專利名稱：開關(guān)電源電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及自動(dòng)化領(lǐng)域，具體涉及一種開關(guān)電源電路。
背景技術(shù)：
通常的 開關(guān)電源，都以外置為主，體積都比較偏大，內(nèi)置在產(chǎn)品中，會(huì)使產(chǎn)品體積增大，而使用變壓器又不是很穩(wěn)定，當(dāng)初級(jí)輸入電壓偏高時(shí)，次級(jí)輸出的電壓也會(huì)偏高，電壓的高低波動(dòng)很有可能引發(fā)產(chǎn)品各種問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種體積小，低成本高效率的開關(guān)電源電路電路。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種開關(guān)電源電路，包括輸入整流濾波模塊，阻容吸收模塊，輸出整流濾波模塊，電壓反饋模塊和開關(guān)控制芯片模塊，所述的輸入整流濾波模塊，阻容吸收模塊，輸出整流濾波模塊，電壓反饋模塊依次連接，所述的開關(guān)控制芯片模塊接入阻容吸收模塊，所述的電壓反饋模塊連接開關(guān)控制芯片模塊。所述的開關(guān)控制芯片模塊中采用LP2705。所述的輸入整流濾波模塊將交流電轉(zhuǎn)換為平穩(wěn)的直流電；
所述的開關(guān)控制芯片模塊控制變壓器初級(jí)線圈的開關(guān)；
所述的阻容吸收模塊用于吸收和消耗電路斷開時(shí)感性負(fù)載產(chǎn)生的自感電動(dòng)勢，可防止過電壓造成的開關(guān)管擊穿。所述的電壓反饋模塊將使TL431的控制腳(T點(diǎn))保持2.5V,通過調(diào)節(jié)R9、R10的比值，可方便改變輸出電壓值。R9=R10時(shí)，輸出為5V。所述的輸出整流濾波模塊使輸出電壓穩(wěn)定，如需控制紋波，可外接LC濾波。由于上述技術(shù)方案的采用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn):成本低，體積小，交流轉(zhuǎn)換為直流損耗低、效率高達(dá)75%以上，電壓輸入范圍寬、輸出穩(wěn)定，可以替代變壓器內(nèi)直在廣品中。


圖1為本發(fā)明電路圖。其中:1.輸入整流濾波模塊，2.阻容吸收模塊，3.輸出整流濾波模塊，4.電壓反饋模塊，5.開關(guān)控制芯片模塊。
具體實(shí)施例方式如圖1所示的開關(guān)電源電路，包括輸入整流濾波模塊1，阻容吸收模塊2，輸出整流濾波模塊3，電壓反饋模塊4和開關(guān)控制芯片模塊5，所述的輸入整流濾波模塊1，阻容吸收模塊2，輸出整流濾波模塊3，電壓反饋模塊4依次連接，所述的開關(guān)控制芯片模塊5接入阻容吸收模塊2，所述的電壓反饋模塊4連接開關(guān)控制芯片模塊5。所述的開關(guān)控制芯片模塊5中采用LP2705。電壓反饋模塊4與負(fù)載連接。所述的開關(guān)控制芯片模塊5中采用LP2705。LP2705在一個(gè)器件上集成了一個(gè)高壓功率MOSFET開關(guān)以及一個(gè)電源控制器，它使用簡單的開/關(guān)控制方式來穩(wěn)定輸出電壓。這個(gè)控制器包括了一個(gè)振蕩器、使能電路、流限狀態(tài)調(diào)節(jié)器、5.85V穩(wěn)壓器、旁路/多功能引腳欠壓及過壓電路、電流限流選擇電路、過熱保護(hù)、電流限流電路，前沿消穩(wěn)電路以及一個(gè)700V的功率MOSFET管。此外，還增加了欠壓檢測、自動(dòng)重啟動(dòng)、自動(dòng)調(diào)整的開關(guān)周期導(dǎo)通時(shí)間延長及頻率抖動(dòng)功能。1.過熱保護(hù)。熱關(guān)斷電路檢測結(jié)的溫度。閾值設(shè)置在142 ° C并具備75 ° C的遲滯范圍。當(dāng)結(jié)溫度超過這個(gè)閾值，功率MOSFET關(guān)閉，直到結(jié)溫度下降75 ° C，MOSFET才會(huì)重新開啟。采用75 ° C(典型)的遲滯可防止因持續(xù)故障而使PCB板出現(xiàn)過熱現(xiàn)象。2.電流限流。電流限流電路檢測功率MOS F E T的電流。當(dāng)電流超過內(nèi)部閾值(I LIMIT)時(shí)，在該周期剩余階段會(huì)關(guān)斷功率M0SFET。