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)，不用角內(nèi)接方法中電容間互接，同時(shí)可以使用三相組合電容，三相兩控相比三相三控少一條可控硅模塊，可以降低可控硅使用成本，不須額外設(shè)計(jì)預(yù)充電電，不須放電時(shí)間，切除后不需要放電即可再次投入。
【權(quán)利要求】
1.一種電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)，其特征在于，電網(wǎng)電壓在三相平衡的條件下，根據(jù)矢量圖可以推測(cè)出，A、C在投入前A相可控硅上下端電壓相位與AB相位同相，C相可控硅上下端電壓相位與BC間電壓相位同相或反向；在A相投入C相未投入條件下，C相可控硅上下端電壓相位與AB間電壓相位相差90度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的的電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)，其特征在于，可以通過(guò)檢測(cè)AB和BC間電壓相位，通過(guò)計(jì)算可以得到A相和C相可控硅電壓過(guò)零點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的的電力控制電容補(bǔ)償三相三線有序投切技術(shù)，其特征在于，同時(shí)控制兩相的投切次序，按照先投后切的邏輯。
【文檔編號(hào)】H02J3/18GK104426154SQ201310412047
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月5日
【發(fā)明者】林川 申請(qǐng)人:深圳市力高電能技術(shù)有限公司