電流限流狀態(tài)調(diào)節(jié)器在中輕度負(fù)載條件下以非連續(xù)方式降低電流限流閾值。在功率MOSFET開啟后，前沿消隱電路會(huì)將電流限流比較器抑制片刻(tLEB)。通過設(shè)置前沿消隱時(shí)間，可以防止由電容及次級(jí)整流管反向恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)生的電流尖峰引起開關(guān)脈沖的提如誤關(guān)斷。3.自動(dòng)重啟動(dòng)。一旦出現(xiàn)故障，例如在輸出過載、輸出短路或開環(huán)情況下，LP2705進(jìn)入自動(dòng)重啟動(dòng)操作。每當(dāng)ΕΝ/UV引腳電壓拉低時(shí)，一個(gè)由振蕩器記時(shí)的內(nèi)部記數(shù)器會(huì)重新置位。如果64ms內(nèi)ΕΝ/UV引腳未被拉低，功率MOSFET開關(guān)通常被禁止2.5秒(除欠壓狀態(tài)下，因MOSFET在欠壓時(shí)已被關(guān)斷)。自動(dòng)重啟動(dòng)電路對(duì)功率MOSFET進(jìn)行交替使能和關(guān)閉，直到故障排除為止。在欠壓狀態(tài)下，功率MOSFET開關(guān)的禁止時(shí)間超過了通常的2.5秒，直到欠壓狀態(tài)結(jié)束為止。本實(shí)施例中以5V輸出電壓為例，當(dāng)開關(guān)控制芯片導(dǎo)通時(shí)，變壓器進(jìn)行變壓，經(jīng)過輸出整流濾波模塊進(jìn)入電壓反饋模塊，檢測到電壓反饋模塊的T點(diǎn)值為2.5v時(shí)，5V直流電壓正常輸出，若輸出電壓大于5 V，即T點(diǎn)值大于2.5V，TL431的輸出級(jí)導(dǎo)通，電流經(jīng)過R8電阻，在上面形成壓降，從而使得光耦I(lǐng)C2導(dǎo)通，從LP2705的EN腳拉出的電流大于某個(gè)閾值電流，MOSFET在下個(gè)周期被關(guān)斷，抑制下一個(gè)開關(guān)周期，使變壓器次級(jí)的電壓降低。若輸出電壓小于5 V，即T點(diǎn)值小于2.5V，TL431的輸出級(jí)截止，光耦不導(dǎo)通，LP2705的EN腳無電流，MOSFET在下個(gè)周期被導(dǎo)通，使變壓器次級(jí)的電壓升高，加上次級(jí)穩(wěn)壓電容的作用，實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)穩(wěn)定的電壓輸出。上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種開關(guān)電源電路，其特征在于:包括輸入整流濾波模塊(1)，阻容吸收模塊(2)，輸出整流濾波模塊(3)，電壓反饋模塊(4)和開關(guān)控制芯片模塊(5)，所述的輸入整流濾波模塊(1)，阻容吸收模塊(2)，輸出整流濾波模塊(3)，電壓反饋模塊(4)依次連接，所述的開關(guān)控制芯片模塊(5)接入阻容吸收模塊(2)，所述的電壓反饋模塊(4)連接開關(guān)控制芯片模塊(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源電路，其特征在于:所述的開關(guān)控制芯片模塊(5)中采用 LP2705。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種開關(guān)電源電路，包括輸入整流濾波模塊，阻容吸收模塊，輸出整流濾波模塊，電壓反饋模塊和開關(guān)控制芯片模塊，所述的輸入整流濾波模塊，阻容吸收模塊，輸出整流濾波模塊，電壓反饋模塊依次連接，所述的開關(guān)控制芯片模塊接入阻容吸收模塊，所述的電壓反饋模塊連接開關(guān)控制芯片模塊。本發(fā)明成本低，體積小，交流轉(zhuǎn)換為直流損耗低、效率高達(dá)75%以上，電壓輸入范圍寬、輸出穩(wěn)定，可以替代變壓器內(nèi)置在產(chǎn)品中。
文檔編號(hào)H02M3/06GK103151913SQ20131005500
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2013年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月21日
發(fā)明者朱鴿 申請(qǐng)人:蘇州創(chuàng)泰電子有限公司